※ ログインすれば出願人(株式会社東芝)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第3位 6349件
(2011年:第3位 5997件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第5位 4366件
(2011年:第5位 3655件)
(ランキング更新日:2025年2月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-248874 | 半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248814 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248809 | 半導体装置 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248795 | 半導体発光素子およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248698 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248691 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248678 | 半導体記憶装置、その製造方法及びコンタクト構造の形成方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248667 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248620 | 半導体記憶装置の製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248612 | 半導体発光素子及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248566 | 半導体記憶装置及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-248482 | 二次電池装置 | 2012年12月13日 | |
再表 2011-4474 | 半導体装置及びその製造方法 | 2012年12月13日 | |
特開 2012-249505 | 給電システム | 2012年12月13日 | |
特開 2012-249475 | 受電点ブッシング | 2012年12月13日 |
6349 件中 301-315 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2012-248874 2012-248814 2012-248809 2012-248795 2012-248698 2012-248691 2012-248678 2012-248667 2012-248620 2012-248612 2012-248566 2012-248482 2011-4474 2012-249505 2012-249475
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社東芝の知財の動向チェックに便利です。
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月27日(木) -
3月4日(火) - 東京 港区
3月4日(火) -
3月4日(火) -
3月4日(火) -
3月5日(水) -
3月5日(水) -
3月6日(木) -
3月6日(木) - 東京 品川区
3月6日(木) -
3月6日(木) - 東京 港区
3月6日(木) -
3月7日(金) -
3月7日(金) - 東京 港区
3月7日(金) -
3月7日(金) -
3月4日(火) - 東京 港区
〒210-0024 神奈川県川崎市川崎区日進町3-4 unicoA 303 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市中央区北浜東1-12 千歳第一ビル4階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
Floor 16, Tower A, InDo Building, A48 Zhichun Road, Haidian District, Beijing 100098, P.R. China 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング