特開2022-190891液体吐出装置、液体吐出方法、成形装置及び物品の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022190891
(43)【公開日】2022-12-27
(54)【発明の名称】液体吐出装置、液体吐出方法、成形装置及び物品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20221220BHJP
B05C 9/12 20060101ALI20221220BHJP
B05C 11/10 20060101ALI20221220BHJP
B05C 11/00 20060101ALI20221220BHJP
B05C 5/00 20060101ALI20221220BHJP
B05D 1/26 20060101ALI20221220BHJP
B05D 3/00 20060101ALI20221220BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 502D
B05C9/12
B05C11/10
B05C11/00
B05C5/00 101
B05D1/26 Z
B05D3/00 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021099401
(22)【出願日】2021-06-15
(71)【出願人】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126240
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 琢磨
(74)【代理人】
【識別番号】100124442
【弁理士】
【氏名又は名称】黒岩 創吾
(72)【発明者】
【氏名】近藤 陽介
【テーマコード（参考）】
4D075
4F041
4F042
5F146
【Ｆターム（参考）】
4D075AC06
4D075AC09
4D075AC91
4D075AC93
4D075AC94
4D075BB06Z
4D075BB08Z
4D075BB26Z
4D075BB42Z
4D075BB50Z
4D075BB66Z
4D075BB85Z
4D075CA47
4D075CA48
4D075DA06
4D075DB14
4D075DC21
4D075DC24
4D075EA19
4D075EA21
4D075EA33
4F041AA02
4F041AA06
4F041BA01
4F041BA10
4F041BA13
4F042AA06
4F042AB00
4F042BA04
4F042BA08
4F042BA12
4F042BA19
4F042DB17
4F042DB41
4F042DF09
4F042DH09
4F042ED03
5F146AA31
5F146JA01
(57)【要約】
【課題】 所望の位置に液滴を着弾させることができる構成を提供することを目的としている。
【解決手段】 被吐出物を保持する保持部と液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部とを相対的に移動させながら、吐出部から複数の吐出条件で液体を吐出し、吐出する工程で吐出された液滴の位置を取得し、取得された液滴の位置に基づいて、複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整する。
【選択図】 図９
【解決手段】 被吐出物を保持する保持部と液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部とを相対的に移動させながら、吐出部から複数の吐出条件で液体を吐出し、吐出する工程で吐出された液滴の位置を取得し、取得された液滴の位置に基づいて、複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整する。
【選択図】 図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被吐出物を保持する保持部と、
液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部と、
被吐出物の上に吐出された液滴の位置を取得する位置取得部と、
前記吐出部の吐出条件を調整する制御部と、を有する液体吐出装置であって、
前記制御部は、前記吐出部から液体を吐出する際に、移動手段により前記保持部と前記吐出部とを相対的に移動させながら、複数の吐出条件で前記吐出部から吐出された液滴の位置を前記位置取得部で取得した結果に基づいて、前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整することを特徴とする液体吐出装置。
液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部と、
被吐出物の上に吐出された液滴の位置を取得する位置取得部と、
前記吐出部の吐出条件を調整する制御部と、を有する液体吐出装置であって、
前記制御部は、前記吐出部から液体を吐出する際に、移動手段により前記保持部と前記吐出部とを相対的に移動させながら、複数の吐出条件で前記吐出部から吐出された液滴の位置を前記位置取得部で取得した結果に基づいて、前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整することを特徴とする液体吐出装置。
【請求項2】
前記複数の吐出条件とは、前記吐出部から吐出する液滴の吐出速度と、前記移動手段による前記保持部と前記吐出部との相対的な移動速度とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記複数のノズルそれぞれから吐出される液滴の被吐出物に着弾するまでの飛翔距離及び吐出信号が出されてから吐出するまでにかかる遅延時間を、複数の吐出条件で前記吐出部から吐出された液滴の位置を前記位置取得部で取得した結果に基づいて予め求めておき、
当該飛翔距離及び前記遅延時間と、前記位置取得部で取得された各ノズルの液滴の位置とに基づいて、所望の着弾位置となるように前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の液体吐出装置。
当該飛翔距離及び前記遅延時間と、前記位置取得部で取得された各ノズルの液滴の位置とに基づいて、所望の着弾位置となるように前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の液体吐出装置。
【請求項4】
前記制御部は、前記複数のノズルそれぞれから吐出される液滴の被吐出物に着弾するまでの飛翔距離を、前記吐出部から互いに異なる２種類の吐出速度で被吐出物に吐出された液滴の着弾位置に基づいて算出することを特徴とする請求項３に記載の液体吐出装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記複数のノズルそれぞれの遅延時間を、前記移動手段に互いに異なる２種類の移動速度で前記吐出部から被吐出物に吐出させた液滴の着弾位置に基づいて算出することを特徴とする請求項３に記載の液体吐出装置。
【請求項6】
前記被吐出物は、基板であり、
前記吐出部から吐出される液体は、硬化性樹脂であることを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
前記吐出部から吐出される液体は、硬化性樹脂であることを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出装置。
【請求項7】
請求項６に記載の液体吐出装置と、
部材を保持する部材保持部とを有し、
前記制御部は、基板に液滴が吐出された後に、当該液滴を介して前記部材と前記基板とを接触させて前記硬化性樹脂の硬化処理を行うように制御することを成形装置。
部材を保持する部材保持部とを有し、
前記制御部は、基板に液滴が吐出された後に、当該液滴を介して前記部材と前記基板とを接触させて前記硬化性樹脂の硬化処理を行うように制御することを成形装置。
【請求項8】
請求項７に記載の成形装置を用いて、前記硬化性樹脂の成形処理を行う工程と、
前記成形処理を行う工程で処理された基板を加工することにより物品を製造する工程と、
を有する物品の製造方法。
前記成形処理を行う工程で処理された基板を加工することにより物品を製造する工程と、
を有する物品の製造方法。
【請求項9】
被吐出物を保持する保持部と液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部とを相対的に移動させながら、吐出部から複数の吐出条件で液体を吐出する工程、
前記吐出する工程で吐出された液滴の位置を取得する工程と、
前記取得された液滴の位置に基づいて、前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整する工程と、
ことを特徴とする液体吐出方法。
前記吐出する工程で吐出された液滴の位置を取得する工程と、
前記取得された液滴の位置に基づいて、前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整する工程と、
ことを特徴とする液体吐出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液体吐出装置、液体吐出方法、成形装置及び物品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターン（構造体）を形成することができるインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上に未硬化のインプリント材を供給し、かかるインプリント材とモールド（型）とを接触させて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応するインプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。
【0003】
このようなインプリント材の基板上への供給には、ノズル（吐出口）から液滴状のインプリント材を、インクジェット方式を用いて供給する吐出装置を用いることができるが、ノズルから吐出される吐出物の吐出速度や吐出量などに高い精度が求められる。また、基板などの被吐出物に対して液滴を着弾させるべき位置（着弾目標位置）からずれが生じると、インプリント処理により形成されるパターンが所望の形状にならない可能性がある。
【0004】
そのため、液滴の着弾位置が目標位置からずれている場合には、ノズルに含まれる吐出エネルギー発生素子（圧電素子）に入力する駆動波形のタイミングを補正することで補正を行うことが必要になる。特許文献１には、各ノズルに入力する駆動波形を補正することで、吐出条件を変更できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１９－１０７８２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、液滴を吐出する際に用いられる吐出装置のノズルは、取り付け誤差や個々のノズル形状により、液滴が設計時に想定している所望の方向や所望のタイミングで飛翔しない場合もあり、実際に液滴の挙動が予測と異なることが生じうる。すなわち、単にノズルに応じた駆動波形で電圧を印加したとしても、所望のタイミングや所望の方向に吐出されない可能性がある。そのような場合には、単に設計値通りに着弾位置がずれるように駆動タイミングを遅延させるなどして駆動波形を補正したとしても、所望の着弾位置に補正できないことが考えられる。
【0007】
そこで、本発明は、所望の位置に液滴を着弾させることができる構成を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、本発明の液体吐出装置は、 被吐出物を保持する保持部と、
液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部と、被吐出物の上に吐出された液滴の位置を取得する位置取得部と、前記吐出部の吐出条件を調整する制御部と、を有する液体吐出装置であって、前記制御部は、前記吐出部から液体を吐出する際に、移動手段により前記保持部と前記吐出部とを相対的に移動させながら、複数の吐出条件で前記吐出部から吐出された液滴の位置を前記位置取得部で取得した結果に基づいて、前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整することを特徴とする。
液体を吐出する複数のノズルを有する吐出部と、被吐出物の上に吐出された液滴の位置を取得する位置取得部と、前記吐出部の吐出条件を調整する制御部と、を有する液体吐出装置であって、前記制御部は、前記吐出部から液体を吐出する際に、移動手段により前記保持部と前記吐出部とを相対的に移動させながら、複数の吐出条件で前記吐出部から吐出された液滴の位置を前記位置取得部で取得した結果に基づいて、前記複数のノズルそれぞれの吐出速度を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、所望の位置に液滴を着弾さえることができる構成を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明にかかるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図2】インプリント装置におけるインプリント処理及び物品の製造方法を説明するための図である。
【図3】（ａ）吐出部をノズル面から見た図である。（ｂ）乃至（ｄ）ノズルから液滴が吐出される過程を示した概念図である。
【図4】ノズルに印加する駆動信号の波形とノズル内の流体の表面位置を示す図である。
【図5】吐出部からの吐出される液滴の状態を説明する図である。
【図6】飛翔距離Ｌを求める際の流れを説明するためのフローチャートである。
【図7】着弾液滴５０２が、座標中心である目標着弾位置からずれている様子を示している。
【図8】遅延時間Ｔｄを求める際の流れを説明するためのフローチャートである。
【図9】吐出位置の補正の過程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。図１は物品の製造装置としてのインプリント装置（成形装置）の全体構成を概略的に示す正面図である。
【0012】
インプリント装置１０１では、主に次のようなインプリント処理（成形処理）が実施される。まず、被吐出物である基板１１１の表面（図中、上面）に、インプリント材として未硬化の樹脂１１４の液滴（液状の流体）を吐出する。次いで、基板１１１の表面に吐出された未硬化の樹脂１１４に、凹凸形状を有するパターンが形成されたモールドを押し当てる。その後、樹脂１１４が硬化した状態でモールドを樹脂から離間（離型）させる。以上の工程からなるインプリント処理によって、モールドのパターンに倣った３次元形状のパターンを有する物品が得られる。
【0013】
このようなインプリント処理は、ナノメートルオーダーの極めて微細なパターンを有する物品の形成が可能であり、半導体デバイスの製造などに好適に用いられている。なお、本実施形態では、一例としてパターンが形成された樹脂１１４を光の照射によって硬化させる光硬化法を採用したインプリント装置を示している。しかし、他の技術を用いたインプリント装置、例えば熱によって樹脂を硬化させる熱硬化法を用いたインプリント装置にも本発明は適用可能である。
【0014】
インプリント装置１０１は、光照射部１０２、モールド１０７（部材）を保持するモールド保持機構１０３（部材保持部）、基板ステージ１０４、吐出部１０５、取得手段１２２、制御部１０６、および筺体１２３などを備える。また、図示の装置では、基板１１１に吐出された樹脂１１４に照射する紫外線１０８の光軸１０８ａと平行にＺ軸が設定され、Ｚ軸と直交する平面内に、互いに直交するＸ軸およびＹ軸が設定されている。
【0015】
筺体１２３は、後述の基板ステージ１０４を保持するベース定盤１２４、モールド保持機構１０３および光照射部１０２を保持するブリッジ定盤１２５、およびブリッジ定盤１２５を支持する支柱１２６を備える。支柱１２６はベース定盤１２４に立設されている。
【0016】
基板ステージ１０４（保持部）は、インプリント処理を行う樹脂１１４が付与される基板１１１を保持しつつ、Ｘ軸およびＹ軸によって規定される平面（ＸＹ平面）に沿って基板１１１を移動させる移動機構としての機能を有する。この基板ステージ１０４によって基板１１１をＸＹ平面に沿って移動させることにより、基板１１１と吐出部１０５とのＸＹ平面における位置合わせ、および基板１１１の表面に吐出された樹脂１１４とモールド１０７とのＸＹ平面における位置合わせを行う。
【0017】
基板ステージ１０４は、基板１１１を真空吸着により保持する基板チャック１１９と、基板チャック１１９を機械的手段により保持しつつ、ＸＹ平面内で移動する基板ステージ筐体１２０とを有する。さらに、基板ステージ１０４には、基板チャック１１９の表面とその上方に位置するモールド１０７とのＸＹ平面における相対位置を定める際に利用するステージ基準マーク１２１が設けられている。
【0018】
基板ステージ筐体１２０は、基板チャック１１９を移動させるためのアクチュエータが設けられている。アクチュエータとしては、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向へと移動させるリニアモータを採用し得る。また、基板ステージ筐体１２０を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向における粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系によって構成してもよい。さらに、基板チャック１１９の位置をＺ軸方向に補正のための駆動系や、基板チャック１１９の位置をθ方向に補正する機能、または基板チャック１１９の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成を基板ステージ筐体１２０に設けてもよい。
【0019】
基板１１１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、この表面には、前述のモールド１０７に形成されたパターン部１０７ａにより成形される硬化性の樹脂１１４が後述の吐出部１０５から吐出される。硬化性の樹脂１１４には、モールド１０７のパターンへの充填時に流動性を有し、インプリント処理後に形状を保持するように固体であることが求められる。このため、樹脂１１４には、光硬化性の樹脂材料、熱硬化性の樹脂材料、熱可塑性の樹脂材料などが用いられる。特に、光硬化性の樹脂材料は、硬化プロセスで温度変化を必要とせず、モールド１０７や基板１１１、インプリント装置の各部材の熱膨張及び収縮による基板上に形成されるパターンの位置及び形状の変化が少ないため、半導体デバイスなどの製造に適している。そのため、本実施形態では、硬化性の樹脂１１４として、紫外線を照射することによって硬化する光硬化性樹脂１１４を例に説明を行う。
【0020】
光照射部１０２は、ブリッジ定盤１２５に保持されており、インプリント処理の際に、モールド１０７に対して所定の波長の光、例えば紫外線１０８を照射する。この光照射部１０２は、光源１０９と、この光源１０９から照射された紫外線１０８を、基板１１１上に吐出された樹脂１１４に対して適切な方向および位置に補正するための光学素子１１０とから構成される。なお、本実施形態では光硬化法を採用するために光照射部１０２を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、光照射部１０２に代えて、熱硬化型樹脂を硬化させるための熱源部を設置すればよい。
【0021】
モールド１０７は、例えば、外周形状が矩形であり、基板１１１に吐出された樹脂１１４に回路パターンなどの凹凸パターンを転写するための３次元形状を有するパターン部１０７ａを含む。また、モールド１０７は、石英など紫外線１０８を透過させることが可能な材料で形成されている。さらに、モールド１０７は、紫外線１０８が照射される面に、モールド１０７の変形を容易とするために形状を凹型にしたキャビティ１０７ｂを有する形状としてもよい。このキャビティ１０７ｂは、円形の平面形状を有し、深さは、モールド１０７の大きさや材質により適宜設定される。
【0022】
モールド保持機構１０３は、真空吸着力や静電力によりモールド１０７を引き付けて保持するモールドチャック１１５と、モールドチャック１１５をＺ軸方向に移動させるモールド駆動機構１１６とを有する。モールド駆動機構１１６は、基板１１１上の樹脂１１４に対するモールド１０７の押し付けまたは離間（離型）を選択的に行うように、モールド１０７を保持するモールドチャック１１５をＺ軸方向に移動させる。このモールド駆動機構１１６に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータまたはエアシリンダなどがある。また、モールド１０７の高精度な位置決めを可能とするために、モールド駆動機構１１６を、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成してもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはＺ軸周りの回転であるθ方向の位置補正機能や、モールド１０７の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成を採用してもよい。なお、基板１１１上に吐出された樹脂１１４に対するモールド１０７の押し付けおよび離間動作は、上述のようにモールドチャック１１５をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ１０４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよい。あるいはまた、基板ステージ１０４とその双方を相対的に移動させてもよい。
【0023】
モールドチャック１１５およびモールド駆動機構１１６は、光照射部１０２の光源１０９から発せられた紫外線１０８が光学素子１１０を経て基板１１１に照射されるように、中心部に開口領域１１７が形成されている。
【0024】
また、前述のモールド保持機構１０３内に形成された開口領域１１７に、密閉した空間１１２を形成する光透過部材１１３を設置し、圧力補正装置により空間１１２内の圧力を制御するように構成することも可能である。この構成では、例えばモールド１０７を基板１１１に吐出された樹脂１１４へと押し付ける際に、圧力補正装置によって空間１１２内の圧力を外部空間の圧力より高める。空間１１２内の圧力を高めることにより、パターン部１０７ａは、基板１１１に向かって凸形に撓み、樹脂１１４に対してパターン部１０７ａの中心部から接触する。これにより、パターン部１０７ａと樹脂１１４との間に気体（空気）が閉じ込められるのを抑えることができ、パターン部１０７ａの凹凸部に樹脂１１４を隅々まで充填させることができる。
【0025】
吐出部１０５は、未硬化状態の樹脂１１４を滴状に吐出して基板１１１上に付与する複数のノズルを有する。本発明においてノズルとは、インクが存在する領域を形成する部分と、領域内のインクを開口部（吐出口）から吐出させる吐出エネルギーを発生させる吐出エネルギー発生素子とを含む。本実施形態では、吐出エネルギー発生素子として、電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換する圧電素子の圧電効果を利用して樹脂１１４をノズルから吐出させる方式を採用している。すなわち、後述する制御部１０６が所定の波形を有する駆動信号を生成し、その駆動信号に応じた電圧が印加されることによって圧電素子が吐出に適した形状に変形するように制御される。複数のノズルは、それぞれが制御部１０６によって独立に制御される。
【0026】
吐出部１０５から吐出される樹脂１１４は、紫外線１０８を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂１１４であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により、その材料は適宜選択される。また、吐出部１０５の吐出ノズルから滴状に吐出される樹脂１１４（以下、液滴ともいう）１１４の量も、基板１１１上に形成される樹脂１１４の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。この吐出部１０５とモールド駆動機構１１６と制御部１０６とにより、液体吐出装置が構成されている。
【0027】
取得手段１２２は、代表的な計測器としてアライメント計測器１２７と観察用計測器１２８とを備える。アライメント計測器１２７は、基板１１１上に形成されたアライメントマークと、モールド１０７に形成されたアライメントマークとのＸ軸方向およびＹ軸方向への位置ずれを計測する。観察用計測器１２８は、例えばＣＣＤカメラなどの撮像装置により構成され、基板１１１上に吐出された樹脂１１４により形成されるパターンを画像情報として取得し、取得した画像を画像処理することによって吐出位置を計測する手段として用いることができる。なお、アライメント計測器１２７と別に観察用計測器１２８を設けずに、アライメント計測器１２７を吐出位置計測手段として用いてもよい。
【0028】
制御部（制御手段）１０６は、インプリント装置１０１の各構成要素の動作および補正などを制御し得る。制御部１０６は、例えば、ＣＰＵ、ＲＯＭ、およびＲＡＭなどを含むコンピュータなどで構成され、ＣＰＵによって種々の演算処理が行われる。制御部１０６は、インプリント装置１０１の各構成要素に回線を介して接続され、ＲＯＭに格納されたプログラムなどに従って各構成要素の制御を実行する。例えば、制御部１０６は、取得手段１２２の計測情報を基に、モールド保持機構１０３および基板ステージ１０４および吐出部１０５の動作を制御する。なお、制御部１０６は、インプリント装置１０１の他の部分と一体で構成してもよいし、インプリント装置１０１の他の部分とは別体で構成してもよい。また、１台のコンピュータではなく複数台のコンピュータ、およびＡＳＩＣなどを含む構成としてもよい。
【0029】
さらにインプリント装置１０１は、モールド１０７を装置外部からモールド保持機構１０３へと搬送する不図示のモールド搬送機構と、基板１１１を装置外部から基板ステージ１０４へと搬送する不図示の基板搬送機構とを備える。このモールド搬送機構および基板搬送機構の動作は、制御部１０６によって制御される。
【0030】
（インプリント処理）
次に、図２を参照しながら、インプリント装置１０１によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。
次に、図２を参照しながら、インプリント装置１０１によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。
【0031】
まず図２（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを吐出する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。このとき制御部１０６は、基板搬送機構を制御して基板ステージ１０４上の基板チャック１１９に基板１１１を載置および固定させた後、基板チャック１１９を吐出部１０５の塗布位置へと移動させる。次に、制御部１０６は、吐出部１０５および基板ステージ１０４を制御し、基板１１１に対して樹脂１１４の液滴を吐出する吐出工程（塗布工程）を実行させる。
【0032】
吐出工程において、制御部１０６は、吐出部１０５に設けられた複数のノズルそれぞれの吐出傾向に応じて生成された波形の駆動信号を、各ノズルに設けられる圧電素子に印加する。その結果、各ノズルからは均一な吐出状態で滴状の樹脂１１４が吐出される。なお、ノズルの吐出傾向とは、ノズルに設けられている吐出エネルギー発生素子に印加される駆動信号の波形を決定する波形情報としてのパラメータの変化に対する吐出量および吐出速度の変化の度合いを指す。
【0033】
また、吐出動作に伴って制御部１０６は基板チャック１１９をＸＹ平面に沿ってノズルの配列方向と交差する方向（典型的には直交方向）へと移動させる。これにより、基板１１１の所定の被処理領域であるパターン形成領域に樹脂１１４が付与される。
【0034】
次に、図２（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。すなわち、制御部１０６は、樹脂１１４が付与された基板１１１上のパターン形成領域がモールド１０７に形成されたパターン部１０７ａの直下に位置するように基板チャック１１９を移動させる。
【0035】
次に、図２（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。すなわち、制御部１０６は押し付け工程として、モールド駆動機構１１６を駆動させ、基板１１１上の樹脂１１４にモールド１０７を押し付ける。この押し付け工程により、樹脂１１４はパターン部１０７ａの凹凸部に密接する。この状態で、制御部１０６は、硬化処理工程として光照射部１０２を駆動する。光照射部１０２から発せられた紫外線１０８は、光学素子１１０および光透過部材１１３を経てモールド１０７の上面に照射される。モールド１０７に照射された紫外線は、光透過性のモールド１０７を透過して樹脂１１４に照射される。これにより樹脂１１４は硬化する。
【0036】
次に、図２（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。すなわち、制御部１０６は、モールド駆動機構１１６を駆動させてモールドチャックを上昇させ、モールド１０７を樹脂１１４から引き離す離間工程を実施する。これにより、基板１１１上のパターン形成領域の表面には、パターン部１０７ａの凹凸部に倣った３次元形状の樹脂１１４のパターンが成形される。
【0037】
次に、図２（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図２（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【0038】
そして物品の製造方法には、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置（インプリント方法）を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程も含まれる。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。
【0039】
（液滴吐出動作）
次に、図３および図４を参照して、ノズル２０１から樹脂の液滴２０３が吐出される過程を、ノズルに含まれる圧電素子（吐出エネルギー発生素子）に印加される駆動信号２２０およびノズル内の液状の樹脂１１４の液面位置と共に説明する。
次に、図３および図４を参照して、ノズル２０１から樹脂の液滴２０３が吐出される過程を、ノズルに含まれる圧電素子（吐出エネルギー発生素子）に印加される駆動信号２２０およびノズル内の液状の樹脂１１４の液面位置と共に説明する。
【0040】
図３（ａ）に吐出部１０５の複数のノズルをノズル面側から見た図を示す。吐出部１０５のノズル面には樹脂１１４の液滴を吐出するためのｘ方向に１～約数列、ｙ方向に約数千個の数ｕｍ～数十ｕｍ程度のノズル２０１が構成される。液滴吐出時には、ノズル面と基板１１１とのギャップは、位置精度を維持するために数百ｕｍ～１ｍｍ程度に調整される。
【0041】
図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は吐出部１０５に設けられた複数のノズルの中の１つノズル２０１のＸＺ断面を示している。同図（ｂ）はノズル２０１の圧電素子が駆動される前の状態を、同図（ｃ）は圧電素子の駆動によりノズル２０１内に樹脂１１４が引込まれた状態を、図３（ｄ）は圧電素子の駆動によってノズル２０１から液滴２０３が吐出された直後の状態をそれぞれ示している。なお、図中、Ｘ、Ｙ、Ｚの方向は図１に準じている。また、ノズル２０１内の樹脂１１４と外気との界面は液面２０２として示し、吐出した樹脂１１４は液滴２０３として示している。
【0042】
図４（ａ）は吐出部１０５に設けられた圧電素子に印加される駆動信号２２０の波形を示している。ここで横軸は時間を、縦軸は電圧をそれぞれ示している。本実施形態における駆動信号２２０の波形は、最も基本的な波形である台形波をなしている。この台形波の駆動信号２２０は、ノズル２０１内の樹脂１１４を液滴２０３として吐出させるべく圧電素子に印加される電圧信号であり、次の５成分から構成されている。すなわち、駆動信号２２０は、引き成分２０４、第１の待機成分２０５、押し成分２０６、電圧値を開始の値に戻す第２の待機成分２０７、戻し成分２０７の５成分から構成されている。
【0043】
駆動信号２２０の各成分は、Ｔ０からＴ５までの時間を５分割した時間領域に対応している。Ｔ０からＴ１までの時間領域に対応する電圧波形が引き成分２０４、Ｔ１からＴ２までの時間領域に対応する電圧波形が第１の待機成分２０５、Ｔ２からＴ３までの時間領域に対応する電圧波形が押し成分２０６となっている。さらに、Ｔ３からＴ４までの時間領域に対応する電圧波形が第２の待機成分２０７、Ｔ４からＴ５までの時間領域に対応する電圧波形が戻し成分２０８となっている。なお、Ｔ５からＴ６の時間領域は、液滴２０３がノズル２０１から吐出された後、ノズル２０１内の樹脂１１４の液面２０２が図３（ｂ）に示す初期状態における位置（図４（ｂ）における基準位置２０９）に戻るまでの時間を示している。なお、厳密には圧電素子に電圧を印加する時間に遅れて液面２０２は動くが、本実施形態ではその遅れ成分を省略して説明を行う。
【0044】
図４（ｂ）はノズル２０１内の液面位置を示す図であり、液面２０２のＺ方向の位置を示している。液面２０２はノズル２０１に含まれる圧電素子が駆動される前の初期状態において、基準位置２０９の位置にある。そして、圧電素子が駆動されると、一旦、＋Ｚ方向に引き込まれて引き込み位置２１０に達し、その後、－Ｚ方向の押し出し位置２１１まで押し出される。この押し出し位置２１１に至るまでの間に液滴２０３が形成される。従って、実際の液面の位置は図４（ｂ）に示す位置よりも－Ｚ方向側にある。しかし説明を簡略化するために、図４（ｂ）では、液滴２０３が形成される位置を示さずに液面２０２の代表的な位置を示している。そのため厳密には圧電素子に電圧を印加する時間に遅れて液面２０２は動く。
【0045】
複数のノズル２０１は、前述のとおりそれぞれが制御部１０６によって独立に制御されるが、その際に、制御部１０６は、付図示のメモリなどの記憶部に記憶保持された複数の互いに異なる駆動信号の波形を参照する。このような複数の駆動信号の波形はそれぞれ番号が付与され記憶部に記憶されている。すなわち、制御部１０６は、ノズル２０１ごとに、複数の互いに異なる駆動信号の波形のうち、所望の吐出条件（吐出タイミング・吐出速度・吐出量等）となる駆動信号を特定し、樹脂の液滴が所望位置に吐出されるように制御をおこなう。
【0046】
（着弾位置の調整について）
次に、吐出部１０５から吐出される樹脂の液滴の着弾位置の調整について説明する。液滴を吐出する際に用いられる吐出装置のノズルは、取り付け誤差や個々のノズル形状により、液滴が設計時に想定している所望の方向に飛翔していない場合もあり、実際に液滴が飛翔する飛距離が想定している距離と異なることが生じうる。また、ノズルごとに、駆動信号（吐出命令）に応じて駆動電圧が印加され始めてから吐出されるまでに生じるタイムラグ（吐出遅延時間）にばらつきがある可能性もある。そのような場合には、単に設計値通りに着弾位置がずれるように駆動タイミングを遅延させるなどして補正したとしても、所望の着弾位置に補正できないことが考えられる。
次に、吐出部１０５から吐出される樹脂の液滴の着弾位置の調整について説明する。液滴を吐出する際に用いられる吐出装置のノズルは、取り付け誤差や個々のノズル形状により、液滴が設計時に想定している所望の方向に飛翔していない場合もあり、実際に液滴が飛翔する飛距離が想定している距離と異なることが生じうる。また、ノズルごとに、駆動信号（吐出命令）に応じて駆動電圧が印加され始めてから吐出されるまでに生じるタイムラグ（吐出遅延時間）にばらつきがある可能性もある。そのような場合には、単に設計値通りに着弾位置がずれるように駆動タイミングを遅延させるなどして補正したとしても、所望の着弾位置に補正できないことが考えられる。
【0047】
まず、図５を用いて、ノズル２０１に対して駆動電圧が印加されてから、ノズル２０１から樹脂の液滴２０３が吐出され基板１１１に着弾するまでに生じる着弾位置シフトＸｒの関係を説明する。インプリント装置１０１では基板１１１と吐出部１０５とは、基板ステージ１０４の移動に伴い、吐出処理の際に相対移動しているため、着弾位置シフトＸｒは次の式により表される。
Ｘｒ＝Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｌ／Ｖｊ＊（Ｖｗｓ－Ｖｊ＊ｓｉｎθ） ・・・式（８－１）
ここで、
Ｘｒ［ｍｍ］ ：着弾位置シフト
Ｔｄ［ｓ］ ： 吐出遅延時間、吐出命令から実際に吐出開始されるまでの時間
Ｖｊ［ｍｍ／ｓ］ ：吐出速度８０１
Ｌ［ｍｍ］ ：液滴の飛翔距離８０２
θ［ｒａｄ］ ：吐出角度８０３
Ｖｗｓ［ｍｍ／ｓ］ ： 基板ステージ移動速度８０４
Ｘｒ＝Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｌ／Ｖｊ＊（Ｖｗｓ－Ｖｊ＊ｓｉｎθ） ・・・式（８－１）
ここで、
Ｘｒ［ｍｍ］ ：着弾位置シフト
Ｔｄ［ｓ］ ： 吐出遅延時間、吐出命令から実際に吐出開始されるまでの時間
Ｖｊ［ｍｍ／ｓ］ ：吐出速度８０１
Ｌ［ｍｍ］ ：液滴の飛翔距離８０２
θ［ｒａｄ］ ：吐出角度８０３
Ｖｗｓ［ｍｍ／ｓ］ ： 基板ステージ移動速度８０４
【0048】
さらに、基板ステージ１０４に対するノズルのＸ方向取り付け残差によるずれＸ０［ｍｍ］も考慮すると、基板１１１上の液滴の着弾位置のずれ量Ｘは
Ｘ＝Ｘｒ＋Ｘ０
＝Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｌ／Ｖｊ＊（Ｖｗｓ－Ｖｊ＊ｓｉｎθ）＋Ｘ０ ・・・式（８－２）
Ｘ＝Ｘｒ＋Ｘ０
＝Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｌ／Ｖｊ＊（Ｖｗｓ－Ｖｊ＊ｓｉｎθ）＋Ｘ０ ・・・式（８－２）
【0049】
なお、吐出角度８０３は微小角度であるため最終的に以下の式で表すことができる。
【0050】
【数1】
【0051】
上記式（８－３）からも、各ノズルから吐出される液滴の厳密に着弾位置を補正すためには、実際の液滴の飛翔距離Ｌと、実際の吐出命令から実際に吐出開始されるまでのタイムラグ（遅延時間Ｔｄ）をあらかじめ把握することが必要なことがわかる。すなわち、実際の飛翔距離Ｌと、駆動信号（吐出命令）に応じて駆動電圧が印加され始めてから実際に吐出されるまでのタイムラグ（吐出遅延時間Ｔｄ）をノズルごとに測定する。そして、その結果をもとに駆動条件を制御することができれば、ノズルごとに着弾位置の補正を厳密に行うことができる。
【0052】
以下、このような駆動条件の決定に必要となる飛翔距離Ｌの取得方法、遅延時間Ｔｄの取得方法について説明する。
【0053】
【0054】
図６のフローチャートに示す処理は、制御部１０６が、インプリント装置１０１の各構成要素を制御することにより実現される。
【0055】
ステップＳ６０１では、制御部１０６は、基板ステージ１０４を所定速度で吐出部１０５に対して相対移動させながら、各ノズル２０１から第１の吐出速度Ｖｊ１で液滴が吐出されるように制御する。
【0056】
ステップＳ６０２では、制御部１０６は、基板ステージ１０４をＳ６０１と同じ所定速度で吐出部１０５に対して相対移動させながら、各ノズル２０１から第１の吐出速度Ｖｊ１と異なる第２の吐出速度Ｖｊ２で液滴が吐出されるように制御する。なお、第１の吐出速度Ｖｊ１と第２の吐出速度Ｖｊ２は吐出部１０５をインプリント装置１０１に搭載する前に、吐出速度調整装置で事前に吐出速度調整を行っておくことが好ましい。
【0057】
ステップＳ６０３では、制御部１０６は、観察用計測器１２８に第１の吐出速度Ｖｊ１でノズル２０１から吐出された液滴の着弾位置ずれ量ＸＶｊ１を計測させる。各ノズル２０１から複数回の吐出を行った場合は、各ノズルの着弾位置ずれ量の平均を求めこれをＸＶｊ１とする。ここで観察用計測器１２８を用いて基板上に吐出された液滴の計測方法の詳細について図７を参照して説明する。図７は、着弾液滴５０２が、座標中心である目標着弾位置ずれている様子を示している。すなわち観察用計測器１２８が位置取得部として機能し、このように撮像視野５０１内の着弾液滴５０２の撮像視野５０１中心からの距離である撮像視野内着弾位置５０３を計測する。そして、制御部１０６が算出部（不図示）に撮像視野内着弾位置５０３と着弾液滴５０２を計測した際の基板ステージ１０４の位置より、基板ステージ１０４の位置基準での液滴の着弾位置を求め、各液滴の着弾位置からのずれ量を算出する。
【0058】
ステップＳ６０４では、制御部１０６は、観察用計測器１２８に第２の吐出速度Ｖｊ２でノズル２０１から吐出された液滴の着弾位置ずれ量ＸＶｊ２を計測させる。各ノズル２０１から複数回の吐出を行った場合は、各ノズルの着弾位置ずれ量の平均を求めこれをＸＶｊ２とする。
【0059】
ステップＳ６０５では、制御部１０６は、ステップＳ６０３の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｊ１と、ステップＳ６０４の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｊ２と、式（８－３）より各ノズル２０１の飛翔距離８０２を算出する。
【0060】
まず、式（８－３）とステップＳ６０３の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｊ１、および式（８－３）とステップＳ６０４の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｊ２より以下の式（９－１）が得られる。
【0061】
【数2】
【0062】
この２つの式より、飛翔距離Ｌが以下のように求まる。
【0063】
【数3】
【0064】
［遅延時間Ｔｄの取得について］
次に、図８を用いて遅延時間Ｔｄの取得方法について説明する。図８は、事前に遅延時間Ｔｄを求める際の流れを説明するためのフローチャートである。図８のフローチャートに示す処理は、制御部１０６が、インプリント装置１０１の各構成要素を制御することにより実現される。
次に、図８を用いて遅延時間Ｔｄの取得方法について説明する。図８は、事前に遅延時間Ｔｄを求める際の流れを説明するためのフローチャートである。図８のフローチャートに示す処理は、制御部１０６が、インプリント装置１０１の各構成要素を制御することにより実現される。
【0065】
ステップＳ８０１では、制御部１０６は、基板ステージ１０４を第１の基板ステージ移動速度Ｖｗｓ１で吐出部１０５に対して相対移動させながら、各ノズル２０１から所定の吐出速度で液滴が吐出されるように制御する。
【0066】
ステップＳ８０２では、制御部１０６は、基板ステージ１０４を第１の基板ステージ移動速度Ｖｗｓ１と異なる第２の基板ステージ移動速度Ｖｗｓ２で吐出部１０５に対して相対移動させる。そして各ノズル２０１からＳ８０１と同じ所定の吐出速度で液滴が吐出されるように制御する。
【0067】
ステップＳ８０３では、制御部１０６は、観察用計測器１２８に第１の基板ステージ移動速度Ｖｗｓ１でノズル２０１から吐出された液滴の着弾位置ずれ量ＸＶｗｓ１を計測させる。各ノズル２０１から複数回の吐出を行った場合は、各ノズルの着弾位置ずれ量の平均を求めこれをＸＶｗｓ１とする。
【0068】
ステップＳ８０４では、制御部１０６は、観察用計測器１２８に第２の基板ステージ移動速度Ｖｗｓ２でノズル２０１から吐出された液滴の着弾位置ずれ量ＸＶｗｓ２を計測させる。各ノズル２０１から複数回の吐出を行った場合は、各ノズルの着弾位置の平均を求めこれをＶｗｓ２とする。
【0069】
ステップＳ８０５では、制御部１０６は、ステップＳ８０３の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｗｓ１と、ステップＳ８０４の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｗｓ２と、式（８－３）より各ノズル２０１の飛翔距離８０２を算出する。
【0070】
まず、式（８－３）とステップＳ８０３の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｗｓ１、および式（８－３）とステップＳ８０４の計測結果である着弾位置ずれ量ＸＶｗｓ２より以下の式（１０－１）が得られる。
【0071】
【数4】
【0072】
式（１０－１）より、吐出遅延時間Ｔｄが以下のように求まる。なお、飛翔距離Ｌは式（９－２）により既知である。
【0073】
【数5】
【0074】
基板ステージ１０４に対する吐出部１０５の取り付け精度により生じる着弾位置のずれ量（取り付けシフト成分）Ｘｄである－Ｌθ＋Ｘｏは式（１０－１）より、以下のように求めることができる。
【0075】
【数6】
【0076】
Ｘ０［ｍｍ］ ：ノズルのＸ方向取り付け残差によるずれ
Ｌθ［ｍｍ］ ：吐出部１０５の精度に起因する着弾位置のずれ量
Ｌθ［ｍｍ］ ：吐出部１０５の精度に起因する着弾位置のずれ量
【0077】
すなわち、飛翔距離Ｌ、吐出遅延時間Ｔｄを、上記取得方法を用いることであらかじめ取得できていると、吐出部１０５起因の着弾位置ずれ量を求めることができる。
【0078】
次に、基板上の着弾位置の補正について説明する。
【0079】
基板上の着弾位置は、上述の通り、吐出部１０５取り付け起因による着弾位置のずれ量と、吐出命令がだされてから実際に吐出されるまでのタイムラグの影響により、
Ｘ＝Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｘｄ …式（１０－４）
と表すことができる。すなわち、基板上の位置が＋Ｘずれている場合には、（Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｘｄ）／Ｖｗｓ［ｓ］吐出信号の入力タイミングを補正すればよい。
Ｘ＝Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｘｄ …式（１０－４）
と表すことができる。すなわち、基板上の位置が＋Ｘずれている場合には、（Ｔｄ＊Ｖｗｓ＋Ｘｄ）／Ｖｗｓ［ｓ］吐出信号の入力タイミングを補正すればよい。
【0080】
また、着弾位置を駆動波形すなわち、吐出速度により補正する際には、着弾位置補正量ΔＸから吐出速度補正量ΔＶｊを求める。吐出速度補正量ΔＶｊから吐出駆動波形の生成する方法の詳細は特開２０１９－１０７８２６に開示される。吐出速度補正量ΔＶｊと着弾位置補正量ΔＸの関係は以下の式で与えられる。
【0081】
【数7】
【0082】
すなわち、着弾位置ずれを補正する場合には、複数のノズルに対して入力する吐出信号の入力タイミングを補正することで一括して位置づれ補正する方法と、個々のノズルに対して行うことができる吐出速度を補正する方法の２種類を用いて調整することができる。
【0083】
図９を用いて具体的な補正方法の例を述べる。本例では基板ステージ１０４を＋Ｘから－Ｘへ移動１１０２しながら、３つのノズルから目標着弾位置１１０３へ着弾させることを目的とする。
【0084】
まず制御部１０６は、図９（ａ）に示すように、吐出遅延時間Ｔｄおよび吐出部１０５の取り付け精度により生じる着弾位置のずれ量（取り付けシフト成分）Ｘｄを補正しない状態で、吐出命令を行う。つまり吐出命令位置１１０１に基板ステージ１０４が到達したタイミングで吐出部１０５に吐出命令を行う。これによりノズルａから吐出された液滴は、ずれ量ΔＸ１１の着弾位置１１０４、ノズルｂはずれ量ΔＸ２１の着弾位置１１０５、ノズルｃはずれ量ΔＸ３１の着弾位置１１０６に着弾することになる。そして制御部１０６は、この着弾位置を観察用計測器１２８に計測させることで取得する。
【0085】
次に、制御部１０６は、それぞれの取得された位置ずれ量をもとに、吐出命令のタイミング補正や吐出速度の補正値の算出を行う。
【0086】
最も着弾が＋Ｘ方向にずれているノズルｃを補正するために、ノズルｃの吐出命令を出す基板ステージ１０４の位置を－Ｘへ補正する。すなわち、（Ｔｄ３＊Ｖｗｓ＋Ｘｄ３）／Ｖｗｓ吐出命令のタイミングを変更する。この際にノズルｃの吐出速度の変更は行わない。その結果、図９（ｂ）に示すように、ノズルａはずれ量ΔＸ１２の着弾位置１１０８、ノズルｂはずれ量ΔＸ２２の着弾位置１１０９、ノズルｃは目標着弾位置１１１０へ着弾することが予想される。
【0087】
次に、式（１１－１）を用い、ノズルａは、着弾位置をΔＸ２１（＝ΔＸ１１－ΔＸ１３）ずらすために、吐出命令を出すタイミングをノズルｃと同等に補正したうえでΔＶｊ１２だけ遅延する吐出となるように吐出速度ΔＶｊ１２を変更する。また、ノズルｂは、吐出命令を出すタイミングをノズルｃと同等に補正したうえで着弾位置をΔＸ２２（＝ΔＸ１１－ΔＸ１３）ずらすために、吐出速度ΔＶｊ１３を変更する。
【0088】
すなわち、制御部１０６は、着弾位置の計測結果に応じて、あらかじめ算出されたＴｄ，Ｌを用いてそれぞれのノズルからの吐出速度を決定（調整）し吐出動作が行われるように制御する。その結果、図９（ｃ）に示すように、ノズルａ、ｂ、ｃすべてを目標着弾位置１１１１へ着弾させることができる。
【0089】
なお、図９（ａ）に示すノズルｃの着弾位置１１０６ずれ量ΔＸ３１、すなわち最も着弾位置がずれている液滴のずれ量が、吐出速度で補正できる範囲内である場合には、吐出命令のタイミングを変更するのではなく、吐出速度を変更して調整してもよい。具体的には、ノズルからの吐出速度は、５．０ｍ／ｓ～７．０ｍ／ｓの範囲で調整が可能であることから、最もずれている液滴のずれ量が当該速度の範囲内で補正できるずれ量であれば、吐出速度を変更して調整すればよい。
【0090】
また、ノズルｃの位置に合わせて吐出命令を出すタイミングをずらしたのちに、再度吐出動作を行ってその位置を計測し、その計測結果に合わせて吐出速度の変更を行ってもよい。
【0091】
このように、本実施形態ではあらかじめ実際の飛翔距離Ｌと、駆動信号（吐出命令）に応じて駆動電圧が印加され始めてから実際に吐出されるまでのタイムラグ（吐出遅延時間Ｔｄ）をノズルごとに測定し、その結果をもとにノズルごとの駆動条件を制御している。すなわちノズルごとに吐出速度を制御しており、これにより着弾位置の補正をノズルごとに厳密に行うことができる。
【0092】
なお本発明は、パターンを有しない部材（平坦化部材）を硬化性組成物に接触させた状態で硬化させることにより、基板上に硬化性組成物の硬化物による平坦化層を設ける平坦化装置に適用することも可能である。
【符号の説明】
【0093】
１０１ インプリント装置
１０５ 吐出部
１０６ 制御部
１２８ 観察用計測器
１０５ 吐出部
１０６ 制御部
１２８ 観察用計測器
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】