特許5825988３次元半導体素子及びその製造方法
発明の名称 ３次元半導体素子及びその製造方法
出願人 三星電子株式会社 （識別番号 390019839）
特許公開件数ランキング 76 位（265件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 153 位（132件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-5825988
公報発行日 2015年12月2
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5825988
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