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東京エレクトロン株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第62位 621件
（
2010年：第57位 692件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第41位 739件
（2010年：第39位 580件）
（ランキング更新日：2024年12月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京エレクトロン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4718141 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4718054 | 縦型熱処理装置 | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4718274 | 半導体製造装置，半導体製造装置の流量補正方法，プログラム | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4718189 | プラズマ処理方法 | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4718093 | 複合セグメント電極に供給される電力を制御するための方法並びにシステム | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4716362 | 基板処理システム及び基板処理方法 | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4715207 | 半導体装置の製造方法及び成膜システム | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4716979 | 高密度プラズマ半導体プロセスにおける冷却された蒸着バッフル | 2011年 7月 6日 | 共同出願 |
| 特許 4716370 | 低誘電率膜のダメージ修復方法及び半導体製造装置 | 2011年 7月 6日 | 共同出願 |
| 特許 4715747 | プローブ装置に備えた重量物の旋回機構 | 2011年 7月 6日 | 共同出願 |
| 特許 4712994 | プラズマ処理装置及び方法 | 2011年 6月29日 | 共同出願 |
| 特許 4714620 | オゾンガス分解装置および処理システム | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4712474 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造方法プログラムおよび半導体製造装置 | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4713241 | 高速原子層堆積装置及び使用方法 | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4712240 | 光励起成膜装置及び光励起成膜方法 | 2011年 6月29日 |
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4718141 4718054 4718274 4718189 4718093 4716362 4715207 4716979 4716370 4715747 4712994 4714620 4712474 4713241 4712240
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12月4日(水) - 東京 千代田区
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月10日(火) - 東京 港区
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12月11日(水) - 東京 港区
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ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ～秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約～
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