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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022112838
(43)【公開日】2022-08-03
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20220727BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021008823
(22)【出願日】2021-01-22
(71)【出願人】
【識別番号】000002428
【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100081961
【弁理士】
【氏名又は名称】木内 光春
(74)【代理人】
【識別番号】100112564
【弁理士】
【氏名又は名称】大熊 考一
(74)【代理人】
【識別番号】100163500
【弁理士】
【氏名又は名称】片桐 貞典
(74)【代理人】
【識別番号】230115598
【弁護士】
【氏名又は名称】木内 加奈子
(72)【発明者】
【氏名】濱田 晃一
【テーマコード（参考）】
5F043
【Ｆターム（参考）】
5F043AA35
5F043BB23
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE10
(57)【要約】 （修正有）
【課題】処理液の温度低下を抑制することにより、基板の処理レートの低下を抑制可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持する保持部と、保持部を備えるとともに、保持部に保持された基板に間隔を空けて対向する対向面１１１を有し、回転可能に設けられた回転体１０と、保持部に保持された基板の、対向面１１１に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部と、対向面１１１と基板の対向面１１１に対向する面との間において、基板に非接触で対向する放熱抑制部材５１と、放熱抑制部材５１を基板１に対して進退させる駆動機構５２とを有する保温部５０と、を有する。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持する保持部と、保持部を備えるとともに、保持部に保持された基板に間隔を空けて対向する対向面１１１を有し、回転可能に設けられた回転体１０と、保持部に保持された基板の、対向面１１１に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部と、対向面１１１と基板の対向面１１１に対向する面との間において、基板に非接触で対向する放熱抑制部材５１と、放熱抑制部材５１を基板１に対して進退させる駆動機構５２とを有する保温部５０と、を有する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持する保持部と、
前記保持部を備えるとともに、前記保持部に保持された前記基板に間隔を空けて対向する対向面を有し、回転可能に設けられた回転体と、
前記保持部に保持された前記基板の、前記対向面に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部と、
前記対向面と前記基板の前記対向面に対向する面との間において、前記基板に非接触で対向する放熱抑制部材と、
前記放熱抑制部材を前記基板に対して進退させる駆動機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
前記保持部を備えるとともに、前記保持部に保持された前記基板に間隔を空けて対向する対向面を有し、回転可能に設けられた回転体と、
前記保持部に保持された前記基板の、前記対向面に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部と、
前記対向面と前記基板の前記対向面に対向する面との間において、前記基板に非接触で対向する放熱抑制部材と、
前記放熱抑制部材を前記基板に対して進退させる駆動機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
複数の前記放熱抑制部材が、前記回転体の回転中心からの距離が異なる位置に、それぞれが独立に前記基板に対して進退可能に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記放熱抑制部材は、前記回転体の回転中心と同心のリング状であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記放熱抑制部材は前記回転体に収納され、
前記放熱抑制部材は、前記対向面から露出して前記基板と対向する放熱抑制面を有し、
前記放熱抑制面は、前記対向面から出没可能に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
前記放熱抑制部材は、前記対向面から露出して前記基板と対向する放熱抑制面を有し、
前記放熱抑制面は、前記対向面から出没可能に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記駆動機構は、駆動源からの駆動力を、前記放熱抑制部材に非接触で伝達する伝達部を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記回転体は、外部への前記処理液の流出を遮る遮蔽部を有し、
前記遮蔽部は、前記駆動機構と前記放熱抑制部材とを連結する連結部が貫通する貫通孔を有し、
前記連結部と前記貫通孔との間には、ラビリンス構造の隙間が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
前記遮蔽部は、前記駆動機構と前記放熱抑制部材とを連結する連結部が貫通する貫通孔を有し、
前記連結部と前記貫通孔との間には、ラビリンス構造の隙間が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記駆動機構は、複数の前記放熱抑制部材を個別に駆動可能に設けられ、
前記基板の膜厚分布の情報に基づいて、前記駆動機構を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
前記基板の膜厚分布の情報に基づいて、前記駆動機構を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記制御部は、前記基板の膜厚分布の情報に基づいて、いずれかの前記放熱抑制部材を選択して、前記基板に近づく方向に駆動させることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項9】
対向面に対向するように保持部に保持された基板を、回転体が回転させ、
前記保持部に保持された前記基板の、前記対向面に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を、供給部が供給し、
前記対向面と前記基板の前記対向面に対向する面との間において、放熱抑制部材が前記基板に非接触で進退することを特徴とする基板処理方法。
前記保持部に保持された前記基板の、前記対向面に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を、供給部が供給し、
前記対向面と前記基板の前記対向面に対向する面との間において、放熱抑制部材が前記基板に非接触で進退することを特徴とする基板処理方法。
【請求項10】
前記保持部に対する前記基板の搬入時及び搬出時には、前記放熱抑制部材が前記回転体に収容される収容位置となることにより、前記基板の前記対向面に対向する面と前記対向面との間に、前記基板が搬入及び搬出可能な間隔を形成し、
前記供給部による前記処理液の供給による前記基板の処理時には、前記搬入時及び前記搬出時よりも、前記放熱抑制部材が、前記保持部に保持された前記基板に向けて接近する接近位置となることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
前記供給部による前記処理液の供給による前記基板の処理時には、前記搬入時及び前記搬出時よりも、前記放熱抑制部材が、前記保持部に保持された前記基板に向けて接近する接近位置となることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項11】
複数の前記放熱抑制部材が、前記回転体の回転中心からの距離が異なる位置に、それぞれが独立に前記基板に対して進退可能に設けられ、
前記供給部による前記処理液の供給による基板の処理時には、前記基板の膜厚分布の情報に基づいて、前記基板の処理レートを上げる部分に対応する前記放熱抑制部材が、前記基板に近づく方向に移動することを特徴とする請求項９又は請求項１０記載の基板処理方法。
前記供給部による前記処理液の供給による基板の処理時には、前記基板の膜厚分布の情報に基づいて、前記基板の処理レートを上げる部分に対応する前記放熱抑制部材が、前記基板に近づく方向に移動することを特徴とする請求項９又は請求項１０記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ウェーハなどの基板に積層された膜を、処理液によりエッチングするウェットエッチングの装置として、複数枚の基板を一括して処理液に浸漬させるバッチ式の基板処理装置が存在する。このようなバッチ式の基板処理装置は、複数枚を一括して処理できるので、生産性が高い。
【0003】
但し、バッチ式の基板処理装置は、複数枚の基板を共通の条件の処理液に内に浸漬させるので、各基板に形成された膜厚等の相違に応じて、基板ごとにエッチングの深さ等を細かく調整することが難しい。そこで、基板を回転させながら、基板の回転中心付近にエッチング用の処理液を供給して、基板の表面に処理液を展延させることにより、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が使用されている。
【0004】
エッチング用の処理液としては、フッ酸やリン酸、硫酸などの酸系の液体が用いられる。例えば、酸化膜と窒化膜が積層された基板において、窒化膜をエッチングする場合、処理液としてリン酸を利用する基板処理装置がある。リン酸は、温度が高いほどエッチング能力が高く、リン酸の温度が下がるとエッチング性能が低下してしまう。このため、所望のエッチングレートを得るには、リン酸を高温に維持しなければならない。例えば、リン酸の水溶液を１５０℃～１６０℃に加熱して基板に供給することにより、窒化膜をエッチングしている。
【0005】
しかしながら、シリコンウェーハ等の基板は、熱伝達率が高い。すると、基板の表面に供給されたリン酸は、その熱が基板を介して逃げてしまうため、温度が低下しやすい。つまり、回転中心付近に供給されたリン酸は高温が維持されているが、基板の外周に向かって移動するに従って、放熱によりリン酸の温度が低下していくことになる。
【0006】
このように基板の表面上の位置によって、リン酸の温度が相違すると、基板の位置によってエッチングレートに差が生じるため、基板の全体を均一に処理することが難しくなる。これに対処するため、基板の表面上のリン酸の温度を維持しながら、エッチング処理する基板処理装置がある（特許文献１参照）。
【0007】
この基板処理装置は、基板表面の上方に、基板の表面を覆う程度の大きさのヒータプレートを設け、ヒータプレートを基板の表面に接近させて、ヒータプレートの中心付近に設けられた吐出口から高温のリン酸を供給する。基板とヒータプレートとの間の距離は、数ミリ程度であり、リン酸はヒータプレートに接液もしくは一部接液して、加熱されながら基板表面上を流れることになる。これにより、リン酸のエッチング性能を維持できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特表２０１１－０９０１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
前述したように、基板は熱伝導率が高い。そのため、基板の表面に供給されたリン酸の温度を、ヒータプレートからの加熱によって維持しようとしても、基板の裏面から熱が逃げてしまう。特に、基板は回転しているため、基板の外周に行くほど周速が速く、熱が逃げやすくなり、リン酸の温度が下がる傾向にある。つまり、基板中心から外周に向かってリン酸の温度が下がるため、エッチングレートは、基板の中心から外周に向かって低下していくことになる。
【0010】
前述の基板処理装置では、ヒータプレート内のヒータを、基板の中心から外周に向かって内周領域、中間領域、外周領域の３つのエリアに分割することで、エリア毎に温度を制御することも可能にしている。そこで、外周の温度が下がる傾向にあることから、３つのエリアのうち、外周領域のヒータを、内周領域のエリアのヒータより温度を高くして、外周の温度が下がることを抑制している。しかし、このように処理液を加熱する温度を制御したとしても、基板の熱伝達率が高いために、基板の裏面からの放熱を抑えることはできない。さらに、回転する基板の外周側は周速があるため、外周側の処理液の温度は下がりやすい。
【0011】
このように、基板の外周側は温度が低下しやすいため、処理液による処理レートが低下する。このため、基板の面内の処理の要求が厳しい場合には、処理レート及び均一性ともに要求を満たすことが困難になる。
【0012】
本発明は、上述のような課題を解決するために提案されたものであり、その目的は、処理液の温度低下を抑制することにより、基板の処理レートの低下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の基板処理装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部を備えるとともに、前記保持部に保持された前記基板に間隔を空けて対向する対向面を有し、回転可能に設けられた回転体と、前記保持部に保持された前記基板の、前記対向面に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部と、前記対向面と前記基板の前記対向面に対向する面との間において、前記基板に非接触で対向する放熱抑制部材と、前記放熱抑制部材を前記基板に対して進退させる駆動機構と、を有する。
【発明の効果】
【0014】
本発明は、処理液の温度低下を抑制することにより、基板の処理レートの低下を抑制可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
[概要］
本実施形態の基板処理装置１は、図１に示すように、基板１００を回転体１０とともに回転させながら、供給部４０において加熱された処理液を、基板１００の一方の面（以下、表面とする）に供給することにより、表面を処理する。このとき、図２及び図３に示すように、駆動機構５２により、放熱抑制部材５１を基板１００の他方の面（以下、裏面とする）に接近させて、放熱抑制部材５１と基板１００との間の空間を狭めることにより、裏面からの熱を逃げ難くして、処理液の温度低下を抑制する。放熱抑制部材５１は、基板１００の裏面とこれに対向する回転体１０の対向面１１１との間において、基板１００に非接触で、且つ基板１００に対して進退可能である。
[概要］
本実施形態の基板処理装置１は、図１に示すように、基板１００を回転体１０とともに回転させながら、供給部４０において加熱された処理液を、基板１００の一方の面（以下、表面とする）に供給することにより、表面を処理する。このとき、図２及び図３に示すように、駆動機構５２により、放熱抑制部材５１を基板１００の他方の面（以下、裏面とする）に接近させて、放熱抑制部材５１と基板１００との間の空間を狭めることにより、裏面からの熱を逃げ難くして、処理液の温度低下を抑制する。放熱抑制部材５１は、基板１００の裏面とこれに対向する回転体１０の対向面１１１との間において、基板１００に非接触で、且つ基板１００に対して進退可能である。
【0017】
なお、本実施形態により処理される基板１００は、例えば、窒化膜が形成されたシリコンウェーハであり、処理液としては、窒化膜をエッチングするためのリン酸を用いる。
【0018】
【0019】
（回転体）
回転体１０は、保持部３０に保持された基板１００に間隔を空けて対向する対向面１１１を有し、保持部３０とともに回転可能に設けられている。回転体１０は、テーブル１１、ベース１２を有する。テーブル１１は、一端が対向面１１１によって塞がれた円筒形状である。対向面１１１は、基板１００よりも大きな径の円形の面である。対向面１１１の中央には、円形の貫通孔１１ａが形成されている。テーブル１１の側面１１２には、処理液を排出する貫通孔である排出口１１ｂが形成されている。
回転体１０は、保持部３０に保持された基板１００に間隔を空けて対向する対向面１１１を有し、保持部３０とともに回転可能に設けられている。回転体１０は、テーブル１１、ベース１２を有する。テーブル１１は、一端が対向面１１１によって塞がれた円筒形状である。対向面１１１は、基板１００よりも大きな径の円形の面である。対向面１１１の中央には、円形の貫通孔１１ａが形成されている。テーブル１１の側面１１２には、処理液を排出する貫通孔である排出口１１ｂが形成されている。
【0020】
ベース１２は、テーブル１１と同径で、対向面１１１と反対側に接続された円筒形状の部材である。ベース１２は、テーブル１１を支持する構造を有する部材である。ベース１２には、テーブル１１との境界に遮蔽部１２１が設けられている。遮蔽部１２１は、対向面１１１と平行な円板であり、貫通孔１１ａから流入した処理液の下方への流出を遮る。回転体１０を構成するテーブル１１及びベース１２は、処理液に対して耐性を有する材料で形成されている。例えば、ＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥなどのフッ素系の樹脂により、回転体１０を構成することが好ましい。なお、このような回転体１０は、図示しない設置面又は設置面に設置された架台に固定された固定ベース１３上に、後述する回転機構２０によって回転可能に設けられている。固定ベース１３には、防護壁１３ａが設けられている。防護壁１３ａは、ベース１２と同心であって、固定ベース１３上に立ち上げられた二重の円筒形の壁であり、ベース１２の下縁を非接触で挟むように覆っている。これにより、防護壁１３ａとベース１２との間に、屈曲した経路であるラビリンス構造が形成され、ベース１２の外壁に沿って流れ落ちる処理液が、ベース１２の内部に流入し難い構成となっている。
【0021】
（回転機構）
回転機構２０は、回転体１０を回転させる機構である。回転機構２０は、固定軸２１、駆動源２２を有する。固定軸２１は、回転体１０と同軸に配置された円筒形状の部材である。固定軸２１の下端部は、後述する駆動源２２とともに、固定ベース１３に固定されている。遮蔽部１２１には、固定軸２１が挿通された貫通孔１２１ａが設けられている。固定軸２１の上端には、ノズルヘッド２１１が設けられ、対向面１１１の貫通孔１１ａに対向している。ノズルヘッド２１１には、図示はしないが、天面に先端を開口させた複数のノズルが設けられている。ノズルには、固定軸２１の内部に設けられ、洗浄水、処理液等を供給する管路に接続されているが、詳細は省略する。
回転機構２０は、回転体１０を回転させる機構である。回転機構２０は、固定軸２１、駆動源２２を有する。固定軸２１は、回転体１０と同軸に配置された円筒形状の部材である。固定軸２１の下端部は、後述する駆動源２２とともに、固定ベース１３に固定されている。遮蔽部１２１には、固定軸２１が挿通された貫通孔１２１ａが設けられている。固定軸２１の上端には、ノズルヘッド２１１が設けられ、対向面１１１の貫通孔１１ａに対向している。ノズルヘッド２１１には、図示はしないが、天面に先端を開口させた複数のノズルが設けられている。ノズルには、固定軸２１の内部に設けられ、洗浄水、処理液等を供給する管路に接続されているが、詳細は省略する。
【0022】
貫通孔１２１ａの周縁には、貫通孔１１ａに向かって突出した筒状の環状壁１２１ｂが立設されている。ノズルヘッド２１１は、遮蔽部１２１と非接触であり、環状壁１２１ｂを、隙間を空けて覆うように収容する環状溝１３１ｃを有している。これにより、環状壁１２１ｂと環状溝１３１ｃとの間に、屈曲した経路であるラビリンス構造が形成され、対向面１１１の貫通孔１１ａを介して流入した処理液が、貫通孔１２１ａを通って固定軸２１に沿って外部へ流出することが抑制される。
【0023】
駆動源２２は、中空の回転子２２ａとこれを回転させる固定子２２ｂを有する中空モータである。駆動源２２は、固定軸２１とともに、固定ベース１３に固定されている。貫通孔１２１ａの環状壁１２１ｂと反対側には、固定軸２１が非接触で挿通された回転筒１２１ｄが設けられている。駆動源２２の中空の回転子２２ａは、回転筒１２１ｄに接続されるとともに、固定軸２１が非接触で挿通されている。駆動源２２は、固定子２２ｂのコイルに通電することにより、回転子２２ａとともに回転筒１２１ｄが回転するので、ベース１２とともにテーブル１１が回転する。なお、基板処理装置１において、図２の一点鎖線の上側が、基板１００とともに回転する部分であり、下側が基板１００とともに回転しない部分である。
【0024】
（保持部）
保持部３０は、対向面１１１と平行に且つ間隔を空けて、基板１００を保持する。保持部３０は、回動部材３１、保持ピン３２、駆動機構３３を有する。回動部材３１は、図４に示すように、基板１００の周囲に沿って、等間隔で複数配置された円柱形状の部材である。回動部材３１は、固定軸２１と平行な軸を中心に回動可能に設けられている。回動部材３１の天面は、対向面１１１から露出している。
保持部３０は、対向面１１１と平行に且つ間隔を空けて、基板１００を保持する。保持部３０は、回動部材３１、保持ピン３２、駆動機構３３を有する。回動部材３１は、図４に示すように、基板１００の周囲に沿って、等間隔で複数配置された円柱形状の部材である。回動部材３１は、固定軸２１と平行な軸を中心に回動可能に設けられている。回動部材３１の天面は、対向面１１１から露出している。
【0025】
保持ピン３２は、回動部材３１の天面の回動の中心から偏心した位置に立設されている。保持ピン３２は円柱形状であり、基板１００の縁部が嵌る縊れを有する。保持ピン３２は、回動部材３１の回動に従って、基板１００の縁部に接することにより基板１００を保持する保持位置（図４（Ａ）参照）と、基板１００の縁部から離れることにより基板１００を解放する解放位置（図４（Ｂ）参照）との間を移動する。
【0026】
駆動機構３３は、回動部材３１を回動させることにより、保持ピン３２を保持位置と解放位置との間で移動させる。駆動機構３３は、駆動軸３３１、小ギヤ３３２、大ギヤ３３３を有する。
【0027】
駆動軸３３１は、回動部材３１の天面と反対側に、回動部材３１の回動の軸と同軸に設けられた円柱形状の部材である。遮蔽部１２１には、駆動軸３３１が挿通された貫通孔１２１ｃが設けられている。貫通孔１２１ｃの周縁には、回動部材３１に向かって突出した筒状の環状壁１２１ｅが立設されている。回動部材３１は、遮蔽部１２１と非接触であり、環状壁１２１ｅを、隙間を空けて覆うように収容する環状溝３１ａを有している。これにより、環状壁１２１ｅと環状溝３１ａとの間に、屈曲した経路であるラビリンス構造が形成され、処理液が、貫通孔１２１ｃを通って駆動軸３３１に沿って外部へ流出することが抑制される。
【0028】
小ギヤ３３２は、駆動軸３３１の回動部材３１と反対側の端部に設けられたセクタギヤである。大ギヤ３３３は、小ギヤ３３２に対応して、ギヤ溝が間欠的に形成されたギヤである。大ギヤ３３３は、回転筒１２１ｄの外周に軸受（図示せず）によって回転自在に設けられている。大ギヤ３３３は、小ギヤ３３２と対応する間隔で、６つの凸部が周方向に所定間隔で形成されてなり、各凸部の先端外周面に、小ギヤ３３２に噛合するギヤ溝が形成されている。
【0029】
大ギヤ３３３は、図示しないバネ等の付勢部材によって、図４（Ａ）に矢印αで示す回転方向（反時計方向）に付勢されている。これにより、小ギヤ３３２は、矢印β１で示す時計方向に付勢されるため、小ギヤ３３２の回動に回動部材３１が連動し、保持ピン３２が回転体１０の中心方向へ移動して、基板１００に当接する保持位置に維持される。なお、基板処理時には、この保持位置を維持した状態で、回動部材３１、駆動軸３３１、保持ピン３２、小ギヤ３３２、大ギヤ３３３は、回転体１０とともに回転する。
【0030】
また、大ギヤ３３３は、図示しないストッパ機構によって、回転が阻止される。大ギヤ３３３の回転が阻止された状態で、図４（Ｂ）に示すように、回転体１０を矢印γ方向へ回転させると、回転が阻止された大ギヤ３３３に噛合している小ギヤ３３２が、矢印β２で示す反時計方向に回動する。これにより、回動部材３１が回動するので、保持ピン３２が基板１００の縁部から離れる方向に移動して、解除位置に来る。
【0031】
（供給部）
供給部４０は、図１に示すように、基板１００の表面、つまり保持部３０に保持された基板１００の対向面１１１と反対側の面に、処理液を供給する。供給部４０は、処理液供給機構４１、処理液保持部４２、昇降機構４３、加熱部４４を有する。
供給部４０は、図１に示すように、基板１００の表面、つまり保持部３０に保持された基板１００の対向面１１１と反対側の面に、処理液を供給する。供給部４０は、処理液供給機構４１、処理液保持部４２、昇降機構４３、加熱部４４を有する。
【0032】
処理液供給機構４１は、３種の処理液を供給する処理液供給部４１１、４１２、４１３を有する。処理液供給部４１１は、処理液として純水（Ｈ２О）を供給する。処理液供給部４１２は、処理液としてリン酸（Ｈ３ＰＯ４）を含む水溶液（以下、リン酸溶液とする）を供給する。処理液供給部４１３は、フッ化水素（ＨＦ）を含む水溶液（以下、フッ酸溶液とする）を供給する。処理液供給部４１１、４１２、４１３は、それぞれの処理液を貯留する処理液槽４１ａを有している。
【0033】
各処理液槽４１ａからは、個別送通管４１ｂが並列的に処理液供給管４１ｃに結合されている。処理液供給管４１ｃは、その先端部が保持部３０に保持された基板１００に対向している。これにより、各処理液槽４１ａからの処理液は、個別送通管４１ｂ及び処理液供給管４１ｃを介して、基板１００の表面に供給される。
【0034】
各個別送通管４１ｂには、それぞれ流量調整バルブ４１ｄ、流量計４１ｅが設けられている。各流量調整バルブ４１ｄを調整することにより、対応する処理液槽４１ａから処理液供給管４１ｃに流れ込む処理液の量を調整する。各個別送通管４１ｂを流れる処理液の量は、対応する流量計４１ｅにより検出される。なお、各処理液槽４１ａに貯留される処理液の生成設備及び生成方法は特定のものには限定されない。
【0035】
処理液保持部４２は、基板１００よりも大径の円形であり、周縁部に回転体１０と反対側に立ち上がった壁が形成されることにより、盆形状をなしている。処理液保持部４２は、耐熱性と耐液性を両立させるため、二重構造となっている。つまり、耐熱性を有する材料によって基体が形成され、その周囲が処理液に対して耐性のある材料で覆われている。例えば、石英を基体として、その周囲にＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥなどのフッ素系の樹脂のカバーを形成することにより、処理液保持部４２が構成されていることが好ましい。処理液保持部４２の外底面は、基板１００に対向している。
【0036】
処理液保持部４２には、処理液供給管４１ｃの先端が挿通されて、基板１００側に露出する吐出口４２ａが形成されている。吐出口４２ａは、図５に示すように、回転体１０の回転の軸からずれている。これは、基板１００の回転に伴って、基板１００における吐出口４２ａとの対向部分を逐次変化させることにより、処理液の温度の均一化に寄与するためである。
【0037】
昇降機構４３は、処理液保持部４２を、基板１００に対して接離する方向に移動させる機構である。昇降機構４３としては、例えば、シリンダ、ボールねじ機構など、回転体１０の軸に平行な方向に処理液保持部４２を移動させる種々の機構を適用可能であるが、詳細は省略する。
【0038】
上方に待機している処理液保持部４２と対向面１１１との間には、図示しない搬送ロボットのハンドに支持された基板１００が搬入可能となる間隔Ｄ１が設けられる。昇降機構４３は、処理液保持部４２を、基板１００の表面との間に間隔Ｄ２が形成される位置まで下降させる。この間隔Ｄ２は、例えば、４ｍｍ以下であるが、処理液が流れるように、処理液保持部４２と基板１００とは非接触が維持される。
【0039】
加熱部４４は、供給部４０により供給される処理液を加熱する。加熱部４４は、処理液保持部４２の基板１００に対向する面と反対側の面に設けられたヒータ４４１を有する。ヒータ４４１は、円形のシート状である。ヒータ４４１は、発熱量を個別に制御可能な、例えば、３つのヒータ片によって構成されている。つまり、円形状のヒータ片の外側に、円環状の２つのヒータ片が同心で配置されている。このようなヒータ４４１によれば、同心で配置された３つのヒータ片の発熱量を個別に制御することで、同心状の部分毎に処理液の温度を変えることができる。なお、加熱部４４の径は、基板１００の外周側の温度低下を抑制するために、基板１００の径以上、つまり同等かより大きな径であることが好ましい。
【0040】
ヒータ４４１には、処理液供給管４１ｃが挿通された貫通孔４４１ａが形成されている。貫通孔４４１ａの位置は、処理液保持部４２の吐出口４２ａに重なって連続する位置であり、回転体１０の軸からずれている。なお、処理液は、供給部４０における図示しない加熱装置によって予め設定された温度まで加熱されており、基板１００に供給されて加熱部４４により加熱される。これにより、基板１００に供給された処理液を、予め設定された温度を維持したまま基板１００の全面に行き渡らせることができる。特に、外周側のヒータ４４１を高温とすることにより、温度低下しやすい基板１００の外周側の温度を上げる効果が得られる。
【0041】
（保温部）
保温部５０は、図２及び図３に示すように、回転体１０の対向面１１１と基板１００との間において、基板１００に非接触で対向する放熱抑制部材５１を有する。本実施形態においては、図６に示すように、複数の放熱抑制部材５１が、回転体１０の回転中心からの距離が異なる位置に、それぞれが独立して基板１００（基板１００の裏面）に対して進退可能に設けられている。回転体１０の回転中心に近い内周側から外周側に向かって、放熱抑制部材５１Ａ、放熱抑制部材５１Ｂ、放熱抑制部材５１Ｃとなっている。
保温部５０は、図２及び図３に示すように、回転体１０の対向面１１１と基板１００との間において、基板１００に非接触で対向する放熱抑制部材５１を有する。本実施形態においては、図６に示すように、複数の放熱抑制部材５１が、回転体１０の回転中心からの距離が異なる位置に、それぞれが独立して基板１００（基板１００の裏面）に対して進退可能に設けられている。回転体１０の回転中心に近い内周側から外周側に向かって、放熱抑制部材５１Ａ、放熱抑制部材５１Ｂ、放熱抑制部材５１Ｃとなっている。
【0042】
３つの放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃの基板１００に対向する面は、放熱抑制面５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃとして構成されている。３つの放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃは、回転体１０の回転中心と同心のリング状である。つまり、径の異なるリング状の放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃが、回転体１０の回転中心と同心で配置され、それぞれの上面が、放熱抑制面５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃとなっている。本実施形態の放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃは、同心円状に配置されたリング状のプレートである。ここで、最外周の放熱抑制部材５１Ｃの径、つまり放熱抑制面５１１ｃの径は、基板１００の径以上となっている。つまり、放熱抑制面５１１ｃは、その最外周が、基板１００の最外周と同じ位置か又はさらに外側に位置するように、径が設定されている。本実施形態では、放熱抑制面５１１ｃの径は、基板１００よりも大きい。但し、図６に示すように、放熱抑制面５１１ｃの外縁は、保持部３０の回動部材３１がある部分だけ、回動部材３１を回避するように、回転体１０の回転中心側である内側に窪むように湾曲している。なお、以下の説明では、３つの放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、放熱抑制面５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃを区別しない場合には、放熱抑制部材５１、放熱抑制面５１１として説明する。
【0043】
対向面１１１には、放熱抑制部材５１が収容される窪みが設けられている。各放熱抑制部材５１は、テーブル１１に収容され、テーブル１１の一部又は回転体１０の一部として構成されている。このため、各放熱抑制部材５１は、回転体１０とともに回転する。つまり、放熱抑制部材５１は、回転体１０に収容される収容位置と、基板１００に向けて接近する接近位置との間で移動可能に設けられている。放熱抑制面５１１は、対向面１１１から露出して、基板１００と対向する。放熱抑制部材５１の移動に従って、各放熱抑制面５１１は、対向面１１１から出没可能に設けられている。放熱抑制部材５１が収容位置にある場合の放熱抑制面５１１は、対向面１１１と面一となる。放熱抑制面５１１が対向面１１１と面一になることにより、基板１００の搬入時及び搬出時、搬送ロボットのハンドを基板１００の裏面と回転体１０の対向面１１１との間に挿入可能な間隔が形成される。放熱抑制部材５１が接近位置にある場合の放熱抑制面５１１は、対向面１１１から突出して基板１００の裏面に接近する。
【0044】
また、保温部５０は、放熱抑制部材５１を基板１００に対して進退させる駆動機構５２を有する。駆動機構５２は、放熱抑制部材５１を個別に駆動することにより、放熱抑制面５１１を移動させる。
【0045】
駆動機構５２は、放熱抑制部材５１毎に独立して設けられている。各駆動機構５２は、駆動源５２１、リンクアーム５２２、付勢アーム５２３、伝達部５２４、連結部５２５を有する。駆動源５２１は、回転体１０の軸に平行な方向に進退する駆動ロッドを有するシリンダである。駆動源５２１は、固定ベース１３から立ち上げられた支持壁１３ｂに支持されている。リンクアーム５２２は、固定ベース１３から立ち上げられた支柱１３ｃに、軸５２２ａを中心に回動可能に設けられ、一端が駆動源５２１の駆動ロッドに回動可能に連結されている。付勢アーム５２３は、駆動ロッドと平行な方向に進退可能な部材であり、下端がリンクアーム５２２の他端に回動可能に連結されている。付勢アーム５２３の上端には、ピン５２３ａが立設されている。
【0046】
伝達部５２４は、非接触で動力を伝達する部材である。伝達部５２４は、一対の同径のリング状の磁石であるリングマグネットの組が、放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃに対応して３組設けられている。つまり、反発力によって非接触で上下に同軸で配置されたリングマグネット５２４Ａ、５２４ａの組、リングマグネット５２４Ｂ、５２４ｂの組、リングマグネット５２４Ｃ、５２４ｃの組が、内周側から外周側に同軸で配置されている。下方のリングマグネット５２４ａ、５２４ｂ、５２４ｃは、付勢アーム５２３のピン５２３ａに支持されており、付勢アーム５２３の上下動に応じて昇降する。上方のリングマグネット５２４Ａ、５２４Ｂ、５２４Ｃは、リングマグネット５２４ａ、５２４ｂ、５２４ｃの昇降に従って昇降する。
【0047】
連結部５２５は、回転体１０の軸に平行に配置され、一端がそれぞれリングマグネット５２４Ａ、リングマグネット５２４Ｂ、リングマグネット５２４Ｃに支持され、他端が放熱抑制部材５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃに連結されている。このため、駆動源５２１の下方への駆動力が、リンクアーム５２２を回動させて付勢アーム５２３を上昇させ、伝達部５２４、連結部５２５を介して、放熱抑制部材５１を上昇させる。
【0048】
伝達部５２４のリングマグネット５２４Ａ、５２４Ｂ、５２４Ｃ及び連結部５２５は、回転体１０とともに回転する。一方、リングマグネット５２４ａ、５２４ｂ、５２４ｃは回転しない。つまり、駆動源５２１、リンクアーム５２２、付勢アーム５２３は、上記のように固定ベース１３に固定されていて回転せず、付勢アーム５２３に支持されたリングマグネット５２４ａ、５２４ｂ、５２４ｃも回転しない。これにより、非接触の伝達部５１４によって、回転体１０とともに放熱抑制部材５１が回転することを許容しつつ、放熱抑制部材５１の昇降を可能としている。このため、放熱抑制部材５１は、基板１００に対して進退可能となる。なお、図６に示すように、駆動機構５２は、放熱抑制部材５１毎に一対、つまり２か所を支持するように設けられている。
【0049】
遮蔽部１２１には、図２に示すように、各連結部５２５が挿通された貫通孔１２１ｆが設けられている。貫通孔１２１ｆの周縁には、放熱抑制部材５１に向かって突出した筒状の環状壁１２１ｇが立設されている。連結部５２５は遮蔽部１２１と非接触であり、拡径した部分に、環状壁１２１ｇを、隙間を空けて覆うように収容する環状溝５２５ａが設けられている。これにより、環状壁１２１ｇと環状溝５２５ａとの間に、屈曲した経路であるラビリンス構造が形成され、処理液が、貫通孔１２１ｆを通って連結部５２５に沿って外部へ流出することが抑制される。
【0050】
（制御部）
制御部６０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部６０は、基板処理装置１の各種の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。つまり、制御部６０は、回転機構２０、処理液供給機構４１、昇降機構４３、加熱部４４、駆動機構５２などを制御する。
制御部６０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部６０は、基板処理装置１の各種の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。つまり、制御部６０は、回転機構２０、処理液供給機構４１、昇降機構４３、加熱部４４、駆動機構５２などを制御する。
【0051】
本実施形態の制御部６０は、基板１００の面内における内周側、中間、外周側の処理レートの違いを、実験や実際の処理において検出しておき、この処理レートの相違に応じて、放熱抑制部材５１を上昇させる。放熱抑制面５１１を基板１００に近づけることにより、処理液の温度低下が抑制された処理レートが上がるため、検出された処理レートが低い位置の放熱抑制部材５１を上昇させる。
【0052】
また、制御部６０は、基板１００の膜厚分布の情報に基づいて、放熱抑制部材５１の昇降を制御できる。例えば、制御部６０は、膜厚分布の情報に基づいて、いずれかの放熱抑制部材５１を選択して、基板１００に近づく方向に駆動する。膜厚分布の情報とは、基板１００の面内において、除去すべき膜の厚さがどの位置が厚く、どの位置が薄いかを示す情報である。この情報は、例えば、基板１００の内周領域、中間領域、外周領域における厚さの程度を数値で示した情報とすることができる。
【0053】
また、前工程における装置によって、膜厚分布が決まることから、前工程の装置と紐づけられた膜厚分布があらかじめメモリに記憶されており、装置を識別する情報に基づいて、膜厚分布が決定できるようにしてもよい。このような装置を識別する情報も、膜厚分布の情報に含まれる。膜厚分布の情報は、制御部６０に接続された入力装置、通信装置を介してあらかじめ入力されてメモリに記憶される。
【0054】
［動作］
以上のような本実施形態の基板処理装置１の動作を、上記の図１～６に加えて、図７のフローチャートを参照して説明する。なお、以下のような手順により基板を処理する基板処理方法も、本実施形態の一態様である。
以上のような本実施形態の基板処理装置１の動作を、上記の図１～６に加えて、図７のフローチャートを参照して説明する。なお、以下のような手順により基板を処理する基板処理方法も、本実施形態の一態様である。
【0055】
まず、図１に示すように、供給部４０の処理液保持部４２は上方の待機位置にあり、図２、図３（Ａ）に示すように、保温部５０の放熱抑制面５１１は、回転体１０の対向面１１１と面一となっている。このとき、処理液保持部４２と対向面１１１との間には、図示しない搬送ロボットのハンドに支持された基板１００が搬入可能となる間隔Ｄ１が設けられている。また、基板１００の裏面と対向面１１１との間には、基板１００を支持する搬送ロボットのハンドを挿入可能な間隔ｄ１が設けられている。つまり、基板１００の搬入時及び搬出時、搬送ロボットのハンドが基板１００の裏面と回転体１０との間に挿入されるときに邪魔にならない。
【0056】
また、あらかじめヒータ４４１に通電することにより、処理液保持部４２の基板１００に対向する面と逆側の面が加熱され、処理液保持部４２が所定温度（例えば、温度範囲１８０℃～２２５℃内の温度）に保持されている。なお、例えば、外周領域は放熱により最も温度が低下するため、外周領域が、他の領域よりも高温となるように加熱してもよい。
【0057】
この状態で、図１及び図４（Ａ）に示すように、搬送ロボットのハンドに搭載された基板１００が、処理液保持部４２と回転体１０との間に搬入され、その周縁が複数の保持ピン３２に支持されることにより、回転体１０の対向面１１１上に保持される（ステップＳ０１）。このとき、基板１００の中心と回転体１０回転の軸とが合致するように位置決めされる。
【0058】
次いで、回転体１０が、比較的低速な所定速度（例えば、５０ｒｐｍ程度）にて回転する。これにより、基板１００が保持部３０とともに前記所定速度にて回転する（ステップＳ０２）。
【0059】
そして、処理液保持部４２の吐出口４２ａから、フッ酸溶液が、処理液保持部４２と基板１００の表面との間の隙間に供給される（ステップＳ０３）。回転する基板１００の表面にフッ酸溶液が供給されると、そのフッ酸溶液が基板１００の外周に向けて順次移動するため、基板１００の表面がエッチングされて、酸化膜、有機物が除去される。
【0060】
なお、基板１００の外周に向かって流れ出す処理液は、図２の白抜きの矢印に示すように、保持ピン３２の隙間から外部に排出される。また、回転体１０の内部に流入した排液は、排出口１１ｂから排出される。また、遮蔽部１２１の貫通孔１２１ａ、１２１ｃ、１２１ｆの周囲は、ラビリンス構造となっているため、ベース１２内に処理液が流出することが抑制される。この流れは、以下に述べる処理液でも同様である。
【0061】
次に、処理液保持部４２は、フッ酸溶液の供給を停止して（ステップＳ０４）、吐出口４２ａから、純水を処理液保持部４２と基板１００の表面との間の隙間に供給する（ステップＳ０５）。回転する基板１００の表面に純水が供給されると、その純水が基板１００の外周に向けて順次移動することにより、基板１００の表面のフッ酸が洗い流される。そして、処理液保持部４２は、純水の供給を停止する（ステップＳ０６）。
【0062】
処理液保持部４２が、基板１００の表面との間に所定の間隔Ｄ２（例えば、４ｍｍ以下）が形成される位置まで下降する（ステップＳ０７）。そして、保温部５０のあらかじめ設定された放熱抑制部材５１が上昇して、基板１００の対向面１１１に対向する面との間隔ｄ１を、より接近した間隔ｄ２まで狭める（ステップＳ０８）。
【0063】
例えば、図３（Ｂ）に示すように、外周領域の放熱抑制部材５１Ｃを駆動する駆動源５２１が動作すると、リンクアーム５２２が回動して付勢アーム５２３が上方に付勢される。すると、外周領域のリングマグネット５２４ｃが上昇するので、これに対応するリングマグネット５２４Ｃが反発力によって上昇する。これにより、連結部５２５が上昇して、放熱抑制部材５１Ｃを上方に付勢するので、放熱抑制面５１１ｃが基板１００に接近する。
【0064】
この動作は、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、放熱抑制面５１１ｂ、５１１ａを基板１００に接近させる場合も同様である。なお、３つの放熱抑制面５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃのいずれを基板１００に接近させるか、接近させないかは自由に制御可能である。例えば、中間領域の膜厚が厚い基板１００の場合に、放熱抑制面５１１ｂのみを基板１００に接近させてもよい。この場合に、さらに外周領域の温度低下を考慮して、放熱抑制面５１１ｃも基板１００に接近させてもよい。
【0065】
処理液保持部４２は、リン酸を、処理液保持部４２と基板１００の表面との間の隙間に供給する（ステップＳ０９）。このように、処理液保持部４２と基板１００の表面との間に供給されるリン酸溶液は、ヒータ４４１によって加熱される処理液保持部４２によって加熱されて高温となっている。
【0066】
この状態で、リン酸溶液が処理液保持部４２の吐出口４２ａから連続的に供給されると、基板１００の表面に、リン酸溶液が基板１００の外周に向けて順次移動することにより、基板１００の表面の純水がリン酸によって置換されつつ、エッチングにより窒化膜が除去される。
【0067】
基板１００の中心付近に供給されたリン酸溶液は、基板１００の外周へ移動するに従って熱が逃げ易くなるが、本実施形態においては、基板１００と対向面１１１との間隔ｄ１が、放熱抑制面５１１ｃの基板１００への接近によって、間隔ｄ２にまで狭められて、基板１００の裏面の放熱空間が狭く熱がこもり易くなるとともに、放熱抑制部材５１Ｃの断熱によって外部への放熱が遮蔽される効果と相俟って、基板１００の裏面からの放熱が抑制される。これにより、リン酸溶液の温度低下による処理レートの低下が抑制される。所定の処理時間が経過すると、処理液保持部４２は、リン酸溶液の供給を停止する（ステップＳ１０）。
【0068】
次に、処理液保持部４２は、純水を、吐出口４２ａから処理液保持部４２と基板１００の表面との間の隙間に供給する（ステップＳ１１）。回転する基板１００の表面に純水が供給されると、その純水が基板１００の外周に向けて順次移動することにより、基板１００の表面のリン酸が洗い流される。そして、所定の洗浄時間が経過すると、処理液保持部４２は、純水の供給を停止する（ステップＳ１２）。
【0069】
基板１００が回転を停止して、放熱抑制部材５１Ｃが下降し、放熱抑制面５１１ｃが対向面１１１と面一となり（ステップＳ１３）、処理液保持部４２が上昇する（ステップＳ１４）。なお、放熱抑制部材５１Ｃの下降は、リン酸溶液を供給停止した直後でも良い。そして、搬送ロボットのハンドが基板１００の下に挿入され、保持部３０による基板１００の保持が解放され、搬送ロボットのハンドによって基板１００が搬出される（ステップＳ１５）。
【0070】
［効果］
（１）以上のような本実施形態の基板処理装置１は、基板１００を保持する保持部３０と、保持部３０を備えるとともに、保持部３０に保持された基板１００に間隔を空けて対向する対向面１１１を有し、回転可能に設けられた回転体１０と、保持部３０に保持された基板１００の、対向面１１１に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部４０と、対向面１１１と基板１００の対向面１１１に対向する面との間において、基板１００に非接触で対向する放熱抑制部材５１と、放熱抑制部材５１を基板１００に対して進退させる駆動機構５２とを有する保温部５０と、を有する。
（１）以上のような本実施形態の基板処理装置１は、基板１００を保持する保持部３０と、保持部３０を備えるとともに、保持部３０に保持された基板１００に間隔を空けて対向する対向面１１１を有し、回転可能に設けられた回転体１０と、保持部３０に保持された基板１００の、対向面１１１に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給する供給部４０と、対向面１１１と基板１００の対向面１１１に対向する面との間において、基板１００に非接触で対向する放熱抑制部材５１と、放熱抑制部材５１を基板１００に対して進退させる駆動機構５２とを有する保温部５０と、を有する。
【0071】
本実施形態の基板処理方法は、対向面１１１に対向するように保持部３０に保持された基板１００を、回転体１０が回転させ、保持部３０に保持された基板１００の、対向面１１１に対向する面とは反対側の面に、加熱された処理液を供給部４０が供給し、対向面１１１と基板１００の対向面１１１に対向する面との間において、放熱抑制部材５１が基板１００に非接触で進退する。
【0072】
このため、放熱抑制部材５１を基板１００に接近させることにより、基板１００の裏面からの放熱を抑えることができるので、処理液の温度低下が抑制され、基板１００の処理レートの低下を抑制できる。なお、例えば、本実施形態のように、放熱抑制部材５１の径を、基板１００の径以上とすることにより、放熱抑制部材５１の外周が、放熱抑制温度低下しやすい基板１００の外周と同じ位置か外側に位置することになり、より熱がこもり易くなり、保温効果を高めることができる。また、処理液の加熱温度を調整する場合、つまり、処理液の温度を処理液保持部４２の加熱部４４によって調整する場合には、温度変化が反映するまでには時間がかかるが、本実施形態は、放熱抑制部材５１の移動により、基板１００の裏面からの放熱を抑えるため、応答性が良い。すなわち、処理液の温度低下を防いで、所望の温度になるまでの時間を短くすることができる。また、加熱部４４に着目すると、加熱部４４の出力を必要以上に上げなくてもよいので、消費電力を抑制できる。
【0073】
（２）複数の放熱抑制部材５１が、回転体１０の回転中心からの距離が異なる位置に、それぞれが独立して基板１００に対して進退可能に設けられている。
【0074】
基板１００の回転中心からの距離によって、処理液の温度が異なり、処理レートが異なる。本実施形態では、処理液の温度が低い箇所や、処理レートが低い箇所の放熱抑制部材５１を基板１００に接近させて温度低下を抑制して、処理レートを向上させることができるので、面内の処理の均一化が可能となる。また、基板１００の個体差に応じて、接近させる放熱抑制部材５１を変えることにより、バッチ処理では困難な面内の処理の調整ができる。さらに、敢えて面内での位置における処理レートを変えることもできる。
【0075】
（３）放熱抑制部材５１は、回転体１０の回転中心と同心のリング状である。このため、同心円状に異なる温度分布、処理レートを補正して、面内の処理の均一化を図ることができる。
【0076】
（４）放熱抑制部材５１は、回転体１０に収納され、放熱抑制部材５１には、対向面１１１から露出して基板１００と対向する放熱抑制面５１１を有し、放熱抑制面５１１は、対向面１１１から出没可能に設けられている。例えば、保持部３０に対する基板１００の搬入時及び搬出時には、放熱抑制部材５１が回転体１０に収容される収容位置となることにより、基板１００の対向面１１１に対向する面と対向面１１１との間に、基板１００が搬入及び搬出可能な間隔を形成し、供給部４０による処理液の供給による基板１００の処理時には、搬入時及び搬出時よりも、放熱抑制部材５１が、保持部３０に保持された基板１００に向けて接近する接近位置となる。このため、基板１００と対向面１１１との間に、基板１００の搬入搬出のためのスペースを確保しつつ、処理中は放熱抑制面５１１を基板１００に接近させて、処理レートの低下を抑制できる。
【0077】
（５）駆動機構５２、駆動源５２１からの駆動力を、放熱抑制部材５１に非接触で伝達する伝達部５２４を含む。このため、駆動機構５２の回転体１０とともに回転する部分と、固定された部分とが接触しないので、摺動による塵埃の発生が防止される。
【0078】
（６）回転体１０は、外部への処理液の流出を遮る遮蔽部１２１を有し、遮蔽部１２１は、駆動機構５２と放熱抑制部材５１とを連結する連結部５２５が貫通する貫通孔１２１ｆを有し、連結部５２５と貫通孔１２１ｆとの間には、ラビリンス構造の隙間が形成されている。このため、遮蔽部１２１からの処理液が、貫通孔１２１ｆを通って連結部５２５に沿って外部へ流出することが抑制される。したがって、本実施形態のように、回転機構２０、駆動機構３３、昇降機構４３、駆動機構５２等の装置の下方に配置された部材が、処理液によって影響を受けることが防止される。
【0079】
（７）駆動機構５２は、複数の放熱抑制部材５１を個別に駆動可能に設けられ、基板１００の膜厚分布の情報に基づいて、駆動機構５２を制御する制御部６０を有する。このため、基板１００の膜厚分布の個性に応じて、処理レートを調整することができる。
【0080】
例えば、制御部６０は、基板１００の膜厚分布の情報に基づいて、いずれかの放熱抑制部材５１を選択して、基板１００に近づく方向に駆動させる。より具体的には、基板１００の膜厚分布の情報に基づいて、基板１００の処理レートを上げる部分に対応する放熱抑制部材５１が、基板１００に近づく方向に移動する。これにより、基板１００の所望の領域の処理レートを高めることができる。膜厚の厚い領域に対応する放熱抑制部材５１を、他の領域の放熱抑制部材５１よりも近づけることにより、厚い領域の処理レートを高めて、基板１００の全体の膜厚を均一にすることができる。また、基板１００の全体の膜厚を均一にするのではなく、特定の領域を厚くしたい又は薄くしたいなど、所望の膜厚分布に調整したい場合には、薄くしたい箇所に対応する放熱抑制部材５１を基板１００に近づけて処理レートを高めることができる。つまり、ユーザが求める様々な膜厚の態様に対応することができる。
（変形例）
（１）放熱抑制部材５１を基板１００に接近させる場合の基板１００との距離を、複数設定してもよい。また、放熱抑制部材５１の数は、１つであっても、２つであっても、４つ以上であってもよい。１つ又は２つとすることにより、機構や制御を簡素化することができ、４つ以上とすることにより、面内での処理レートを、さらにきめ細かく調整することが可能となる。
（変形例）
（１）放熱抑制部材５１を基板１００に接近させる場合の基板１００との距離を、複数設定してもよい。また、放熱抑制部材５１の数は、１つであっても、２つであっても、４つ以上であってもよい。１つ又は２つとすることにより、機構や制御を簡素化することができ、４つ以上とすることにより、面内での処理レートを、さらにきめ細かく調整することが可能となる。
【0081】
（２）駆動機構５２は、上記の態様には限定されない。例えば、伝達部５２４をコロ、ベアリング等の接触により動力を伝達する部材によって構成してもよい。伝達部５２４又は放熱抑制部材５１を駆動ロッドにより直接上昇させるシリンダによって、駆動機構５２を構成してもよい。
【0082】
（３）基板処理装置１の処理は、処理液及び基板１００の温度が処理レートに影響を与える処理であれば、処理の内容及び処理液は、上記で例示したものには限定されない。処理対象となる基板１００及び膜についても、上記で例示したものには限定されない。
【0083】
［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
【符号の説明】
【0084】
１ 基板処理装置
１０ 回転体
１１ テーブル
１１ａ 貫通孔
１１ｂ 排出口
１２ ベース
１３ 固定ベース
１３ａ 防護壁
１３ｂ 支持壁
１３ｃ 支柱
２０ 回転機構
２１ 固定軸
２２ 駆動源
３０ 保持部
３１ 回動部材
３１ａ 環状溝
３２ 保持ピン
３３ 駆動機構
４０ 供給部
４１ 処理液供給機構
４１ａ 処理液槽
４１ｂ 個別送通管
４１ｃ 処理液供給管
４１ｄ 流量調整バルブ
４１ｅ 流量計
４２ 処理液保持部
４２ａ 吐出口
４３ 昇降機構
４４ 加熱部
５０ 保温部
５１、５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ 放熱抑制部材
５２ 駆動機構
６０ 制御部
１００ 基板
１１１ 対向面
１１２ 側面
１２１ 遮蔽部
１２１ａ 貫通孔
１２１ｂ 環状壁
１２１ｃ 貫通孔
１２１ｄ 回転筒
１２１ｅ 環状壁
１２１ｆ 貫通孔
１２１ｇ 環状壁
１３１ｃ 環状溝
２１１ ノズルヘッド
３３１ 駆動軸
３３２ 小ギヤ
３３３ 大ギヤ
４１１、４１２、４１３ 処理液供給部
４４１ ヒータ
４４１ａ 貫通孔
５１１、５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃ 熱抑制面
５１４ 伝達部
５２１ 駆動源
５２２ リンクアーム
５２２ａ 軸
５２３ 付勢アーム
５２３ａ ピン
５２４ 伝達部
５２４Ａ、５２４Ｂ、５２４Ｃ、５２４ａ、５２４ｂ、５２４ｃ リングマグネット
５２５ 連結部
５２５ａ 環状溝
１０ 回転体
１１ テーブル
１１ａ 貫通孔
１１ｂ 排出口
１２ ベース
１３ 固定ベース
１３ａ 防護壁
１３ｂ 支持壁
１３ｃ 支柱
２０ 回転機構
２１ 固定軸
２２ 駆動源
３０ 保持部
３１ 回動部材
３１ａ 環状溝
３２ 保持ピン
３３ 駆動機構
４０ 供給部
４１ 処理液供給機構
４１ａ 処理液槽
４１ｂ 個別送通管
４１ｃ 処理液供給管
４１ｄ 流量調整バルブ
４１ｅ 流量計
４２ 処理液保持部
４２ａ 吐出口
４３ 昇降機構
４４ 加熱部
５０ 保温部
５１、５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ 放熱抑制部材
５２ 駆動機構
６０ 制御部
１００ 基板
１１１ 対向面
１１２ 側面
１２１ 遮蔽部
１２１ａ 貫通孔
１２１ｂ 環状壁
１２１ｃ 貫通孔
１２１ｄ 回転筒
１２１ｅ 環状壁
１２１ｆ 貫通孔
１２１ｇ 環状壁
１３１ｃ 環状溝
２１１ ノズルヘッド
３３１ 駆動軸
３３２ 小ギヤ
３３３ 大ギヤ
４１１、４１２、４１３ 処理液供給部
４４１ ヒータ
４４１ａ 貫通孔
５１１、５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃ 熱抑制面
５１４ 伝達部
５２１ 駆動源
５２２ リンクアーム
５２２ａ 軸
５２３ 付勢アーム
５２３ａ ピン
５２４ 伝達部
５２４Ａ、５２４Ｂ、５２４Ｃ、５２４ａ、５２４ｂ、５２４ｃ リングマグネット
５２５ 連結部
５２５ａ 環状溝
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】