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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022155409
(43)【公開日】2022-10-13
(54)【発明の名称】撮像素子および撮像装置
(51)【国際特許分類】
   H04N 5/374 20110101AFI20221005BHJP
   H04N 5/357 20110101ALI20221005BHJP
【FI】
H04N5/374
H04N5/357 700
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2021058890
(22)【出願日】2021-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000004112
【氏名又は名称】株式会社ニコン
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人RYUKA国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】中西 奏太
【テーマコード(参考)】
5C024
【Fターム(参考)】
5C024CX03
5C024CY16
5C024GY31
5C024HX01
5C024HX51
(57)【要約】      (修正有)
【課題】制御回路部から読出部へ信号線にノイズが載り難くする撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子400において、第2基板200は、画素ブロックに対応し、画素信号をアナログからデジタルに変換する変換部を含む制御ブロックが複数設けられた制御回路部210と、制御ブロックに接続された露光制御部240と、制御ブロックに接続され、変換部から画素信号を読み出す読出部230と、を備える。読出部230は、露光制御部240に設けられた信号出力部よりも制御ブロックの近くに配される。
【選択図】図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素の露光を制御する露光制御部と、前記画素からの画素信号をアナログからデジタルに変換する変換部と、を含む制御ブロックと、
前記制御ブロックに接続され、前記露光制御部の制御に関する信号を出力する信号出力部と、
前記制御ブロックに接続され、前記変換部から前記画素信号を読み出す読み出し部と
を備え、
前記読み出し部は、前記信号出力部よりも前記制御ブロックの近くに配される撮像素子。
【請求項2】
前記読み出し部に接続され、前記画素信号を画像として処理する画像処理部を更に備え、
前記制御ブロックおよび前記読み出し部は第1基板に配され、前記画像処理部は前記第1基板と積層された第2基板に配される請求項1に記載の撮像素子。
【請求項3】
前記画像処理部は、前記信号出力部にさらに接続される請求項2に記載の撮像素子。
【請求項4】
複数の前記制御ブロックが第1方向および前記第1方向に交差する第2方向に複数並んで制御ブロック群を構成し、
前記読み出し部は、前記制御ブロック群の前記第1方向に沿った辺に隣接して設けられ、前記信号出力部は、前記読み出し部を挟んで前記制御ブロック群と反対側に配される請求項1から3のいずれか1項に記載の撮像素子。
【請求項5】
前記第1方向に並んだ複数の前記制御ブロックは、前記読み出し部に接続される共通の接続線を有する請求項4に記載の撮像素子。
【請求項6】
前記制御ブロックに接続され、前記画素信号の読み出しを制御する読み出し制御部を更に備え、
前記読み出し制御部は、前記制御ブロック群の前記第2方向に沿った辺に隣接して設けられる請求項4または5に記載の撮像素子。
【請求項7】
前記制御ブロック群は、前記第1方向と前記第2方向について並んで配された複数のサブブロック群を含み、
前記複数のサブブロック群のうちの第1サブブロック群に接続された前記読み出し部は前記第1サブブロック群の前記第1方向に沿った辺に隣接して設けられ、前記第1サブブロック群に接続された前記読み出し制御部は前記第1サブブロック群の前記第2方向に沿った辺に隣接して設けられ、
前記複数のサブブロック群のうちの前記第1サブブロック群に隣接した第2サブブロック群に接続された前記読み出し部は前記第2サブブロック群の前記第2方向に沿った辺に隣接して設けられ、前記第2サブブロック群に接続された前記読み出し制御部は前記第2サブブロック群の前記第1方向に沿った辺に隣接して設けられる請求項6に記載の撮像素子。
【請求項8】
請求項1から7のいずれか1項に記載の撮像素子を備える撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。
【背景技術】
【0002】
複数の画素を有する撮像装置において、画素毎の露光時間を変化させることが知られている(例えば、特許文献1)。
特許文献1 特表2015-532797号公報
【発明の概要】
【0003】
本発明の第1の態様においては、撮像素子であって、画素の露光を制御する露光制御部と、画素からの画素信号をアナログからデジタルに変換する変換部と、を含む制御ブロックと、制御ブロックに接続され、露光制御部の制御に関する信号を出力する信号出力部と、制御ブロックに接続され、変換部から画素信号を読み出す読み出し部とを備え、読み出し部は、信号出力部よりも制御ブロックの近くに配される。
【0004】
本発明の第2の態様においては、撮像装置であって、上記撮像素子を備える。
【0005】
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1】撮像素子400の概要を示す図である。
図2】画素部110の具体的な構成の一例を示す。
図3】画素112の回路構成の一例を示す。
図4】制御回路部210のより具体的な構成の一例を示す。
図5】撮像素子400の配線方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
図6】読出制御部270a、270bおよび読出部230a、230bの接続関係を示す模式図である。
図7】読出制御部270h~270kおよび読出部230h~230kの他の接続関係を示す模式図である。
図8】他の撮像素子900の概要を示す図である。
図9】撮像素子900の接続関係を示す模式的な断面図である。
図10】実施例に係る撮像装置500の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0008】
本明細書において、X軸とY軸とは互いに直交し、Z軸はXY平面に直交する。XYZ軸は右手系を構成する。Z軸と平行な方向を撮像素子の積層方向と称する場合がある。本明細書において、「上」及び「下」の用語は、重力方向における上下方向に限定されない。これらの用語は、Z軸方向における相対的な方向を指すに過ぎない。なお、本明細書では、X軸方向の配列を「行」とし、Y軸方向の配列を「列」として説明するが、行列方向はこれに限定されない。
【0009】
図1は、撮像素子400の概要を示す図である。撮像素子400は、被写体を撮像する。撮像素子400は、撮像された被写体の画像データを生成する。撮像素子400は、第1基板100、第2基板200および第3基板300を備える。図1に示すように、第1基板100は、第2基板200に積層されている。また、第2基板200は第3基板300に積層されている。なお、撮像素子400の構造は、裏面照射型であっても、表面照射型であってもよい。
【0010】
第1基板100は、画素部110および接続部150、I/O部160を有する。画素部110は第1基板100の中央寄りに配される。画素部110のX方向の外側には第1基板100の向かい合う1辺に延在して、1対の接続部150が配される。1対の接続部150のそれぞれのX方向の外側に、当該1辺に延在してI/O部160が配される。
【0011】
画素部110には、光が入射される。画素部110は、入射された光に基づく画素信号を出力する。第1基板100を画素チップと称することがある。
【0012】
第2基板200は、制御回路部210、読出部230、露光制御部240、画素駆動部250、接続部260、読出制御部270を有する。第2基板200を処理回路チップと称することがある。
【0013】
本例の制御回路部210は、第2基板200において、画素部110と対向する位置に配置されている。すなわち、制御回路部210は、第2基板200において中央寄りに配される。制御回路部210は、画素部110の駆動を制御するための制御信号を画素部110に出力する。制御回路部210にはさらに、画素部110から出力された画素信号が入力される。
【0014】
制御回路部210は画素信号に対する信号処理を行う。例えば、制御回路部210は、アナログ信号をデジタル信号に変換する処理を行う。具体的には、制御回路部210は、入力された画素信号をデジタル信号に変換する処理を行う。制御回路部210は他の信号処理を行ってもよい。他の信号処理の例としてアナログまたはデジタルのCDS(相関二重サンプリング)などのノイズ除去処理が挙げられる。
【0015】
読出制御部270は制御回路部210からの画素信号の読み出しを制御し、当該制御に基づいて読出部230が制御回路部210から当該画素信号を読み出す。第2基板200において、読出制御部270および読出部230は、制御回路部210に隣接して配置されている。本例において、読出制御部270はX方向に延在して、制御回路部210のY方向の外側に1対配される。一方、読出部230はY方向に延在して、制御回路部210のX方向の外側に1対配される。
【0016】
露光制御部240は、画素部110の露光の制御に関する信号を制御回路部210に出力する信号出力部を構成する。第2基板200において、露光制御部240はY方向に延在して、1対の読出部230のX方向の外側にそれぞれ配される。
【0017】
画素駆動部250は、第1基板100の接続部150と電気的に接続され、画素部110の駆動を制御する。画素駆動部250はY方向に延在して、1対の露光制御部240のX方向の外側にそれぞれ配される。
【0018】
接続部260は、第1基板100および第3基板300と電気的に接続され、第3基板300からの画素信号を第1基板100に受け渡す。接続部260はY方向に延在して、1対の画素駆動部250のX方向の外側にそれぞれ配される。
【0019】
第3基板300は、画像処理部310、接続部330、読出部340、360を有する。第3基板300を画像処理チップと称することがある。
【0020】
本例の画像処理部310は、第3基板300において、制御回路部210と対向する位置に配置されている。すなわち、画像処理部310は、第3基板300において中央寄りに配される。画像処理部310は、制御回路部210が出力した画素信号に対する画像処理を行う。
【0021】
接続部330は、画像処理部310および第2基板200の読出部230と電気的に接続される。これにより、接続部330は、読出部230により制御回路部210から読み出された画素信号を画像処理部310に受け渡す。接続部330はY方向に延在して、画像処理部310のX方向の外側にそれぞれ1対配される。
【0022】
読出部340は、画像処理部310および第2基板200の露光制御部240に電気的に接続される。これにより、読出部340は、画像処理部310から読み出した画素信号を露光制御部240に受け渡す。読出部340はY方向に延在して、接続部330のそれぞれのX方向の外側に配される。
【0023】
読出部360は、画像処理部310および第2基板200の接続部260に電気的に接続される。これにより、読出部360は、画像処理部310から読み出した画素信号を接続部260に受け渡す。読出部360はY方向に延在して、読出部340のそれぞれのX方向の外側に配される。
【0024】
図2は、画素部110の具体的な構成の一例を示す。本例では、画素部110と、画素部110に設けられた画素ブロック120の拡大図を示している。
【0025】
画素部110は、行方向および列方向に沿って並んで配置された複数の画素ブロック120を有する。本例の画素部110は、M×N個(M,Nは、自然数)の画素ブロック120を有する。本例では、MがNと等しい場合を図示しているが、MとNは異なっていてもよい。
【0026】
画素ブロック120は、少なくとも1つの画素112を有する。本例の画素ブロック120は、m×n個(m,nは、自然数)の画素112を有する。例えば、画素ブロック120は、16×16個の画素112を有する。画素ブロック120に対応する画素112の個数はこれに限定されない。本例では、mがnと等しい場合を図示しているが、mはnと異なっていてもよい。画素ブロック120は、行方向において共通の制御線に接続された複数の画素112を有する。例えば、画素ブロック120のそれぞれの画素112は、同一の露光時間に設定されるように共通の制御線に接続されている。一例において、行方向に並ぶn個の画素112が共通の制御線によって接続される。
【0027】
一方、複数の画素ブロック120同士では、それぞれ異なる露光時間に設定されてよい。即ち、画素ブロック120のそれぞれの画素112は同一の露光時間であるが、他の画素ブロック120では異なる露光時間に設定されてよい。例えば、画素ブロック120の画素112が行方向に共通の制御線で接続されている場合に、他の画素ブロック120の画素112が異なる制御線で共通に接続される。
【0028】
画素ブロック120は、後述する制御ブロック220に対応して配置される。本実施形態では、1つの制御ブロック220に対して、1つの画素ブロック120が配置されている。
【0029】
画素112は、光を電荷に変換する光電変換機能を有する。画素112は、光電変換された電荷を蓄積する。m個の画素112は、列方向に沿って並んで配置され、共通の信号線122に接続されている。そして、m個の画素112は、画素ブロック120において、行方向にn列並んで配列されている。
【0030】
換言すれば、画素ブロック120は、共通の制御線で接続された複数の画素112のあつまりである。また、画素ブロック120は、同一の露光時間が設定される複数の画素112の回路の最小単位であるともいえる。
【0031】
図3は、画素112の回路構成の一例を示す。画素112は、光電変換部104と、転送部123と、排出部124と、リセット部126と、画素出力部127とを備える。画素出力部127は、増幅部128および選択部129を有する。本例では、転送部123、排出部124、リセット部126、増幅部128および選択部129は、Nチャンネル型FETとして説明するが、トランジスタの種類はこれに限られない。
【0032】
光電変換部104は、光を電荷に変換する光電変換機能を有する。光電変換部104は、光電変換された電荷を蓄積する。光電変換部104は、例えば、フォトダイオードである。
【0033】
転送部123は、光電変換部104に蓄積された電荷を蓄積部125に転送する。転送部123は、光電変換部104の電荷を転送するトランスファーゲートの一例である。換言すれば、転送部123をゲートとし、光電変換部104をソースとし、蓄積部125をドレインとして、これらがいわゆる転送トランジスタを構成している。転送部123のゲート端子は、制御信号φTX1を入力するための画素ブロック120ごとのローカルな転送制御線に接続される。
【0034】
排出部124は、光電変換部104に蓄積された電荷を電源電圧VDDが供給される電源配線に排出する。排出部124のゲート端子は、排出制御信号φTX2を入力するための画素ブロック120ごとのローカルな排出制御線に接続される。なお、本例では、排出部124は、光電変換部104の電荷を電源電圧VDDが供給される電源配線に排出するとして説明したが、電源電圧VDDとは異なる電源電圧が供給される電源配線に排出してもよい。
【0035】
蓄積部125は、転送部123により光電変換部104からの電荷が転送される。蓄積部125は、フローティングディフュージョン(FD)の一例である。
【0036】
リセット部126は、蓄積部125の電荷を所定の電源電圧VDDが供給される電源配線に排出する。リセット部126のゲート端子は、リセット制御信号φRSTを入力するための複数の画素ブロック120にわたるグローバルなリセット制御線に接続される。
【0037】
画素出力部127は、蓄積部125の電位に基づく信号を信号線122に出力する。画素出力部127は、増幅部128および選択部129を有する。増幅部128は、ゲート端子が蓄積部125に接続され、ドレイン端子が電源電圧VDDの供給される電源配線に接続され、ソース端子が選択部129のドレイン端子に接続される。
【0038】
選択部129は、画素112と信号線122の間の電気的な接続を制御する。選択部129により画素112と信号線122が電気的に接続されると、画素112から信号線122に画素信号が出力される。選択部129のゲート端子は、選択制御信号φSELを入力するための複数の画素ブロック120にわたるグローバルな選択制御線に接続される。選択部129のソース端子は負荷電流源121に接続されている。
【0039】
負荷電流源121は、信号線122に電流を供給する。負荷電流源121は、第1基板100に設けられてもよいし、第2基板200に設けられてもよい。
【0040】
以降、光電変換部104に蓄積された電荷、蓄積部125に転送された電荷および蓄積部125の電位に基づく信号のいずれか、または、これらを総称して、画素信号と称する場合がある。
【0041】
付言すれば、画素112は少なくとも1つの光電変換部104と、当該少なくとも1つの光電変換部104からの画像信号を信号線122に読み出す読出部としての画素出力部127と、を備えている。画素112は、画像を構成する画素信号を信号線122に出力する回路の最小単位であるともいえる。
【0042】
図4は、制御回路部210のより具体的な構成の一例を示す。本例では、制御回路部210と、制御回路部210に設けられた制御ブロック220の拡大図を示している。
【0043】
制御回路部210は、行方向および列方向に沿って並んで配置された制御ブロック220を有する。本例の制御回路部210は、M×N個の制御ブロック220を有する。
【0044】
制御ブロック220は、画素ブロック120に対応した位置にそれぞれ配置される。例えば、制御ブロック220と画素ブロック120は第1基板100と第2基板200の積層方向から見て重なった位置に配される。この場合に、制御ブロック220と画素ブロック120の面積は隣接するブロック間のマージンを含めて略同一であってよい。
【0045】
制御ブロック220は、対応する画素ブロック120の駆動を制御する。例えば、制御ブロック220は、画素ブロック120の露光時間を制御する。また、制御ブロック220は、ADコンバータ等の処理回路を有し、画素ブロック120が出力した信号を処理する。一例において、制御ブロック220は、対応する画素ブロック120から出力されたアナログの画素信号をデジタル信号に変換する。本例の制御ブロック220は、露光制御部10と、画素駆動部20と、接合部30と、変換部40と、信号出力部50とを備える。
【0046】
露光制御部10は、複数の画素112の露光を制御する。露光制御部10は、画素112の露光時間を制御するための信号を生成する。一例において、露光制御部10は、露光の開始タイミングまたは終了タイミングの少なくとも1つを調整して、画素ブロック120毎の露光時間を制御する。
【0047】
画素駆動部20は、信号の出力先である複数の画素112と電気的に接続される。画素駆動部20は、露光制御部10からの信号に基づき、複数の画素112から、任意の画素112を選択して駆動する。画素駆動部20は、列方向に配置されたm個の画素112と対応した位置に配置されている。撮像素子400は、入射光の強度に応じて、画素ブロック120毎に露光時間を設定が可能であるため、ダイナミックレンジを拡大することができる。
【0048】
接合部30は、信号の入力元である複数の画素112と電気的に接続される。接合部30は、画素112から入力された画素信号を変換部40に入力する。接合部30は、行方向に配置されたn個の画素112に対応して設けられ、変換部40に画素信号を列毎に入力する。
【0049】
変換部40は、画素部110が出力したアナログ信号をデジタル変換する。本例の変換部40は、アナログの画素信号をデジタル信号に変換する。変換部40は、列方向に配列されたm個の画素112からのアナログ信号を順次デジタル変換する。変換部40は、行方向にn列に並んだ画素112からのアナログ信号を並列にデジタル変換する。これは、一つの画素ブロック120に対していわゆるカラムADC方式であるともいえる。
【0050】
信号出力部50は、変換部40からデジタル信号を受信する。一例において、信号出力部50は、デジタル信号を一時的に記憶する。信号出力部50は、デジタル信号を記憶するためのラッチ回路を有してよい。
【0051】
なお、1つの画素ブロック120に対して1つの制御ブロック220を設けることに代えて、N個(Nは2以上の自然数)の画素ブロック120に対して1つの制御ブロック220を設けてもよい。1つの画素ブロックに対応したN個の画素ブロック120を画素ブロック群と称することがある。例えば、列方向に沿って並んで配置された2つの画素ブロック120を1つの画素ブロック群として、1つの制御ブロック220を設けてもよい。この場合、制御ブロック220は、画素ブロック120毎に露光時間を制御してもよい。
【0052】
付言すれば、制御ブロック220は、少なくとも1つの画素ブロック120に電気的に接続され、当該少なくとも1つの画素ブロック120の画素112を制御する回路の最小単位であるともいえる。また、制御回路部210は、制御ブロック220の群で構成されているともいえる。
【0053】
図5は、撮像素子400の配線方法の一例を説明するための模式的な断面図である。図5において、複数の信号線(例えばビット数に対応する互いに並行する信号線)を1本の信号線で代表して示している場合がある。
【0054】
画素駆動部250は、接続部150を介して、それぞれの画素ブロック120に信号を出力するリセット制御線143、選択制御線145に接続されている。画素駆動部250は、リセット制御線143を介して複数の画素ブロック120に、リセット制御信号φRSTを供給し、選択制御線145を介して選択制御信号φSELを供給する。
【0055】
露光制御部240は、転送選択制御線242を介して複数の制御ブロック220に転送選択制御信号φTXSELおよび露光時間に対応する信号TXDATAを供給する。転送選択制御信号φTXSELおよび信号TXDATAは、画素ブロック120毎の露光時間を制御するために、制御ブロック220の露光制御部10に供給される。転送選択制御信号φTXSELが供給された制御ブロック220は画素駆動部20から、転送選択制御信号φTXSELを対応する画素ブロック120に出力する。画素ブロック120は、転送選択制御信号φTXSELおよび信号TXDATAに基づいて、転送制御信号φTX1または排出制御信号φTX2を画素112に入力するか否かを決定する。これにより、画素112への転送制御信号φTX1または排出制御信号φTX2の入力されたりスキップされたりする。
【0056】
例えば、制御ブロック220は、転送制御信号φTX1が露光の終了時刻を決定する場合、転送制御信号φTX1をスキップさせることによって露光時間を延長する。また、制御ブロック220は、転送制御信号φTX1が露光の開始時刻を決定する場合、転送制御信号φTX1をスキップさせることによって露光時間を短縮できる。このように、転送選択制御信号φTXSELによって、画素ブロック120の露光時間を調整することができる。排出制御信号φTX2が露光の開始時刻または終了時刻を決定する場合も同様である。
【0057】
リセット制御線143、選択制御線145および転送選択制御線242は、グローバルに配線されている、すなわち、複数の画素ブロック120に共通して設けられる。本例のリセット制御線143、選択制御線145および転送選択制御線242は、行方向に画素部110を横断するように配線されている。リセット制御線143、選択制御線145および転送選択制御線242は、列方向に画素部110を横断するように配線されてもよい。
【0058】
例えば、リセット制御線143は、画素ブロック120のリセット部126のゲート端子に接続され、リセット制御信号φRSTを供給する。選択制御線145は、画素ブロック120の選択部129のゲート端子に接続され、選択制御信号φSELを供給する。また、転送選択制御線242は、複数の制御ブロック220のそれぞれに接続され、露光制御部10に転送選択制御信号φTXSELおよび信号TXDATAを供給する。
【0059】
一方、制御ブロック220の画素駆動部20からのローカルな制御線である転送制御線141および排出制御線142は、画素ブロック120に接続される。本例の転送制御線141は、画素ブロック120に設けられた転送部123のゲート端子に接続される。転送制御線141は、画素駆動部20から出力された転送制御信号φTX1を画素ブロック120に供給する。本例の排出制御線142は、画素ブロック120に設けられた排出部124のゲート端子に接続される。排出制御線142は、画素駆動部20から出力された排出制御信号φTX2を画素ブロック120に供給する。
【0060】
接合部30は、信号線122および電源線130に接続される。接合部30は、基準電位VGNDに設定されたグランド線132に接続される。接合部30は、画素信号を対応して設けられた変換部40に出力する。例えば、変換部40は、行方向にn個設けられる。
【0061】
グランド線132は、予め定められた基準電位VGNDに設定される。本例のグランド線132は、行方向に第1基板100を横断するように配線されている。
【0062】
複数のバンプ152は、第1基板100および第2基板200が互いに接合する接合面に設けられる。第1基板100のバンプ152は、第2基板200のバンプ152と位置合わせされている。対向する複数のバンプ152は、第1基板100および第2基板200の加圧処理等により接合されて、電気的に接続される。
【0063】
本例の撮像素子400は、ローカルな制御線によって、転送部123および排出部124の少なくとも1つのタイミングを変化させることにより、画素ブロック120毎に露光時間を制御する。撮像素子400は、ローカルな制御線とグローバルな制御線を組み合わせることにより、より少ない制御線で露光時間の制御を実現することができる。
【0064】
制御ブロック220の信号出力部50は、信号線232により読出制御部270および読出部230に接続されている。読出制御部270の制御により、信号出力部50に記憶されている画素信号が読出部230に読み出される。付言すれば、上記の露光制御部240および画素駆動部250は、読出部230を挟んで制御回路部210と反対側に配される。なお、断面図として示す都合上、図5では読出制御部270と読出部230とを同じ位置に描いている。
【0065】
図6は、読出制御部270a、270bおよび読出部230a、230bの接続関係を示す模式図である。図1で説明した通り、本例では制御回路部210を挟んで1対の読出制御部270a、270bが設けられるとともに、制御回路部210を挟んで読出部230a、230bが設けられる。
【0066】
読出制御部270a、270bは制御回路部210のX方向に沿った辺に隣接して設けられる。読出制御部270aは制御回路部210のうちの一部、例えば制御回路部210の上半分に含まれる制御ブロック220に信号線232aで接続されている。一方、読出制御部270aは制御回路部210のうちの他の一部、例えば下半分の制御ブロック220に信号線232bで接続されている。この場合、信号線232a、232bはそれぞれ列方向の制御ブロック220に共通して接続される。
【0067】
読出部230a、230bは制御回路部210のY方向に沿った辺に隣接して設けられる。読出部230aは制御回路部210のうちの一部、例えば制御回路部210の上半分に含まれる制御ブロック220に信号線232cで接続されている。一方、読出部230bは制御回路部210のうちの他の一部、例えば下半分の制御ブロック220に信号線232dで接続されている。この場合、信号線232c、232dはそれぞれ行方向の制御ブロック220に共通して接続される。
【0068】
これにより、制御回路部210の上半分に含まれる制御ブロック220は、読出制御部270aによって制御されて、画素信号を読出部230aに出力する。一方、制御回路部210の下半分に含まれる制御ブロック220は、読出制御部270bによって制御されて、画素信号を読出部230bに出力する。
【0069】
図6には読出部230aの一部である読出回路234の一例が示されている。読出回路234はいわゆるセンスアンプと呼ばれる回路を含む。この例による読出回路234は、信号出力部50からの画素信号が入力されるコンパレータ235と、入力の手前に配され、プリチャージが加えられるトランジスタ236、237、238とを有する。この読出回路234は、信号出力部50に記憶されている信号がH(ハイ)であるかL(ロー)を判定する場合に、各判定閾値までの電位差が一般的なCMOS論理回路よりも数分の一程度の小さい電位差で高速に判定して、出力することができる。その一方、判定に係る電位差が小さいのでノイズが載ることを避けることが好ましい。
【0070】
付言すれば、他の制御信号、例えば、露光制御部240から転送選択制御線242により出力される転送選択制御信号φTXSELはデジタルの信号であり、かつ、その電圧は読出回路234で判定される電位差に比べて大きい。したがって、転送選択制御線242が読出部230を跨ぐように配されても、ノイズによる影響を受けにくい。
【0071】
本実施形態において、読出部230a、230bは制御回路部210に隣接して設けられる。付言すれば、読出部230a、230bと制御回路部210との間に、他の回路、例えば露光制御部240は設けられていない。すなわち、読出部230a、230bは、他の回路、例えば露光制御部240よりも制御回路部210の近くに設けられている。よって、制御回路部210から読出回路234への信号線232c、232dにノイズが載り難く、誤動作を防ぐことができる。
【0072】
図5にもどり、読出部230は第3基板300の接続部330と貫通電極62、362によって接続されている。接続部330は信号線332で画像処理部310に接続されている。したがって、読出部230により制御ブロック220から読み出された画素信号は接続部330を介して画像処理部310に入力される。
【0073】
読出部340は、信号線342により画像処理部310に接続されるとともに、貫通電極62、362によって第2基板200の露光制御部240に接続されている。読出部340は、画像処理部310から画像処理された画素信号を読み出す。さらに読出部340は、読み出した画素信号を、貫通電極364、64を介して露光制御部240に出力する。露光制御部240は、入力された画素信号に基づいて、例えば、画像処理部310の画像処理として算出したコントラストなどに基づいて、転送選択制御信号φTXSELを制御ブロック220の各々に供給する。
【0074】
読出部360は、信号線361により画像処理部310に接続されるとともに、貫通電極62、362によって第2基板200の接続部260に接続されている。接続部260はバンプ152によってI/O部160に接続されている。これにより、読出部340は、例えば画像処理部310から画像処理された画素信号を読み出して、I/O部160から、撮像素子400の外部に出力することができる。
【0075】
付言すれば、第1基板100と第2基板200とは配線側が接合されるのでバンプ152によって電気的に接続されている。一方、第2基板200と第3基板300とは基板側が接合されるので、貫通電極62、362で電気的に接続されている。これらに代えて、第1基板100と第2基板200とを貫通電極を用いて基板側で電気的に接続し、第2基板200と第3基板300とをバンプを用いて配線側で電気的に接続してもよい。
【0076】
以上、本実施形態によれば、読出部230a、230bは制御回路部210に隣接して設けられるので、制御回路部210から読出回路234への信号線232c、232dにノイズが載り難く、誤動作を防ぐことができる。
【0077】
なお、本実施形態において、読出制御部270が一対設けられるとともに読出部230が一対設けられている。これに代えて、読出制御部270および読出部230をそれぞれ1つ設けて、すべての制御ブロック220に接続してもよい。さらに、本実施形態において、読出制御部270が制御回路部210のY方向側に配され、読出部230が制御回路部210のX方向側に配されている。これに代えて、読出制御部270が制御回路部210のX方向側に配され、読出部230が制御回路部210のY方向側に配されてもよい。
【0078】
図7は、読出制御部270h~270kおよび読出部230h~230kの他の接続関係を示す模式図である。本例では制御回路部210が上下左右の4つの制御ブロック群に分かれて制御される。
【0079】
右上すなわち第一象限の制御ブロック220は、X方向に隣接して配された読出制御部270hと信号線232pで接続されるとともに、Y方向に隣接して配された読出部230hと信号線232qで接続される。これにより、制御回路部210の第一象限に含まれる制御ブロック220は、読出制御部270hによって制御されて、画素信号を読出部230hに出力する。
【0080】
左上すなわち第二象限の制御ブロック220は、Y方向に隣接して配された読出制御部270iと信号線232rで接続されるとともに、X方向に隣接して配された読出部230iと信号線232sで接続される。これにより、制御回路部210の第二象限に含まれる制御ブロック220は、読出制御部270iによって制御されて、画素信号を読出部230iに出力する。
【0081】
左下すなわち第三象限の制御ブロック220は、X方向に隣接して配された読出制御部270jと信号線232tで接続されるとともに、Y方向に隣接して配された読出部230jと信号線232uで接続される。これにより、制御回路部210の第三象限に含まれる制御ブロック220は、読出制御部270jによって制御されて、画素信号を読出部230jに出力する。
【0082】
右下すなわち第四象限の制御ブロック220は、Y方向に隣接して配された読出制御部270kと信号線232vで接続されるとともに、X方向に隣接して配された読出部230kと信号線232wで接続される。これにより、制御回路部210の第四象限に含まれる制御ブロック220は、読出制御部270kによって制御されて、画素信号を読出部230kに出力する。
【0083】
図8は他の撮像素子900の概要を示す図であり、図9は撮像素子900の接続関係を示す模式的な断面図である。図8および図9の撮像素子900において、図1から図7の撮像素子400と同じ構成については同じ参照番号を付して説明を省略する。
【0084】
撮像素子900において、撮像素子400の画素駆動部250に対応する画素駆動部650が第1基板600に設けられている。これに伴い、第1基板600には、撮像素子400の接続部150に対応する構成が配されていない。また、第2基板700には、撮像素子400の画素駆動部250に対応する構成は設けられていない。
【0085】
撮像素子900においても、読出制御部270は、制御回路部210および読出部230は、制御回路部210に隣接して配置されている。付言すれば、読出部230と制御回路部210との間に、他の回路、例えば露光制御部240は設けられていない。すなわち、読出部230は、他の回路、例えば露光制御部240よりも制御回路部210の近くに設けられている。よって、制御回路部210から読出部230への信号線232にノイズが載り難く、誤動作を防ぐことができる。
【0086】
なお、上記いずれの実施形態においても、画素112の第2転送部124を省略してもよい。さらに、第1転送部123も省略してもよいが、その場合には蓄積部125はフローティングディフュージョンとしての機能を有しなくなる。また、蓄積部125、画素出力部127を他の画素と共有してもよい。また、画素112は複数の光電変換部104および第1転送部123で構成してもよい。
【0087】
また、第1基板100、600と第2基板200、700とは、バンプ152により機械的にも接合されるが、これに加えて、電気的な接続に関与しないダミーバンプを複数設けたり、接着剤を用いることにより基板同士の機械的な接合強度を高めてもよい。これに代えてまたはこれに加えて、バンプ152は主に電気的な接続を担い、これとは別個に基板の接合面を活性化させて接合面同士を接合することで機械的な強度を保ってもよい。第2基板200、700と第3基板300、800も同様に、電気的な接続の他に、または、それに加えて、ダミーバンプ、接着剤、活性化による接合等により、機械的な強度を保ってもよい。
【0088】
図10は、実施例に係る撮像装置500の構成例を示すブロック図である。撮像装置500は、撮像素子400と、システム制御部501と、駆動部502と、測光部503と、ワークメモリ504と、記録部505と、表示部506と、駆動部514と、撮影レンズ520とを備える。撮像素子400を備える例で説明するが、これに代えて撮像素子900を備えてもよい。
【0089】
撮影レンズ520は、光軸OAに沿って入射する被写体光束を撮像素子400へと導く。撮影レンズ520は、複数の光学レンズ群から構成され、シーンからの被写体光束をその焦点面近傍に結像させる。撮影レンズ520は、撮像装置500に対して着脱できる交換式レンズであってもよい。なお、図10では瞳近傍に配置された仮想的な1枚のレンズで当該撮影レンズ520を代表して表している。
【0090】
駆動部514は、撮影レンズ520を駆動する。一例において、駆動部514は、撮影レンズ520の光学レンズ群を移動させて合焦位置を変更する。また、駆動部514は、撮影レンズ520内の虹彩絞りを駆動して撮像素子400に入射する被写体光束の光量を制御してよい。
【0091】
駆動部502は、システム制御部501からの指示に従って撮像素子400のタイミング制御、領域制御等の電荷蓄積制御を実行する制御回路を有する。また、操作部508は、レリーズボタン等により撮像者からの指示を受け付ける。
【0092】
撮像素子400は、画素信号をシステム制御部501の画像処理部511へ引き渡す。画像処理部511は、ワークメモリ504をワークスペースとして種々の画像処理を施した画像データを生成する。例えば、JPEGファイル形式の画像データを生成する場合は、ベイヤー配列で得られた信号からカラー映像信号を生成した後に圧縮処理を実行する。生成された画像データは、記録部505に記録されるとともに、表示信号に変換されて予め設定された時間の間、表示部506に表示される。
【0093】
測光部503は、画像データを生成する一連の撮影シーケンスに先立ち、シーンの輝度分布を検出する。測光部503は、例えば100万画素程度のAEセンサを含む。システム制御部501の演算部512は、測光部503の出力を受けてシーンの領域ごとの輝度を算出する。
【0094】
演算部512は、算出した輝度分布に従ってシャッタ速度、絞り値、ISO感度を決定する。測光部503は撮像素子400で兼用してもよい。なお、演算部512は、撮像装置500を動作させるための各種演算も実行する。駆動部502は、一部または全部が撮像素子400に搭載されてよい。システム制御部501の一部が撮像素子400に搭載されてもよい。また、撮像素子400に代えて撮像素子900を用いてもよい。
【0095】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0096】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【0097】
10 露光制御部、20 画素駆動部、30 接合部、40 変換部、50 信号出力部、62、64、362、364 貫通電極、100、600 第1基板、104 光電変換部、110 画素部、112 画素、120 画素ブロック、121 負荷電流源、122、232、332、342、361 信号線、123 転送部、124 排出部、125 蓄積部、126 リセット部、127 画素出力部、128 増幅部、129 選択部、130 電源線、132 グランド線、141 転送制御線、142 排出制御線、143 リセット制御線、145 選択制御線、150 接続部、152 バンプ、160 I/O部、200、700 第2基板、210 制御回路部、220 制御ブロック、230 読出部、236、237、238 トランジスタ、240 露光制御部、242 転送選択制御線、250、650 画素駆動部、260 接続部、270 読出制御部、300、800 第3基板、310 画像処理部、330 接続部、340、360 読出部、400、900 撮像素子、500 撮像装置、501 システム制御部、502 駆動部、503 測光部、504 ワークメモリ、505 記録部、506 表示部、508 操作部、511 画像処理部、512 演算部、514 駆動部、520 撮影レンズ
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10