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ラピスセミコンダクタ株式会社
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（
2011年：第2279位 9件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第225位 172件
（2011年：第1927位 11件）
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ラピスセミコンダクタ株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4938243 | 半導体装置及びその製造方法、並びに、半導体ウエハ及び半導体ウエハの製造方法 | 2012年 5月23日 | |
| 特許 4939285 | レベルシフタ | 2012年 5月23日 | |
| 特許 4939041 | 同期タイミング選択回路 | 2012年 5月23日 | |
| 特許 4933934 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | 2012年 5月16日 | 共同出願 |
| 特許 4933776 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年 5月16日 | |
| 特許 4928921 | トリミング回路 | 2012年 5月 9日 | |
| 特許 4921310 | 命令ビット長削減方法 | 2012年 4月25日 | |
| 特許 4922125 | 半導体酸化工程における酸化シミュレーション方法 | 2012年 4月25日 | |
| 特許 4922092 | レベルシフト回路 | 2012年 4月25日 | |
| 特許 4921582 | 画像データ転送回路 | 2012年 4月25日 | |
| 特許 4917387 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | 2012年 4月18日 | 共同出願 |
| 特許 4917305 | 半導体装置及びその製造方法 | 2012年 4月18日 | 共同出願 |
| 特許 4914789 | プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | 2012年 4月11日 | 共同出願 |
| 特許 4912431 | 降圧電源装置 | 2012年 4月11日 | |
| 特許 4908843 | データ消去方法及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | 2012年 4月 4日 |
172 件中 121-135 件を表示
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4938243 4939285 4939041 4933934 4933776 4928921 4921310 4922125 4922092 4921582 4917387 4917305 4914789 4912431 4908843
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12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
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12月5日(木) -
12月5日(木) -
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月10日(火) - 東京 港区
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12月10日(火) - 東京 港区
12月11日(水) - 東京 港区
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12月11日(水) -
12月11日(水) -
12月12日(木) -
12月12日(木) - 東京 港区
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ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ～秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約～
12月12日(木) - 東京 千代田
12月12日(木) -
12月12日(木) -
12月13日(金) - 東京 23区
12月13日(金) - 東京 品川
12月13日(金) -
12月13日(金) -
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