特開 2022-162487 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022162487

(43)【公開日】2022-10-24

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221017BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20221017BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20221017BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20221017BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 X

H05K3/00 J

H05K3/46 Q

H01L23/12 F

H01L23/12 N

H01L21/78 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021067403

(22)【出願日】2021-04-12

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112472

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 弘

(74)【代理人】

【識別番号】100202223

【弁理士】

【氏名又は名称】軸見 可奈子

(72)【発明者】

【氏名】谷口 普崇

(72)【発明者】

【氏名】石原 暁秀

【テーマコード（参考）】

5E316

5F063

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG26

5E316GG28

5E316HH32

5E316JJ12

5F063BA17

5F063BA48

(57)【要約】

【課題】キャビティの底面の外縁部が、ルータによる切削加工溝が形成されるために利用を制限されることがあり、そのような制限を少なくする技術の開発が求められている。
【解決手段】配線基板は、配線基板の表裏の一方の面に開口し、切削加工面である内壁面を有するキャビティと、前記キャビティの底面の外縁部に設けられ、前記キャビティの前記内壁面に連続して形成されている切削加工溝と、を備える配線基板であって、前記キャビティは、前記配線基板の一側面に開口する側面開口を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板の表裏の一方の面に開口し、切削加工面である内壁面を有するキャビティと、
前記キャビティの底面の外縁部に設けられ、前記キャビティの前記内壁面に連続して形成されている切削加工溝と、を備える配線基板であって、
前記キャビティは、前記配線基板の一側面に開口する側面開口を有する。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板であって、
前記キャビティの底面のうち前記側面開口により前記一側面に開放される外縁部が、段付き状に陥没するように切削加工されてなる段差部が設けられている。

【請求項3】

請求項２に記載の配線基板であって、
前記段差部の下段面の幅は、前記切削加工溝の幅より狭い。

【請求項4】

前記１から３の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティは、平面視四角形状をなし、前記キャビティの１辺に前記側面開口が設けられ、前記キャビティの残りの３辺に前記内壁面が設けられている。

【請求項5】

請求項１から４の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティの底面のうち外縁部を除く全体が、導電層が露出している部品搭載用パッドになっている。

【請求項6】

多層構造の配線基板の一部の層間に剥離層を配置することと、
前記配線基板の表裏の一方から前記剥離層を貫通する位置までルータを突入させて前記配線基板の前記一部を包囲するようにルータを走らせることと、
前記配線基板の前記一部を前記層間で剥離させてキャビティを形成することと、を含む配線基板の製造方法であって、
前記キャビティに、前記配線基板の一側面に開口する側面開口が形成されるようにルータを走らせることを含む。

【請求項7】

請求項６に記載の配線基板の製造方法であって、
前記キャビティの底面のうち前記側面開口により前記一側面に開放される外縁部に、段付き状に陥没する段差部が形成されるようにルータを走らせることを含む。

【請求項8】

請求項７に記載の配線基板であって、
前記配線基板の前記一部を包囲するようにルータを走らせる際に、前記キャビティの底面の外縁部となる位置に切削加工溝を形成することと、
前記段差部の下段面の幅が前記切削加工溝の幅より狭くなるようにルータを走らせることと、を含む。

【請求項9】

請求項６から８の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティを、平面視四角形状に形成することと、
前記キャビティの１辺に前記側面開口が形成されるようにルータを走らせることと、を含む。

【請求項10】

請求項６から９の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記配線基板の前記一部に配置される導電層上に、前記表裏の一方から前記剥離層を配置することと、
前記配線基板の前記一部を包囲するようにルータを走らせる際に、前記配線基板の表裏の一方から前記導電層を貫通する位置までルータを突入させることと、
前記キャビティの底面に残る前記導電層により、前記キャビティの底面うち外縁部を除く全体に露出する部品搭載用パッドを形成することと、を含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板とその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来からキャビティを有する配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。キャビティを形成するために、例えば、ルータを用いた切削加工が行われる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－２４５５３０号公報（図１Ｃ等）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記した従来の配線基板では、キャビティの底面の外縁部が、ルータ等による切削加工溝が形成されるために利用を制限されることがあり、そのような制限を少なくする技術の開発が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る配線基板は、配線基板の表裏の一方の面に開口し、切削加工面である内壁面を有するキャビティと、前記キャビティの底面の外縁部に設けられ、前記キャビティの前記内壁面に連続して形成されている切削加工溝と、を備える配線基板であって、前記キャビティは、前記配線基板の一側面に開口する側面開口を有する。

【0006】

本開示の一態様に係る配線基板の製造方法は、多層構造の配線基板の一部の層間に剥離層を配置することと、前記配線基板の表裏の一方から前記剥離層を貫通する位置までルータを突入させて前記配線基板の前記一部を包囲するようにルータを走らせることと、前記配線基板の前記一部を前記層間で剥離させてキャビティを形成することと、を含む配線基板の製造方法であって、前記キャビティに、前記配線基板の一側面に開口する側面開口が形成されるようにルータを走らせることを含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の第１実施形態の配線基板の側断面図

【図2】配線基板の平面図

【図3】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図4】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図5】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図6】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図7】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図8】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図9】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図10】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図11】配線基板の製造工程を示す平面図

【図12】配線基板の製造工程を示す側断面図

【図13】第２実施形態の配線基板の平面図

【図14】配線基板の製造工程を示す側断面図

【発明を実施するための形態】

【0008】

［第１実施形態］
以下、本実施形態を図１～図１２を参照して説明する。本実施形態の配線基板１０は、図１に示されるように、コア基板１１の表裏の一方の面である第１面１１Ｆ上に第１ビルドアップ部１２Ａが積層され、コア基板１１の表裏の他方の面である第２面１１Ｓ上に第２ビルドアップ部１２Ｂが積層されてなる。

【0009】

コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋに表裏の両側（第１面１１Ｆ側と第２面１１Ｓ側）から導電層１３が積層されてなる。第１面１１Ｆの導電層１３と、第２面１１Ｓの導電層１３とは、それぞれ所定パターンに形成され、絶縁性基材１１Ｋを貫通するスルーホール導体１４によって接続されている。

【0010】

第１ビルドアップ部１２Ａと第２ビルドアップ部１２Ｂは、それぞれコア基板１１側から層間絶縁層１５と導電層１６とが交互に積層されている構造を有する。隣り合う導電層１６同士は、層間絶縁層１５を貫通する複数のビア導体１５Ｄによって接続されている。ビア導体１５Ｄは、コア基板１１に近づくにつれて縮径されるテーパー状になっている。層間絶縁層１５は、例えば、プリプレグ（ガラスクロス等の繊維からなる心材を樹脂含侵してなるＢステージの樹脂シート）又はビルドアップ基板用の絶縁フィルム（心材を有さず、例えば、無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）で構成されている。

【0011】

第１ビルドアップ部１２Ａ及び第２ビルドアップ部１２Ｂの導電層１６のうち最も外側（最もコア基板１１から離れた側）に配置される最外の導電層１６上には、ソルダーレジスト層１７が形成されている。ソルダーレジスト層１７には、開口部１７Ａが形成され、上記最外の導電層１６のうち開口部１７Ａによってソルダーレジスト層１７から露出する部分によりパッド１８が形成されている。

【0012】

配線基板１０の表裏の一方の面である第１面１０Ｆには、キャビティ２０が開口している。キャビティ２０は、第１ビルドアップ部１２Ａを貫通し、キャビティ２０の底面２０Ｍに、コア基板１１の第１面１１Ｆを露出させている。具体的には、キャビティ２０の底面２０Ｍには、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１３が露出し、その露出部分により、部品搭載用のパッド２１が形成されている。なお、パッド２１には、キャビティ２０に収容される電子部品１００が搭載される。

【0013】

本実施形態の例では、キャビティ２０の内壁面４０は、機械加工により形成されている。具体的には、内壁面４０は、切削加工により形成される切削加工面になっていて、この切削加工面は、ルータの側面加工で形成される。

【0014】

キャビティ２０の底面２０Ｍの外縁部には、溝３０が形成されている。本実施形態の例では、溝３０は、機械加工により形成されていて、具体的には、ルータの先端部により形成された切削加工溝になっている。溝３０（詳細には、溝３０の内面）は、キャビティ２０の内壁面４０に連続して形成されている。溝３０の内面は、溝底面３０Ｍと、溝３０の溝幅方向で対向する溝外周面３０Ｇ及び溝内周面３０Ｎと、からなる。溝外周面３０Ｇは、キャビティ２０の内壁面４０の延長上に配置されていて、内壁面４０と連続している。

【0015】

キャビティ２０には、配線基板１０の一側面１０Ｍに開口する側面開口２０Ｋが形成されている。図２に示されるように、本実施形態では、キャビティ２０は、平面視四角形状をなし、その１辺が側面開口２０Ｋにより配線基板１０の一側面１０Ｍに開放されている。キャビティ２０は、キャビティ２０の残りの３辺側からは、第１ビルドアップ部１２Ａに囲まれていて、それら３辺に内壁面４０及び溝３０が設けられている。

【0016】

図１及び図２に示されるように、キャビティ２０の底面２０Ｍの外縁部のうち、側面開口２０Ｋにより配線基板１０の一側面１０Ｍに開放されている１辺の外縁部には、段差部３４が形成されている。段差部３４は、キャビティ２０の底面２０Ｍの上記開放されている１辺の外縁部を、段付き状に陥没するように切削加工されてなる。具体的には、段差部３４の段差面３８が、ルータの側面により切削され、段差部３４において段差面３８により一段下げられた下段面３４Ｍが、ルータの先端面により切削されている。下段面３４Ｍは、配線基板１０の一側面１０Ｍと連絡されている。

【0017】

下段面３４Ｍは、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち一側面１０Ｍに開放されている１辺において、キャビティ２０の残りの３辺に延びる溝３０の両端間の全体に直線状に延びている。そして、段差部３４の下段面３４Ｍの幅Ｇ４は、溝３０の溝幅（具体的には、溝３０の溝底面３０Ｍの幅）よりも狭くなっている。詳細には、段差部３４の下段面３４Ｍの幅Ｇ４は、溝３０の第１溝部３１の幅Ｇ１と第２溝部３２の幅Ｇ２と第３溝部３３の幅Ｇ３の何れよりも、狭くなっている。なお、第１溝部３１は、溝３０のうち側面開口２０Ｋとは反対側の１辺の直線状の部分である。第２溝部３２と第３溝部３３は、それぞれ溝３０の残りの２辺の直線状の部分である。なお、本実施形態では、第１溝部３１の幅Ｇ１と、第２溝部３２の幅Ｇ２と、第３溝部３３の幅Ｇ３は、同じになっているが、少なくとも１つが異なっていてもよい。また、本実施形態では、溝３０は、深さ方向で略均一幅となるように形成されているが、例えば、溝底面３０Ｍに向かうにつれて溝幅を狭くするように形成されていてもよい。

【0018】

図１に示されるように、溝３０の溝底面３０Ｍと、段差部３４の下段面３４Ｍとは、コア基板１１の第１面１１Ｆから同じ深さに配置されて、滑らかに連続している。溝３０と段差部３４とは、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１３を貫通する深さに形成されている。本実施形態の例では、溝３０と段差部３４とは、コア基板１１全体を貫通する深さまで形成され、溝３０の溝底面３０Ｍと段差部３４の下段面３４Ｍとには、コア基板１１の第２面１１Ｓ上に配置される層間絶縁層１５が露出している。

【0019】

また、本実施形態の例では、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち外縁部を除く全体が（即ち、溝３０と段差部３４に囲まれた四角形状の部分全体が）、上述の部品搭載用のパッド２１になっている。なお、パッド２１は、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち外縁部を除く部分の一部のみに設けられていてもよい。

【0020】

本実施形態の配線基板１０は、例えば、以下のようにして製造される。
（１）図３（Ａ）に示されるように、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に銅箔１１Ｃがラミネートされている銅張積層板１１Ｚが用意される。なお、絶縁性基材１１Ｋは、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂と、ガラスクロスとを含んでいる。

【0021】

（２）図３（Ｂ）に示されるように、銅張積層板１１Ｚの両面にレーザーが照射され貫通孔１４Ｈが形成される。

【0022】

（３）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と貫通孔１４Ｈの内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。

【0023】

（４）図３（Ｃ）に示されるように、表裏の銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト５０が形成される。

【0024】

（５）電解めっき処理が行われ、図３（Ｄ）に示されるように、電解めっきが貫通孔１４Ｈ内に充填されてスルーホール導体１４が形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト５０から露出している部分に電解めっき膜１３Ｄが積層される。

【0025】

（６）めっきレジスト５０が除去されると共に、めっきレジスト５０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去され、図４（Ａ）に示されるように、残された電解めっき膜１３Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面上に導電層１３が形成される。絶縁性基材１１Ｋの両面上の導電層１３同士はスルーホール導体１４によって接続される。以上により、コア基板１１が形成される。

【0026】

（７）図４（Ｂ）に示されるように、コア基板１１の第１面１１Ｆ上の一部に剥離層５１が敷設される。剥離層５１は、例えば、剥離フィルムで構成されている。なお、例えば、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１３は、剥離層５１全体の下に配置されるように形成しておく。

【0027】

（８）図４（Ｃ）に示されるように、コア基板１１の両面に層間絶縁層１５としてのプリプレグと銅箔５２が積層されてから、加熱プレスされる。すると、コア基板１１の両面上に層間絶縁層１５が形成される。第１面１１Ｆ側の層間絶縁層１５により剥離層５１が覆われる。なお、上記加熱プレスの際、コア基板１１の表裏の両面において、導電層１３のパターンの非形成部分がプリプレグの樹脂により埋められる。なお、層間絶縁層１５として、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい。この場合、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔５２を積層することなく、直接、後述の（１１）における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。

【0028】

（９）図５（Ａ）に示すように、コア基板１１の両面の層間絶縁層１５，１５に、レーザーが照射されて、層間絶縁層１５を貫通する複数のビアホール１５Ｈが形成される。例えば、これら複数のビアホール１５Ｈは、剥離層５１と厚み方向で重ならない位置に形成される。

【0029】

（１０）無電解めっき処理が行われ、各層間絶縁層１５上に積層されている銅箔５２上と、ビアホール１５Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。

【0030】

（１１）図５（Ｂ）に示すように、各層間絶縁層１５に積層されている銅箔５２上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト５３が形成される。例えば、めっきレジスト５３は、下記（１３）で、導電層１６が、剥離層５１の真上に形成されないように、層間絶縁層１５のうち剥離層５１の真上に配置される部分全体を覆うように形成される。

【0031】

（１２）電解めっき処理が行われ、電解めっきがビアホール１５Ｈ内に充填されてビア導体１５Ｄが形成される（図６（Ａ）参照）。次いで、めっきレジスト５３が剥離されると共に、めっきレジスト５３の下側の無電解めっき膜及び銅箔５２が除去される。すると、図６（Ｂ）に示すように、層間絶縁層１５上に残された電解めっき膜１６Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔５２により、導電層１６が形成される。

【0032】

（１３）上述した（９）～（１２）と同様の工程が繰り返され、図７に示すように、コア基板１１の導電層１３上に層間絶縁層１５と導電層１６とが交互に所定の層数ずつ積層される。また、積層方向で隣り合う導電層１６同士が、層間絶縁層１５を貫通するビア導体１５Ｄによって接続される。これにより、コア基板１１の第１面１１Ｆ上に第１ビルドアップ部１２Ａが形成されると共に、コア基板１１の第２面１１Ｓ上に第２ビルドアップ部１２Ｂが形成される。

【0033】

（１４）図８に示されるように、コア基板１１から表裏の両側で最も離れている最外の導電層１６上にそれぞれソルダーレジスト層１７が積層される。

【0034】

（１５）図９に示されるように、コア基板１１の表裏の両面のソルダーレジスト層１７の所定箇所に、例えば、レーザー加工やフォトリソグラフィー処理により、開口部１７Ａが形成される。そして、最外の導電層１６のうち開口部１７Ａによりソルダーレジスト層１７から露出した部分でパッド１８が形成される。

【0035】

（１６）次いで、図１０に示されるように、第１ビルドアップ部１２Ａ上のソルダーレジスト層１７の上から剥離層５１を貫通する位置まで（例えばコア基板１１を貫通する位置まで）ルータ６０を突入させて剥離層５１の外縁部をなぞるように四角形の枠状にルータ６０を走らせ、環状の凹部５４を形成する。なお、ルータ６０は、その回転軸方向が、コア基板１１の厚み方向となるように配置される。このようにすることで、キャビティ２０の内壁面４０と、溝３０の溝外周面３０Ｇ及び溝内周面３０Ｎとを、コア基板１１に垂直に形成することが可能となる。

【0036】

（１７）層間絶縁層１５、導電層１６、ソルダーレジスト層１７、及び剥離層５１のうち、環状の凹部５４の内側に配置される部分が剥離されて除去され、キャビティ２０が形成される（図１１及び図１２参照）。すると、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１３のうち環状の凹部５４の内側に配置されていた部分が露出して、その露出部分によりパッド２１が形成される。また、凹部５４のうち導電層１３（パッド２１）より深い部分がパッド２１を取り囲む環状の切削加工溝３０Ａとなって残される。切削加工溝３０Ａは、例えば、全体が略均一幅になるように形成される。このようにして、親基板９０が得られる。

【0037】

（１８）次に、親基板９０をルータ６０により切断して配線基板１０を形成する。具体的には、図１１及び図１２の二点鎖線にて示されるように、親基板９０のうち、切削加工溝３０Ａの１辺部上に（詳細には、この１辺部の幅方向の途中位置に）切断面が形成されるようにルータ６０を走らせる。すると、図１及び図２に示されるように、この切断面から、配線基板１０の一側面１０Ｍが形成されると共に、キャビティ２０にこの一側面１０Ｍに開口する側面開口２０Ｋが形成される。また、ルータ６０により切断された切削加工溝３０Ａの１辺部の残った部分が配線基板１０の一側面１０Ｍに開放されて段差部３４が形成されると共に、切削加工溝３０Ａの残りの３辺部が上述の溝３０として残される。なお、親基板９０を切断するルータは、上記（１７）においてキャビティ２０の内壁面４０及び溝３０を形成するために用いられたルータ６０とは異なるものであってもよい。

【0038】

（１９）パッド２１に、例えば、有機保護膜（ＯＳＰ）の形成やＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき等の表面処理がなされる。以上により、配線基板１０が完成する。

【0039】

本実施形態の配線基板１０の構造及びその製造方法に関する説明は以上である。次に配線基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の配線基板１０では、キャビティ２０に配線基板１０の一側面１０Ｍに開口する側面開口２０Ｋが設けられるので、キャビティ２０の底面２０Ｍの外縁部に溝３０が設けられても、従来より利用の制限を少なくすることが可能となる。具体的には、例えば、従来の配線基板のように、キャビティ２０の底面２０Ｍの外縁部全体に、溝３０が形成されている場合、溝３０の上には電子部品１００を載置できないため、キャビティ２０の外縁部にデッドスペースが生じ易くなる。その結果、配線基板の利用が制限されることがある。これに対し、本実施形態の配線基板１０では、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち配線基板１０の一側面１０Ｍに開放される外縁部に、溝３０の代わりに段差部３４が形成され、この段差部３４の下段面３４Ｍの幅が溝３０の幅より狭くなっている。従って、キャビティ２０の底面２０Ｍの外縁部全体に溝３０が形成されている場合に比べて、キャビティ２０の外縁部のデッドスペースを少なくすることが可能となる。これにより、キャビティ２０や配線基板１０のコンパクト化を図ることが可能となると共に、配線基板１０の回路の高密度化を図ることが可能となる。

【0040】

また、段差部３４の下段面３４Ｍの幅が、溝３０の溝底面３０Ｍの幅よりも狭くなっていることで、配線基板１０の一側面１０Ｍにパッド２１を近づけて配置することができる。これにより、電子部品１００を一側面１０Ｍに近づけて配置させることができ、配線基板１０の一側方に配置される他の電子部品又は配線基板と、電子部品１００とを接続させ易くすることが可能となる。また、キャビティ２０が、配線基板１０の一側面１０Ｍに開放されていることで、電子部品１００の配置の自由度を高めることが可能となる。

【0041】

［第２実施形態］
本実施形態の配線基板１０Ｖは、段差部３４を有していない点と、製造方法の上記（２０）の工程において、第１実施形態の配線基板１０及びその製造方法と異なる。本実施形態の配線基板１０Ｖでは、親基板９０を切断して配線基板１０Ｖを形成する際に、図１３の二点鎖線にて示されるように、親基板９０のうち切削加工溝３０Ａの１辺部とパッド２１との境界を切断するか、又は、パッド２１を切断するように、ルータ６０を走らせる。これにより、図１４に示されるように、段差部３４を有さない配線基板１０Ｖが形成される。

【0042】

［他の実施形態］
（１）キャビティ２０が、四角形状の配線基板１０の角部に設けられてもよい。この場合、平面視四角形状のキャビティ２０の２辺に、配線基板１０の２側面に開口する側面開口２０Ｋが形成される。そして、キャビティ２０の残りの２辺には、内壁面４０と溝３０が形成される。

【0043】

（２）上記実施形態では、キャビティ２０が、平面視四角形状であったが、これに限定されず、例えば、四角形以外の多角形状であってもよいし、異形状であってもよい。

【0044】

（３）上記実施形態において、配線基板１０又は配線基板１０Ｖを形成する際の親基板９０の切断を、ルータの代わりにカッターで行ってもよい。

【0045】

（４）上記実施形態において、コア基板１１が設けられていなくてもよい。

【0046】

（５）上記実施形態では、配線基板１０又は配線基板１０Ｖが、親基板９０が切断されて形成されていたが、親基板９０が切断されずに親基板９０の縁部にキャビティ２０が形成されることで、キャビティ２０が一側面１０Ｍに開放される配線基板１０又は配線基板１０Ｖが形成されてもよい。例えば、配線基板１０を形成する場合、環状の凹部５４の１辺部が一側面１０Ｍに開放されるように環状の凹部５４を形成すればよい。

【0047】

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。

【符号の説明】

【0048】

１０，１０Ｖ 配線基板
２０ キャビティ
２０Ｍ 底面
２０Ｋ 側面開口
２１ パッド
３０ 溝
３４ 段差部
３４Ｍ 下段面
４０ 内壁面
５１ 剥離層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】