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信越半導体株式会社

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　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第255位　154件（2012年：第234位　161件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特開 2013-256406	原料充填方法及び単結晶の製造方法	2013年12月26日
特開 2013-256417	単結晶育成装置	2013年12月26日
特開 2013-249240	単結晶製造装置	2013年12月12日
特開 2013-249220	半導体単結晶棒の製造方法	2013年12月12日
特開 2013-251461	半導体ウェーハの洗浄方法	2013年12月12日
特開 2013-247204	ＳＯＩウェーハの製造方法	2013年12月 9日
特開 2013-247348	シリコンウェーハの乾燥方法	2013年12月 9日	共同出願
特開 2013-243219	半導体ウェーハの洗浄方法	2013年12月 5日
特開 2013-239661	アルカリエッチング液及びこれを用いたアルカリエッチング方法	2013年11月28日
特開 2013-237586	シリコン原料の溶融方法	2013年11月28日
特開 2013-238534	ウエーハ表面の評価方法	2013年11月28日
特開 2013-235888	半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置	2013年11月21日
特開 2013-229516	貼り合わせウェーハの製造方法	2013年11月 7日
特開 2013-229367	エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	2013年11月 7日
特開 2013-227178	ＧａＮ自立基板の製造方法	2013年11月 7日

130 件中 1-15 件を表示

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2013-256406 2013-256417 2013-249240 2013-249220 2013-251461 2013-247204 2013-247348 2013-243219 2013-239661 2013-237586 2013-238534 2013-235888 2013-229516 2013-229367 2013-227178

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