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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第1239位 21件
(2013年:第1359位 21件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第716位 42件
(2013年:第636位 52件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5511999 | 半導体装置とその製造方法 | 2014年 6月 4日 | |
特許 5514391 | 発光ダイオード及び出力光を放射する為の方法 | 2014年 6月 4日 | |
特許 5508982 | シャロートレンチアイソレーションプロセス | 2014年 6月 4日 | |
特許 5503517 | 電界効果トランジスタの製造方法 | 2014年 5月28日 | |
特許 5504070 | 集積回路構造を形成する方法 | 2014年 5月28日 | |
特許 5491438 | 白色光、又は、カラー光を生成する光素子 | 2014年 5月14日 | |
特許 5491351 | 減少した転位パイルアップを有する半導体ヘテロ構造および関連した方法 | 2014年 5月14日 | |
特許 5481067 | 代替活性エリア材料の集積回路への組み込みのための解決策 | 2014年 4月23日 | |
特許 5475597 | 定電力密度スケーリングの方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5473671 | メモリ回路、システム、及びインターリービングアクセスの方法 | 2014年 4月16日 | |
特許 5465630 | 高ゲルマニウム濃度のSiGeストレッサの形成方法 | 2014年 4月 9日 | |
特許 5461327 | 集積回路構造 | 2014年 4月 2日 | |
特許 5452322 | 改善されたオン/オフ電流比の高移動度多重ゲートトランジスタ | 2014年 3月26日 | |
特許 5452529 | フィン型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | 2014年 3月26日 | |
特許 5448895 | 静電気放電保護装置及び方法 | 2014年 3月19日 |
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5511999 5514391 5508982 5503517 5504070 5491438 5491351 5481067 5475597 5473671 5465630 5461327 5452322 5452529 5448895
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