特許第6862802号(P6862802)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2015.5.11 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6862802
(24)【登録日】2021年4月5日
(45)【発行日】2021年4月21日
(54)【発明の名称】画像形成装置
(51)【国際特許分類】
   G03G 21/00 20060101AFI20210412BHJP
   B41J 29/38 20060101ALI20210412BHJP
   H04N 1/00 20060101ALI20210412BHJP
   G03G 21/14 20060101ALI20210412BHJP
【FI】
   G03G21/00 398
   B41J29/38 104
   H04N1/00 C
   G03G21/14
【請求項の数】4
【全頁数】12
(21)【出願番号】特願2016-233802(P2016-233802)
(22)【出願日】2016年12月1日
(65)【公開番号】特開2018-91945(P2018-91945A)
(43)【公開日】2018年6月14日
【審査請求日】2019年9月13日
(73)【特許権者】
【識別番号】000001270
【氏名又は名称】コニカミノルタ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145908
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 信雄
(74)【代理人】
【識別番号】100136711
【弁理士】
【氏名又は名称】益頭 正一
(74)【代理人】
【識別番号】100194582
【弁理士】
【氏名又は名称】栗原 康浩
(72)【発明者】
【氏名】宇賀 洋志
(72)【発明者】
【氏名】長谷部 孝
【審査官】 山下 清隆
(56)【参考文献】
【文献】 特開2015−034901(JP,A)
【文献】 特開2006−251876(JP,A)
【文献】 特開平03−266293(JP,A)
【文献】 特開2000−122819(JP,A)
【文献】 特開2014−059713(JP,A)
【文献】 特開2014−126651(JP,A)
【文献】 特開2010−194811(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G03G 21/00
B41J 29/00−29/70
G03G 21/14
H04N 1/00
G03G 15/00
G06F 12/00−13/42
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
画像読取部と、画像形成部と、を備え、外部機器と通信自在な画像形成装置であって、
電力を供給する電源回路と、
前記電源回路の状態と、前記画像読取部又は前記画像形成部に関する制御指令と、に基づく制御を実行する制御部と、
動作基準クロックに基づく内部コマンドの実行タイミングで制御される揮発性メモリと、
前記動作基準クロックとは異なる外部コマンドの実行タイミングで制御される外部インターフェースと、
前記外部インターフェースの電流を検知する電流検知部と、
前記外部インターフェースの状態の判定に用いる電流閾値を記憶する記憶部と、
を備え、
前記電源回路は、
前記内部コマンドに基づき前記揮発性メモリに電力を供給し、又は
前記外部コマンドに基づき前記画像読取部及び前記画像形成部の少なくとも一方に電力を供給するものであり、
前記制御指令は、
前記外部機器から到来する前記外部コマンドの実行タイミングとは異なるタイミングに、一定周期で発行される前記内部コマンドの実行タイミングを調整する調整指示、
前記電流検知部の検知結果と、前記記憶部に記憶される電流閾値と、に基づき、前記外部インターフェースの状態を判定する判定指示、
を含み、
前記調整指示は、
前記電源回路の少なくとも一部が待機状態に遷移している場合に実行されるものであ
前記判定指示により前記外部インターフェースの状態が動作状態であると判定される場合、前記外部コマンドの実行タイミングと比べ、前記内部コマンドの実行タイミングとして前記揮発性メモリのリフレッシュタイミングを遅延させるものであり、
前記揮発性メモリのリフレッシュタイミングは、
前記揮発性メモリのリフレッシュコマンドの実行タイミングを制御するものである、
画像形成装置。
【請求項2】
前記電流閾値は、
第1閾値と、
前記第1閾値よりも大きい第2閾値と、
を含み、
前記判定指示は、
前記電流検知部の検知結果が前記第1閾値及び前記第2閾値を超える場合、前記外部インターフェースの電流が増加傾向であって、且つ前記外部インターフェースの状態が動作状態にあると判定させるものである、
請求項に記載の画像形成装置。
【請求項3】
前記リフレッシュコマンドは、
前記一定周期で負荷電流を前記揮発性メモリに流すものであり、
前記調整指示は、
前記内部コマンドが発行されてから前記揮発性メモリに前記負荷電流が流れるまでの間に、前記外部インターフェースの状態が動作状態にあると判定される場合、前記リフレッシュコマンドの実行を一時停止させるものである、
請求項又はに記載の画像形成装置。
【請求項4】
前記調整指示は、
前記外部インターフェースからの要求に基づく遅延量に応じて、前記リフレッシュタイミングを遅延させるものである、
請求項からの何れか一項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、複数の抵抗発熱部等を加熱制御する場合、複数の通電パターンの中から通電期間の重なりが最も少ない通電パターンを選択する画像形成装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、データ受信用の複数の回路に供給されるクロックの位相をずらす電子装置も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2011−221106号公報
【特許文献2】特開2013−191932号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、特許文献1に記載の従来技術は、通電時の許容電流が考慮されてはいるものの加熱制御以外の制御に関する部材も含めて全体で消費電力を低下させるものではない。また、特許文献2に記載の従来技術は、データ受信用の複数の回路に流れる電流波形を互いにずらすものではあるもののデータ受信用の複数の回路以外の回路も含めて全体で消費電力を低下させるものではない。よって、全体では電流の重ね合わせにより最大ピーク電流値が増大する恐れがあるため、最大ピーク電流値に合わせた回路規模が必要となる。したがって、装置全体の回路部品のコストが増大する状況が生じている。
【0005】
本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、装置全体の回路部品のコストを低減させることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第1の側面である画像形成装置は、画像読取部と、画像形成部と、を備え、外部機器と通信自在な画像形成装置であって、電力を供給する電源回路と、前記電源回路の状態と、前記画像読取部又は前記画像形成部に関する制御指令と、に基づく制御を実行する制御部と、を備え、前記制御指令は、前記外部機器から到来する外部コマンドの実行タイミングとは異なるタイミングに、一定周期で発行される内部コマンドの実行タイミングを調整する調整指示、を含み、前記調整指示は、前記電源回路の少なくとも一部が待機状態に遷移している場合に実行されるものである。
【0007】
画像形成装置は、電源回路の少なくとも一部が待機状態に遷移している場合、外部機器から到来する外部コマンドの実行タイミングとは異なるタイミングに、一定周期で発行される内部コマンドの実行タイミングを調整する。よって、外部コマンドの実行により生じる電流のピークと、内部コマンドの実行により生じる電流のピークとが同時に生じないため、互いの電流のピークが重なる可能性が生じない。つまり、待機状態の消費電流が平滑化されることになるため、最大ピーク電流値は低下する。したがって、最大ピーク電流値に合わせた最大定格電流の大きい回路が不要となるため、装置全体の回路部品のコストを低減させることができる。
【0008】
さらに、動作基準クロックに基づく前記内部コマンドの実行タイミングで制御される揮発性メモリと、前記動作基準クロックとは異なる前記外部コマンドの実行タイミングで制御される外部インターフェースと、をさらに備え、前記電源回路は、前記内部コマンドに基づき前記揮発性メモリに電力を供給し、又は前記外部コマンドに基づき前記画像読取部及
び前記画像形成部の少なくとも一方に電力を供給するものであり、前記調整指示は、前記外部インターフェースが動作状態にある場合、前記外部コマンドの実行タイミングと比べ、前記内部コマンドの実行タイミングを遅延させるものである。
【0009】
さらに、前記外部インターフェースの電流を検知する電流検知部と、前記外部インターフ
ェースの状態の判定に用いる電流閾値を記憶する記憶部と、をさらに備え、前記制御指令
は、前記電流検知部の検知結果と、前記記憶部に記憶される電流閾値と、に基づき、前記
外部インターフェースの状態を判定する判定指示、をさらに含み、前記調整指示は、前記
判定指示により前記外部インターフェースの状態が動作状態であると判定される場合、前
記内部コマンドの実行タイミングとして前記揮発性メモリのリフレッシュタイミングを遅
延させるものであり、前記揮発性メモリのリフレッシュタイミングは、前記揮発性メモリ
のリフレッシュコマンドの実行タイミングを制御するものである。
【0010】
また、前記電流閾値は、第1閾値と、前記第1閾値よりも大きい第2閾値と、を含み、前記判定指示は、前記電流検知部の検知結果が前記第1閾値及び前記第2閾値を超える場合、前記外部インターフェースの電流が増加傾向であって、且つ前記外部インターフェースの状態が動作状態にあると判定させるものである、ことが好ましい。
【0011】
また、前記リフレッシュコマンドは、前記一定周期で負荷電流を前記揮発性メモリに流すものであり、前記調整指示は、前記内部コマンドが発行されてから前記揮発性メモリに前記負荷電流が流れるまでの間に、前記外部インターフェースの状態が動作状態にあると判定される場合、前記リフレッシュコマンドの実行を一時停止させるものである、ことが好ましい。
【0012】
また、前記調整指示は、前記外部インターフェースからの要求に基づく遅延量に応じて、前記リフレッシュタイミングを遅延させるものである、ことが好ましい。
【発明の効果】
【0013】
本開示の第1の側面によれば、装置全体の回路部品のコストを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
図1】本開示を適用した実施形態1における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。
図2】実施形態1における最大定格電流が抑制される概念を直感的に説明する図である。
図3】実施形態2における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。
図4】実施形態2における負荷電流をずらす概念を直感的に説明する図である。
図5】実施形態2における最大定格電流が抑制される概念を直感的に説明する図である。
図6】実施形態3における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。
図7】実施形態3における電源系統の一例を示す図である。
図8】実施形態3における電源回路31の状態遷移の一例を示す図である。
図9】実施形態3における内部コマンドの実行タイミングの一例を示すタイミングチャートである。
図10】実施形態4における外部インターフェース41の電流値の変化例を説明する図である。
図11】実施形態5における内部コマンドの実行タイミングの一例を示すタイミングチャートである。
図12】実施形態6における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。
図13】実施形態6における内部コマンドの実行タイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、図面に基づいて本開示の実施形態を説明するが、本開示は以下の実施形態に限られるものではない。
【0016】
実施形態1.
図1は、本開示を適用した実施形態1における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。図2は、実施形態1における最大定格電流が抑制される概念を直感的に説明する図である。画像形成装置1は、画像読取部11と、画像形成部13と、を備え、外部機器15と通信自在である。画像読取部11は、自動原稿送り装置により送り出される原稿をイメージセンサーにより順に読み取る。画像形成部13は、露光装置、感光ドラム、現像装置、転写ベルト、及び定着装置を備え、画像読取部11により読み取られた原稿の画像データに基づき、用紙に画像を形成する。基板17は、外部機器15との通信等により、画像読取部11及び画像形成部13を制御する。基板17は、制御部21及び電源回路31等を備える。電源回路31は、電流検知部31a及び電力変換部31bを備え、電力を供給する。電流検知部31aは、例えばホール素子又はシャント抵抗器等により実現され、外部インターフェース41の電流を検知する。電力変換部31bは、商用の交流電力を予め設定された直流電力に変換する。
【0017】
制御部21は、ROM、RAM、CPU、及びI/Oインターフェース21aを備える。制御部21は、CPUが例えば1個以上のプログラムを実行することにより、判定部21b及び電力管理部21d等の機能を実現する。制御部21は、記憶部21cを備え、記憶部21cは、制御部21内に設けられているRAM等により実現される。I/Oインターフェース21aは、制御部21と、周辺機器とを接続させるインターフェースである。判定部21bは、制御指令に含まれる判定指示により外部インターフェース41の状態を判定する機能である。記憶部21cは、外部インターフェース41の状態の判定に用いる電流閾値が記憶される。電力管理部21dは、省エネモードである待機状態への遷移を統合的に管理する機能である。
【0018】
基板17は、揮発性メモリ23a及び外部インターフェース41を備える。揮発性メモリ23aは、動作基準クロックに基づく内部コマンドの実行タイミングで制御される。外部インターフェース41は、動作基準クロックとは異なる外部コマンドの実行タイミングで制御される。なお、外部コマンドはランダムに到来するものであるため、例えば動作基準クロックよりも短い周期の検知用クロック等により検知されるのが好ましい。電源回路31は、内部コマンドに基づき揮発性メモリ23aに電力を供給する。電源回路31は、外部コマンドに基づき画像読取部11及び画像形成部13の少なくとも一方に電力を供給する。なお、揮発性メモリ23aは、例えばDDR3のRAM、具体的にはDDR3−SDRAMである。外部インターフェース41は、例えば、後述するLANインターフェース41aを含む。
【0019】
具体的には、画像形成装置1が待機状態時、FAX機能により画像形成装置1が起動する場合、画像形成装置1は、FAX受信データを受け取る準備に移行するために素早い起動が求められる。よって、画像形成装置1は、揮発性メモリ23aに保持されているプログラムデータを用いていち早く起動を行うのが好ましい。揮発性メモリ23aは、プログラムデータを保持するために、上記で説明したように動作基準クロックに基づく一定周期でチップ内の各ブロックがリフレッシュされる。よって、揮発性メモリ23aのリフレッシュタイミングは制御可能なものである。一方、外部インターフェース41は、ネットワーク接続確認をするためにpingによるMACアドレス格納テーブルへのアクセス及びその応答処理により、一時的に電流が消費されることがある。pingの周期は、外部機器15として接続されている複数の端末等がさまざまなタイミングでパケットを送信する。よって、例えばping等のような外部コマンドは、上記説明したようにランダムに到来するものであるため、制御不可能なタイミングで外部機器15から到来する。
【0020】
よって、従来であれば、外部インターフェース41による応答処理と、揮発性メモリ23aのリフレッシュタイミングとが重なることにより、最大定格電流は増大することがあった。そこで、本開示においては、図1,2に示すように、外部インターフェース41の電流を監視し、リフレッシュコマンドの位相をずらすことにより最大定格電流を平滑化させ、最大定格電流の増大を抑制している。具体的には、制御部21は、電源回路31の状態と、画像読取部11又は画像形成部13に関する制御指令と、に基づく制御を実行する。制御指令は、外部機器15から到来する外部コマンドの実行タイミングとは異なるタイミングに、一定周期で発行される内部コマンドの実行タイミングを調整する調整指示が含まれる。調整指示は、電源回路31の少なくとも一部が待機状態に遷移している場合に実行されるものである。
【0021】
換言すれば、画像形成装置1は、電源回路31の少なくとも一部が待機状態に遷移している場合、外部機器15から到来する外部コマンドの実行タイミングとは異なるタイミングに、一定周期で発行される内部コマンドの実行タイミングを調整する。よって、外部コマンドの実行により生じる電流のピークと、内部コマンドの実行により生じる電流のピークとが同時に生じないため、互いの電流のピークが重なる可能性が生じない。つまり、待機状態の消費電流が平滑化されることになるため、最大ピーク電流値は低下する。したがって、最大ピーク電流値に合わせた最大定格電流の大きい回路が不要となるため、装置全体の回路部品のコストを低減させることができる。
【0022】
実施形態2.
上記で説明したように、実施形態2のLANインターフェース41aは、実施形態1の外部インターフェース41に含まれるものである。実施形態2では、実施形態1の調整指示をより具体的に説明する。図3は、実施形態2における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。図4は、実施形態2における負荷電流をずらす概念を直感的に説明する図である。図5は、実施形態2における最大定格電流が抑制される概念を直感的に説明する図である。
【0023】
図3の制御部21により実行される調整指示は、電源回路31の少なくとも一部が待機状態に遷移し、且つ外部インターフェース41が動作状態にある場合、外部コマンドの実行タイミングと比べ、内部コマンドの実行タイミングを遅延させるものである。よって、図4,5で示すように、揮発性メモリ23aで生じる瞬間的な電流ピーク値の位相と、画像読取部11及び画像形成部13の少なくとも一方で生じる瞬間的な電流ピーク値の位相とがずれるため、揮発性メモリ23aの消費電流のピークと、外部インターフェース41の消費電流のピークとが重ならない。よって、装置全体の消費電流を平滑化することができるため、装置全体の効率を向上させることができる。
【0024】
実施形態3.
実施形態3では、実施形態1の調整指示及び実施形態2の判定指示をより具体的に説明する。図6は、実施形態3における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。図7は、実施形態3における電源系統の一例を示す図である。図7に示すように、電力変換部31bは、AC/DC変換部311、DC/DC変換部312a、DC/DC変換部312b、及びDC/DC変換部313を備える。AC/DC変換部311は、商用の交流電源を直流電源に変換する。AC/DC変換部311により変換された直流電力は、待機状態制御又は動作状態制御に利用される。待機状態制御に利用される場合、第1待機状態制御又は第2待機状態制御に利用される。DC/DC変換部312aは、AC/DC変換部311により変換された直流電力を第1待機状態制御に適した直流電力に変換する。第1待機状態制御が行われる負荷は、例えば揮発性メモリ23aである。DC/DC変換部312bは、AC/DC変換部311により変換された直流電力を第2待機状態制御に適した直流電力に変換する。第2待機状態制御が行われる負荷は、例えばコピーするときに使用される画像読取部11である。一方、DC/DC変換部313は、AC/DC変換部311により変換された直流電力を動作状態制御に適した直流電力に変換する。動作状態制御が行われる負荷は、例えば外部インターフェース41である。図8は、実施形態3における電源回路31の状態遷移の一例を示す図である。図8に示すように、電源回路31は、電源がオフ状態となる遮断状態であるT04、第2待機状態であるT03、第1待機状態であるT02、及び動作状態であるT01の遷移状態があり、省エネモードにおいてはT02又はT03に電源回路31の状態は遷移する。
【0025】
図9は、実施形態3における内部コマンドの実行タイミングの一例を示すタイミングチャートである。図9の一例では、遅延間隔tだけ内部コマンドを遅延させることにより、外部インターフェース41の負荷電流が発生後、揮発性メモリ23aの負荷電流を発生させている。つまり、電流検知部31aが検知する外部インターフェース41の負荷電流に基づき、外部インターフェース41の状態が動作状態であると判定されれば、内部コマンドを遅延させることにより、揮発性メモリ23aのリフレッシュを遅延させる。
【0026】
具体的には、制御部21により実行される判定指示は、電流検知部31aの検知結果と、記憶部21cに記憶される電流閾値と、に基づき、外部インターフェース41の状態を判定させるものである。よって、画像形成装置1は、外部インターフェース41の電流の検知結果と、電流閾値とに基づき、外部インターフェース41の状態が動作状態であると判定される場合、図9に示すように、内部コマンドの実行タイミングとして揮発性メモリ23aのリフレッシュタイミングを遅延させる。よって、外部インターフェース41に到来した外部コマンドの応答処理のタイミングと、揮発性メモリ23aのリフレッシュタイミングとが重ならないため、最大定格電流が平滑化される。したがって、電源回路31のコストを抑制しつつ、効率を向上させることができる。なお、揮発性メモリ23aのリフレッシュタイミングは、揮発性メモリ23aのリフレッシュコマンドの実行タイミングを制御するものである。
【0027】
実施形態4.
実施形態4は、実施形態2の電流閾値をより具体的に説明する。図10は、実施形態4における外部インターフェース41の電流値の変化例を説明する図である。図10に示すように、電流閾値は、第1閾値と、第2閾値とを含む。第2閾値は第1閾値よりも大きい値が設定されている。パターンAは、外部インターフェース41の電流値が、第1閾値及び第2閾値を超えるものである。つまり、パターンAは、外部インターフェース41の電流値が、増加傾向であり、且つ外部インターフェース41が動作状態であるため、内部コマンドは遅延制御される。一方、パターンBは、外部インターフェース41の電流値が、第2閾値を下回る。つまり、パターンBは、外部インターフェース41の電流値が減少傾向であるため、内部コマンドの遅延制御は解除される。
【0028】
具体的には、画像形成装置1は、外部インターフェース41の電流の検知結果が第1閾値及び第2閾値を超える場合、外部インターフェース41の電流が増加傾向であって、且つ外部インターフェース41の状態が動作状態にあると判定する。つまり、電流閾値が2段階に設定されることにより、外部インターフェース41の電流は、瞬間的にピーク値に到達する可能性があるか否かが判定される。したがって、外部インターフェース41の状態を正確に想定できるため、適切なタイミングで内部コマンドを遅延させることができる。
【0029】
実施形態5.
実施形態5では、実施形態1〜3の調整指示をより具体的に説明する。図11は、実施形態5における内部コマンドの実行タイミングの一例を示すタイミングチャートである。図11に示すように、内部コマンドが発行されてから外部インターフェース41の負荷電流が発生する場合、制御停止コマンドにより揮発性メモリ23aの負荷電流が遅延制御される。具体的には、画像形成装置1は、内部コマンドが発行されてから揮発性メモリ23aに負荷電流が流れるまでの間に、外部インターフェース41の状態が動作状態にあると判定する場合、リフレッシュコマンドの実行を一時停止する。つまり、制御不可能なタイミングで到来する外部コマンドの実行時、制御可能な内部コマンドに対応する応答を延期させる。よって、外部コマンドの実行時、制御停止コマンドでリフレッシュコマンドを実行させないことにより、リフレッシュコマンドの位相を確実にずらすことができる。
【0030】
実施形態6.
実施形態6では、実施形態1〜3,5の調整指示をより具体的に説明する。図12は、実施形態6における画像形成装置1の基板17に形成される制御構成の一例を示す図である。図12の一例においては、揮発性メモリ23aの他に、不揮発性メモリ23bが基板17に実装されている。不揮発性メモリ23bは、制御部21で実現される複数の機能の一つであるメモリ制御部21eにより制御される。揮発性メモリ23a及び不揮発性メモリ23bを総称する場合、半導体メモリ23と称する。また、外部インターフェース41は、LANインターフェース41aの他に、電話回線インターフェース41b及びUSBインターフェース41cが含まれる。LANインターフェース41aは、外部コマンドとして印刷JOBが到来する。電話回線インターフェース41bは、外部コマンドとしてFAXの受信データが到来する。USBインターフェース41cは、マウントされるデバイスから各種データが到来する。
【0031】
図13は、実施形態6における内部コマンドの実行タイミングの一例を示すタイミングチャートである。図13の一例では、外部インターフェース41から制御部21にリクエストがあったとき、揮発性メモリ23aの負荷電流が遅延される。具体的には、画像形成装置1は、外部インターフェース41からの要求に基づく遅延量に応じて、リフレッシュタイミングを遅延する。よって、遅延量を適切に設定することにより、任意の実行タイミングにリフレッシュタイミングを設定することができる。なお、図13の一例においては、外部インターフェース41からのリクエストが矩形波で実現されている。また、この矩形波が立ち上がるときに揮発性メモリ23aのリフレッシュが実行されるように設定されている。よって、この矩形波を制御することにより遅延量を制御することができる。
【0032】
以上、本開示の一側面である画像形成装置1を実施形態に基づいて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。例えば、揮発性メモリ23aがDDR3のRAMである一例について説明したが、特にこれに限定されるものではない。例えば、揮発性メモリ23aはDDR4のRAMであってもよい。また、例えば、遅延量の制御例として矩形波を用いる一例について説明したが、特にこれに限定されるものではない。例えば、正弦波、三角波、及びのこぎり波等のような各種波形が可能である。
【0033】
なお、上記説明したように、制御指令は、1個以上のプログラムである。すなわち、1個以上のプログラムは、外部機器15から到来する外部コマンドの実行タイミングとは異なるタイミングに、一定周期で発行される内部コマンドの実行タイミングを調整する調整指示と、電流検知部31aの検知結果と、記憶部21cに記憶される電流閾値と、に基づき、外部インターフェース41の状態を判定する判定指示と、を含むものである。
【符号の説明】
【0034】
1 画像形成装置、11 画像読取部、13 画像形成部、15 外部機器、
17 基板、21 制御部、21a I/Oインターフェース、21b 判定部、
21c 記憶部、21d 電力管理部、21e メモリ制御部、
23 半導体メモリ、23a 揮発性メモリ、23b 不揮発性メモリ、
31 電源回路、31a 電流検知部、31b 電力変換部、
311 AC/DC変換部、
312a,312b、313 DC/DC変換部、
41 外部インターフェース、41a LANインターフェース、
41b 電話回線インターフェース、41c USBインターフェース、
A,B パターン、t 遅延間隔
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
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図11
図12
図13