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東京エレクトロン株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第62位 621件
（
2010年：第57位 692件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第41位 739件
（2010年：第39位 580件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京エレクトロン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4740330 | 基板処理方法および基板処理装置 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4740329 | 基板処理方法および基板処理装置 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4739057 | 熱処理装置、ヒータ及びその製造方法 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4738671 | ＣＶＤ成膜方法 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4740405 | 位置合わせ方法及びプログラム記録媒体 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4737638 | 現像処理装置 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4740414 | 基板搬送装置 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4740142 | 半導体製造プロセスを容易にする第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4739215 | 酸化膜の形成方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体およびプラズマ処理装置 | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4738085 | 塗布膜形成装置、及び塗布膜形成方法 | 2011年 8月 3日 | 共同出願 |
| 特許 4741574 | イオン化物理的気相蒸着のための磁気強化容量プラズマ源 | 2011年 8月 3日 | 共同出願 |
| 特許 4740541 | ファラデーシールドならびにウェハのプラズマ処理 | 2011年 8月 3日 | 共同出願 |
| 特許 4737809 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | 2011年 8月 3日 | 共同出願 |
| 特許 4737083 | 加熱装置及び塗布、現像装置並びに加熱方法 | 2011年 7月27日 | |
| 特許 4733192 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | 2011年 7月27日 |
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4740330 4740329 4739057 4738671 4740405 4737638 4740414 4740142 4739215 4738085 4741574 4740541 4737809 4737083 4733192
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