昭和電工株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第79位 513件
（
2010年：第84位 554件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第88位 379件
（2010年：第136位 228件）
（ランキング更新日：2025年2月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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昭和電工株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4846561 | 導光部材および面光源装置ならびに表示装置 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4848469 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4847717 | 円筒体の表面検査方法および同装置 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4846737 | α，β−不飽和エーテルの製造方法 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4846293 | ペンタフルオロエタンの回収方法および該方法を含むペンタフルオロエタンの製造方法 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4841909 | 窒化物系半導体発光素子 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4843356 | 部材同士の接合方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4843302 | 鍛造成形品、その製造方法および鍛造用金型 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4843825 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4843535 | 積層膜形成システム、スパッタ装置、および積層膜形成方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4842272 | マンガン化合物のフッ素化方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4843466 | 成形用金型 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4843235 | ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4841206 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | 2011年12月21日 | |
| 特許 4837752 | 摩擦撹拌接合終端の処理方法 | 2011年12月14日 |
379 件中 1-15 件を表示
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4846561 4848469 4847717 4846737 4846293 4841909 4843356 4843302 4843825 4843535 4842272 4843466 4843235 4841206 4837752
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