特開2020-25121(P2020-25121A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2020-25121ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むn−ドープされた半導体材料
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  • 特開2020025121-ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むn−ドープされた半導体材料 図000064
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