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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第664位 50件 (2010年:第487位 87件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第710位 41件 (2010年:第735位 33件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-74436 | 炭化ケイ素材料 | 2011年 4月14日 | |
特開 2011-73925 | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ | 2011年 4月14日 | |
特開 2011-73911 | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ | 2011年 4月14日 | |
特開 2011-77281 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | 2011年 4月14日 | |
特開 2011-73897 | ドーピング方法及びドーピング装置 | 2011年 4月14日 | |
特開 2011-68523 | 石英ガラス原料粉の精製方法 | 2011年 4月 7日 | |
特開 2011-68522 | シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボ | 2011年 4月 7日 | |
特開 2011-71415 | シリコンウエハの製造方法 | 2011年 4月 7日 | |
特開 2011-66360 | ヘテロエピウエーハのエピタキシャル層の結晶性評価法 | 2011年 3月31日 | |
特開 2011-40500 | 化合物半導体基板とその製造方法 | 2011年 2月24日 | |
特開 2011-36954 | 研磨装置、研磨方法、研磨制御プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体 | 2011年 2月24日 | |
特開 2011-35129 | シリコンウェーハ | 2011年 2月17日 | |
特開 2011-29578 | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-29429 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2011年 2月10日 | |
特開 2011-26147 | シリコン単結晶引上装置 | 2011年 2月10日 |
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2011-74436 2011-73925 2011-73911 2011-77281 2011-73897 2011-68523 2011-68522 2011-71415 2011-66360 2011-40500 2011-36954 2011-35129 2011-29578 2011-29429 2011-26147
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11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月29日(金) - 東京 港区
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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