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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第3位 5326件
(2013年:第3位 6655件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第4位 4016件
(2013年:第5位 4498件)
(ランキング更新日:2025年2月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5547111 | 不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5547013 | 突入電流抑制装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5546787 | 非水電解質電池 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5546589 | 発光装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5546480 | 有機電界発光素子及びその製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5543950 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5543946 | 半導体発光素子および発光装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5543819 | 抵抗変化素子、メモリセルアレイ、及び抵抗変化装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5543766 | 電磁アクチュエータ | 2014年 7月 9日 | |
特許 5543514 | 半導体発光素子及びその製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5542831 | 磁気メモリ | 2014年 7月 9日 | |
特許 5542764 | 非水電解質電池 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5542761 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5542623 | 半導体装置及びその製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5542558 | 二次電池装置 | 2014年 7月 9日 |
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5547111 5547013 5546787 5546589 5546480 5543950 5543946 5543819 5543766 5543514 5542831 5542764 5542761 5542623 5542558
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