特開2018-81903(P2018-81903A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2015.5.11 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2018-81903(P2018-81903A)
(43)【公開日】2018年5月24日
(54)【発明の名称】有機発光表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
   H05B 33/26 20060101AFI20180420BHJP
   H01L 51/50 20060101ALI20180420BHJP
   H01L 27/32 20060101ALI20180420BHJP
   H05B 33/22 20060101ALI20180420BHJP
   H05B 33/12 20060101ALI20180420BHJP
   H05B 33/04 20060101ALI20180420BHJP
   H05B 33/10 20060101ALI20180420BHJP
【FI】
   H05B33/26 Z
   H05B33/14 A
   H01L27/32
   H05B33/22 Z
   H05B33/12 B
   H05B33/04
   H05B33/12 E
   H05B33/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】OL
【全頁数】21
(21)【出願番号】特願2017-108464(P2017-108464)
(22)【出願日】2017年5月31日
(31)【優先権主張番号】10-2016-0151626
(32)【優先日】2016年11月15日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Samsung Display Co.,Ltd.
【住所又は居所】大韓民国京畿道龍仁市器興区三星路1
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】特許業務法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】姜 泰 旭
【住所又は居所】大韓民国 京畿道 ソンナム市 ブンダン区 スネ路181 311棟403号
【テーマコード(参考)】
3K107
【Fターム(参考)】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107DD25
3K107DD30
3K107DD89
3K107DD95
3K107DD96
3K107EE22
3K107EE46
3K107EE48
3K107GG04
3K107GG12
(57)【要約】
【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、複数の画素が定義された基板上の各画素に配置された第1導電層、前記基板上に配置され、各画素ごとに前記第1導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜、前記露出された第1導電層上に配置された有機発光層、前記有機発光層上に配置された第2導電層、前記第2導電層上の各画素に配置され、前記第2導電層の少なくとも一部を露出する保護層、及び前記画素定義膜上の各画素の間に配置され、互いに異なる画素に配置された前記第2導電層の露出された部分と接するサブ導電層を含む。
【選択図】図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に配置された第1導電層と、
前記基板上に複数の画素を定義するように配置され、各画素ごとに前記第1導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜と、
前記第1導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層と、
前記有機発光層上に配置された第2導電層と、
前記第2導電層上の各画素に配置され、前記第2導電層の少なくとも一部を露出する保護層と、
前記画素定義膜上の各画素の間に配置され、互いに異なる画素に配置された前記第2導電層の露出された部分と接するサブ導電層と、
を含む有機発光表示装置。
【請求項2】
各画素に配置された前記保護層は互いに接しない請求項1に記載の有機発光表示装置。
【請求項3】
各画素に配置された前記第2導電層は互いに直接的に接しない請求項1に記載の有機発光表示装置。
【請求項4】
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第1導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれた請求項1に記載の有機発光表示装置。
【請求項5】
前記保護層は、無機物を含む請求項1に記載の有機発光表示装置。
【請求項6】
前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されない請求項1に記載の有機発光表示装置。
【請求項7】
前記画素定義膜は、
有機物を含む画素定義膜第1層と、
無機物を含み、前記画素定義膜第1層を覆う画素定義膜第2層と、
を含む請求項1に記載の有機発光表示装置。
【請求項8】
基板上に配置された第1導電層と、
前記基板上に少なくとも一つの画素を定義するように配置され、一画素で前記第1導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜と、
前記第1導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層と、
前記有機発光層上に配置された第2導電層と、
前記第2導電層上の前記一画素に配置され、前記第2導電層の少なくとも一部を露出する保護層と、
前記画素定義膜上の前記一画素外側に配置され、前記第2導電層の露出された部分と接するサブ導電層と、
を含む有機発光表示装置。
【請求項9】
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第1導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれた請求項8に記載の有機発光表示装置。
【請求項10】
前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されない請求項8に記載の有機発光表示装置。
【請求項11】
前記保護層は少なくとも一部分が前記サブ導電層と接する請求項8に記載の有機発光表示装置。
【請求項12】
前記保護層上に配置されたカラーフィルタをさらに含み、
前記サブ導電層は前記カラーフィルタ上にも配置された請求項8に記載の有機発光表示装置。
【請求項13】
第1導電層及び複数の画素を定義し、各画素ごとに前記第1導電層を露出する画素定義膜が形成された基板を準備する段階と、
前記画素定義膜上に一部画素を露出する開口が定義されたフォトレジストパターンを形成する段階と、
全面蒸着により、前記第1導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上には有機発光層を形成し、前記フォトレジストパターン上には前記有機発光層と同じ物質を含む第1蒸着層を形成する段階と、
全面蒸着により、前記有機発光層上には第2導電層を形成し、前記第1蒸着層上には前記第2導電層と同じ物質を含む第2蒸着層を形成する段階と、
全面蒸着により、前記第2導電層上には保護層を形成し、前記第2蒸着層上には前記保護層と同じ物質を含む第3蒸着層を形成する段階と、
前記フォトレジストパターン及び前記第1蒸着層から第3蒸着層までを除去する段階と、
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記保護層の少なくとも一部分は、前記画素定義膜と接するように形成する請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記保護層は、前記第1導電層及び前記有機発光層を完全に覆うように形成する請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記保護層は、前記画素定義膜及び前記第1導電層と共に前記有機発光層を囲んで密閉するように形成する請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記フォトレジストパターンは、逆テーパ形状を有する請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記フォトレジストパターンは、ネガティブ(negative)フォトレジスト組成物をパターニングして形成する請求項17に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記フォトレジストパターンは、剥離液(stripper)でリフトオフ(lift−off)する方式により除去する請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記フォトレジストパターンを除去した後に、
他画素にも有機発光層、第2導電層、及び保護層を形成する段階と、
前記第2導電層の一部を露出するように前記保護層をエッチングする段階と、
前記第2導電層の露出された部分と接するようにサブ導電層を形成する段階と、
をさらに含む請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光表示装置(organic light emitting display)は代表的な自発光型表示装置であって、液晶表示装置(liquid crystal display)のような受光型表示装置とは違いバックライトユニットが必要でないので、スマートフォン、超薄型TVなど薄型化が必要な多様な電気/電子製品に利用されている。
【0003】
最近では、フォトマスク(photo mask)を利用したフォトパターニング(photo pattering)で有機発光素子を蒸着する方法により高解像度を実現するための研究が進んでいる。
しかし、フォトパターニングに使用されるリフトオフ層(Lift−Off Layer)は特殊の物質を含むので、単価が高く、除去過程で既に蒸着された有機層に損傷を与える可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、有機発光層が外気または工程中に発生した物理・化学的衝撃により損傷することを防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【0005】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を解決するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板上に配置された第1導電層、前記基板上に複数の画素を定義するように配置され、各画素ごとに前記第1導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜、前記第1導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層、前記有機発光層上に配置された第2導電層、前記第2導電層上の各画素に配置され、前記第2導電層の少なくとも一部を露出する保護層、及び前記画素定義膜上の各画素の間に配置され、互いに異なる画素に配置された前記第2導電層の露出された部分と接するサブ導電層を含む。
【0007】
各画素に配置された前記保護層は互いに接しなくてもよい。
各画素に配置された前記第2導電層は互いに直接的に接しなくてもよい。
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第1導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれ得る。
前記保護層は無機物を含み得る。
前記サブ導電層は前記保護層の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。
前記画素定義膜は、有機物を含む画素定義膜第1層、及び無機物を含み、前記画素定義膜第1層を覆う画素定義膜第2層を含み得る。
【0008】
前記課題を解決するための本発明の他の実施形態による有機発光表示装置は、基板上に配置された第1導電層、前記基板上に少なくとも一つの画素を定義するように配置され、一画素で前記第1導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜、前記第1導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層、前記有機発光層上に配置された第2導電層、前記第2導電層上の前記一画素に配置され、前記第2導電層の少なくとも一部を露出する保護層、及び前記画素定義膜上の前記一画素外側に配置され、前記第2導電層の露出された部分と接するサブ導電層を含む。
【0009】
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第1導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれ得る。
前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。
前記保護層は少なくとも一部分が前記サブ導電層と接し得る。
前記保護層上に配置されたカラーフィルタをさらに含み、前記サブ導電層は前記カラーフィルタ上にも配置され得る。
【0010】
前記他の課題を解決するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、第1導電層及び複数の画素を定義し、各画素ごとに前記第1導電層を露出する画素定義膜が形成された基板を準備する段階、前記画素定義膜上に一部画素を露出する開口が定義されたフォトレジストパターンを形成する段階、全面蒸着により、前記第1導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上には有機発光層を形成し、前記フォトレジストパターン上には前記有機発光層と同じ物質を含む第1蒸着層を形成する段階、全面蒸着により、前記有機発光層上には第2導電層を形成し、前記第1蒸着層上には前記第2導電層と同じ物質を含む第2蒸着層を形成する段階、全面蒸着により前記第2導電層上には保護層を形成し、前記第2蒸着層上には保護層と同じ物質を含む第3蒸着層を形成する段階と、前記フォトレジストパターン及び前記第1蒸着層から第3蒸着層までを除去する段階を含む。
【0011】
前記保護層の少なくとも一部分は、前記画素定義膜と接するように形成し得る。
前記保護層は、前記第1導電層及び前記有機発光層を完全に覆うように形成し得る。
前記保護層は、前記画素定義膜及び前記第1導電層と共に前記有機発光層を囲んで密閉するように形成し得る。
前記フォトレジストパターンは、逆テーパ形状を有し得る。
前記フォトレジストパターンは、ネガティブ(neagtive)フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。
前記フォトレジストパターンは、剥離液(stripper)でリフトオフ(lift−off)する方式により除去し得る。
前記フォトレジストパターンを除去した後に、他画素にも有機発光層、第2導電層、及び保護層を形成する段階、前記第2導電層の一部を露出するように前記保護層をエッチングする段階、及び前記第2導電層の露出された部分と接するようにサブ導電層を形成する段階をさらに含み得る。
その他の実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【0012】
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
本発明に係る有機発光層は、第1導電層(210)、画素定義膜(220)、第2導電層(240)、及びサブ導電層(270)に加えて保護層(260)に囲まれ、完全に密閉されているので、外気または工程中に発生した物理・化学的衝撃により損傷することを防止することができる。
さらに、サブ導電層を介して保護層の形成過程で断絶した各画素の第2導電層を電気的に接続することができる。
本発明の実施形態による効果は以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0013】
図1】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面構造を示す概略図である。
図2図1の有機発光表示装置をII−II’線に沿って切断した断面図である。
図3】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図4】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図5】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図6図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図7図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図8図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図9図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図10図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図11図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図12図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図13図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図14図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図15図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図16図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図17図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図18図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図19図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図20図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図21図2及び図3の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図22図4及び図5の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図23図4及び図5の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
図24図4及び図5の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【0015】
ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことを意味する。
素子(elements)または層が他の素子または層の「上(on)」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
第1、第2などが多様な構成要素を叙述するために使用されるが、これら構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は本発明の技術的思想内で第2構成要素であり得ることは勿論である。
【0016】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面構造を示す概略図である。
図1を参照すれば、有機発光表示装置は平面上イメージが視認される領域である表示領域DAと、前記イメージが視認されない領域である非表示領域NAとを含み得る。非表示領域NAは表示領域DAの外側に前記表示領域DAを囲むように形成される。
表示領域DAにはマトリックス形状で配列された複数の画素PXが定義される。各画素PXは第1色、第2色、及び第3色を各々発光する第1画素PX1、第2画素PX2、及び第3画素PX3に区分され得る。図1では前記第1色、第2色、及び第3色が各々赤色、緑色及び青色である場合を例示する。
複数の画素PXは、平面上の水平方向には第1画素PX1、第2画素PX2、及び第3画素PX3が交番的に配置され、垂直方向には同じ色を発光する画素PXのみが連続して配置されるが、これに制限されない。
【0017】
図2図1の有機発光表示装置をII−II’線に沿って切断した断面図である。
図2を参照すれば、有機発光表示装置はベース基板101、バッファ層110、活性層121、ゲート絶縁層140、ゲート電極151、層間絶縁層160、ソース電極172、ドレイン電極173、平坦化層180、及び有機発光素子200を含み得る。
ベース基板101は絶縁基板であり得る。ベース基板101はガラスまたはプラスチックを含み得る。ベース基板101は透明であり得るが、前面発光型有機発光表示装置に適用される場合は不透明な物質からなってもよい。
いくつかの実施形態では、有機発光表示装置が柔軟性を持つフレキシブル(Flexible)表示装置として実現するためにベース基板101がポリイミドなどのような柔軟性物質からなるか、省略することもできる。
【0018】
ベース基板101上にはバッファ層110が配置され得る。バッファ層110は窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO)、酸窒化ケイ素(SiO)などを含み得、単層または多層で形成され得る。バッファ層110は半導体の特性を劣化(degradation)させる不純物または水分や外気の侵入を防止し、表面を平坦化する役割を果たす。
バッファ層110上には活性層121が配置される。活性層121は半導体を含み得、多結晶シリコン(polysilicon)からなる。
活性層121はチャネル領域123と前記チャネル領域123の両側に位置するソース領域122及びドレイン領域124を含み得る。チャネル領域123は不純物がドーピングされない多結晶シリコンである真性半導体(intrinsic semiconductor)であり得、ソース領域122及びドレイン領域124は導電性不純物がドーピングされた多結晶シリコンである不純物半導体(impurity semiconductor)であり得る。
【0019】
活性層121上にはゲート絶縁層140が配置され得る。ゲート絶縁層140は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などを含む絶縁層からなり得、単層または多層で形成され得る。
ゲート絶縁層140上にはゲート電極151が配置され得る。ゲート電極151は活性層121のチャネル領域123に重畳するように配置され得る。活性層121のソース領域122及びドレイン領域124はゲート電極151に重畳しなくてもよい。ゲート電極151はアルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)など、またはこれらの合金を含み得、多重層構造を有することもできる。
【0020】
ゲート電極151上には層間絶縁層160が配置され得る。層間絶縁層160は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などを含む絶縁層で形成され得、単層または多層で形成され得る。
層間絶縁層160上にはソース電極172とドレイン電極173が配置され得る。ソース電極172は活性層121のソース領域122に重畳するように配置され得、ドレイン電極173は活性層121のドレイン領域124に重畳するように配置され得る。
ソース電極172とドレイン電極173はアルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)及びその他の耐火性金属(refractory metal)またはこれらの合金を含み得、多重層構造を有することもできる。
【0021】
ゲート絶縁層140及び層間絶縁層160にはソース電極172とドレイン電極173を活性層121のソース領域122及びドレイン領域124に各々電気的に接触するソースコンタクトホール161及びドレインコンタクトホール162が形成され得る。
活性層121、ゲート電極151、ソース電極172、及びドレイン電極173は薄膜トランジスタTを構成し得る。薄膜トランジスタTのゲート電極151は制御端子であり、ソース電極172は入力端子であり、ドレイン電極173は出力端子である。
各画素PXには一つ以上の薄膜トランジスタTが対応するように配置され得、薄膜トランジスタTは有機発光素子200と電気的に接続され、前記有機発光素子200の駆動を制御し得る。
ソース電極172及びドレイン電極173上には平坦化層180が配置され得る。平坦化層180は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、誘電定数が小さいアクリル(acryl)系統有機化合物、BCB(Benzocyclobutane)またはPFCB(Perfluorocyclobutane)などを含み得る。
平坦化層180はソース電極172及びドレイン電極173を保護する役割を果たし、その上面を平坦化する役割を果たし得る。平坦化層180にはドレイン電極173が露出するようにするコンタクトホール181が平坦化層180を貫いて形成され得る。
有機発光素子200は平坦化層180上に配置され得、第1導電層210、画素定義膜220、有機発光層230、第2導電層240、キャッピング層250、保護層260、サブ導電層270、及びサブ保護層280を含み得る。
【0022】
第1導電層210は平坦化層180上の各画素PXに配置され得る。第1導電層210は平坦化層180に形成されたコンタクトホール181を介して画素PXごとに配置された薄膜トランジスタTのドレイン電極173と電気的に接続され得る。第1導電層210は有機発光素子200の画素電極またはアノード電極になる。
第1導電層210は仕事関数が高い導電性物質を含み得る。例えば、第1導電層210は、ITO、TCO、IZO、ZnO、Inなどの透明導電物質を含み得る。さらに、第1導電層210は前記のような透明導電物質層とリチウム(Li)、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、マグネシウム(Mg)、金(Au)などの反射性金属のような導電性物質層の積層膜を含み得る。
【0023】
画素定義膜220は平坦化層180上に第1導電層210の一部を覆うように配置され得る。画素定義膜220は有機発光素子200の各画素PXを区分する役割を果たす。画素定義膜220には各画素PXに配置された第1導電層210の少なくとも一部を露出する第1開口H1が定義され得る。
画素定義膜220はアクリル係化合物、PI(Polyimide)、BCB(Benzocyclobutane)またはPFCB(Perfluorocyclobutane)などの有機物を含む画素定義膜第1層221と、無機物を含み、画素定義膜第1層221を覆う画素定義膜第2層222とを含む多重層からなる。画素定義膜第2層222は画素定義膜第1層221の上面だけでなく、第1開口H1側の側壁を覆うように形成され得る。
画素定義膜220が有機物からなれば、第1開口H1を形成するためにパターニングする過程で第1導電層210が損傷することを防止して製造工程を単純化できるが、空気や水分が画素定義膜220を介して有機発光層230に侵入できるので、無機物を含む第2層222を介して空気や水分が画素定義膜220の内部に侵入することを防止することができる。
画素定義膜第2層222は窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO)、酸窒化ケイ素(SiO)などの無機物を含み得、画素定義膜第1層221の上面を完全に覆うように配置され得る。
【0024】
第1開口H1により露出された第1導電層210上には有機発光層230が配置され得る。有機発光層230は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上と発光層を含む多重層で形成され得る。
有機発光層230は各々無機物質を含んでなる保護層260、画素定義膜第2層222、第1導電層210及びサブ導電層270に囲まれ、完全に密閉され得る。これにより外部異物や水分が有機発光層230の内部に侵入することを効果的に防止することができる。
第1画素PX1、第2画素PX2、及び第3画素PX3に各々配置された有機発光層230は赤色、緑色、及び青色を各々放出し得る。
有機発光層230上には第2導電層240が配置され得る。第2導電層240は画素定義膜220の上面の一部を覆い得る。
【0025】
第2導電層240は仕事関数が低い導電性物質を含み得る。例えば、第2導電層240は、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba、Ybまたはこれらの化合物や混合物などの金属を含み得、ITO、TCO、IZO、ZnO、Inなどの透明導電物質を含み得る。
例示的な実施形態において、第2導電層240はAgやMgなどを含む薄い金属層、TCOなどを含む透明導電膜または前記金属層と導電膜が積層された多重層であり得、これにより下部に配置された有機発光層230で放出された光が第2導電層240を透過し得る。ただし、これに限定されない。
第2導電層240は各画素PXにのみ非連続的に配置されたアイランド(Island、島)形態で配置され得る。これにより、各画素PXに配置された第2導電層240は互いに直接的に接しなくてもよい。各画素PXに配置された第2導電層240は有機発光素子200のカソード電極として機能し得、サブ導電層270により電気的に接続して共通電極として機能し得る。
前記第2導電層240上にはキャッピング層250が配置され得る。キャッピング層250は有機発光層230の光取り出し効率を向上させ得、有機発光素子200のパターニング時にプラズマから有機発光層230を保護する役割もし得る。キャッピング層250は省略し得る。
【0026】
キャッピング層250上には保護層260が配置され得る。キャッピング層250が省略される場合、第2導電層240上に直接、保護層260が配置され得る。
保護層260は下部の有機発光層230を含む素子をエンカプセレーション(Encapsulation、密閉)する役割を果たす層として、有機発光素子200のパターニング時形成されたフォトレジストを除去する時、有機発光層230が損傷することを防止する。したがって、保護層260を適用すれば高価なリフトオフ層(Lift−Off Layer)の使用を省略し得る。また、保護層260はある一種類の画素PXに有機発光層230を形成した後他の画素PXに有機発光層230を形成する時、外部衝撃、エッチング物質または外気などから既に形成された有機発光層230を保護する役割を果たし得る。
保護層260は第2導電層240及びキャッピング層250を覆い、第2導電層240の一部は露出するように配置され得る。具体的には、第2導電層240の外側の一部分が保護層260に覆われず露出され得、前記露出された部分を介してサブ導電層270と電気的に接触し得る。
保護層260は各画素PXの内側に配置され得る。これにより、各画素PXに配置された保護層260は互いに接しないように配置され得る。
保護層260は窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO)、酸窒化ケイ素(SiO)などの無機物を含み得る。
【0027】
サブ導電層270は画素定義膜220上の各画素PXの間に配置され得る。これにより、サブ導電層270は任意の一画素PXを中心にその外側に配置され得る。サブ導電層270は周辺画素PXの第2導電層240の前記露出された部分に接することによって互いに異なる画素PXに配置された第2導電層240を電気的に接続し得る。
例示的な実施形態において、サブ導電層270は平面上格子型に区切られた複数の画素PXの間または境界を満たし、各画素PXに配置された第2導電層240の露出された部分と一部分が重畳するように配置され得る。前記重畳した部分はサブ導電層270と第2導電層240が接する部分であり得る。
サブ導電層270は画素定義膜220表面と第2導電層240、キャッピング層250及び保護層260の側面の少なくとも一部を覆うように配置され得る。サブ導電層270は保護層260の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。例えば、サブ導電層270は保護層260上の画素PXが定義された領域には配置されなくてもよい。また、サブ導電層270は有機発光層240には重畳しなくてもよい。
サブ導電層270は前述した第2導電層240が含み得る物質を含み得、第2導電層240と同一物質からなることもできる。サブ導電層270は有機発光層230から光が放出される経路上に配置されなくてもよいので、第2導電層240より厚く形成され得る。
【0028】
保護層260上にはサブ保護層280が保護層260及びサブ導電層270を覆うように配置され得る。サブ保護層280は保護層260の機能を補完できる層として、前述した保護層260の物質を含むか、保護層260と同一物質からなることもできる。サブ保護層280は省略し得る。
【0029】
前述した通り、本発明の実施形態による有機発光表示装置は有機発光層230が保護層260、画素定義膜第2層222、第1導電層210、及びサブ導電層270に囲まれ、完全に密閉され得るので、外部異物や水分が有機発光層230の内部に侵入することを効果的に防止することができる。
また、有機発光層230が各画素に独立して配置された保護層260によって各画素別にパッケージングされ得るので、一部画素に配置された有機発光層230に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層230に影響を与えられない。
【0030】
以下、本発明の他の実施形態について説明する。
図3は本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図3の有機発光表示装置はサブ保護層281がサブ導電層271を除いた保護層260だけを覆うように配置された点を除いては前述した図2の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図3を参照すれば、保護層260上にはサブ保護層281が保護層260を覆うように配置され得る。サブ導電層271は画素定義膜220上で第2導電層240、キャッピング層250、及び保護層260だけでなくサブ保護層281の側面の少なくとも一部分を覆うように配置され得る。
図3に示すような有機発光表示装置も、有機発光層230が保護層260、画素定義膜第2層222、第1導電層210、及びサブ導電層270に囲まれ、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層230の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層230が各画素に独立して配置された保護層260によって、各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層230に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層230に影響を与えない。
また、保護層260上にサブ保護層281が直接配置されることによって、有機発光層230を集中的に保護し得る。
【0031】
図4は本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図4の有機発光表示装置は保護層260上にカラーフィルタ310、サブ導電層272、サブ保護層282、及びブラックマトリックス320が順次に積層された点を除いては前述した図2の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図4を参照すれば、保護層260上にはカラーフィルタ310が配置され得る。カラーフィルタ310は下部の有機発光層230で放出された光を波長によって選別する役割をし得る。
カラーフィルタ310は前述した第1色、第2色、及び第3色に各々対応する第1カラーフィルタ311、第2カラーフィルタ312及び第3カラーフィルタ313に区分され得、各々第1画素PX1、第2画素PX2、及び第3画素PX3に配置され得る。
カラーフィルタ310上にはサブ導電層272が配置され得る。サブ導電層272は図2に示すサブ導電層270とは異なり画素定義膜220、第2導電層240、キャッピング層250、保護層260、及びカラーフィルタ310の露出されたすべての表面を覆うように連続的に配置され得る。
サブ導電層272上にはサブ保護層282が前記サブ導電層272を覆うように配置され得る。
サブ保護層282上にはブラックマトリックス320が各画素PXの間に配置され得る。ブラックマトリックス320は有機発光層230から放出される光が各画素PXに限定された領域にのみ放出されるようにする役割を果たす。また、ブラックマトリックス320は各画素PXの間に配置されたサブ導電層272による外光反射を防止する役割も果たすことができる。
【0032】
図4に示すような有機発光表示装置も有機発光層230が保護層260、画素定義膜第2層222、第1導電層210、及びサブ導電層270に囲まれて、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層230の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層230が各画素に独立的に配置された保護層260によって各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層230に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層230に影響を与えない。
【0033】
図5は本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図5の有機発光表示装置はブラックマトリックス321上にサブ保護層283が配置された点を除いては前述した図4の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図5を参照すれば、ブラックマトリックス321はサブ導電層272上の各画素PXの間に配置され、サブ保護層283はブラックマトリックス321上にブラックマトリックス321とサブ導電層272を覆うように配置され得る。
図5に示すような有機発光表示装置も、有機発光層230が保護層260、画素定義膜第2層222、第1導電層210、及びサブ導電層270に囲まれ、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層230の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層230が各画素に独立して配置された保護層260によって各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層230に発生した損傷が違う画素に配置された有機発光層230に影響を与えない。
また、サブ保護層283がブラックマトリックス321を覆うように配置されることによって、ブラックマトリックス321も水分、外気または異物などの侵入から保護することができる。
【0034】
以下、前述した有機発光表示装置を製造する例示的な方法について説明する。
図6から図20までは図2の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別断面図である。
図6を参照すれば、ベース基板101上にバッファ層110、活性層121、ゲート絶縁層140、ゲート電極151、層間絶縁層160、ソース電極172、ドレイン電極173、平坦化層180、及び第1導電層210を形成する。これについての具体的な方法は当業界に広く知られているので、その説明は省略する。
【0035】
図7を参照すれば、次いで平坦化層180上に第1導電層210を露出する第1開口H1を含む画素定義膜220を形成する。具体的には、アクリル係化合物、PI(Polyimide)、BCB(Benzocyclobutane)またはPFCB(Perfluorocyclobutane)などを含む有機膜を積層してパターニングして画素定義膜第1層221を形成する。次いで、画素定義膜第1層221上に窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO)、酸窒化ケイ素(SiO)などの無機物を含む無機膜を積層してパターニングし、画素定義膜第2層221を形成する。
【0036】
図8を参照すれば、次いで画素定義膜220上に第1フォトレジストパターン510を形成する。第1フォトレジストパターン510は画素定義膜220と第1開口H1を覆うようにフォトレジスト組成物を塗布した後、前記フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。フォトレジスト組成物はマスク(Mask)を整列して露光し、現像液で現像(develop)する方式でパターニングし得る。
第1フォトレジストパターン510は一部画素PXが定義された領域を露出する第2開口H2が定義されるように形成し得る。これにより、第1フォトレジストパターン510は複数の画素PXのうち一部画素PXのみを露出し、他の画素PXと素子はすべて覆うように形成し得る。図8では第1フォトレジストパターン510が第1色を放出する第1画素PX1に該当する領域のみを露出し、他の領域は覆うように形成した場合を示す。
第1フォトレジストパターン510は逆テーパ形状を有するように形成し得る。例示的な実施形態において、第1フォトレジストパターン510はネガティブ(negative)フォトレジスト組成物をパターニングして形成することによって逆テーパ形状を有し得るが、これに制限されない。
【0037】
図9を参照すれば、次いで第2開口H2を介して、第1開口H1により露出された第1導電層210上に有機発光層230を形成する。有機発光層230はルツボを利用した蒸発(evaporation)などの方式で蒸着し得る。
有機発光層230は有機発光物質を含む第1蒸着物を第2開口H2及び第1開口H1により露出された第1導電層210上に蒸着する方式で形成し得る。前記蒸着はマスクを利用しない全面蒸着方式で行われ得る。したがって、第1蒸着物は第2開口H2を介して露出された部分だけでなく、第1フォトレジストパターン510上にも蒸着され、第1蒸着層610を形成し得る。
有機発光層230は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上と発光層を蒸着して多重層で形成し得、前記層を蒸着するために複数種の蒸着物を使用し得る。この場合、前記第1蒸着層610も多重層で形成され得る。
【0038】
図10を参照すれば、次いで第2開口H2を介して有機発光層230上に第2導電層240を形成する。
第2導電層240は、Ag、Mg、Al、Ybなどの金属やITO、IZO、TCOなどの透明導電物質を含む第2蒸着物を第2開口H2により露出された有機発光層230上にスパッタリング(sputtering)、物理気相蒸着(Physical Vapor Deposition:PVD)やメッキなどの方式で形成し得る。
前記第2導電層240の形成方式は等方性を有する方式であり得る。これにより、第2導電層240を第2開口H2の入口より広い面積で形成し得、有機発光層230の上面と画素定義膜220の側面及び上面一部を覆うように形成し得る。
第2蒸着物の蒸着もマスクを利用しない全面蒸着方式で行われる。したがって、第2蒸着物は第2開口H2を介して露出された部分だけでなく、第1フォトレジストパターン510上に形成された第1蒸着層610上にも蒸着され、第2蒸着層620を形成し得る。
【0039】
図11を参照すれば、次いで第2開口H2を介して第2導電層240上にキャッピング層251を形成する。キャッピング層251は第3蒸着物を第2開口H2により露出された第2導電層240上に蒸着する方式で形成し得る。
キャッピング層251の形成は等方性を有する蒸着工程によりなされ得る。これにより、キャッピング層251を第2開口H2の入口より広い面積で形成し得、第2導電層240の上面と画素定義膜220の上面一部を覆うように形成し得る。
しかし、これに制限されず、工程条件に応じてキャッピング層251を第2導電層240の上面の一部のみを覆うように形成し得る。
第3蒸着物は第2開口H2を介して露出された部分だけでなく、第1フォトレジストパターン510上に形成された第2蒸着層620上にも蒸着され、第3蒸着層630を形成し得る。
キャッピング層251を形成する段階は省略し得、これにより第2導電層240上に直接、保護層261を形成し得る。
【0040】
図12を参照すれば、次いで第2開口H2を介してキャッピング層251上に保護層261を形成する。キャッピング層251を省略する場合、第2導電層240上に保護層261を形成し得る。
保護層261は窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO)、酸窒化ケイ素(SiO)などの無機物を含む第4蒸着物を第2開口H2により露出されたキャッピング層251上に蒸着する方式で形成し得る。
前記蒸着方式は等方性を有する工程であり得る。これにより、保護層261を第2開口H2の入口より広い面積で形成し得、第2導電層240及びキャッピング層251の上面と画素定義膜220の上面の一部を覆うように形成し得る。
第4蒸着物は第2開口H2を介して露出された部分だけでなく、第1フォトレジストパターン510上に形成された第3蒸着層630上にも蒸着され、第4蒸着層640を形成し得る。
保護層261は下部の有機発光層230と第2導電層240を完全に覆うように形成し得る。具体的には、保護層261の外側が画素定義膜220と接するように形成し、下部の有機発光層230と第2導電層240が露出しないようにし得る。
【0041】
図13を参照すれば、次いで第1フォトレジストパターン510を除去する。第1フォトレジストパターン510を除去することにより第1フォトレジストパターン510上に形成されていた第1蒸着層第4蒸着層までも除去することができる。
第1フォトレジストパターン510は剥離液(stripper)を使用してリフトオフ(lift−off)する方式で除去し得る。第1フォトレジストパターン510が逆テーパ形状を有する場合、リフトオフが容易に行われ得る。
第2蒸着物から第4蒸着物までを化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition:CVD)で蒸着すれば、第2導電層240、キャッピング層251及び保護層261が第1フォトレジストパターン510上に形成された第2蒸着層から第4蒸着層(620、630、640)までと連結されず、不連続的に形成され得るので、リフトオフが容易に行われ得る。
しかし、これに制限されず、原子層蒸着法(Atomic Layer Deposition)による場合にも工程条件によって第2導電層240、キャッピング層251及び保護層261と第1蒸着層から第4蒸着層(620、630、640)までが互いに不連続的に形成され得、これによりリフトオフを容易に行うことができる。
【0042】
図14は本発明の他の実施形態により第1フォトレジストパターン510を除去する方法を示す断面図である。
図14を参照すれば、図12の第2開口H2により露出された領域を満たすように第2フォトレジストパターン520を形成する。第2フォトレジストパターン520は第1フォトレジストパターン510より高く形成し得る。
第2フォトレジストパターン520はフォトレジスト組成物を第1フォトレジストパターン510と第2開口H2を覆うように塗布した後、前記フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。
第2フォトレジストパターン520は正テーパ形状を有するように形成し得る。例示的な実施形態において、第2フォトレジストパターン520はポジティブ(positive)フォトレジスト組成物をパターニングして形成することによって正テーパ形状を有し得るが、これに制限されない。
次いで、第2フォトレジストパターン520が形成されない領域の第1フォトレジストパターン510を先に除去した後、第2フォトレジストパターン520を除去して図13に示すような状態を形成し得る。
【0043】
第1フォトレジストパターン510と第2フォトレジストパターン520は互いに異なる剥離液で除去される物質であり得る。ただし、これに制限されず、第1フォトレジストパターン510と第2フォトレジストパターン521は同一の種類の剥離液によって除去される物質であり得る。
【0044】
例示的な実施形態において、乾式エッチング(dry etch)により無機物からなる第1フォトレジストパターン510上の蒸着層(620、630、640)を除去した後、湿式エッチング(dry etch)により第1蒸着層610及びフォトレジストパターン(510、520)を除去することができる。ただし、これに制限されず、必要に応じて乾式エッチング、湿式エッチング、アッシング(ashing)などの方法でその種類と順序を適切に選択して使用し得る。
第2フォトレジストパターン520を第2開口H2により露出された画素PX領域に形成した後に除去することによって、第1フォトレジストパターン510をリフトオフする時、画素PX領域に配置された有機発光層230、保護層261などの素子が損傷する現像を防止し得る。
【0045】
図15は本発明のまた他の実施形態により第1フォトレジストパターン510を除去する方法を示す断面図である。
図15を参照すれば、図12の第2開口H2内に第2フォトレジストパターン521を形成する。第2フォトレジストパターン521は第1フォトレジストパターン510より低く形成し得る。
第2フォトレジストパターン521はフォトレジスト組成物を第1フォトレジストパターン510と第2開口H2を覆うように塗布した後、前記フォトレジスト組成物を全面現像して形成し得る。フォトレジスト組成物を全面現像すれば第1フォトレジストパターン510上のフォトレジスト組成物は除去され、第2開口H2に形成された第2フォトレジストパターン521は第1フォトレジストパターン510より低く形成され得る。
【0046】
次いで、第1フォトレジストパターン510と第2フォトレジストパターン521を除去して図13に示すような状態を形成し得る。
例示的な実施形態において、第1フォトレジストパターン510と第2フォトレジストパターン521は同じ種類の剥離液によって除去される物質であり得る。ただし、これに制限されず、第1フォトレジストパターン510と第2フォトレジストパターン521が互いに異なる種類の剥離液によって除去される物質であり得る。
例示的な実施形態において、第1剥離液で第1フォトレジストパターン510を除去し、次いで乾式エッチングで無機物を含む蒸着層(620、630、640)を除去した後、次いで第1剥離液と組成が違う第2剥離液で第2フォトレジストパターン521を除去し得る。これにより、嵩が大きい無機物粒子(particle)が発生して工程装備のフィルタが詰まる現像を防止することができる。
【0047】
図16を参照すれば、次いで図6から図15までと同様の方法により残りの画素PX領域に対して有機発光層230、第2導電層240、キャッピング層251及び保護層261を形成する。
【0048】
図16では第2色及び第3色を各々放出する第2画素PX2及び第3画素PX3に前記層を形成した場合を示し、第2画素PX2及び第3画素PX3の有機発光層230は第1画素PX1の有機発光層230と違う波長の光を放出するものであり得る。
有機発光層230及び第2導電層240を完全に覆う保護層261を形成することによって、他の画素PXに対して有機発光素子200を形成する間既に形成された有機発光層230を外気、異物、工程中に発生する物理・化学的な衝撃などから保護することができる。有機発光層230は下部の第1導電層210、側部の画素定義膜220、及び上部の保護層261に囲まれて完全に密閉される。
【0049】
図17を参照すれば、次いで保護層261上に第3フォトレジストパターン530を形成する。第3フォトレジストパターン530は保護層261の外側は覆わないように形成し得る。これにより、保護層261及び第2導電層240の外側の一部分は第3フォトレジストパターン530と重畳しなくてもよい。
第3フォトレジストパターン530は逆テーパ形状を有するように形成し得る。第3フォトレジストパターン530を形成する方法は前述した第1フォトレジストパターン510を形成する方法と実質的に同じであるので、重複する説明は省略する。
【0050】
図18を参照すれば、次いで第2導電層240の少なくとも一部を露出するようにキャッピング層251及び保護層261をエッチングする。具体的には、第2導電層240の外側中の第3フォトレジストパターン530と重畳しない部分を露出するように保護層261及びキャッピング層251をエッチングし得る。
【0051】
図19を参照すれば、次に第2導電層240の露出された部分を連結するサブ導電層270を形成する。
サブ導電層270は一画素PXの第2導電層240が他の画素PXの第2導電層240と電気的に接続され、共通電極としての機能を果たすようにすることができる。
サブ導電層270はAg、Mg、Al、Ybなどの金属やITO、IZO、TCOなどの透明導電物質を含む第5蒸着物を画素定義膜220と第2導電層240の露出された部分上にスパッタリング(sputtering)、物理気相蒸着(Physical Vapor Deposition:PVD)やメッキなどの方式で形成し得る。
サブ導電層270は互いに異なる各画素PXに配置された第2導電層240の露出された部分と接するように画素定義膜220上に形成し得、キャッピング層250及び保護層260の一部分とも接し得る。
サブ導電層270は画素PXが定義された領域でない各画素PXの間の領域に形成され得るので、第2導電層240より厚く形成し得る。
第5蒸着物は第3フォトレジストパターン530上にも蒸着され、第5蒸着層650を形成し得る。
【0052】
図20を参照すれば、次いで第3フォトレジストパターン530を除去する。第3フォトレジストパターン530を除去することにより第3フォトレジストパターン530上に形成されていた第5蒸着層650も除去することができる。
第3フォトレジストパターン530は剥離液を使用してリフトオフする方式で除去し得る。第3フォトレジストパターン530が逆テーパ形状を有する場合、リフトオフが容易に行われ得る。ただし、これに制限されず、図21のように正テーパ形状を有する第4フォトレジストパターン540を使用することもできる。
その後、サブ保護層280を形成して図2に示すような有機発光表示装置を製造し得る。また、サブ導電層270とサブ保護層280の形成順序を逆にして図3に示すような有機発光表示装置を製造することもできる。
【0053】
図22から図24までは図4及び5の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別断面図である。
図22を参照すれば、図16の保護層261上にカラーフィルタ310を形成する。カラーフィルタ310は保護層261と第2導電層240の外側を覆わないように形成し得る。これにより、保護層261及び第2導電層240の外側の一部分はカラーフィルタ310と重畳しなくてもよい。
カラーフィルタ310は第1画素PX1、第2画素PX2及び第3画素PX3ごとに各々第1色、第2色及び第3色をフィルタリングする第1カラーフィルタ311、第2カラーフィルタ312及び第3カラーフィルタ313に各々区分して形成し得る。
【0054】
図23を参照すれば、次いで第2導電層240の少なくとも一部を露出するようにキャッピング層251及び保護層261をエッチングする。具体的には、第2導電層240の外側中のカラーフィルタ310と重畳しない部分を露出するように保護層261及びキャッピング層251をエッチングし得る。
【0055】
図24を参照すれば、次いで第2導電層240の露出された部分を連結するサブ導電層272を形成する。
カラーフィルタ310は第3フォトレジストパターン530及び第4フォトレジストパターン540と異なり、別途に除去する過程を経ないので、サブ導電層272は図20のサブ導電層270とは異なり画素定義膜220、第2導電層240、キャッピング層250、保護層260、及びカラーフィルタ310の露出されたすべての表面を覆うように連続して形成し得る。
その後、サブ導電層272上にサブ保護層(282、283)及びブラックマトリックス(320、321)を形成して図4または図5に示すような有機発光表示装置を製造し得る。
【0056】
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明が、その技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施され得るということを理解できるであろう。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的でないものとして理解しなければならない。
【符号の説明】
【0057】
101 ベース基板
110 バッファ層
121 活性層
122 ソース領域
123 チャネル領域
124 ドレイン領域
140 ゲート絶縁層
151 ゲート電極
160 層間絶縁層
161 ソースコンタクトホール
162 ドレインコンタクトホール
172 ソース電極
173 ドレイン電極
180 平坦化層
181 コンタクトホール
200 有機発光素子
210 第1導電層
220 画素定義膜
221 画素定義膜第1層
222 画素定義膜第2層
230 有機発光層
240 第2導電層
250、251 キャッピング層
260、261 保護層
270、272 サブ導電層
280、281、282、283 サブ保護層
310、321 カラーフィルタ
311、312、313 第1、第2、第3カラーフィルタ
320、321 ブラックマトリックス
510、520、530、540 第1、第2、第3、第4フォトレジストパターン
521 第2フォトレジストパターン
610、620、630、640、650 第1、第2、第3、第4、第5蒸着層
DA 表示領域
H1、H2 第1、第2開口
NA 非表示領域
PX 画素
PX1、PX2、PX3 第1、第2、第3画素
T 薄膜トランジスタ

図1
図2
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図5
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図10
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図20
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図22
図23
図24