三星電子株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第61位 707件
（
2012年：第84位 516件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第55位 679件
（
2012年：第32位 952件）
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三星電子株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5235400 | 放電回路 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5235260 | 窒素を含むシード層を備える金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5233025 | 発光素子の製造方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230955 | 抵抗性メモリ素子 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230157 | 反り防止のための回路基板及びその製造方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230116 | 高配向性シリコン薄膜の形成方法、３次元半導体素子の製造方法及び３次元半導体素子 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230375 | 画像符号化装置及び画像符号化方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5235533 | ノイズによる信号歪曲補償装置及びその方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5231097 | ブロッキング効果除去システムおよびその方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230960 | データバスインバージョンを使う低電力バランスコード | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230381 | 撮像装置及び撮像装置の制御方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230376 | 撮像装置及び撮像方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5229566 | 窒化物半導体発光素子 | 2013年 7月 3日 | 共同出願 |
| 特許 5229771 | アゾベンゼン基ポリマーを利用した微細パターニング方法、及び前記微細パターニング方法を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5225606 | 樹脂組成物、これを利用したパターン形成方法、及びキャパシタ形成方法 | 2013年 7月 3日 |
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5235400 5235260 5233025 5230955 5230157 5230116 5230375 5235533 5231097 5230960 5230381 5230376 5229566 5229771 5225606
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