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特開2021-82789窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法
発明の名称 窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法
出願人 株式会社アルバック （識別番号 231464）
特許公開件数ランキング 783 位（30件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 527 位（45件）（共同出願を含む）
出願人 国立大学法人名古屋大学 （識別番号 504139662）
特許公開件数ランキング 267 位（198件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 264 位（180件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2021-82789
公報発行日 2021年5月27
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-82789
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