昭和電工株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第79位 513件
（
2010年：第84位 554件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第88位 379件
（2010年：第136位 228件）
（ランキング更新日：2025年2月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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昭和電工株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4643388 | 金属鋳造材の連続鋳造方法および連続鋳造装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641101 | テトラフルオロベンゼンメタノール類の製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643745 | 表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643744 | 表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643743 | 表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643758 | 表面被覆サーメット部材の製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643749 | 表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642602 | フッ素ガス中の含有ガス成分の定量分析方法およびこれに用いる装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642834 | 多結晶構造膜およびその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4644754 | ＩＩＩ族窒化物半導体素子及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642138 | 化合物半導体素子ウェハーの製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642137 | 化合物半導体素子ウェハーの製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641812 | 窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4638258 | ＬＥＤ用基板および光源 | 2011年 2月23日 | |
| 特許 4637785 | 磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置 | 2011年 2月23日 |
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4643388 4641101 4643745 4643744 4643743 4643758 4643749 4642602 4642834 4644754 4642138 4642137 4641812 4638258 4637785
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