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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
(2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
(2011年:第419位 79件)
(ランキング更新日:2025年2月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-112721 | 浮遊粒子の測定方法及びその装置 | 2012年 6月14日 | |
特開 2012-114281 | SOIウェーハの製造方法 | 2012年 6月14日 | |
特開 2012-114282 | SOIウェーハの製造方法並びにウェーハ貼り合わせシステム | 2012年 6月14日 | |
特開 2012-114283 | 貼り合わせSOIウェーハ及びその製造方法 | 2012年 6月14日 | |
特開 2012-111595 | 搬送装置 | 2012年 6月14日 | |
特開 2012-114138 | シリコンウェーハのエピタキシャル成長方法 | 2012年 6月14日 | |
特開 2012-109310 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | 2012年 6月 7日 | |
特開 2012-106881 | n型多結晶シリコンウェーハ並びにn型多結晶シリコンインゴット及びその製造方法 | 2012年 6月 7日 | |
特開 2012-101966 | 多結晶シリコンの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法 | 2012年 5月31日 | |
特開 2012-101963 | シリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法 | 2012年 5月31日 | |
特開 2012-104666 | 貼り合わせウェーハ及びその製造方法 | 2012年 5月31日 | |
特開 2012-94715 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-91942 | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-91964 | 多結晶シリコンの製造方法 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-94559 | 硬脆性ウェーハの平坦化加工方法および平坦化加工用パッド | 2012年 5月17日 |
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2012-112721 2012-114281 2012-114282 2012-114283 2012-111595 2012-114138 2012-109310 2012-106881 2012-101966 2012-101963 2012-104666 2012-94715 2012-91942 2012-91964 2012-94559
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2月27日(木) -
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2月27日(木) -
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3月4日(火) -
3月4日(火) -
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3月5日(水) -
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