(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態の一例について詳細に説明する。
実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。なお、説明の便宜上、電池において、封口体側を上、ケース本体の底面部側を下とする。
【0011】
図1は、電池10を示す断面図である。
図1に示すように、電池10は、電極体11及び電解質を含む発電要素と、発電要素を収容する電池ケース12とを備える。電極体11は、例えば正極13と負極14がセパレータ15を介して巻回されてなる巻回型構造を有する。電池ケース12は、電極体11と電解質を収容する金属製容器であって、例えば有底円筒状のケース本体21を備え、封口体23によりケース本体21の開口部が塞がれた構造を有する。即ち、電池10は、所謂円筒型電池である。本実施形態では、円筒型電池を例示するが、本発明の適用はこれに限定されるものではない。
【0012】
電極体11は、正極13に取り付けられた正極リード16と、負極14に取り付けられた複数の負極リードとを有する。複数の負極リードを設けることにより、電池10の直流抵抗を低下させて入出力特性を向上させることができる。また、正極リード16を複数設けることもできる。負極リードは3つ以上設けられてもよいが、円筒型電池の場合、好ましくは2つである。本実施形態では、負極リードとして、単層構造の第1リード17と、積層構造の第2リード18とを用いる。
【0013】
電極体11の上下には、絶縁板19,20をそれぞれ備えることが好適である。即ち、電極体11は、2つの絶縁板によって上下から挟まれている。正極リード16は、絶縁板19の貫通孔を通って封口体23側に延びている。負極リードである第1リード17及び第2リード18は、絶縁板20の貫通孔を通ってケース本体21の底面部側に延びている。詳しくは後述するように、第1リード17と第2リード18とを重ね合わせて形成された積層部35の一部が、電池ケース12(ケース本体21)の内面に溶接される。
【0014】
正極13は、例えば金属箔等の正極集電体と、正極集電体上に形成された正極活物質層とで構成される(いずれも図示せず)。正極集電体には、アルミニウムなどの正極13の電位範囲で安定な金属の箔、当該金属を表層に配置したフィルム等を用いることができる。正極集電体は、例えば長尺状のシート形状を有し、その両面に正極活物質層が形成されている。正極活物質層は、正極活物質の他に、導電材及び結着材を含むことが好適である。正極リード16は、正極活物質層が形成されず正極集電体の表面が露出した露出領域に取り付けられる。
【0015】
正極活物質は、例えばリチウム含有複合酸化物である。リチウム含有複合酸化物としては、Li
xCoO
2、Li
xNiO
2、Li
xMnO
2、Li
xCo
yNi
1-yO
2、Li
xCo
yM
1-yO
z、Li
xNi
1-yM
yO
z、Li
xMn
2O
4、Li
xMn
2-yM
yO
4、LiMPO
4、Li
2MPO
4F{0<x≦1.2、0<y≦0.9、2.0≦z≦2.3、Mは、Na、Mg、Sc、Y、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Cr、Pb、Sb、Bのうち少なくとも1種}等が例示できる。
【0016】
図2は、負極14を抜き出して示す図である。
図2に示すように、負極14は、例えば金属箔等の負極集電体14aと、負極集電体14a上に形成された負極活物質層14bとで構成される。負極集電体14aには、アルミニウムや銅などの負極14の電位範囲で安定な金属の箔、当該金属を表層に配置したフィルム等を用いることができる。負極集電体14aは、例えば長尺状のシート形状を有し、その両面に負極活物質層14bが形成されている。負極活物質層14bは、負極活物質の他に、結着剤を含むことが好適である。また、必要により導電材を含んでいてもよい。
【0017】
負極活物質としては、例えば天然黒鉛、人造黒鉛、リチウム、珪素、炭素、錫、ゲルマニウム、アルミニウム、鉛、インジウム、ガリウム、リチウム合金、予めリチウムを吸蔵させた炭素や珪素、これらの合金や混合物等が例示できる。
【0018】
負極集電体14aには、上記のように、2つの負極リード(第1リード17及び第2リード18)が取り付けられる。第1リード17、第2リード18が取り付けられる部分には、負極活物質層14bが形成されず、負極集電体14aの表面が露出した露出領域14zが設けられている。
図2に示す例では、負極集電体14aの長手方向両端縁に露出領域14zがそれぞれ設けられている。即ち、各リードは、負極14の長手方向両端縁にそれぞれ取り付けられている。なお、負極リードの配置は、これに限定されるものではなく、例えば一方のリードが負極集電体の長手方向中央部に取り付けられていてもよい。
【0019】
セパレータ15には、例えばイオン透過性及び絶縁性を有する多孔性シートが用いられる。多孔性シートの具体例としては、微多孔薄膜、織布、不織布等が挙げられる。セパレータ15の材質としては、セルロース、又はポリエチレン、ポリプロピレン等のオレフィン系樹脂が好適である。セパレータ15は、セルロース繊維層及びオレフィン系樹脂等の熱可塑性樹脂繊維層を有する積層体であってもよい。
【0020】
電解質は、例えば非水溶媒と、非水溶媒に溶解したリチウム塩等の電解質塩と、を含む非水電解質である。非水電解質は、液体電解質に限定されず、ゲル状ポリマー等を用いた固体電解質であってもよい。非水溶媒には、例えばエステル類、エーテル類、アセトニトリル等のニトリル類、ジメチルホルムアミド等のアミド類、及びこれらの2種以上の混合溶媒等を用いることができる。非水溶媒は、これら溶媒の水素をフッ素等のハロゲン原子で置換したハロゲン置換体を含有していてもよい。
【0021】
本実施形態では、第1リード17及び第2リード18が、ケース本体21の底面部の内面(以下、内底部という)に接続されている。即ち、ケース本体21が負極外部端子として兼用されている。正極リード16は、後述する封口体23のフィルタ24の下面に接続されており、フィルタ24と電気的に接続された封口体23のキャップ28が正極外部端子となる。
【0022】
ケース本体21は、封口体23が載せられる支持部22を有することが好適である。支持部22は、ケース本体21の内面の一部が内側に突出した形状を有し、突出した部分の上面で封口体23を支持する。支持部22は、例えばケース本体21の側面部を外側からプレスして形成される。なお、電極体11と電解質(発電要素)は、ケース本体21の支持部22よりも下部に収容される。
【0023】
ケース本体21の構成材料は、例えば銅、ニッケル、鉄、又はこれらの合金等であり、好ましくは鉄又は鉄合金である。ケース本体21が鉄製である場合は、例えば鉄の腐食を防止するため、また負極リードとの接合強度を向上させるために、ニッケル又はニッケル合金からなるNiメッキ層21aをケース本体21の内面に形成することが好適である。ケース本体21の厚みは、例えば0.2〜0.4mm程度であり、Niメッキ層21aの厚みは、例えば0.001〜0.05mm程度である。
【0024】
封口体23は、複数の部材を重ね合わせて構成されていることが好適である。本実施形態では、下から順に、フィルタ24、下弁体25、絶縁板26、上弁体27、及びキャップ28を重ね合わせて封口体23が構成されている。フィルタ24は、正極リード16が接続される部材である。キャップ28は、封口体23の最上部(最外部)に設けられる部材であって、正極外部端子として機能する。ケース本体21と封口体23の隙間には、ガスケット29が設けられる。これにより、電池ケース12の内部が密閉される。
【0025】
封口体23の各部材(絶縁板26を除く)は、互いに電気的に接続されている。具体的には、フィルタ24と下弁体25が各々の周縁部で互いに接合されており、上弁体27とキャップ28も各々の周縁部で互いに接合されている。一方、下弁体25と上弁体27は、各々の中央部で互いに接触しており、各周縁部の間には絶縁板26が介在している。電池10の内圧が上昇した場合、まず下弁体25が破断する。これにより、上弁体27が上方に膨れて下弁体25との電気的接続が遮断される。さらに内圧が上昇すると、上弁体27が破断して、発生したガスはキャップ28のガス抜き孔を通って外部へ排出される。
【0026】
以下、
図3〜
図5をさらに参照しながら、負極リードの溶接部30の構成、及び電池10の製造方法(特に負極リードの溶接工程)について詳説する。
【0027】
負極14には、上記のように、単層構造の第1リード17と、積層構造の第2リード18とが設けられている。本実施形態では、第1リード17が電極体11の外周側(巻回終端側)に、第2リード18が電極体11の内周側(巻回始端側)にそれぞれ設けられている。電池10では、複数の負極リードが互いに同じものではなく、構成材料及び構造が互いに異なった異種リードであることを特徴とする。
【0028】
図3は、溶接部30及びその近傍を拡大して示す図である。
図3に示すように、電池10は、第2リード18のNi層18aが第1リード17と対向するように、当該リード同士を重ね合わせて形成された積層部35を有する。そして、積層部35の第1リード17が電池ケース12のケース本体21側に配置された状態で、積層部35の一部がケース本体21の内面に溶接されている。
図3のドット表示した領域が、溶接により各リードを構成する金属及びケース本体21を構成する金属が互いに溶け込んで形成された溶接部30である。溶接部30は、ケース本体21の底面部の略中央に形成されることが好適である。
【0029】
第1リード17は、ニッケルを主成分とする単層構造の導線である。第1リード17を構成する金属は、ニッケル又はニッケル合金である。ニッケル合金のニッケル含有量は、50モル%以上が好ましく、60モル%以上がより好ましい。第1リード17は、幅方向断面が略矩形形状の平角線であることが好適であり、例えば幅が2〜5mm、厚みが0.1〜0.2mm程度である(第2リード18についても同様)。
【0030】
第2リード18は、ニッケルを主成分とするNi層18a、及び銅を主成分とするCu層18bを有する2層構造の導線である。Ni層18aを構成する金属は、ニッケル又はニッケル合金であって、第1リード17を構成する金属と略同一の組成を有することが好ましい。Cu層18bを構成する金属は、銅又は銅合金である。銅合金の銅含有量は、50モル%以上が好ましく、60モル%以上がより好ましい。本実施形態では、第1リード17と略同一の幅、厚みを有する第2リード18を用いる。
【0031】
第2リード18の厚みt
18に対するNi層18aの厚みt
18aの割合(t
18a/t
18)は、少なくとも50%以上であることが好適である。即ち、Ni層18aの厚みt
18a≧Cu層18bの厚みt
18bであることが好ましい。好適なt
18a/t
18の範囲は、50〜90%、又は50〜75%である。t
18a/t
18が当該範囲内であれば、スパッタの発生を抑制しながら溶接部30の溶融深さを深くして高い接合強度を得ることが容易になる。このメカニズムの詳細については後述する。
【0032】
第2リード18は、本発明の目的を損なわない範囲で、Ni層18a、Cu層18bに加えて、1以上の金属層を有していてもよい。第2リード18の積層構造は、例えばNi層/Cu層/Ni層の3層構造(
図6参照)であってもよい。但し、スパッタの抑制及び溶接部30の破断強度の向上を考慮すると、第2リード18は、好ましくはNi層18a及びCu層18bの2層構造であり、第3の金属層を設ける場合も当該金属層の厚みを薄くすることが好ましい。
【0033】
溶接部30は、第1リード17及び第2リード18を重ね合わせて形成された積層部35の一部とケース本体21の内面とを溶接することにより形成される。溶接部30は、例えば積層部35の幅の30〜70%程度の範囲(直径)に形成される。積層部35は、第2リード18のNi層18aが第1リード17と対向するように、当該リード同士を重ね合わせて形成されている。また、積層部35(溶接部30)では、第1リード17がケース本体21側に配置されている。即ち、第2リード18は、第1リード17の上に配置されケース本体21と直接接触しておらず、第1リード17を介してケース本体21に接続されている。
【0034】
溶接部30では、ケース本体21側から、第1リード17、Ni層18a、Cu層18bが順に重なっている。ケース本体21の内面にはNiメッキ層21aが形成されているため、Niメッキ層21aから第2リード18のNi層18aまで、ニッケルを主成分とする層が連続している。これにより、溶接部30の接合強度を高くすることができる。即ち、溶接部30では、溶接により溶融し易いニッケルを主成分とする層が、第1リード17と第2リード18の界面を超えて厚み方向に長く連続しているため、各部材の金属(ニッケル)同士が溶け合う溶融深さを深くすることができる。
【0035】
さらに、溶接部30では、Cu層18bが最上層を構成していることが重要である。Cu層18bは、ニッケルを主成分とする第1リード17及びNi層18aを上から覆っている。これにより、溶接部30の接合強度を低下させることなく、溶接により発生するスパッタ(金属粒の飛散)を抑制することができる。Cu層18bは、溶接により溶融し難い銅を主成分とするため、溶接部30における溶融深さの増加を阻害するが、Cu層18bを溶接部30の最上層とすることにより溶融深さに対する影響を小さくすることができる。しかも、最上層が溶融し難いため、スパッタが発生し難い。溶接により第1リード17及びNi層18aは溶融するが、これらはCu層18bに覆われている。つまり、溶接によるスパッタの発生は、積層部35の最上層の溶融状態に大きく影響される。
【0036】
図4は、実施形態の他の一例である溶接部31を示す。
図4は、
図3と同様に溶接部31及びその近傍を拡大して示す図である。
【0037】
図4に示す例では、ケース本体40の外面に、積層部35の溶接領域(溶接部31)に対応して凹部41が形成されている。凹部41は、後述するレーザー溶接によりケース本体21が溶融して膨出部42が形成された場合に、電池10の全長(上下方向長さ)が変化することを防止する。凹部41は、ケース本体40の厚み方向に沿って溶接部31と重なる位置、及びその周縁部に形成されることが好適である。
【0038】
凹部41は、例えばケース本体40の底面部を外側から見たときに略円形状を有する。凹部41の深さ及び直径は、膨出部42の寸法に応じて決定されることが好ましい。具体的には、膨出部42の膨らみ分よりも凹部41を深くする必要がある。また、膨出部42の直径よりも凹部41の直径を大きくする必要がある。溶接部31は、溶接部30と同様にケース本体40の底面部の略中央に形成されることが好ましく、凹部41も溶接部31に対応して当該底面部の外面(以下、外底部という)の略中央及びその周縁部に形成されることが好ましい。
【0039】
凹部41が形成された部分のケース本体40の厚み(残肉厚)は、ケース本体40の熱容量を減少させて溶接性を向上させるために、第1リード17(第2リード18)の厚み以下にすることが好適である。ケース本体40の耐圧性等を考慮すると、残肉厚は各リードの厚みと略同一であることが特に好適である。
【0040】
溶接部31は、例えばケース本体40の外面側からレーザー光を照射するレーザー溶接によって形成される。溶接部31では、溶接部30と同様、或いは溶接部30よりも高い接合強度が得られる。
図4に示すように、レーザー溶接の影響により溶接部31の外側に膨出部42が形成されている。なお、膨出部42は、凹部41の範囲内に形成されている。つまり、凹部41を形成したことにより、ケース本体40の最下面の盛り上がり(膨出)が防止されている。なお、レーザー溶接の具体的な方法及びその作用効果の詳細については後述する。
【0041】
以下、
図5A,5Bを適宜参照しながら、上記構成を備えた電池10の製造方法、特に負極リードの溶接工程(溶接部30,31の形成工程)の一例について詳説する。
【0042】
電池10は、例えば下記の製造工程(以下、本製造工程という)により製造される。
(1)まず、電池10の構成部材である、電極体11(正極13、負極14、セパレータ15、正極リード16、第1リード17、第2リード18)、電解質、及び電池ケース12等を準備する。電極体11は、正極リード16が取り付けられた正極13と、負極リード(第1リード17及び第2リード18)が取り付けられた負極14とをセパレータ15を介して巻回することにより作製される。なお、正極13、負極14、電解質等は、従来公知の方法により作製できる。
(2)次に、電極体11の上下にそれぞれ絶縁板19,20を配置し、これを有底円筒状のケース本体21に収容する。なお、正極リード16は、絶縁板19の貫通孔を通って上方に延出し、負極リードは、絶縁板20の貫通孔を通って下方に延出している。
(3)次に、負極リードをケース本体21の内面(例えば、内底部)に溶接し、正極リード16を封口体23のフィルタ24の下面に溶接する。
(4)最後に、ケース本体21の開口部から非水電解液を充填し、封口体23及びガスケット29によってケース本体21の開口部を塞ぐ。
【0043】
本製造工程には、負極14に複数の負極リードを取り付ける工程が含まれる。当該工程では、負極14に設けられた露出領域14zに、単層構造の第1リード17と積層構造の第2リード18とを取り付ける。上記のように、負極14に取り付けられる複数の負極リードは、構成材料及び構造が互いに異なった異種リードである。各負極リードは、例えば超音波溶接により露出領域14zに溶接される。
【0044】
図5A,5Bは、負極リードの溶接工程の一例を示す図である。
図5A,5Bに示すように、溶接工程では、(i)第2リード18のNi層18aが第
1リード17と対向するように当該リード同士を重ね合わせて積層部35を形成し、(ii)積層部35の一部をケース本体21の内面に溶接する。当該溶接は、積層部35の第1リード17をケース本体21側に向けた状態で行われる。即ち、第1リード17とケース本体21の内面とが接触し、第2リード18が第1リード17の上に配置された状態で溶接が行われる。
【0045】
上記工程(i)は、ケース本体21に溶接される積層部35を形成する工程である(図
5A参照)。工程(i)は、例えば電極体11をケース本体21に収容する前に行われる
。上記のように、第2リード18のNi層18aが第1リード17と対向するように、即ちCu層18bが第1リード17と反対側を向くように、当該リード同士を重ね合わせて積層部35を形成する。このとき、第1リード17が下となるように、即ちケース本体21に電極体11を収容した状態で第1リード17がケース本体21の内底部に接触するように当該リード同士を重ね合わせる。
【0046】
上記工程(ii)は、電極体11をケース本体21に収容した後に行われる。電極体11
をケース本体21に収容すると、絶縁板20の貫通孔から下方に延出した第1リード17がケース本体21の内底部に接触する(第2リード18は、直接内底部に接触していない)。第1リード17及び第2リード18の一部は、互いに重ね合わされて積層部35を構成している。工程(ii)では、この積層部35の一部をケース本体21の内底部に溶接する。
【0047】
ケース本体21の内底部に対する積層部35の溶接は、例えばスポット溶接(抵抗溶接)により行われる。スポット溶接を用いる場合、一方の電極をケース本体21の開口部から挿入して積層部35の上面、即ち第2リード18のCu層18bに押し当て、他方の電極をケース本体21の外底部に押し当てる。そして、各電極間に電流を流すことにより発生するジュール熱で、積層部35及びケース本体21の底面部を溶かして溶接部31を形成する(
図3参照)。
【0048】
図5Bは、レーザー溶接工程を示している。ケース本体40の内底部に対する積層部35のレーザー溶接は、ケース本体40の外底部にレーザー光50を照射することにより行われる。凹部41が形成されたケース本体40の外底部の略中央に、レーザー光50を照射すると、Niメッキ層40aが形成された鉄製のケース本体40、ニッケルを主成分とする第1リード17及び第2リード18のNi層18aが溶融する。この場合、膨出部42が形成される場合がある(
図4参照)。
【0049】
図5Bの領域31hは、レーザー光50の照射により溶融する領域である。外底部にレーザー光50を照射して溶接する場合、積層部35の最上層であるCu層18bがレーザー光50を反射して殆ど溶融することなく、溶接部31を形成することが可能である。即ち、当該レーザー溶接法により、スポット溶接と同等以上の接合強度を維持しながら、スポット溶接の場合よりもスパッタの発生をさらに抑制することが可能となる。
【0050】
上記レーザー溶接の条件等の一例は、下記の通りである。
レーザー装置:IPG Photonics社製のYLR−300−AC
レーザー光波長:1μm
レーザー光出力:100〜300W
【0051】
以上のように、上記製造方法によれば、スパッタの発生を抑制しながら、第1リード17と第2リード18との接合強度及び当該各リードとケース本体との接合強度を向上させることができる。したがって、溶接工程のスパッタに起因する電極体11等の内部短絡が抑制され、また溶接部の破断強度が高い電池10を得ることができる。
【0052】
なお、上記実施形態は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜設計変更できる。
例えば、上記実施形態では、封口体23に内圧上昇時のガス排出機構を設けたが、ケース本体の底面部にガス排出機構を設けてもよい。例えば、底面部の凹部41が形成された部分を内圧上昇時に破断する弁体として利用してもよい。