特開2018-18049(P2018-18049A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2015.5.11 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 三星ディスプレイ株式會社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2018-18049(P2018-18049A)
(43)【公開日】2018年2月1日
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
   G02F 1/1339 20060101AFI20180105BHJP
   G02F 1/1335 20060101ALI20180105BHJP
   G09F 9/30 20060101ALI20180105BHJP
【FI】
   G02F1/1339 500
   G02F1/1335 505
   G09F9/30 320
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】OL
【全頁数】25
(21)【出願番号】特願2016-242059(P2016-242059)
(22)【出願日】2016年12月14日
(31)【優先権主張番号】10-2016-0095710
(32)【優先日】2016年7月27日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Samsung Display Co.,Ltd.
【住所又は居所】大韓民国京畿道龍仁市器興区三星路1
(74)【代理人】
【識別番号】100121382
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 託嗣
(74)【代理人】
【識別番号】110000981
【氏名又は名称】アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】金 亨俊
【住所又は居所】大韓民国忠清南道天安市東南区マンナム路 9 1201
(72)【発明者】
【氏名】金 時珍
【住所又は居所】大韓民国京畿道華城市霊通路27番ギル35 311−202
(72)【発明者】
【氏名】金 香律
【住所又は居所】大韓民国京畿道華城市東灘公園路1ギル 12−21 907−901
(72)【発明者】
【氏名】スミス、マシュー
【住所又は居所】大韓民国ソウル市瑞草区バウメ路2ギル 41−9 301
(72)【発明者】
【氏名】鄭 載勳
【住所又は居所】大韓民国ソウル市江南区南部循環路351ギル 22−5 203ビー
(72)【発明者】
【氏名】崔 ▲ムン▼根
【住所又は居所】大韓民国京畿道華城市東灘中心商街1ギル 18
(72)【発明者】
【氏名】崔 昇柱
【住所又は居所】大韓民国仁川市南区邵城路120 120−1101
【テーマコード(参考)】
2H189
2H291
5C094
【Fターム(参考)】
2H189DA07
2H189DA08
2H189DA18
2H189DA22
2H189DA32
2H189DA33
2H189DA35
2H189DA48
2H189DA49
2H189DA81
2H189DA82
2H189LA03
2H189LA05
2H189LA06
2H189LA10
2H189LA14
2H189LA15
2H291FA02Y
2H291FA14Y
2H291FD22
2H291FD23
2H291FD26
2H291FD27
2H291GA05
2H291GA08
2H291GA10
2H291GA12
2H291GA15
2H291GA19
5C094AA03
5C094BA03
5C094BA43
5C094CA19
5C094DA12
5C094EC03
5C094ED03
5C094FA01
5C094JA08
(57)【要約】      (修正有)
【課題】表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示領域と、前記表示領域を包囲する周辺領域とを含む第1の基板と、前記表示領域に配置されるカラーフィルターと、前記周辺領域に配置され、前記カラーフィルターと同一層に配置されるギャップ保持パターンと、前記カラーフィルター上に配置されるカラムスペーサと、前記カラムスペーサと同一層に配置され、前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムとを含む。さらに、前記遮断ダムは、第1の遮断ダムと、前記第1の遮断ダムと隣接し、前記第1の遮断ダムと平行な方向に延びる第2の遮断ダムとを有し、前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間にはシーリング部材が配置される。
【選択図】図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域と、前記表示領域を包囲する周辺領域とを含む第1の基板と、
前記表示領域に配置されるカラーフィルターと、
前記周辺領域に配置され、前記カラーフィルターと同一層に配置されるギャップ保持パターンと、
前記カラーフィルター上に配置されるカラムスペーサと、
前記カラムスペーサと同一層に配置され、前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムと、
を含み、
前記遮断ダムは、第1の遮断ダムと、前記第1の遮断ダムと隣接し、前記第1の遮断ダムと平行な方向に延びる第2の遮断ダムとを有し、前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間にはシーリング部材が配置される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
【請求項3】
前記カラーフィルターは、
赤色物質を含む第1のカラーフィルターと、
前記第1のカラーフィルターと隣接し、緑色物質を含む第2のカラーフィルターと、
前記第2のカラーフィルターと隣接し、青色物質を含む第3のカラーフィルターと、
を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
【請求項4】
前記ギャップ保持パターンは、前記第1のカラーフィルターと同一の物質を含むことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
【請求項5】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.5μm以上1.8μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
【請求項6】
前記ギャップ保持パターンは、前記第3のカラーフィルターと同一の物質を含むことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
【請求項7】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.7μm以上2.3μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第1の基板に対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に挟まれる液晶層と、
を更に含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、情報化社会の発展と共に、表示基板に対する様々な形態に対するニーズが増え、それに応じて、液晶表示基板(Liquid Crystal Display Device;LCD)、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel;PDP)、電界放出装置(Field Emission Display Device;FED)、電気泳動表示基板(Electrophoretic Display Device:EPD)、有機エレクトロルミネッセンス発光表示基板(Organic Electroluminescence Emitting DEVICE:OLED)などにおける表示基板に対する研究が活発に進行されている。
【0003】
一般に、液晶表示(LCD)装置は、表示基板(Thin Film Transistor substrate)と対向基板(counter substrate)との間に注入した液晶層を含む。前記表示基板には、ゲートライン、及びゲートラインと交差するデータラインが形成され、ゲートラインとデータラインに連結されたスイッチング素子と、スイッチング素子に連結された画素電極とが形成される。前記スイッチング素子は、前記ゲートラインから延びるゲート電極と、前記データラインから延び、半導体パターンを介して、ゲート電極と電気的に連結されたソース電極と、ソース電極と離隔し、チャンネルと電気的に連結されたドレーン電極とを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】韓国特許公開第10−2004−0107937号明細書
【特許文献2】韓国特許公開第10−2014−0101219号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
従来技術においては、前記表示基板と対向基板は、周辺領域に形成されるシーリング部材によって結合される。しかしながら、前記表示基板と対向基板の合着工程において、シーリング部材の厚さが不均一となることがあり、これによって、表示領域と周辺領域のギャップ差が生じ、ムラなどの不良が生じることがある。
【0006】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラに起因する不良を減少することが可能な、新規かつ改良された表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、表示領域と、前記表示領域を包囲する周辺領域とを含む第1の基板と、前記表示領域に配置されるカラーフィルターと、前記周辺領域に配置され、前記カラーフィルターと同一層に配置されるギャップ保持パターンと、前記カラーフィルター上に配置されるカラムスペーサと、前記カラムスペーサと同一層に配置され、前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムと、を含み、前記遮断ダムは、第1の遮断ダムと、前記第1の遮断ダムと隣接し、前記第1の遮断ダムと平行な方向に延びる第2の遮断ダムとを有し、前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間にはシーリング部材が配置される、ことを特徴とする表示装置が提供される。
【0008】
前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下であってもよい。
【0009】
前記カラーフィルターは、赤色物質を含む第1のカラーフィルターと、前記第1のカラーフィルターと隣接し、緑色物質を含む第2のカラーフィルターと、前記第2のカラーフィルターと隣接し、青色物質を含む第3のカラーフィルターと、を含んでもよい。
【0010】
前記ギャップ保持パターンは、前記第1のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【0011】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.5μm以上1.8μm以下であってもよい。
【0012】
前記ギャップ保持パターンは、前記第2のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【0013】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.5μm以上1.8μm以下であってもよい。
【0014】
前記ギャップ保持パターンは、前記第3のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【0015】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.7μm以上2.3μm以下であってもよい。
【0016】
前記表示装置は、前記第1の基板に対向する第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に挟まれる液晶層と、を更に含んでもよい。
【0017】
前記表示装置は、前記第2の基板に配置されるゲート電極と、前記ゲート電極と重ね合わされるソース電極と、前記ゲート電極と重ね合わされ、前記ソース電極と離隔するドレーン電極と、前記ドレーン電極に電気的に連結される画素電極と、を更に含んでもよい。
【0018】
前記表示装置は、前記カラーフィルターと前記カラムスペーサの間に配置されるオーバーコート層を、更に含んでもよい。
【0019】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、第1の基板上に、カラーフィルターとギャップ保持パターンを形成する段階と、前記カラーフィルターと重ね合わされるカラムスペーサ、及び前記ギャップ保持パターンと重ね合わされる遮断ダムを形成する段階とを含み、前記遮断ダムは、第1の遮断ダムと、前記第1の遮断ダムと隣接し、前記第1の遮断ダムと平行な方向に延びる第2の遮断ダムとを有し、前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間に、シーリング部材を形成する段階を更に含む、製造方法が提供される。
【0020】
前記第1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下であってもよい。
【0021】
前記カラーフィルターを形成する段階は、赤色物質を含む第1のカラーフィルターを形成する段階と、前記第1のカラーフィルターと隣接し、緑色物質を含む第2のカラーフィルターを形成する段階と、前記第2のカラーフィルターと隣接し、青色物質を含む第3のカラーフィルターを形成する段階とを含んでもよい。
【0022】
前記ギャップ保持パターンは、前記第1のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【0023】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.5μm以上1.8μm以下であってもよい。
【0024】
前記ギャップ保持パターンは、前記第2のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【0025】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.5μm以上1.8μm以下であってもよい。
【0026】
前記ギャップ保持パターンは、前記第3のカラーフィルターと同一の物質を含んでもよい。
【0027】
前記ギャップ保持パターンの高さは、1.7μm以上2.3μm以下であってもよい。
【0028】
前記表示装置の製造方法は、前記第1の基板に対向する第2の基板に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶層を形成する段階を、更に含んでもよい。
【0029】
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、前記第2の基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、前記ドレーン電極に電気的に連結される画素電極を形成する段階とを、更に含んでもよい。
【0030】
前記表示装置の製造方法は、前記カラーフィルターと前記カラムスペーサの間に配置されるオーバーコート層を形成する段階を、更に含んでもよい。
【発明の効果】
【0031】
以上説明したように本発明によれば、表示装置は、第1の遮断ダム及び第2の遮断ダムを含み、第1の遮断ダムと第2の遮断ダムの間にシーリング部材が配置されることから、シーリング部材の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
図1図1は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。
図2図2は、図1のI−I´線に沿って切断した断面図である。
図3図3は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図4図4は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図5図5は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図6図6は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図7図7は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図8図8は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図9図9は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図10図10は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図11図11は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図12図12は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。
図13図13は、図12のII−II´線に沿って切断した断面図である。
図14図14は、図13の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図15図15は、図13の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図16図16は、図13の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図17図17は、図13の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図18図18は、図13の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図19図19は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。
図20図20は、図19のIII−III´線に沿って切断した断面図である。
図21図21は、図20の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図22図22は、図20の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図23図23は、図20の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図24図24は、図20の表示装置の製造方法を示す断面図である。
図25図25は、図20の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0034】
以下の説明する本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関し、より詳しくは、パネル枠のムラを減少し、製造コストを減少することができる表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【0035】
図1は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。図2は、図1のI−I´線に沿って切断した断面図である。
【0036】
図1及び図2に示すように、本発明の一実施形態による表示装置10は、表示領域(DA)と、前記表示領域(DA)の周辺領域(PA)とを含む。前記表示領域(DA)は、前記表示装置10に相似している。前記表示領域(DA)も、四角形である。
【0037】
前記表示装置10は、第1の基板210と、前記第1の基板210に対向する第2の基板110と、前記第1の基板210と前記第2の基板110の間に挟まれる液晶層300とを含む。
【0038】
前記第1の基板210上には、遮光パターン(BM)が配置される。前記遮光パターン(BM)は、前記表示領域(DA)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(PA)に配置される。前記遮光パターン(BM)は、光を遮断する。
【0039】
前記遮光パターン(BM)が形成された前記第1の基板210上には、カラーフィルターが配置される。前記カラーフィルターは、前記液晶層300を透過する光に、色を提供するためのものである。前記カラーフィルターは、第1のカラーフィルター211と、第2のカラーフィルター212と、第3のカラーフィルター213とを含む。前記第1のカラーフィルター211は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター211である。前記第2のカラーフィルター212は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター212である。前記第3のカラーフィルター213は、青色物質を含む青色カラーフィルター213である。前記カラーフィルター211、212、213は、前記各画素領域に対応して設けられ、互いに隣接した画素間で互いに異なる色を有するように配置される。一方、前記カラーフィルター211、212、213は、互いに隣接した画素領域の境界で一部が隣接したカラーフィルターによって重ね合わせる。前記カラーフィルター211、212、213は、前記表示装置の表示領域(DA)に配置される。
【0040】
前記表示装置の周辺領域(PA)には、ギャップ保持パターン214が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン214は、前記第3のカラーフィルター213と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン214は、前記第3のカラーフィルター213と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン214は、前記第3のカラーフィルター213と同一の高さを有することができる。例えば、前記第3のカラーフィルター213の高さは、1.7μm以上2.3μm以下であり、前記ギャップ保持パターン214の高さは、1.7μm以上2.3μm以下である。
【0041】
前記カラーフィルター211、212、213と、前記ギャップ保持パターン214上には、オーバーコート層220が形成される。オーバーコート層220は、前記第1の基板210の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層220は、不純物が前記液晶層300に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層220を省略してもよい。
【0042】
前記オーバーコート層220上には、カラムスペーサ231が配置される。前記カラムスペーサ231は、前記表示領域(DA)に配置されて、前記第1の基板210と第2の基板110の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ231は、前記第2基板の表示領域(DA)に配置され、第1の配向膜(AL1)によって覆われる。
【0043】
前記第1の配向膜(AL1)は、前記カラムスペーサ231が形成された前記第1の基板210上に形成される。前記第1の配向膜(AL1)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0044】
前記周辺領域(PA)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン214と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ231と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ231と同一の物質を含む。また、前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ231と同一の高さに形成されることができる。
【0045】
前記遮断ダムは、第1の遮断ダム232と、第2の遮断ダム233とを含む。前記第2の遮断ダム233は、前記第1の遮断ダム232と隣接して配置される。前記第2の遮断ダム233は、前記第1の遮断ダム232と平行な方向に延びる。前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下である。
【0046】
前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間には、シーリング部材240が配置される。前記シーリング部材240は、前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材240は、前記第1の基板210と前記第2の基板110を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材240が、前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間に配置されるので、シーリング部材240の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【0047】
また、前記遮断ダムが一定の高さで形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0048】
前記第2の基板110上には、アレイ層(TL)、及び第2の配向膜(AL2)が配置される。
【0049】
図11に示すように、前記アレイ層(TL)は、ゲート電極(GE)と、絶縁層120と、アクティブパターン(AP)と、ソース電極(SE)と、ドレーン電極(DE)と、有機膜130と、画素電極(PE)とを含む。
【0050】
前記ゲート電極(GE)は、前記第2の基板110上に配置される。前記ゲート電極(GE)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(GE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、アルミニウム、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(GE)は、チタン(Ti)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Cu)を含む上部層とを含む。
【0051】
前記ゲート電極(GE)上には、前記絶縁層120が形成される。前記絶縁層120は、前記第2の基板110、及び前記ゲート電極(GE)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層120は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)、又はシリコン窒化物(SiNx)を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)を含み、500Åの厚さを有する。また、前記絶縁層120は、互いに異なる物質を含む多層構造を有することができる。
【0052】
前記絶縁層120上には、アクティブパターン(AP)が形成される。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)が形成された領域の前記絶縁層120上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(GE)と重ね合わされ、前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)と前記ソース電極(SE)の間に挟まれ、前記ゲート電極(GE)と前記ドレーン電極(DE)の間に挟まれる。
【0053】
前記アクティブパターン(AP)上には、前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)が形成される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、前記アクティブパターン(AP)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、データラインと同一層に形成される。
【0054】
前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)層、及び前記銅(Cu)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ti)層を含む。
【0055】
前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)上には、有機膜130が形成される。前記有機膜130は、前記第2の基板110の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜130は、有機物質を含む絶縁層である。
【0056】
前記画素電極(PE)は、前記有機膜130上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(DE)と電気的に連結される。前記画素電極(PE)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(PE)は、酸化インジウム錫(indium tin oxide:ITO)、又は酸化亜鉛錫(indium zinc oxide:IZO)を含む。また、前記画素電極(PE)は、チタン(titanium:Ti)、又はモリブデンチタン合金(MoTi)を含む。
【0057】
図3図11は、図2の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【0058】
図3に示すように、前記第1の基板210上に、遮光パターン(BM)が形成される。
【0059】
前記第1の基板210上に遮光パターン(BM)が形成される。前記遮光パターン(BM)は、前記表示領域(DA)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(PA)に配置される。前記遮光パターン(BM)は、光を遮断する。
【0060】
図4に示すように、前記遮光パターン(BM)が形成された前記第1の基板210上に、第1のカラーフィルター211が形成される。
【0061】
前記カラーフィルターは、第1のカラーフィルター211と、第2のカラーフィルター212と、第3のカラーフィルター213とを含む。前記第1のカラーフィルター211は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター211である。例えば、前記第1のカラーフィルター211の高さは、1.5μm以上、1.8μm以下である。
【0062】
図5に示すように、前記第1のカラーフィルター211が形成された前記第1の基板210上に、第2のカラーフィルター212が形成される。
【0063】
前記第2のカラーフィルター212は、前記第1のカラーフィルター211と隣接して配置される。前記第2のカラーフィルター212は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター212である。前記第1のカラーフィルター211及び前記第2のカラーフィルター212は、同一の高さに形成される。例えば、前記第2のカラーフィルター212の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0064】
図6に示すように、前記第2のカラーフィルター212が形成された前記第1の基板210上に、第3のカラーフィルター213及びギャップ保持パターン214が形成される。
【0065】
前記第3のカラーフィルター213は、前記第2のカラーフィルター212と隣接して配置される。前記第3のカラーフィルター213は、青色物質を含む青色カラーフィルター213である。例えば、前記第3のカラーフィルター213の高さは、1.7μm以上2.3μm以下である。
【0066】
前記表示装置の周辺領域(PA)には、ギャップ保持パターン214が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン214は、前記第3のカラーフィルター213と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン214は、前記第3のカラーフィルター213と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン214は、前記第3のカラーフィルター213と同一の高さ(d1)を有する。例えば、前記第3のカラーフィルター213の高さは、1.7μm以上2.3μm以下であり、前記ギャップ保持パターン214の高さは、1.7μm以上2.3μm以下である。
【0067】
図7に示すように、前記第3のカラーフィルター213及び前記ギャップ保持パターン214が形成された第1の基板210上に、オーバーコート層220が形成される。
【0068】
前記カラーフィルター211、212、213及び前記ギャップ保持パターン214上には、オーバーコート層220が形成される。オーバーコート層220は、前記第1の基板210の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層220は、不純物が前記液晶層300に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層220を省略することもできる。
【0069】
図8に示すように、前記オーバーコート層220が形成された前記第1の基板210上に、カラムスペーサ231、第1の配向膜(AL1)、及び遮断ダムが形成される。
【0070】
前記オーバーコート層220上には、カラムスペーサ231が配置される。前記カラムスペーサ231は、前記表示領域(DA)に配置され、前記第1の基板210及び第2の基板110の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ231は、前記第2の基板の表示領域(DA)に配置され、第1の配向膜(AL1)によって覆われる。
【0071】
前記第1の配向膜(AL1)は、前記カラムスペーサ231が形成された前記第1の基板210上に形成される。前記第1の配向膜(AL1)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0072】
前記周辺領域(PA)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン214と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ231と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ231と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ231と同一の高さに形成される。
【0073】
前記遮断ダムは、第1の遮断ダム232と、第2の遮断ダム233とを含む。前記第2の遮断ダム233は、前記第1の遮断ダム232と隣接して配置される。前記第2の遮断ダム233は、前記第1の遮断ダム232と平行な方向に沿って延びる。前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下である。
【0074】
前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間には、シーリング部材240が配置される。前記シーリング部材240は、前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材240は、前記第1の基板210と前記第2の基板110を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材240が、前記第1の遮断ダム232と前記第2の遮断ダム233の間に配置されるので、シーリング部材240の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差によるムラ等の不良を減少させることができる。
【0075】
また、前記遮断ダムが一定の高さで形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0076】
図9に示すように、第2の基板110上に、ゲート電極(GE)、及び絶縁層120が形成される。
【0077】
前記ゲート電極(GE)は、前記第2の基板110上に配置される。前記ゲート電極(GE)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(GE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、アルミニウム、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(GE)は、チタン(Ti)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Cu)を含む上部層とを含む。
【0078】
前記ゲート電極(GE)上には、前記絶縁層120が形成される。前記絶縁層120は、前記第2の基板110、及び前記ゲート電極(GE)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層120は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)、又はシリコン窒化物(SiNx)を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)を含み、500Åの厚さを有する。また、前記絶縁層120は、互いに異なる物質を含む多層構造を有する。
【0079】
図10に示すように、前記絶縁層120が形成された第2の基板110上に、アクティブパターン(AP)、ソース電極(SE)、及びドレーン電極(DE)が形成される。
【0080】
前記絶縁層120上には、アクティブパターン(AP)が形成される。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)が形成された領域の前記絶縁層120上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(GE)と重ね合わせられ、前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)と前記ソース電極(SE)の間に挟まれ、前記ゲート電極(GE)と前記ドレーン電極(DE)の間に挟まれる。
【0081】
前記アクティブパターン(AP)上には、前記ソース電極(SE)、及び前記ドレーン電極(DE)が形成される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、前記アクティブパターン(AP)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、データラインと同一層に形成される。
【0082】
前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)層、及び前記銅(Cu)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ti)層を含む。
【0083】
図11に示すように、前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)が形成された第2の基板110上に、有機膜130、画素電極(PE)、及び第2の配向膜(AL2)が形成される。
【0084】
前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)上には、有機膜130が形成される。前記有機膜130は、前記第2の基板110の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜130は、有機物質を含む絶縁層である。
【0085】
前記画素電極(PE)は、前記有機膜130上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(DE)と電気的に連結される。前記画素電極(PE)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(PE)は、酸化インジウム錫、又は酸化亜鉛錫を含む。また、前記画素電極(PE)は、チタン(titanium:Ti)、又はモリブデンチタン合金(MoTi)を含む。
【0086】
前記第2の配向膜(AL2)は、前記有機膜130、及び前記画素電極(PE)上に形成される。前記第2の配向膜(AL2)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0087】
図12は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。図13は、図12のII−II´線に沿って切断した断面図である。
【0088】
図12及び図13に示すように、本発明の一実施形態による表示装置20は、表示領域(DA)と、前記表示領域(DA)の周辺領域(PA)とを含む。前記表示領域(DA)は、前記表示装置20に相似している。前記表示領域(DA)も、四角形を有する。
【0089】
前記表示装置20は、第1の基板1210と、前記第1の基板1210に対向する第2の基板1110と、前記第1の基板1210と前記第2の基板1110の間に挟まれる液晶層1300とを含む。
【0090】
前記第1の基板1210上には、遮光パターン(BM)が配置される。前記遮光パターン(BM)は、前記表示領域(DA)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(PA)に配置される。前記遮光パターン(BM)は、光を遮断する。
【0091】
前記遮光パターン(BM)が形成された前記1の基板1210上には、カラーフィルターが配置される。前記カラーフィルターは、前記液晶層1300を透過する光に色を供するためのものである。前記カラーフィルターは、第1のカラーフィルター1211と、第2のカラーフィルター1212と、第3のカラーフィルター1213とを含む。前記第1のカラーフィルター1211は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター1211である。前記第2のカラーフィルター1212は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター1212である。前記第3のカラーフィルター1213は、青色物質を含む青色カラーフィルター1213である。前記カラーフィルター1211、1212、1213は、前記各画素領域に対応して設けられ、互いに隣接した画素間で互いに異なる色を有するように配置される。一方、前記カラーフィルター1211、1212、1213は、互いに隣接した画素領域の境界で一部が隣接したカラーフィルターによって重ね合わされる。前記カラーフィルター1211、1212、1213は、前記表示装置の表示領域(DA)に配置される。
【0092】
前記表示装置の周辺領域(PA)には、ギャップ保持パターン1214が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン1214は、前記第1のカラーフィルター1211と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン1214は、前記第1のカラーフィルター1211と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン1214は、前記第1のカラーフィルター1211と同一の高さを有する。例えば、前記第1のカラーフィルター1211の高さは、1.5μm以上1.8μm以下であり、前記ギャップ保持パターン1214の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0093】
前記カラーフィルター1211、1212、1213及び前記ギャップ保持パターン1214上には、オーバーコート層1220が形成される。オーバーコート層1220は、前記第1の基板1210の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層1220は、不純物が前記液晶層1300に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層1220を省略することもできる。
【0094】
前記オーバーコート層1220上には、カラムスペーサ1231が配置される。前記カラムスペーサ1231は、前記表示領域(DA)に配置され、前記第1の基板1210と第2の基板1110の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ1231は、前記第2の基板の表示領域(DA)に配置され、第1の配向膜(AL1)によって覆われる。
【0095】
前記第1の配向膜(AL1)は、前記カラムスペーサ1231が形成された前記第1の基板1210上に形成される。前記第1の配向膜(AL1)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0096】
前記周辺領域(PA)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン1214と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ1231と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ1231と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ1231と同一の高さに形成されることができる。
【0097】
前記遮断ダムは、第1の遮断ダム1232と、第2の遮断ダム1233とを含む。前記第2の遮断ダム1233は、前記第1の遮断ダム1232と隣接して配置される。前記第2の遮断ダム1233は、前記第1の遮断ダム1232と平行な方向に延びる。前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下である。
【0098】
前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間には、シーリング部材1240が配置される。前記シーリング部材1240は、前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材1240は、前記第1の基板1210と前記第2の基板1110を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材1240が、前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間に配置されるので、シーリング部材1240の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【0099】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0100】
前記第2の基板1110上には、アレイ層(TL)、及び第2の配向膜(AL2)が配置される。
【0101】
本実施形態による第2の基板1110は、図1図11の表示装置の第2の基板と実質的に同一である。そこで、図1図11の第1の基板と同一の構成要素は、同じ図面符号を付することにする。
【0102】
図11に示すように、前記アレイ層(TL)は、ゲート電極(GE)と、絶縁層120と、アクティブパターン(AP)と、ソース電極(SE)と、ドレーン電極(DE)と、有機膜130と、画素電極(PE)とを含む。
【0103】
前記ゲート電極(GE)は、前記第2の基板110上に配置される。前記ゲート電極(GE)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(GE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(GE)は、チタン(Ti)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Cu)を有する上部層とを含む。
【0104】
前記ゲート電極(GE)上には、前記絶縁層120が形成される。前記絶縁層120は、前記第2の基板110、及び前記ゲート電極(GE)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層120は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)、又はシリコン窒化物(SiNx)を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)を含み、500Åの厚さを有する。また、前記絶縁層120は、互いに異なる物質を含む多層構造を有する。
【0105】
前記絶縁層120上には、アクティブパターン(AP)が形成される。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)が形成された領域の前記絶縁層120上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(GE)と重ね合わされ、前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)と前記ソース電極(SE)の間に挟まれ、前記ゲート電極(GE)と前記ドレーン電極(DE)の間に挟まれる。
【0106】
前記アクティブパターン(AP)上には、前記ソース電極(SE)、及び前記ドレーン電極(DE)が形成される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、前記アクティブパターン(AP)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、データラインと同一層に形成されることができる。
【0107】
前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)層、及び前記銅(Cu)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ti)層を含む。
【0108】
前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)上には、有機膜130が形成される。前記有機膜130は、前記第2の基板110の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜130は、有機物質を含む絶縁層である。
【0109】
前記画素電極(PE)は、前記有機膜130上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(DE)と電気的に連結される。前記画素電極(PE)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(PE)は、酸化インジウム錫、又は酸化亜鉛錫を含む。また、前記画素電極(PE)は、チタン(titanium:Ti)、又はモリブデンチタン合金(MoTi)を含む。
【0110】
図14図18は、図13の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【0111】
図14に示すように、前記第1の基板1210上に、遮光パターン(BM)が形成される。以後、前記遮光パターン(BM)が形成された前記第1の基板1210上に、第1のカラーフィルター1211及びギャップ保持パターン1214が形成される。
【0112】
前記第1の基板1210上に、遮光パターン(BM)が形成される。前記遮光パターン(BM)は、前記表示領域(DA)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(PA)に配置される。前記遮光パターン(BM)は、光を遮断する。
【0113】
前記カラーフィルターは、第1のカラーフィルター1211と、第2のカラーフィルター1212と、第3のカラーフィルター1213とを含む。前記第1のカラーフィルター1211は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター1211である。例えば、前記第1のカラーフィルター1211の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0114】
前記表示装置の周辺領域(PA)には、ギャップ保持パターン1214が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン1214は、前記第1のカラーフィルター1211と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン1214は、前記第1のカラーフィルター1211と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン1214は、前記第1のカラーフィルター1211と同一の高さ(d2)を有する。例えば、前記第1のカラーフィルター1211の高さは、1.5μm以上1.8μm以下であり、前記ギャップ保持パターン1214の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0115】
図15に示すように、前記第1のカラーフィルター1211及び前記ギャップ保持パターン1214が形成された前記第1の基板1210上に、第2のカラーフィルター1212が形成される。
【0116】
前記第2のカラーフィルター1212は、前記第1のカラーフィルター1211と隣接して配置される。前記第2のカラーフィルター1212は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター1212である。前記第1のカラーフィルター1211及び前記第2のカラーフィルター1212は、同一の高さに形成される。例えば、前記第2のカラーフィルター1212の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0117】
図16に示すように、前記第2のカラーフィルター1212が形成された前記第1の基板1210上に、第3のカラーフィルター1213が形成される。
【0118】
前記第3のカラーフィルター1213は、前記第2のカラーフィルター1212と隣接して配置される。前記第3のカラーフィルター1213は、青色物質を含む青色カラーフィルター1213である。例えば、前記第3のカラーフィルター1213の高さは、1.7μm以上2.3μm以下である。
【0119】
図17に示すように、前記第3のカラーフィルター1213が形成された第1の基板1210上に、オーバーコート層1220が形成される。
【0120】
前記カラーフィルター1211、1212、1213、及び前記ギャップ保持パターン1214上には、オーバーコート層1220が形成される。オーバーコート層1220は、前記第1の基板1210の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層1220は、不純物が前記液晶層1300に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層1220を省略することもできる。
【0121】
図18に示すように、前記オーバーコート層1220が形成された前記第1の基板1210上に、カラムスペーサ1231、第1の配向膜(AL1)、及び遮断ダムが形成される。
【0122】
前記オーバーコート層1220上には、カラムスペーサ1231が配置される。前記カラムスペーサ1231は、前記表示領域(DA)に配置され、前記第1の基板1210と第2の基板1110の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ1231は、前記第2の基板の表示領域(DA)に配置され、第1の配向膜(AL1)によって覆われる。
【0123】
前記第1の配向膜(AL1)は、前記カラムスペーサ1231が形成された前記第1の基板1210上に形成される。前記第1の配向膜(AL1)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0124】
前記周辺領域(PA)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン1214と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ1231と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ1231と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ1231と同一の高さに形成されることができる。
【0125】
前記遮断ダムは、第1の遮断ダム1232と、第2の遮断ダム1233とを含む。前記第2の遮断ダム1233は、前記第1の遮断ダム1232と隣接して配置される。前記第2の遮断ダム1233は、前記第1の遮断ダム1232と平行な方向に延びる。前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下である。
【0126】
前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間には、シーリング部材1240が配置される。前記シーリング部材1240は、前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材1240は、前記第1の基板1210と前記第2の基板1110を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材1240が、前記第1の遮断ダム1232と前記第2の遮断ダム1233の間に配置されるので、シーリング部材1240の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差によるムラ等の不良を減少することができる。
【0127】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0128】
本実施形態による第2の基板の製造方法は、図1図11の第2の基板の製造方法と実質的に同一である。従って、ここでは、重複する説明を省略する。
【0129】
図19は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略的な平面図である。図20は、図19のIII−III´線に沿って切断した断面図である。
【0130】
図19及び図20に示すように、本発明の一実施形態による表示装置30は、表示領域(DA)と、前記表示領域(DA)の周辺領域(PA)とを含む。前記表示領域(DA)は、前記表示装置30に相似している。前記表示領域(DA)も、四角形を有する。
【0131】
前記表示装置30は、第1の基板2210と、前記第1の基板2210に対向する第2の基板2110と、前記第1の基板2210と前記第2の基板2110の間に挟まれる液晶層2300とを含む。
【0132】
前記第1の基板2210上には、遮光パターン(BM)が配置される。前記遮光パターン(BM)は、前記表示領域(DA)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(PA)に配置される。前記遮光パターン(BM)は、光を遮断する。
【0133】
前記遮光パターン(BM)が形成された前記第1の基板2210上には、カラーフィルターが配置される。前記カラーフィルターは、前記液晶層2300を透過する光に色を提供するためのものである。前記カラーフィルターは、第1のカラーフィルター2211と、第2のカラーフィルター2212と、第3のカラーフィルター2213とを含む。前記第1のカラーフィルター2211は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター2211である。前記第2のカラーフィルター2212は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター2212である。前記第3のカラーフィルター2213は、青色物質を含む青色カラーフィルター2213である。前記カラーフィルター2211、2212、2213は、前記各画素領域に対応して設けられ、互いに隣接した画素間で互いに異なる色を有するように配置される。一方、前記カラーフィルター2211、2212、2213は、互いに隣接した画素領域の境界で一部が隣接したカラーフィルターによって重ね合わされる。前記カラーフィルター2211、2212、2213は、前記表示装置の表示領域(DA)に配置される。
【0134】
前記表示装置の周辺領域(PA)には、ギャップ保持パターン2214が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン2214は、前記第2のカラーフィルター2212と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン2214は、前記第2のカラーフィルター2212と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン2214は、前記第2のカラーフィルター2212と同一の高さを有する。例えば、前記第2のカラーフィルター2212の高さは、1.5μm以上1.8μm以下であり、前記ギャップ保持パターン2214の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0135】
前記カラーフィルター2211、2212、2213及び前記ギャップ保持パターン2214上には、オーバーコート層2220が形成される。オーバーコート層2220は、前記第1の基板2210の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層2220は、不純物が前記液晶層2300に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層2220を省略することもできる。
【0136】
前記オーバーコート層2220上には、カラムスペーサ2231が配置される。前記カラムスペーサ2231は、前記表示領域(DA)に配置され、前記第1の基板2210と第2の基板2110の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ2231は、前記第2の基板の表示領域(DA)に配置され、第1の配向膜(AL1)によって覆われる。
【0137】
前記第1の配向膜(AL1)は、前記カラムスペーサ2231が形成された前記第1の基板2210上に形成される。前記第1の配向膜(AL1)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0138】
前記周辺領域(PA)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン2214と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ2231と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ2231と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ2231と同一の高さに形成される。
【0139】
前記遮断ダムは、第1の遮断ダム2232と、第2の遮断ダム2233とを含む。前記第2の遮断ダム2233は、前記第1の遮断ダム2232と隣接して配置される。前記第2の遮断ダム2233は、前記第1の遮断ダム2232と平行な方向に延びる。前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下である。
【0140】
前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間には、シーリング部材2240が配置される。前記シーリング部材2240は、前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材2240は、前記第1の基板2210と前記第2の基板2110を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材2240が、前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間に配置されるので、シーリング部材2240の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【0141】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0142】
前記第2の基板2110上には、アレイ層(TL)、及び第2の配向膜(AL2)が配置される。
【0143】
本実施形態による第2の基板2110は、図1図11の表示装置の第2の基板と実質的に同一である。そこで、図1図11の第1の基板と同一の構成要素は、同じ図面符号を付することにする。
【0144】
図11に示すように、前記アレイ層(TL)は、ゲート電極(GE)と、絶縁層120と、アクティブパターン(AP)と、ソース電極(SE)と、ドレーン電極(DE)と、有機膜130と、画素電極(PE)とを含む。
【0145】
前記ゲート電極(GE)は、前記第2の基板110上に配置される。前記ゲート電極(GE)は、ゲートラインと電気的に連結される。前記ゲート電極(GE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ゲート電極(GE)は、チタン(Ti)を含む下部層と、前記下部層の上部に形成され、銅(Cu)を含む上部層とを含む。
【0146】
前記ゲート電極(GE)上には、前記絶縁層120が形成される。前記絶縁層120は、前記第2の基板110、及び前記ゲート電極(GE)を含む導電パターンを覆う。前記絶縁層120は、無機絶縁物質を含む。例えば、前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)、又はシリコン窒化物(SiNx)を含む。例えば前記絶縁層120は、シリコン酸化物(SiOx)を含み、500Åの厚さを有する。また、前記絶縁層120は、互いに異なる物質を含む多層構造を有する。
【0147】
前記絶縁層120上には、アクティブパターン(AP)が形成される。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)が形成された領域の前記絶縁層120上に形成される。前記アクティブパターンは、前記ゲート電極(GE)と重ね合わされ、前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)のそれぞれと部分的に重ね合わされる。前記アクティブパターン(AP)は、前記ゲート電極(GE)と前記ソース電極(SE)の間に挟まれ、前記ゲート電極(GE)と前記ドレーン電極(DE)の間に挟まれる。
【0148】
前記アクティブパターン(AP)上には、前記ソース電極(SE)、及び前記ドレーン電極(DE)が形成される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、前記アクティブパターン(AP)上に互いに離隔して配置される。前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)は、データラインと同一層に形成される。
【0149】
前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)、銀(Ag)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、又はこれらの合金を含む単層構造、又は互いに異なる物質を含む複数の金属層を含む多層構造を有する。例えば、前記ソース電極(SE)及びドレーン電極(DE)は、銅(Cu)層、及び前記銅(Cu)層の上部及び/又は下部に形成されたチタン(Ti)層を含む。
【0150】
前記ソース電極(SE)及び前記ドレーン電極(DE)上には、有機膜130が形成される。前記有機膜130は、前記第2の基板110の上面を実質的に平坦化することで、段差によって発生する問題、例えば、信号配線の断線などを防止することができる。前記有機膜130は、有機物質を含む絶縁層である。
【0151】
前記画素電極(PE)は、前記有機膜130上に配置され、コンタクトホールを介して、前記ドレーン電極(DE)と電気的に連結される。前記画素電極(PE)は、透明導電物質を含む。例えば、前記画素電極(PE)は、酸化インジウム錫、又は酸化亜鉛錫を含む。また、前記画素電極(PE)は、チタン(titanium:Ti)、又はモリブデンチタン合金(MoTi)を含む。
【0152】
図21図25は、図20の表示装置の製造方法を示す断面図である。
【0153】
図21に示すように、前記第1の基板2210上に、遮光パターン(BM)が形成される。以後、前記遮光パターン(BM)が形成された前記第1の基板2210上に、第1のカラーフィルター2211が形成される。
【0154】
前記第1の基板2210上に、遮光パターン(BM)が形成される。前記遮光パターン(BM)は、前記表示領域(DA)のカラーフィルターの間、及び前記周辺領域(PA)に配置される。前記遮光パターン(BM)は、光を遮断する。
【0155】
前記カラーフィルターは、第1のカラーフィルター2211と、第2のカラーフィルター2212と、第3のカラーフィルター2213とを含む。前記第1のカラーフィルター2211は、赤色物質を含む赤色カラーフィルター2211である。例えば、前記第1のカラーフィルター2211の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0156】
図22に示すように、前記第1のカラーフィルター2211が形成された前記第1の基板2210上に、第2のカラーフィルター2212、及びギャップ保持パターン2214が形成される。
【0157】
前記第2のカラーフィルター2212は、前記第1のカラーフィルター2211と隣接して配置される。前記第2のカラーフィルター2212は、緑色物質を含む緑色カラーフィルター2212である。前記第1のカラーフィルター2211及び前記第2のカラーフィルター2212は、同一の高さに形成される。例えば、前記第2のカラーフィルター2212の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0158】
前記表示装置の周辺領域(PA)には、ギャップ保持パターン2214が配置される。本実施形態において、前記ギャップ保持パターン2214は、前記第2のカラーフィルター2212と同一の物質を含む。前記ギャップ保持パターン2214は、前記第2のカラーフィルター2212と同一の工程で形成される。前記ギャップ保持パターン2214は、前記第2のカラーフィルター2212と同一の高さ(d3)を有する。例えば、前記第2のカラーフィルター2212の高さは、1.5μm以上1.8μm以下であり、前記ギャップ保持パターン2214の高さは、1.5μm以上1.8μm以下である。
【0159】
図23に示すように、前記第2のカラーフィルター2212及び前記ギャップ保持パターン2214が形成された前記第1の基板2210上に、第3のカラーフィルター2213が形成される。
【0160】
前記第3のカラーフィルター2213は、前記第2のカラーフィルター2212と隣接して配置される。前記第3のカラーフィルター2213は、青色物質を含む青色カラーフィルター2213である。例えば、前記第3のカラーフィルター2213の高さは、1.7μm以上2.3μm以下である。
【0161】
図24に示すように、前記第3のカラーフィルター2213が形成された第1の基板2210上に、オーバーコート層2220が形成される。
【0162】
前記カラーフィルター2211、2212、2213及び前記ギャップ保持パターン2214上には、オーバーコート層2220が形成される。オーバーコート層2220は、前記第1の基板2210の段差を最小化する。また、前記オーバーコート層2220は、不純物が前記液晶層2300に流入することを防止することができる。しかし、本実施形態は、これに限定されるものではなく、前記オーバーコート層2220を省略することもできる。
【0163】
図25に示すように、前記オーバーコート層2220が形成された前記第1の基板2210上に、カラムスペーサ2231、第1の配向膜(AL1)、及び遮断ダムが形成される。
【0164】
前記オーバーコート層2220上には、カラムスペーサ2231が配置される。前記カラムスペーサ2231は、前記表示領域(DA)に配置され、前記第1の基板2210と第2の基板2110の間の間隔を一定に維持する。前記カラムスペーサ2231は、前記第2の基板の表示領域(DA)に配置され、第1の配向膜(AL1)によって覆われる。
【0165】
前記第1の配向膜(AL1)は、前記カラムスペーサ2231が形成された前記第1の基板2210上に形成される。前記第1の配向膜(AL1)は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、又はこれらの混合物を含む。
【0166】
前記周辺領域(PA)には、遮断ダムが形成される。前記遮断ダムは、前記ギャップ保持パターン2214と重ね合わされる。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ2231と同一層に配置される。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ2231と同一の物質を含む。前記遮断ダムは、前記カラムスペーサ2231と同一の高さに形成される。
【0167】
前記遮断ダムは、第1の遮断ダム2232と、第2の遮断ダム2233とを含む。前記第2の遮断ダム2233は、前記第1の遮断ダム2232と隣接して配置される。前記第2の遮断ダム2233は、前記第1の遮断ダム2232と平行な方向に延びる。前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間の間隔は、2.5mm以上3.5mm以下である。
【0168】
前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間には、シーリング部材2240が配置される。前記シーリング部材2240は、前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間に形成される空間に配置される。前記シーリング部材2240は、前記第1の基板2210と前記第2の基板2110を接合させる役割を果たす。前記シーリング部材2240が前記第1の遮断ダム2232と前記第2の遮断ダム2233の間に配置されるので、シーリング部材2240の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域(DA)と周辺領域(PA)のギャップ差によるムラ等の不良を減少することができる。
【0169】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0170】
本実施形態による第2の基板の製造方法は、図1図11の第2の基板の製造方法と実質的に同一である。従って、ここでは、重複する説明を省略する。
【0171】
本発明の実施形態によると、表示装置は、第1の遮断ダム及び第2の遮断ダムを含み、第1の遮断ダムと第2の遮断ダムの間に、シーリング部材が配置される。前記シーリング部材が、前記1の遮断ダムと前記第2の遮断ダムの間に配置されるので、シーリング部材の幅が一定に形成される。これによって、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差が減少され、表示装置の表示領域と周辺領域のギャップ差によるムラなどの不良を減少することができる。
【0172】
また、前記遮断ダムが一定の高さに形成されるので、実スペースを狭くすることができる。その結果、製造コストが減少される。
【0173】
また、表示装置は、前記第1の遮断ダム及び前記第2の遮断ダムと重ね合わされるギャップ保持パターンを含む。そこで、前記第1の遮断ダム及び前記第2の遮断ダムが形成される領域を、前記ギャップ保持パターンが支持しており、表示領域と周辺領域のギャップを均一に形成することができる。
【0174】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【0175】
10、20、30 表示装置
110 第2の基板
210 第1の基板
211 第1のカラーフィルター
212 第2のカラーフィルター
213 第3のカラーフィルター
214 ギャップ保持パターン
231 カラムスペーサ
232 第1の遮断ダム
233 第2の遮断ダム
240 シーリング部材
300 液晶層
GE ゲート電極
SE ソース電極
DE ドレーン電極
AP アクティブパターン
PE 画素電極
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14
図15
図16
図17
図18
図19
図20
図21
図22
図23
図24
図25