特許ランキング - 出願人詳細情報 -

株式会社東芝

※ ログインすれば出願人(株式会社東芝)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第3位　6349件（2011年：第3位　5997件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第5位　4366件（2011年：第5位　3655件）

（ランキング更新日：2025年2月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

株式会社東芝の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2012-244161	半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法	2012年12月10日
特開 2012-244157	窒化物半導体素子の製造方法	2012年12月10日
特開 2012-244156	窒化物半導体素子の製造方法	2012年12月10日
特開 2012-244154	半導体発光素子及びウェーハ	2012年12月10日
特開 2012-244153	半導体発光素子	2012年12月10日
特開 2012-244152	半導体発光素子	2012年12月10日
特開 2012-244148	半導体発光素子	2012年12月10日
特開 2012-244125	固体撮像装置及びその製造方法	2012年12月10日
特開 2012-244092	半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法	2012年12月10日
特開 2012-243989	半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法	2012年12月10日
特開 2012-243849	半導体発光装置	2012年12月10日
特開 2012-243848	半導体基板およびその製造方法、その半導体基板を用いた半導体装置	2012年12月10日
特開 2012-243847	半導体基板、その製造方法及び半導体装置	2012年12月10日
特開 2012-243826	不揮発性記憶装置	2012年12月10日
特開 2012-243825	半導体発光素子	2012年12月10日

6349 件中 376-390 件を表示

... 26

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2012-244161 2012-244157 2012-244156 2012-244154 2012-244153 2012-244152 2012-244148 2012-244125 2012-244092 2012-243989 2012-243849 2012-243848 2012-243847 2012-243826 2012-243825

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社東芝の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数