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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 4682508	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 5月11日
特許 4675749	エピタキシャルウエーハの製造方法	2011年 4月27日	共同出願
特許 4678458	半導体ウェーハの内部欠陥測定方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハの内部欠陥測定装置	2011年 4月27日
特許 4678101	化合物半導体ウェーハの評価方法及び評価装置	2011年 4月27日
特許 4677882	半導体結晶の製造方法及び半導体結晶の製造装置	2011年 4月27日
特許 4675542	ゲッタリング能力の評価方法	2011年 4月27日
特許 4677890	埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ	2011年 4月27日
特許 4671724	半導体ウェーハの保持用グリッパー及び保持方法並びに形状測定装置	2011年 4月20日	共同出願
特許 4670566	半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法	2011年 4月13日
特許 4670317	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2011年 4月13日
特許 4665935	半導体ウェーハの製造方法	2011年 4月 6日
特許 4666189	ＳＯＩウェーハの製造方法	2011年 4月 6日
特許 4666217	フォトニック結晶の製造方法	2011年 4月 6日
特許 4661982	エピタキシャル成長用サセプタ	2011年 3月30日
特許 4661784	ＳＯＩウエーハの洗浄方法	2011年 3月30日

138 件中 76-90 件を表示

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4682508 4675749 4678458 4678101 4677882 4675542 4677890 4671724 4670566 4670317 4665935 4666189 4666217 4661982 4661784

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