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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件 (2010年:第311位 147件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件 (2010年:第270位 113件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4848947 | 半導体基板の評価方法および半導体基板評価用素子 | 2011年12月28日 | |
特許 4848974 | 黒鉛ルツボおよびこれを備えたシリコン単結晶製造装置 | 2011年12月28日 | |
特許 4849083 | 単結晶引上げ装置 | 2011年12月28日 | |
特許 4846915 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年12月28日 | 共同出願 |
特許 4840629 | シリコンウェーハの評価方法 | 2011年12月21日 | |
特許 4839836 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年12月21日 | |
特許 4839818 | 貼り合わせ基板の製造方法 | 2011年12月21日 | |
特許 4833355 | 研磨ヘッド及び研磨装置 | 2011年12月 7日 | 共同出願 |
特許 4831203 | 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置 | 2011年12月 7日 | |
特許 4832727 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | 2011年12月 7日 | 共同出願 |
特許 4830290 | 直接接合ウェーハの製造方法 | 2011年12月 7日 | |
特許 4826994 | SOIウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4826070 | 半導体ウエーハの熱処理方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4826475 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 | |
特許 4826993 | p型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2011年11月30日 |
138 件中 1-15 件を表示
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4848947 4848974 4849083 4846915 4840629 4839836 4839818 4833355 4831203 4832727 4830290 4826994 4826070 4826475 4826993
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
新製品開発の「タネ」がみつかる!株式会社リコーによるシーズ発表会 ~リコーの技術(シーズ)やアイデアを使って新製品をつくりませんか?~
12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
【特別講演】第8回 前コミュ 生成AIでビジネスチャンスをつかむ前に、生成AI導入に待ち構える法的ハードルを越える方法 ~ つながりを育む出会いの場(知財ネットワーク交流会)~
12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月1日(日) -
12月10日(火) - 東京 港区
12月10日(火) -
12月10日(火) - 東京 港区
12月11日(水) - 東京 港区
12月11日(水) -
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12月12日(木) -
12月12日(木) - 東京 港区
12月12日(木) - 東京 品川
ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ~秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約~
12月12日(木) - 東京 千代田
12月12日(木) -
12月12日(木) -
12月13日(金) - 東京 23区
12月13日(金) - 東京 品川
12月13日(金) -
12月13日(金) -
12月14日(土) -
12月10日(火) - 東京 港区
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