信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2025年2月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4640203 | 半導体ウエーハの評価方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4640204 | ＳＯＩウエーハの評価方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4638650 | シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法 | 2011年 2月23日 | |
| 特許 4636110 | ＳＯＩ基板の製造方法 | 2011年 2月23日 | |
| 特許 4638012 | 半導体基板とこれを利用した太陽電池セルおよびそれらの製造方法 | 2011年 2月23日 | 共同出願 |
| 特許 4631293 | 半導体ウエーハの研磨装置及び研磨方法 | 2011年 2月16日 | |
| 特許 4633977 | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ | 2011年 2月16日 | |
| 特許 4634333 | 基板処理装置及び基板処理方法 | 2011年 2月16日 | 共同出願 |
| 特許 4628580 | 貼り合せ基板の製造方法 | 2011年 2月 9日 | |
| 特許 4626424 | 単結晶引上げ装置 | 2011年 2月 9日 | |
| 特許 4626303 | 多結晶原料のリチャージ冶具および多結晶原料のリチャージ方法 | 2011年 2月 9日 | |
| 特許 4626291 | 単結晶引上げ装置 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4626133 | 貼り合せウェーハの製造方法 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許 4624836 | 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いるウエーハ保持用治具 | 2011年 2月 2日 | 共同出願 |
| 特許 4617820 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 1月26日 |
138 件中 106-120 件を表示
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4640203 4640204 4638650 4636110 4638012 4631293 4633977 4634333 4628580 4626424 4626303 4626291 4626133 4624836 4617820
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