特許第6083676号(P6083676)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6083676窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体及びn型半導体素子の製造方法
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  • 特許6083676-窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体及びn型半導体素子の製造方法 図000004
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