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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第3位 6349件
(2011年:第3位 5997件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第5位 4366件
(2011年:第5位 3655件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-248874 | 半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248814 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248809 | 半導体装置 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248795 | 半導体発光素子およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248698 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248691 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248678 | 半導体記憶装置、その製造方法及びコンタクト構造の形成方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248667 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248620 | 半導体記憶装置の製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248612 | 半導体発光素子及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248566 | 半導体記憶装置及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248482 | 二次電池装置 | 2012年12月13日 | |
再表 2011-4474 | 半導体装置及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-249505 | 給電システム | 2012年12月13日 | |
特開 2012-249475 | 受電点ブッシング | 2012年12月13日 |
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2012-248874 2012-248814 2012-248809 2012-248795 2012-248698 2012-248691 2012-248678 2012-248667 2012-248620 2012-248612 2012-248566 2012-248482 2011-4474 2012-249505 2012-249475
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