信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4661784 | ＳＯＩウエーハの洗浄方法 | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4655935 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4654875 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4656788 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4655797 | 直接接合ウエーハの製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4655557 | ＳＯＩ基板の製造方法及びＳＯＩ基板 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4654749 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4654710 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4654209 | 研磨装置 | 2011年 3月16日 | 共同出願 |
| 特許 4654275 | 両面研磨装置 | 2011年 3月16日 | 共同出願 |
| 特許 4650520 | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許 4653948 | エピタキシャルウエーハ用シリコン単結晶の検査方法及びエピタキシャルウエーハ用シリコンウエーハの製造方法、並びにエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許 4649918 | 貼り合せウェーハの製造方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許 4647216 | ＧａＰ発光素子の製造方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4646440 | 窒素ドープアニールウエーハの製造方法 | 2011年 3月 9日 |
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4661784 4655935 4654875 4656788 4655797 4655557 4654749 4654710 4654209 4654275 4650520 4653948 4649918 4647216 4646440
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12月13日(金) -
12月13日(金) -
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