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キヤノンアネルバ株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第260位 156件
（
2010年：第335位 133件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第403位 82件
（
2010年：第188位 176件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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キヤノンアネルバ株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4695297 | 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4690572 | 基板重ね合わせ装置 | 2011年 6月 1日 | |
| 特許 4694006 | ゲートバルブ | 2011年 6月 1日 | |
| 特許 4691131 | スパッタ成膜方法、電子素子の製造方法、スパッタ装置 | 2011年 6月 1日 | |
| 特許 4683618 | 隔膜型圧力センサ及びその製造方法 | 2011年 5月18日 | |
| 特許 4682367 | 磁気抵抗効果を用いた負性抵抗素子 | 2011年 5月11日 | 共同出願 |
| 特許 4680246 | 気相成長装置の異常生成物除去方法 | 2011年 5月11日 | |
| 特許 4679595 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 | 2011年 4月27日 | |
| 特許 4677474 | プラズマ処理装置用基板ホルダーにおける特性補正リングの温度制御方法及びプラズマ処理装置用基板ホルダー | 2011年 4月27日 | 共同出願 |
| 特許 4672169 | プラズマ処理装置 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4673478 | バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4660570 | 真空成膜装置及び成膜方法 | 2011年 3月30日 | |
| 特許 4656697 | 高周波スパッタリング装置 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4656744 | スパッタリング装置 | 2011年 3月23日 | |
| 特許 4651406 | プラズマによるガス分解装置を用いた表面処理方法 | 2011年 3月16日 | 共同出願 |
82 件中 46-60 件を表示
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4695297 4690572 4694006 4691131 4683618 4682367 4680246 4679595 4677474 4672169 4673478 4660570 4656697 4656744 4651406
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