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独立行政法人産業技術総合研究所
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第83位 517件
（
2011年：第71位 562件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第31位 960件
（
2011年：第35位 824件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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独立行政法人産業技術総合研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5051853 | バックライト装置と液晶表示装置 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051541 | 測定結果の信頼性証明を行なう方法及びコンピュータプログラム | 2012年10月17日 | |
| 特許 5050260 | 周波数差測定装置 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051527 | 光学測定方法 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051653 | 水中物質検出装置 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051773 | 三重管構造を有するネブライザーとそれを用いた分析システム | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051520 | 光反応性液晶性モノマー及びそれを用いた主鎖型液晶ポリマーの製造方法 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051764 | 遺伝子発現モジュール探索装置、遺伝子発現モジュール探索方法及び遺伝子発現モジュール探索プログラム | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051745 | 光伝送路の光軸調整方法および装置 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051746 | 特徴抽出装置及び方法並びにプログラム | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051770 | リチウム二次電池用正極材料及びその製造方法、ならびにそれを用いたリチウム二次電池 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051774 | トンネル磁気抵抗素子の製造方法 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051835 | 高出力ダイヤモンド半導体素子 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051576 | 光バッファメモリ装置及び光信号記録方法 | 2012年10月17日 | |
| 特許 5051511 | 色素増感型太陽電池用電極 | 2012年10月17日 |
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5051853 5051541 5050260 5051527 5051653 5051773 5051520 5051764 5051745 5051746 5051770 5051774 5051835 5051576 5051511
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