(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023010651
(43)【公開日】2023-01-20
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20230113BHJP
G03F 7/30 20060101ALI20230113BHJP
B05D 1/40 20060101ALI20230113BHJP
B05C 11/08 20060101ALI20230113BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 564C
H01L21/30 567
G03F7/30 501
B05D1/40 A
B05C11/08
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022108763
(22)【出願日】2022-07-06
(31)【優先権主張番号】10-2021-0089960
(32)【優先日】2021-07-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】ノ，サン ユン
(72)【発明者】
【氏名】パク，ユン ウー
【テーマコード（参考）】
2H196
4D075
4F042
5F146
【Ｆターム（参考）】
2H196AA25
2H196CA14
4D075AC64
4D075AC79
4D075AC88
4D075AC93
4D075BB23X
4D075DA06
4D075DB14
4D075DC22
4D075EA45
4F042AA02
4F042AA06
4F042AB00
4F042DH09
4F042EB09
4F042EB13
4F042EB17
4F042EB27
5F146JA05
5F146JA10
5F146KA04
5F146KA07
5F146KA10
(57)【要約】
【課題】本発明は基板を処理する装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する装置は基板に対して液処理する液処理チャンバ及び前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、前記液処理チャンバは内部に処理空間を有する処理容器、前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニット、基板上に液を供給する液供給ユニット及び前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、前記制御機は基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御することができる。
【選択図】図１１
【解決手段】基板を処理する装置は基板に対して液処理する液処理チャンバ及び前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、前記液処理チャンバは内部に処理空間を有する処理容器、前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニット、基板上に液を供給する液供給ユニット及び前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、前記制御機は基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御することができる。
【選択図】図１１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、
基板に対して液処理する液処理チャンバと、及び
前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、
前記液処理チャンバは、
内部に処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、
基板上に液を供給する液供給ユニットと、及び
前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、
前記制御機は、
基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御する基板処理装置。
基板に対して液処理する液処理チャンバと、及び
前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、
前記液処理チャンバは、
内部に処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、
基板上に液を供給する液供給ユニットと、及び
前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、
前記制御機は、
基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御する基板処理装置。
【請求項2】
前記制御機は、
基板が地面に対して平たい状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端より基準高さ程度下に配置され、
基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端で前記基準高さより下に配置されるように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
基板が地面に対して平たい状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端より基準高さ程度下に配置され、
基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端で前記基準高さより下に配置されるように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
基板に対して熱処理する熱処理チャンバをさらに含むが、
前記基板の撓め状態は前記熱処理チャンバで測定されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板の撓め状態は前記熱処理チャンバで測定されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記熱処理チャンバは、
前記基板が置かれる加熱プレートと、
前記加熱プレートに置かれた基板の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定するセンサーと、及び
前記センサーで測定された温度パラメーター値に根拠して基板の撓め状態を判断する検出器と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記基板が置かれる加熱プレートと、
前記加熱プレートに置かれた基板の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定するセンサーと、及び
前記センサーで測定された温度パラメーター値に根拠して基板の撓め状態を判断する検出器と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記熱処理チャンバは、
前記加熱プレートの中央領域を加熱する第１ヒーターと、
前記加熱プレートの縁領域を加熱する第２ヒーターと、
前記第１ヒーターに電力を印加する第１電力供給ラインと、
前記第２ヒーターに電力を印加する第２電力供給ラインを含み、
前記センサーは、
前記第１電力供給ラインに供給される電力を測定する第１センサーと、
前記第２電力供給ラインに供給される電力を測定する第２センサーを含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
前記加熱プレートの中央領域を加熱する第１ヒーターと、
前記加熱プレートの縁領域を加熱する第２ヒーターと、
前記第１ヒーターに電力を印加する第１電力供給ラインと、
前記第２ヒーターに電力を印加する第２電力供給ラインを含み、
前記センサーは、
前記第１電力供給ラインに供給される電力を測定する第１センサーと、
前記第２電力供給ラインに供給される電力を測定する第２センサーを含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記検出器は、
前記第１センサーで測定した前記第１電力供給ラインの電力値が前記第２センサーで測定した前記第２電力供給ラインの電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
前記第１センサーで測定した前記第１電力供給ラインの電力値が前記第２センサーで測定した前記第２電力供給ラインの電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記センサーは、
基板が前記加熱プレートに安着した直後に前記電力を測定することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
基板が前記加熱プレートに安着した直後に前記電力を測定することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記液はフォトレジストであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記液処理チャンバは、
前記処理容器を洗浄する洗浄液を吐出する洗浄ノズルをさらに含み、
前記制御機は、
前記基板が平たい状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置と、前記基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置が等しいように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項２乃至請求項８のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
前記処理容器を洗浄する洗浄液を吐出する洗浄ノズルをさらに含み、
前記制御機は、
前記基板が平たい状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置と、前記基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置が等しいように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項２乃至請求項８のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項10】
基板を処理する装置において、
基板が収納された容器が置かれるロードポートを有するインデックスモジュールと、
基板を処理する工程を遂行する処理モジュールを含むが、
前記処理モジュールは、
基板を一時的に保管するバッファーチャンバと、
前記バッファーチャンバと前記処理モジュールとの間に基板を返送する返送チャンバと、
基板を加熱または冷却処理する熱処理チャンバと、
基板に塗布液または現像液を供給する液処理チャンバと、及び
前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、
前記液処理チャンバは、
内部に処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、
基板上に液を供給する液供給ユニットと、及び
前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、
前記制御機は、
基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする基板処理装置。
基板が収納された容器が置かれるロードポートを有するインデックスモジュールと、
基板を処理する工程を遂行する処理モジュールを含むが、
前記処理モジュールは、
基板を一時的に保管するバッファーチャンバと、
前記バッファーチャンバと前記処理モジュールとの間に基板を返送する返送チャンバと、
基板を加熱または冷却処理する熱処理チャンバと、
基板に塗布液または現像液を供給する液処理チャンバと、及び
前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、
前記液処理チャンバは、
内部に処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニットと、
基板上に液を供給する液供給ユニットと、及び
前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、
前記制御機は、
基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項11】
前記制御機は、
基板が地面に対して平たい状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端より基準高さ程度下に配置され、
基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端で前記基準高さより下に配置されるように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
基板が地面に対して平たい状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端より基準高さ程度下に配置され、
基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端で前記基準高さより下に配置されるように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記熱処理チャンバは、
前記基板が置かれる加熱プレートと、
前記加熱プレートの中央領域を加熱する第１ヒーターと、
前記加熱プレートの縁領域を加熱する第２ヒーターと、
前記第１ヒーターに電力を印加する第１電力供給ラインと、
前記第２ヒーターに電力を印加する第２電力供給ラインと、
前記加熱プレートに置かれた基板の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定するセンサーと、及び
前記センサーで測定された温度パラメーター値に根拠して基板の撓め状態を判断する検出器を含むが、
前記センサーは、
前記第１電力供給ラインに供給する電力を測定する第１センサーと、
前記第２電力供給ラインに供給する電力を測定する第２センサーを含み、
前記検出器は、
前記第１センサーで測定した前記第１電力供給ラインの電力値が前記第２センサーで測定した前記第２電力供給ラインの電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
前記基板が置かれる加熱プレートと、
前記加熱プレートの中央領域を加熱する第１ヒーターと、
前記加熱プレートの縁領域を加熱する第２ヒーターと、
前記第１ヒーターに電力を印加する第１電力供給ラインと、
前記第２ヒーターに電力を印加する第２電力供給ラインと、
前記加熱プレートに置かれた基板の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定するセンサーと、及び
前記センサーで測定された温度パラメーター値に根拠して基板の撓め状態を判断する検出器を含むが、
前記センサーは、
前記第１電力供給ラインに供給する電力を測定する第１センサーと、
前記第２電力供給ラインに供給する電力を測定する第２センサーを含み、
前記検出器は、
前記第１センサーで測定した前記第１電力供給ラインの電力値が前記第２センサーで測定した前記第２電力供給ラインの電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記液処理チャンバは、
前記処理容器を洗浄する洗浄液を吐出する洗浄ノズルをさらに含み、
前記制御機は、
前記基板が平たい状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置と、前記基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置が等しいように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
前記処理容器を洗浄する洗浄液を吐出する洗浄ノズルをさらに含み、
前記制御機は、
前記基板が平たい状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置と、前記基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置が等しいように前記昇降ユニットを制御することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
基板を処理する方法において、
液処理チャンバで処理容器内に位置した支持ユニットに基板を配置し、回転する基板に液を供給して基板を液処理するが、
前記基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットの相対高さを調節することを特徴とする基板処理方法。
液処理チャンバで処理容器内に位置した支持ユニットに基板を配置し、回転する基板に液を供給して基板を液処理するが、
前記基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットの相対高さを調節することを特徴とする基板処理方法。
【請求項15】
基板が地面に対して平たい状態で前記処理容器の上端と前記支持ユニットの上面距離を基準距離にする時、基板が地面に対して下方向に屈曲された状態なら前記処理容器の上端と前記支持ユニットの上面の相対高さを前記基準距離より大きい距離で調節することを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記基板を液処理する前に熱処理チャンバで前記基板を加熱処理するが、前記基板の撓め状態は前記加熱処理する時判断することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項17】
前記熱処理チャンバの加熱プレートで基板の中央領域を加熱する第１ヒーターに供給される第１電力基板の縁領域を加熱する第２ヒーターに供給される第２電力センサーでそれぞれ測定し、前記第１電力値が前記第２電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記基板の撓め状態は前記基板が前記加熱プレートに置かれた直後に測定されることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記液処理チャンバで前記処理容器を洗浄するが、前記基板の撓め状態と無関係に前記処理容器の等しい支点で洗浄液が供給されることを特徴とする請求項１４乃至請求項１８のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
【請求項20】
前記液はフォトレジストであることを特徴とする請求項１４乃至請求項１８のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板を処理する装置に関するものであり、より詳細には、回転する基板に液処理して基板を処理する装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そして、イオン注入のような多様な工程が遂行される。このような工程らのうちで写真工程は基板の表面にフォトレジストのような感光液を塗布して膜を形成する塗布工程、基板に形成された膜に回路パターンを転写する露光工程、露光処理された領域またはその反対領域で選択的に基板上に形成された膜を除去する現像工程を含む。
【0003】
最近、半導体基板は回路層が積層される多層化、回路パターンが微細化される微細パターン化、そして、基板が大型化されている。最近多層化、微細パターン化、基板の大型化趨勢中に、基板に撓め(warpage)現象が誘発される。一例で、蝕刻工程でお互いに異なる蝕刻率を有したパターン対象膜を蝕刻しながら誘発された不純物や積層された物質らが相互人力によってパターンの線幅(CD、Critical Demension)の差が誘発され、パターンがお互いに傾いて基板に撓め現象を引き起こす。他の例で、半導体基板が多層化されることで、各層の間に圧力差が発生して基板のある一方の撓める現象が惹起される。この外にも基板に成膜などの多様な前処理工程の影響によって基板に撓めることが発生する。このような基板の撓め現象は後続単位工程を遂行する時、工程不良率を高める。
【0004】
図１は、一般な基板処理装置を示した断面図である。図１を参照すれば、基板処理装置８０００は処理空間を有する処理容器８２００、処理空間で基板(W)を支持及び回転させる支持ユニット８３００、そして、基板(W)に液を供給する液供給ユニット８４００を含む。基板(W)が撓めた状態で液処理工程を進行する時、回転する基板(W)に液が吐出されれば、処理容器８２００の傾いた部分(P)に液が飛散されることがある。処理媒体を回収する処理容器８２００と支持ユニット８３００が形成する間空間である処理容器８２００の傾いた部分(P)に液が蒸着されることがある。
【0005】
基板に液処理をした以後、処理容器８２００に対する洗浄処理を進行することができる。この時、処理容器８２００の意図しない領域である傾いた部分(P)に液が蒸着されることで、処理容器８２００に対する洗浄効率の落ちる問題がある。
【0006】
処理容器８２００の傾いた部分(P)の液が除去されなくて処理容器８２００と支持ユニット８３００が形成する間空間で気流速度が増加することがある。増加された気流速度によって支持ユニット８３００に供給された塗布液など各種液が遺失されることがある。また、液供給ユニット８４００に供給された液が処理空間で飛散されて後続液処理工程を進行する後続基板(W)を汚染させることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】日本特許公開第 ２０１９-０５０２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、液処理工程の効率を高めることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0009】
また、本発明は基板を回転させながら液処理工程を遂行する時、処理容器の意図しない領域に液が蒸着されることを予防することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0010】
また、本発明は液処理工程進行後に処理容器の洗浄を効果的に遂行することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0011】
また、本発明は先行基板に対する液処理工程進行後に後行基板に対する逆汚染を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
【0012】
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板に対して液処理する液処理チャンバ及び前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、前記液処理チャンバは内部に処理空間を有する処理容器、前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニット、基板上に液を供給する液供給ユニット及び前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、前記制御機は基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御することができる。
【0014】
一実施例によれば、前記制御機は基板が地面に対して平たい状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端より基準高さ程度下に配置され、基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端で前記基準高さより下に配置されるように前記昇降ユニットを制御することができる。
【0015】
一実施例によれば、基板に対して熱処理する熱処理チャンバをさらに含むが、前記基板の撓め状態は前記熱処理チャンバで測定することができる。
【0016】
一実施例によれば、前記熱処理チャンバは前記基板が置かれる加熱プレート、前記加熱プレートに置かれた基板の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定するセンサー及び前記センサーで測定された温度パラメーター値に根拠して基板の撓め状態を判断する検出器を含むことができる。
【0017】
一実施例によれば、前記熱処理チャンバは前記加熱プレートの中央領域を加熱する第１ヒーター、前記加熱プレートの縁領域を加熱する第２ヒーター、前記第１ヒーターに電力を印加する第１電力供給ライン、前記第２ヒーターに電力を印加する第２電力供給ラインを含み、前記センサーは前記第１電力供給ラインに供給される電力を測定する第１センサー、前記第２電力供給ラインに供給される電力を測定する第２センサーを含むことができる。
【0018】
一実施例によれば、前記検出器は前記第１センサーで測定した前記第１電力供給ラインの電力値が前記第２センサーで測定した前記第２電力供給ラインの電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することができる。
【0019】
一実施例によれば、前記センサーは基板が前記加熱プレートに安着した直後に前記電力を測定することができる。
【0020】
一実施例によれば、前記液はフォトレジストであることができる。
【0021】
一実施例によれば、前記液処理チャンバは前記処理容器を洗浄する洗浄液を吐出する洗浄ノズルをさらに含み、前記制御機は前記基板が平たい状態である時前記基板に供給された前記液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置と、前記基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時前記基板に供給された前記液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置が等しいように前記昇降ユニットを制御するが、前記洗浄液は前記液が前記処理容器に到逹する位置に飛散されることがある。
【0022】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板が収納された容器が置かれるロードポートを有するインデックスモジュール、基板を処理する工程を遂行する処理モジュールを含むが、前記処理モジュールは基板を一時的に保管するバッファーチャンバ、前記バッファーチャンバと前記処理モジュールの間に基板を返送する返送チャンバ、基板を加熱または冷却処理する熱処理チャンバ、基板に塗布液または現像液を供給する液処理チャンバ及び前記液処理チャンバを制御する制御機を含むが、前記液処理チャンバは内部に処理空間を有する処理容器、前記処理空間で基板を支持して回転させる支持ユニット、基板上に液を供給する液供給ユニット及び前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さを調節する昇降ユニットを含み、前記制御機は基板を回転させながら基板上に前記液を供給して基板処理を進行する時、前記支持ユニットに支持された基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットとの間の相対高さが調節されるように前記昇降ユニットを制御することができる。
【0023】
一実施例によれば、前記制御機は基板が地面に対して平たい状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端より基準高さ程度下に配置され、基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時、前記支持ユニットの上面は前記処理容器の上端で前記基準高さより下に配置されるように前記昇降ユニットを制御することができる。
【0024】
一実施例によれば、前記熱処理チャンバは前記基板が置かれる加熱プレート、前記加熱プレートの中央領域を加熱する第１ヒーター、前記加熱プレートの縁領域を加熱する第２ヒーター、前記第１ヒーターに電力を印加する第１電力供給ライン、前記第２ヒーターに電力を印加する第２電力供給ライン、前記加熱プレートに置かれた基板の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定するセンサー及び前記センサーで測定された温度パラメーター値に根拠して基板の撓め状態を判断する検出器を含むが、前記センサーは前記第１電力供給ラインに供給される電力を測定する第１センサー、前記第２電力供給ラインに供給される電力を測定する第２センサーを含み、前記検出器前記第１センサーで測定した前記第１電力供給ラインの電力値が前記第２センサーで測定した前記第２電力供給ラインの電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することができる。
【0025】
一実施例によれば、前記液処理チャンバは前記処理容器を洗浄する洗浄液を吐出する洗浄ノズルをさらに含み、前記制御機は前記基板が平たい状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置と、前記基板が地面に対して下方向にふくらんでいる状態である時前記基板に供給された前記洗浄液が遠心力によって前記処理容器に到逹する位置が等しいように前記昇降ユニットを制御することができる。
【0026】
また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は液処理チャンバで処理容器内に位置した支持ユニットに基板を配置し、回転する基板に液を供給して基板を液処理するが、前記基板の撓め状態によって前記処理容器と前記支持ユニットの相対高さを調節することができる。
【0027】
一実施例によれば、基板が地面に対して平たい状態で前記処理容器の上端と前記支持ユニットの上面距離を基準距離にする時、基板が地面に対して下方向に屈曲された状態なら前記処理容器の上端と前記支持ユニットの上面の相対高さを前記基準距離より大きい距離で調節することができる。
【0028】
一実施例によれば、前記基板を液処理する前に熱処理チャンバで前記基板を加熱処理するが、前記基板の撓め状態は前記基板を加熱処理する時判断することができる。
【0029】
一実施例によれば、前記熱処理チャンバの加熱プレートで基板の中央領域を加熱する第１ヒーターに供給される第１電力基板の縁領域を加熱する第２ヒーターに供給される第２電力センサーでそれぞれ測定し、前記第１電力値が前記第２電力値より高く測定された場合基板を撓め状態と判断することができる。
【0030】
一実施例によれば、前記基板の撓め状態は前記基板が前記加熱プレートに置かれた直後に測定することができる。
【0031】
一実施例によれば、前記液処理チャンバで前記処理容器を洗浄するが、前記基板の撓め状態と無関係に前記処理容器の等しい支点に洗浄液が供給されることができる。
【0032】
一実施例によれば、前記液はフォトレジストであることができる。
【発明の効果】
【0033】
本発明の実施例によれば、液処理工程の効率を向上させることができる。
【0034】
また、本発明の実施例によれば、基板を回転させながら液処理工程を遂行する時、基板の撓め状態によって処理容器の意図しない領域に液が蒸着されることを予防することができる。
【0035】
また、本発明の実施例によれば、液処理工程進行後処理容器の洗浄を効果的に遂行することができる。
【0036】
また、本発明の実施例によれば、先行基板に対する液処理工程進行後に後行基板に対する逆汚染を防止することができる。
【0037】
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】一般な基板処理装置の工程チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。
【図2】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図である。
【図10】基板が平たい時液処理チャンバを概略的に見せてくれる図面である。
【図11】基板が下の方向に屈曲された状態である時液処理チャンバを概略的に見せてくれる図面である。
【図16】本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれる流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【0039】
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下で敍述する実施例によって限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
【0040】
以下、図２乃至図１６を参照して本発明の一例を詳しく説明する。下の実施例では基板処理装置で基板上にフォトレジストを塗布し、露光後基板を現像する工程を遂行する装置を例えば説明する。しかし、本発明はこれに限定されないで、回転する基板に液を供給して基板を処理する多様な種類の装置に適用可能である。例えば、基板処理装置は基板に洗浄液を供給して基板上に異物を除去するか、または基板に薬液を供給して基板で薄膜を除去する工程を遂行する装置であることができる。
【0041】
【0042】
図２乃至図４を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール(index module)１０、処理モジュール(treating module)２０、そして、インターフェースモジュール(interface module)３０を含む。一実施例によれば、インデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして、インターフェースモジュール３０は順次に一列で配置される。以下、インデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして、インターフェースモジュール３０が配列された方向を第１方向２といって、上部から眺める時第１方向２と垂直な方向を第２方向４といって、第１方向２及び第２方向４をすべて含んだ平面に垂直な方向を第３方向６と定義する。
【0043】
インデックスモジュール１０は基板(W)が収納された容器(F)から基板(W)を処理する処理モジュール２０に基板(W)を返送する。インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で処理が完了された基板(W)を容器(F)に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２０とインデックスフレーム１４０を有する。
【0044】
ロードポート１２０には基板(W)が収納された容器(F)が安着される。ロードポート１２０はインデックスフレーム１４０を基準で処理モジュール２０の反対側に位置する。ロードポート１２０は複数個が提供されることができるし、複数ロードポート１２０は第２方向４に沿って一列で配置されることができる。ロードポート１２０の個数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することがある。
【0045】
容器(F)には基板(W)らを地面に対して水平に配置した状態で収納するための複数のスロット(図示せず)が形成される。容器(F)としては、前面開放一体型ポッド(Front Opening Unifed Pod：FOUP)のような密閉用容器が使用されることができる。容器(F)はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート１２０に置かれることができる。
【0046】
インデックスフレーム１４０の内部にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はインデックスフレーム１４０内にその長さ方向が第２方向４に沿って提供される。インデックスロボット１４４は基板(W)を返送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスモジュール１０、そして、後述するバッファーチャンバ２４０の間に基板(W)を返送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスハンド１４４０を含むことができる。インデックスハンド１４４０には基板(W)が置かれることができる。インデックスハンド１４４０は円周の一部が対称されるように折曲された環形のリング形状を有するインデックスベース１４４２とインデックスベース１４４２を移動させるインデックス支持部１４４４を含むことができる。インデックスハンド１４４０の構成は後述する返送ハンド２２４０の構成と同一または類似である。インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２上で第２方向４に沿って移動可能に提供されることができる。これに、インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２に沿って前進及び後進移動が可能である。また、インデックスハンド１４４０は第３方向６を軸にした回転、そして、第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。
【0047】
処理モジュール２０は容器(F)に収納された基板(W)の伝達を受けて基板(W)に対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール２０は塗布ブロック２０a及び現像ブロック２０bを有する。塗布ブロック２０aは基板(W)に対して塗布工程(Coating process)を遂行する。現像ブロック２０bは基板(W)に対して現像工程(Developing process)を遂行する。塗布ブロック２０aは複数個が提供され、塗布ブロック２０aらはお互いに積層されるように提供される。現像ブロック２０bは複数個が提供され、現像ブロック２０bらはお互いに積層されるように提供される。図１の実施例によれば、塗布ブロック２０aは２個が提供され、現像ブロック２０bは２個が提供される。塗布ブロック２０aらは現像ブロック２０bらの下に配置されることができる。一例によれば、２個の塗布ブロック２０aらはお互いに等しい工程を遂行し、お互いに等しい構造で提供されることができる。また、２個の現像ブロック２０bらはお互いに等しい工程を遂行し、お互いに等しい構造で提供されることができる。
【0048】
図４を参照すれば、塗布ブロック２０aは返送チャンバ２２０、バッファーチャンバ２４０、熱処理チャンバ２６０、そして、液処理チャンバ２８０を有する。返送チャンバ２２０はバッファーチャンバ２４０と熱処理チャンバ２６０との間に、バッファーチャンバ２４０と液処理チャンバ２８０との間に、そして、熱処理チャンバ２６０と液処理チャンバ２８０との間に基板(W)を返送する空間を提供する。バッファーチャンバ２４０は塗布ブロック２０a内に搬入される基板(W)と塗布ブロック２０aから搬出される基板(W)が一時的にとどまる空間を提供する。熱処理チャンバ２６０は基板(W)に対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバ２６０は基板(W)上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜または反射防止膜であることができる。
【0049】
返送チャンバ２２０は長さ方向が第１方向２に提供されることができる。返送チャンバ２２０にはガイドレール２２２と返送ロボット２２４が提供される。ガイドレール２２２は長さ方向が第１方向２に返送チャンバ２２０内に提供される。返送ロボット２２４はガイドレール２２２上で第１方向２に沿って直線移動可能に提供されることができる。返送ロボット２２４はバッファーチャンバ２４０と熱処理チャンバ２６０との間に、バッファーチャンバ２４０と液処理チャンバ２８０との間に、そして、熱処理チャンバ２６０と液処理チャンバ２８０との間に基板(W)を返送する。
【0050】
一例によれば、返送ロボット２２４は基板(W)が置かれる返送ハンド２２４０を有する。返送ハンド２２４０は前進及び後進移動、第３方向６を軸にした回転、そして、第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。
【0051】
図５は、図４の返送チャンバに提供される返送ハンドの一実施例を見せてくれる図面である。図５を参照すれば、返送ハンド２２４０はベース２２４２及び支持突起２２４４を有する。ベース２２４２は円周の一部が折曲された環形のリング形状を有することができる。ベース２２４２は円周の一部が対称されるように折曲されたリング形状を有することができる。ベース２２４２は基板(W)の直径より大きい内径を有する。支持突起２２４４はベース２２４２から内側に延長される。支持突起２２４４は複数個が提供され、基板(W)の縁領域を支持する。一例によれば、支持突起２２４４は等間隔で４個が提供されることができる。
【0052】
再び図３及び図４を参照すれば、バッファーチャンバ２４０は複数個で提供される。バッファーチャンバ２４０らのうちで一部はインデックスモジュール１０と返送チャンバ２２０との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを前端バッファー(front buffer)２４２で定義する。前端バッファー２４２らは複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。バッファーチャンバ２４０らのうちで他の一部は返送チャンバ２２０とインターフェースモジュール３０との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを後端バッファー（rear buffer)２４４で定義する。後端バッファー２４４らは複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。前端バッファー２４２ら及び後端バッファー２４４らそれぞれは複数の基板(W)らを一時的に保管する。前端バッファー２４２に保管された基板(W)はインデックスロボット１４４及び返送ロボット２２４によって搬入または搬出される。後端バッファー２４４に保管された基板(W)は返送ロボット２２４及び後述する第１ロボット３８２０によって搬入または搬出される。
【0053】
バッファーチャンバ２４０の一側にはバッファーロボット２４２０、２４４０が提供されることができる。バッファーロボット２４２０、２４４０は前端バッファーロボット２４２０と後端バッファーロボット２４４０を含むことができる。前端バッファーロボット２４２０は前端バッファー２４２の一側に提供されることができる。後端バッファーロボット２４４０は後端バッファー２４４の一側に提供されることができる。これに限定されるものではなくて、バッファーロボット２４２０、２４４０はバッファーチャンバ２４０の両側に提供されることができる。
【0054】
前端バッファーロボット２４２０は前端バッファー２４２らの間に基板(W)を返送することができる。前端バッファーロボット２４２０は前端バッファーハンド２４２２を含むことができる。前端バッファーハンド２４２２は第３方向６に沿って上下方向に移動されることができる。前端バッファーハンド２４２２は回転されることができる。前端バッファーハンド２４２２は基板(W)を返送することができる。前端バッファーハンド２４２２は後述する支持プレート２４８２に提供されるピン２４８６らに基板(W)をローディングまたはアンローディングすることができる。後端バッファーロボット２４４０は後端バッファー２４４らの間に基板(W)を返送することができる。後端バッファーロボット２４４０は後端バッファーハンド２４４２を含むことができる。後端バッファーハンド２４４２の構成は前端バッファーハンド２４２２の構成と同一または類似である。したがって、後端バッファーハンド２４４２に対する説明は略する。
【0055】
【0056】
図６乃至図８を参照すれば、熱処理チャンバ２６０は複数個で提供される。熱処理チャンバ２６０らは第１方向２に沿って配置される。熱処理チャンバ２６０らは返送チャンバ２２０の一側に位置する。熱処理チャンバ２６０はハウジング２６２０、冷却ユニット２６４０、加熱ユニット２６６０、そして、返送プレート２６８０を含む。
【0057】
ハウジング２６２０は概して直方体の形状で提供される。ハウジング２６２０は内部に空間を提供する。ハウジング２６２０の側壁には基板(W)が出入りされる出入口(図示せず)が形成される。出入口は開放された状態で維持されることができる。選択的に出入口を開閉するようにドア(図示せず)が提供されることができる。ハウジング２６２０の内部空間には冷却ユニット２６４０、加熱ユニット２６６０、そして、返送プレート２６８０が提供される。冷却ユニット２６４０と加熱ユニット２６６０は第２方向４に沿って並んで提供される。一例によれば冷却ユニット２６４０は加熱ユニット２６６０より相対的に返送チャンバ２２０にさらに近く位置することができる。冷却ユニット２６４０は冷却プレート２６４２を含む。冷却プレート２６４２は上部から眺める時概して円形の形状を有することができる。冷却プレート２６４２には冷却部材２６４４が提供される。一例によれば、冷却部材２６４４は冷却プレート２６４２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路に提供されることができる。
【0058】
加熱ユニット２６６０は加熱プレート２６６１、ヒーター２６６２、電力供給ライン２６６３、センサー２６６４、検出器２６６５、カバー２６６６、そして、駆動機２６６７を含む。
【0059】
加熱プレート２６６１は基板(W)を加熱処理する。加熱プレート２６６１は上部から眺める時概して円形の形状を有する。加熱プレート２６６１は基板(W)より大きい直径を有する。加熱プレート２６６１の上部に基板(W)が安着される。加熱プレート２６６１にはヒーター２６６２が設置される。ヒーター２６６２は後述する電力供給ライン２６６３に連結される。ヒーター２６６２は電流が印加される発熱低抗体で提供されることができる。ヒーター２６６２は第１ヒーター２６６２aと第２ヒーター２６６２bを含むことができる。第１ヒーター２６６２aと第２ヒーター２６６２bは加熱プレート２６６１の相異な領域を加熱する。第１ヒーター２６６２aは加熱プレート２６６２の中央領域に位置する。第１ヒーター２６６２aは基板(W)の中央領域を加熱することができる。第２ヒーター２６６２bは加熱プレート２６６２の縁領域に位置する。第２ヒーター２６６２bは基板(W)の縁領域を加熱することができる。
【0060】
電力供給ライン２６６３は第１電力供給ライン２６６３aと第２電力供給ライン２６６３bを含むことができる。第１電力供給ライン２６６３aは第１ヒーター２６６２aに電力を印加することができる。第１ヒーター２６６２aに供給された電力は低抗体によって熱を発散して基板(W)の中央領域に熱を伝達する。第２電力供給ライン２６６３bは第２ヒーター２６６２bに電力を印加することができる。第２ヒーター２６６２bに供給された電力は低抗体によって熱を発散して基板(W)の縁領域に熱を伝達する。
【0061】
センサー２６６４は加熱プレート２６６１に置かれた基板(W)の領域別に温度パラメーターを測定することができる。センサー２６６４は基板(W)が加熱プレート２６６１に安着された直後に温度パラメーターを測定することができる。これによって熱処理チャンバ２６０内部の環境要因と無関係に正確な温度パラメーターを得ることができるので、温度パラメーターに対する信頼性を確保することができる。センサー２６６４は第１センサー２６６４aと第２センサー２６６４bを含むことができる。第１センサー２６６４aは基板(W)の中央領域の温度パラメーターを測定することができる。第２センサー２６６４bは基板(W)の縁領域の温度パラメーターを測定することができる。一例で、基板(W)の領域別に温度パラメーターは電力であることができる。選択的に、温度パラメーターは抵抗または発熱量であることができる。
【0062】
検出器２６６５は第１センサー２６６４aと第２センサー２６６５aから測定された温度パラメーター値に根拠して基板(W)の撓め(warpage)状態を判断する。検出器２６６５は第１センサー２６６４aによって測定された温度パラメーター値と第２センサー２６６４bによって測定された温度パラメーター値を比べて基板(W)の撓め状態を判断する。例えば、検出器２６６５は第１センサー２６６４aと第２センサー２６６４bによって測定された温度パラメーター値の差が設定範囲以内の場合、基板(W)を平たい状態と判断する。例えば、検出器２６６５は１センサー２６６４aと第２センサー２６６４bによって測定された温度パラメーター値の差が設定範囲を脱した場合、基板(W)を屈曲された状態と判断する。選択的に、温度パラメーター値の差の程度によって基板(W)の撓め程度を複数個に等分して判断することができる。
【0063】
以下では基板(W)の領域別温度パラメーターが電力である場合の例を挙げて説明する。第１センサー２６６４aは第１電力供給ライン２６６３aと連結される。第１センサー２６６４aは第１電力供給ライン２６６３aで第１ヒーター２６６２aに供給する電力を測定することができる。第２センサー２６６４bは第２電力供給ライン２６６３bで第２ヒーター２６６２bに供給する電力を測定することができる。検出器２６６５は第１センサー２６６４a及び第２センサー２６６４bからそれぞれ測定された電力値を受信する。検出器２６６５は第１センサー２６６４aによって測定された基板(W)の中央領域に対する電力値と第２センサー２６６４bによって測定された基板(W)の縁領域に対する電力値を比べる。検出器２６６５は第１センサー２６６４aと第２センサー２６６４bから受信された電力値が他の場合基板(W)を撓め状態と判断する。一例で、基板(W)の平たい部分は加熱プレート２６６１と面接触が大きい。基板(W)の平たい部分と加熱プレート２６６１に提供されたヒーター２６６２との熱伝達が円滑である。これによって基板(W)の平たい部分に対応される位置に提供されたヒーター２６６２は電力供給ライン２６６３から印加される電力量が大きい。よって、検出器２６６５は第１センサー２６６４aから受信された電力値が第２センサー２６６４bから受信された電力値より高く測定された場合、基板(W)が下の方向にふくらんでいる状態と判断する。
【0064】
前述した実施例でのセンサー２６６４は、加熱プレート２６６１に置かれた基板(W)の領域別温度パラメーターをそれぞれ測定することで説明した。但し、これに限定されないで、センサー２６６４は距離センサーに提供されることができる。一例で、センサー２６６４は赤外線測定センサーで提供されることができる。センサー２６６４はハウジング２６２０天井面に提供されることができる。センサー２６６４は基板(W)の領域に対応されるように複数個が提供されることができる。それぞれのセンサー２６６４らは設置された位置から基板(W)までの距離を測定することができる。検出器２６６５はそれぞれのセンサー２６６４らで測定した距離データに根拠して基板(W)の撓め状態を判断することができる。一例で、検出器２６６５は基板(W)の縁領域に位置した一センサー２６６４で検出された距離値が基板(W)の中央領域に位置した他のセンサー２６６４の検出された距離値より小さい場合基板(W)が下の方向にふくらんでいるように屈曲された状態と判断することができる。
【0065】
加熱プレート２６６１には第３方向６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン２６６９らが提供される。リフトピン２６６９は加熱ユニット２６６０外部の返送手段から基板(W)の引受を受けて加熱プレート２６６１上に下ろすか、または加熱プレート２６６１から基板(W)を持ち上げて加熱ユニット２６６０外部の返送手段に引き継ぐ。一例によれば、リフトピン２６６９は３個が提供されることができる。カバー２６６６は内部に下部が開放された空間を有する。カバー２６６６は加熱プレート２６６１の上部に位置されて駆動機２６６７によって上下方向に移動される。カバー２６６６が移動されてカバー２６６６と加熱プレート２６６１が形成する空間は基板(W)を加熱する加熱空間に提供される。熱処理チャンバ２６０らのうちで一部の熱処理チャンバ２６０に提供された加熱ユニット２６６０は基板(W)を加熱する中にガスを供給してフォトレジストの基板(W)付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン(hexamethyldisilane)であることがある。
【0066】
返送プレート２６８０は概して円板形状で提供され、基板(W)と対応される直径を有する。返送プレート２６８０の縁にはノッチ２６８２が形成される。ノッチ２６８２は返送ロボット２２４の返送ハンド２２４０に形成された支持突起２２４４と対応される数で提供され、支持突起２２４４と対応される位置に形成される。返送ハンド２２４０と返送プレート２６８０が上下方向に整列された位置で返送ハンド２２４０と返送プレート２６８０の上下位置が変更されれば、返送ハンド２２４０と返送プレート２６８０との間に基板(W)の伝達がなされる。返送プレート２６８０はガイドレール２６９２上に装着され、駆動機２６９４によってガイドレール２６９２に沿って第１領域２６９６と第２領域２６９８との間に移動することができる。
【0067】
返送プレート２６８０にはスリット形状のガイド溝２６８４が複数個提供される。ガイド溝２６８４は返送プレート２６８０の末端で返送プレート２６８０の内部まで延長される。ガイド溝２６８４はその長さ方向が第２方向４に沿って提供され、ガイド溝２６８４らは第１方向２に沿ってお互いに離隔されるように位置する。ガイド溝２６８４は返送プレート２６８０と加熱ユニット２６６０との間に基板(W)の引受引き継ぎがなされる時、返送プレート２６８０とリフトピン２６６９がお互いに干渉されることを防止する。
【0068】
基板(W)の冷却は基板(W)が置かれた返送プレート２６８０が冷却プレート２６４２に接触された状態でなされる。冷却プレート２６４２と基板(W)との間に熱伝達がよくなされるように返送プレート２６８０は熱伝導性が高い材質で提供される。一例によれば、返送プレート２６８０は金属材質で提供されることができる。
【0069】
再び図３及び図４を参照すれば、液処理チャンバ２８０は複数個で提供される。液処理チャンバ２８０らのうちで一部はお互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバ２８０らは返送チャンバ２２０の一側に配置される。液処理チャンバ２８０らは第１方向２に沿って並んで配列される。液処理チャンバ２８０らのうちである一部はインデックスモジュール１０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバ２８０を前端液処理チャンバ（front liquid treating chamber)２８２と定義する。液処理チャンバ２８０らのうちで他の一部はインターフェースモジュール３０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバ２８０を後端液処理チャンバ（rear liquid treating chamber)２８４と定義する。
【0070】
前端液処理チャンバ２８２は基板(W)上に第１液を塗布し、後端液処理チャンバ２８４は基板(W)上に第２液を塗布する。第１液と第２液はお互いに相異な種類の液であることがある。一実施例によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であることがある。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１液と第２液は等しい種類の液であり、これらはすべてフォトレジストであることができる。
【0071】
図９は、図４の液処理チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図９を参照すれば、液処理チャンバ２８０はハウジング２８１０、処理容器２８２０、支持ユニット２８３０、昇降ユニット２８４０、そして、液供給ユニット２８５０を含む。
【0072】
ハウジング２８１０は内部に空間を提供する。ハウジング２８１０は概して直方体形状で提供される。ハウジング２８１０の一側には開口(図示せず)が形成されることができる。開口は基板(W)が内部空間に搬入されるか、または内部空間に基板(W)が搬出される出入口で機能する。また、出入口を選択的に密閉させるため、出入口と隣接した領域にはドア(図示せず)が設置されることができる。ドアは内部空間に搬入された基板(W)に対する処理工程が遂行されるうちに出入口を遮断して内部空間を密閉することができる。処理容器２８２０、支持ユニット２８３０、昇降ユニット２８４０、そして、液供給ユニット２８５０はハウジング２８１０内に配置される。
【0073】
処理容器２８２０は上部が開放された処理空間を有することができる。処理容器２８２０は処理空間を有するボウル(bowl)であることがある。内部空間は処理空間を囲むように提供されることができる。処理容器２８２０は上部が開放されたコップ形状を有することができる。処理容器２８２０が有する処理空間は後述する支持ユニット２８３０が基板(W)を支持、そして、回転させる空間であることができる。処理空間は後述する液供給ユニット２８５０が流体を供給して基板(W)が処理される空間であることができる。
【0074】
一例によれば、処理容器２８２０は内側コップ２８２２、そして、外側コップ２８２４を含むことができる。外側コップ２８２４は支持ユニット２８３０のまわりを囲むように提供され、内側コップ２８２２は外側コップ２８２４の内側に位置することができる。内側コップ２８２２及び外側コップ２８２４それぞれは上部から眺める時環形のリング形状を有することができる。内側コップ２８２２及び外側コップ２８２４の間空間は処理空間に流入された流体が回収される回収経路で提供されることができる。
【0075】
内側コップ２８２２は上部から眺める時、後述する支持ユニット２８３０の支持軸２８３４を囲む形状で提供されることができる。例えば、内側コップ２８２２は上部から眺める時支持軸２８３４を囲む円形の板形状で提供されることができる。上部から眺める時、内側コップ２８２２はハウジング２８１０に結合される後述する排気ライン２８６０と重畳されるように位置されることができる。
【0076】
内側コップ２８２２は内側部及び外側部を有することができる。内側部と外側部それぞれの上面は仮想の水平線を基準でお互いに相異な角度を有するように提供されることができる。例えば、内側部は上部から眺める時、後述する支持ユニット２８３０の胴体２８３２と重畳されるように位置されることができる。内側部は支持軸２８３４と向い合うように位置されることができる。内側部は支持軸２８３４から遠くなるほどその上面が上向き傾いた方向を向けて、外側部は内側部から外側方向に延長されることができる。外側部は上面が支持軸２８３４から遠くなるほど下向き傾いた方向を向けることができる。内側部の上端は基板(W)の側端部と上下方向に一致することができる。一例によれば、外側部と内側部が会う支点は内側部の上端より低い位置であることができる。内側部と外側部がお互いに会う支点はラウンドになるように提供されることができる。外側部は外側コップ２８２４とお互いに組合されて処理媒体が回収される回収経路を形成することができる。
【0077】
外側コップ２８２４は支持ユニット２８３０及び内側コップ２８２２を囲むコップ形状で提供されることができる。外側コップ２８２４は底部２８２４a、側部２８２４b、傾斜部２８２４cを含むことができる。
【0078】
底部２８２４aは中空を有する円形の板形状を有することができる。底部２８２４aには回収ライン２８７０が連結されることができる。回収ライン２８７０は基板(W)上に供給された処理媒体を回収することができる。回収ライン２８７０によって回収された処理媒体は外部の再生システム(図示せず)によって再使用されることができる。
【0079】
側部２８２４bは支持ユニット２８３０を囲む環形のリング形状を有することができる。側部２８２４bは底部２８２４aの側端から垂直な方向に延長されることができる。側部２８２４bは底部２８２４aから上に延長されることができる。
【0080】
傾斜部２８２４cは側部２８２４bの上端から外側コップ２８２４の中心軸を向ける方向に延長されることができる。傾斜部２８２４cの内側面は支持ユニット２８３０に近くなるように上向き傾くように提供されることができる。傾斜部２８２４cはリング形状を有するように提供されることができる。基板(W)に対する処理工程進行中には傾斜部２８２４cの上端が支持ユニット２８３０に支持された基板(W)より高く位置されることができる。
【0081】
支持ユニット２８３０は基板(W)を処理空間内で基板(W)を支持して基板(W)を回転させる。支持ユニット２８３０は基板(W)を支持、そして、回転させるチャックであることができる。支持ユニット２８３０は胴体２８３２、支持軸２８３４、そして、駆動部２８３６を含むことができる。胴体２８３２は基板(W)が安着される上部面を有することができる。胴体２８３２の上部面は上部から眺める時概して円形で提供される。胴体２８３２の上部面は基板(W)より小さな直径を有するように提供されることができる。胴体２８３２には吸着ホール(図示せず)が形成されて真空吸着方式で基板(W)を固定することができる。
【0082】
支持軸２８３４は胴体２８３２と結合する。支持軸２８３４は胴体２８３２の下面と結合することができる。支持軸２８３４は長さ方向が上下方向を向けるように提供されることができる。支持軸２８３４は駆動部２８３６から動力の伝達を受けて回転可能になるように提供される。支持軸２８３４が駆動部２８３６の回転によって回転することで胴体２８３２を回転させる。駆動部２８３６は支持軸２８３４の回転速度を可変することができる。駆動部２８３６は駆動力を提供するモータであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、駆動力を提供する公知された装置で多様に変形されることができる。
【0083】
昇降ユニット２８４０は処理容器２８２０と支持ユニット２８３０との間の相対高さを調節する。昇降ユニット２８４０は第１昇降ユニット２８４２と第２昇降ユニット２８４４、そして、第３昇降ユニット２８４６を含むことができる。第１昇降ユニット２８４２は処理容器２８２０の内側コップ２８２２に結合されることができる。第１昇降ユニット２８４２は内側コップ２８２２を第３方向６に直線移動させる。第２昇降ユニット２８４２は処理容器２８２０の外側コップ２８２４に結合されることができる。第２昇降ユニット２８４４は外側コップ２８２４を第３方向６に直線移動させる。第３昇降ユニット２８４６は支持ユニット２８３０に結合されることができる。第３昇降ユニット２８４６は支持ユニット２８３０を第３方向６に直線移動させる。第１昇降ユニット２８４２、第２昇降ユニット２８４４、そして、第３昇降ユニット２８４６は後述する制御機３０００によってそれぞれ制御されることができる。
【0084】
液供給ユニット２８５０は支持ユニット２８３０に支持された基板(W)に液を供給することができる。液供給ユニット２８５０は支持ユニット２８３０に支持された基板(W)に液を供給することができる。液供給ユニット２８５０が基板(W)に供給する液は塗布液であることができる。例えば、塗布液はフォトレジスト(Photoresist、PR)のような感光液であることができる。また、液供給ユニット２８５０は支持ユニット２８３０に支持された基板(W)にフリーウェット液を供給することができる。液供給ユニット２８５０が基板(W)に供給するフリーウェット液は基板(W)の表面性質を変化させることができる液であることがある。例えば、フリーウェット液は基板(W)の表面性質を疎水性性質を有するように変化させることができる液であることがある。例えば、フリーウェット液はシンナー(Thinner)であることがある。
【0085】
液供給ユニット２８５０はフリーウェットノズル２８５１、液ノズル２８５３、アーム２８５５、レール２８５７、駆動機２８５９を含むことができる。フリーウェットノズル２８５１はフリーウェット液を基板(W)に供給することができる。フリーウェットノズル２８５１はストリーム方式でフリーウェット液を基板(W)に供給することができる。処理液ノズル２８５３は処理液を基板(W)に供給することができる。処理液ノズル２８５３はフォトレジストのような塗布液を供給する塗布液ノズルであることができる。処理液ノズル２８５３はストリーム方式で処理液を基板(W)に供給することができる。
【0086】
アーム２８５５はフリーウェットノズル２８５１、そして、処理液ノズル２８５３を支持することができる。アーム２８５５の一端にはフリーウェットノズル２８５１、そして、処理液ノズル２８５３が設置されることができる。アーム２８５５の一端下面にはフリーウェットノズル２８５１、そして、処理液ノズル２８５３がそれぞれ設置されることができる。上部から眺める時、フリーウェットノズル２８５１及び処理液ノズル２８５３は後述するレール２８５７の長さ方向と平行な方向に配列されることができる。アーム２８５５の他端は駆動機２８５９と結合されることができる。
【0087】
アーム２８５５は駆動機２８５９によって移動されることができる。これによってアーム２８５５に設置されたフリーウェットノズル２８５１、そして、処理液ノズル２８５３の位置が変更されることができる。アーム２８５５は駆動機２８５９が設置されるレール２８５７に沿って移動方向がガイドされることができる。レール２８５７は長さ方向が水平方向を向けるように提供されることができる。例えば、レール２８５７は長さ方向が第１方向２と平行な方向を向けるように提供されることができる。選択的に、アーム２８５５は長さ方向が第３方向６を向ける回転軸に結合されて回転されることができる。回転軸は駆動機によって回転されることができる。これに、アーム２８５５に設置されるフリーウェットノズル２８５１、そして、処理液ノズル２８５３の位置が変更されることができる。
【0088】
排気ライン２８６０は工程チャンバ２８０の外部に提供されることができる。排気ライン２８６０は減圧ユニット(図示せず)が設置される。排気ライン２８６０は減圧ユニットによって処理空間内部の雰囲気を排気する。排気ライン２８６０は処理容器２８２０と結合することができる。選択的に、排気ライン２８６０は外側コップ２８２４の底部２８２４aに結合することができる。上部から眺める時、排気ライン２８６０は内側コップ２８２２と重畳されるように位置されることができる。
【0089】
気流供給ユニット２８８０はハウジング２８１０の内部空間に気流を供給する。気流供給ユニット２８８０は内部空間で下降気流を供給することができる。気流供給ユニット２８８０は温度及び/または湿度が調節された気流を内部空間に供給することができる。気流供給ユニット２８８０はハウジング２８１０に設置されることができる。気流供給ユニット２８８０は処理容器２８２０と支持ユニット２８３０より上部に設置されることができる。気流供給ユニット２８８０はファン２８８２、気流供給ライン２８８４、そして、フィルター２８８６を含むことができる。気流供給ライン２８８４は温度及び/または湿度が調節された外部の気流を内部空間に供給することができる。気流供給ライン２８８４にはフィルター２８８６が設置されることができる。フィルター２８８６は気流供給ライン２８８４に流れる外部の気流が有する不純物を除去することができる。ファン２８８２が駆動されれば気流供給ライン２８８４が供給する外部の気流を内部空間に均一に伝達することができる。
【0090】
制御機３０００は処理容器２８２０と支持ユニット２８３０の間の相対高さが調節されるように第１昇降ユニット２８４２、第２昇降ユニット２８４４、そして、第３昇降ユニット２８４６を制御する。以下では制御機３０００が第２昇降ユニット２８４４を制御して処理容器２８２０の外側コップを昇降移動させる場合の例を挙げて説明する。制御機３０００は検出器２６６５から基板(W)の撓め状態に対する情報を受信する。制御機３０００は熱処理チャンバ２６０で基板(W)に対する熱処理が終わった以後基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入される時、熱処理チャンバ２６０で判断した基板(W)の撓め状態によって処理容器２８２０の昇降移動を制御することができる。
【0091】
図１０は、基板が平たい時液処理チャンバを概略的に見せてくれる図面であり、図１１は基板が下の方向に屈曲された状態である時液処理チャンバを概略的に見せてくれる図面である。支持ユニット２８３０の上面で処理容器２８２０の側部２８２４bに向けて水平で引き継いだ仮想線に対応される処理容器２８０２の側部２８２４b支点を基準高さ(A)と定義する。
【0092】
図１０を参照すれば、制御機３０００は検出器２６６５から基板(W)が平たい状態という情報を受信する。制御機３０００は検出器２６６５から受信した情報を根拠で第２昇降ユニット２８４４を制御する。制御機３０００は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)と対応される高さに配置されるように第２昇降ユニット２８４４を制御する。一例で、制御機３０００は基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入される前、または基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入されて液処理を始める以前に第２昇降ユニット２８４４を制御することができる。
【0093】
図１１を参照すれば、制御機３０００は検出器２６６５から基板(W)が下の方向に屈曲された状態という情報を受信する。制御機３０００は検出器２６６５から受信した情報を根拠で第２昇降ユニット２８４４を制御する。制御機３０００は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)より下に配置されるように第２昇降ユニット２８４４を制御して処理容器２８３０を上の方向に移動させる。一例で、制御機３０００は基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入される前、または基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入されて液処理を始める以前に第２昇降ユニット２８４４を制御することができる。
【0094】
【0095】
図１２乃至図１３を参照すれば、液処理過程で回転する基板(W)上に吐出された液が処理容器２８２０に飛散される。飛散された液は処理容器２８２０に付着される。一般な基板処理装置において、処理容器２８２０と支持ユニット２８３０の相対高さを調節しないで、基板(W)が撓めた状態で回転する基板(W)に対して液処理工程を進行したら、処理容器２８２０の傾斜部２８２４cに液が飛散されて蒸着されることができる。処理容器８２００の傾斜部２８２４cの液が蒸着されることで、処理容器８２００と支持ユニット８３００が形成する間空間で気流速度が増加することができる。増加された気流速度によって基板(W)に供給された塗布液など各種液が遺失されることがある。また、液供給ユニット８４００に供給された液が処理空間で飛散されて液処理工程を進行する基板(W)を汚染させることがある。処理容器２８２０の傾斜部２８２４cに液が持続的に蒸着されたら、後続基板(W)に対する液処理工程を進行する時各種処理液の遺失と後続基板(W)に対する汚染問題が深化される。
【0096】
本発明の実施例による制御機３０００は検出器２６６５から受信した基板(W)の撓め状態情報を根拠で、処理容器２８２０と支持ユニット２８３０の相対高さを調節するように第２昇降ユニット２８４４を制御して基板(W)上に吐出された液が処理容器２８３０側部２８２４bのA支点に液が飛散されるように誘導することができる。基板(W)が平たい状態である時にもA支点に液が飛散されることができる。基板(W)が下の方向にふくらんでいる状態で撓めた場合にもA支点に液が飛散されることがある。これによって、液処理過程で飛散された液を処理容器２８３０の特定支点に弾着されることができるので、後続基板(W)に対して液処理工程を進行する時塗布不良を最小化することができる。
【0097】
前述した実施例では制御機３０００が処理容器２８２０を昇降移動するように第２昇降ユニット２８４４を制御することで説明した。但し、これに限定されないで制御機３０００は基板(W)の撓め状態によって、支持ユニット２８３０が昇降移動するように第２昇降ユニット２８４４を制御して処理容器２８２０と支持ユニット２８３０の相対高さが調節されるように支持ユニット２８３０を昇降移動させることができる。
【0098】
選択的に、制御機３０００は基板の撓め状態によって、処理容器２８２０及び支持ユニット２８３０がそれぞれ昇降移動するように第２昇降ユニット２８４４と第３昇降ユニット２８４６をそれぞれ制御して処理容器２８２０と支持ユニット２８３０の相対高さを調節することができる。一例で、制御機３０００が検出器２６６５から基板(W)が下の方向に屈曲された状態という情報を受信した場合、制御機３０００は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)より下に配置されるように、第２昇降ユニット２８４４を制御して処理容器２８３０を上の方向に移動させ、第３昇降ユニット２８４６を制御されるのユニット２８３０を下の方向に移動させることができる。
【0099】
図１４及び図１５は、図９の液処理チャンバの他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。図１４及び図１５で説明する実施例は、図９乃至図１３の実施例で説明したハウジング２８１０、処理容器２８２０、支持ユニット２８３０、昇降ユニット２８４０、そして、排気ユニット２８９０と類似に提供されるので、これに対する説明は略する。
【0100】
液供給ユニット２８５０はフリーウェットノズル２８５１、液ノズル２８５３、洗浄液ノズル２８５４、アーム２８５５、レール２８５７、駆動機２８５９を含むことができる。フリーウェットノズル２８５１はフリーウェット液を基板(W)に供給することができる。フリーウェットノズル２８５１はストリーム方式でフリーウェット液を基板(W)に供給することができる。処理液ノズル２８５３は処理液を基板(W)に供給することができる。処理液ノズル２８５３はフォトレジストのような塗布液を供給する塗布液ノズルであることができる。処理液ノズル２８５３はストリーム方式で処理液を基板(W)に供給することができる。洗浄液ノズル２８５４はジグプレート(J)に洗浄液を供給することができる。洗浄液は回転するジグプレート(J)に供給されて遠心力によって処理容器２８２０を洗浄することができる。洗浄液は純水であることができる。洗浄液ノズル２８５４はストリーム方式で洗浄液をジグプレート(J)に供給することができる。
【0101】
アーム２８５５はフリーウェットノズル２８５１、処理液ノズル２８５３、そして、洗浄液ノズル２８５４を支持することができる。アーム２８５５の一端にはフリーウェットノズル２８５１、処理液ノズル２８５３、そして、洗浄液ノズル２８５４が設置されることができる。アーム２８５５の一端下面にはフリーウェットノズル２８５１、処理液ノズル２８５３、そして、洗浄液ノズル２８５４がそれぞれ設置されることができる。上部から眺める時、フリーウェットノズル２８５１、処理液ノズル２８５３、そして、洗浄液ノズル２８５４は後述するレール２８５７の長さ方向と平行な方向に配列されることができる。アーム２８５５の他端は駆動機２８５９と結合されることができる。
【0102】
アーム２８５５は駆動機２８５９によって移動されることができる。これによってアーム２８５５に設置されたフリーウェットノズル２８５１、処理液ノズル２８５３、そして、洗浄液ノズル２８５４の位置が変更されることができる。アーム２８５５は駆動機２８５９が設置されるレール２８５７に沿って移動方向がガイドされることができる。レール２８５７は長さ方向が水平方向を向けるように提供されることができる。例えば、レール２８５７は長さ方向が第１方向２と平行な方向を向けるように提供されることができる。選択的に、アーム２８５５は長さ方向が第３方向６を向ける回転軸に結合されて回転されることができる。回転軸は駆動機によって回転されることができる。これに、アーム２８５５に設置されるフリーウェットノズル２８５１、処理液ノズル２８５３、そして、洗浄液ノズル２８５４の位置が変更されることができる。
【0103】
図１４を参照すれば、制御機３０００は検出器２６６５から基板(W)が平たい状態という情報を受信する。制御機３０００は検出器２６６５から受信した情報を根拠で第２昇降ユニット２８４４を制御する。制御機３０００は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)と対応される高さに配置されるように第２昇降ユニット２８４４を制御する。一例で、制御機３０００は基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入される前、または基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入されて液処理を始める以前に第２昇降ユニット２８４４を制御することができる。
【0104】
支持ユニット２８３０に安着された基板(W)上にフリーウェット液または/及び塗布液が供給される。この過程で基板(W)上で飛散されたフリーウェット液または/及び塗布液が処理容器２８２０の側部２８２４bのA支点に弾着される。フリーウェット液または/及び塗布液が基板(W)上に供給された以後に基板(W)を支持ユニット２８３０から上の方向に移動させて液処理チャンバ２８０外部に搬出する。支持ユニット２８３０でジグプレート(J)を安着させる。洗浄液ノズル２８５４はジグプレート(J)上に洗浄液を供給する。ジグプレート(J)上で飛散される洗浄液は処理容器２８２０の側部２８２４bのA支点に弾着される。A支点に付着フリーウェット液または/及び塗布液は洗浄液によって除去される。
【0105】
図１５を参照すれば、制御機３０００は検出器２６６５から基板(W)が下の方向に屈曲された状態という情報を受信する。制御機３０００は検出器２６６５から受信した情報を根拠で第２昇降ユニット２８４４を制御する。制御機３０００は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)より下に配置されるように第２昇降ユニット２８４４を制御して処理容器２８３０を上の方向に移動させる。一例で、制御機３０００は基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入される前、または基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入されて液処理を始める以前に第２昇降ユニット２８４４を制御することができる。
【0106】
支持ユニット２８３０に安着された基板(W)上にフリーウェット液または/及び塗布液が供給される。この過程で基板(W)上で飛散されたフリーウェット液または/及び塗布液が処理容器２８２０の側部２８２４bのA支点に弾着される。フリーウェット液または/及び塗布液が基板(W)上に供給された以後に基板(W)を支持ユニット２８３０から上の方向に移動させて液処理チャンバ２８０外部に搬出する。支持ユニット２８３０でジグプレート(J)を安着させる。洗浄液ノズル２８５４は回転するジグプレート(J)上に洗浄液を供給する。洗浄液は遠心力によって処理容器２８２０の側部２８２４bのA支点に弾着される。A支点に付着フリーウェット液または/及び塗布液は洗浄液によって除去される。
【0107】
液処理過程で回転する基板(W)上に吐出された液が処理容器２８２０に飛散される。飛散された液は処理容器２８２０に付着する。一般な基板処理装置において、処理容器２８２０と支持ユニット２８３０の相対高さを調節しないで、基板(W)が撓めた状態で回転する基板(W)に対して液処理工程を進行したら、処理容器２８２０の傾斜部２８２４cに液が飛散されて蒸着されることができる。基板(W)に液処理をした以後、処理容器８２００に対する洗浄処理を進行することができる。この時、処理容器８２００の意図しない領域である傾斜部２８２４cに液が蒸着されることで、処理容器８２００に対する洗浄効率が落ちる。処理容器８２００の傾斜部２８２４cの液が除去されなくて処理容器８２００と支持ユニット８３００が形成する間空間で気流速度が増加することができる。増加された気流速度によって支持ユニット８３００に供給された塗布液など各種液が遺失されることがある。また、液供給ユニット８４００で供給された液が処理空間で飛散されて後続液処理工程を進行する後続基板(W)を汚染させることができる。
【0108】
前述した本発明の実施例によれば、基板(W)の撓め状態と無関係にフリーウェット液または/及び塗布液が処理容器２８２０の特定支点に飛散されるように誘導することができる。これにより処理容器２８２０の傾斜部２８２４cなど予想できない部分に飛散された液による汚染を防止することができる。また、特定支点に液が弾着されるように誘導することで、ジグプレート(J)を利用した洗浄を容易に遂行することができる。これにより、後続液処理工程を進行する後続基板(W)の汚染を最小化することができる。また、ジグプレート(J)を利用して洗浄が難しい支点に液が弾着されることを予防することで、処理容器２８２０の洗浄のための設備中断問題を解決して工程効率を上昇させることができる。
【0109】
前述した実施例では、ジグプレート(J)と洗浄液ノズル２８５４を利用して処理容器２８２０を洗浄する例を説明した。但し、これに限定されないで背面ノズルを利用して処理容器２８２０を洗浄することができる。但し、これに限定されないで、回転する胴体２８３２の上面または下面に直接洗浄液を供給して処理容器２８２０に対する洗浄処理を遂行することができる。
【0110】
図１６は、本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれる流れ図である。図１６を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理方法は基板撓め状態判断段階(Ｓ１００)、昇降移動段階(Ｓ２００)、液処理段階(Ｓ３００)を含むことができる。本発明の一実施例による基板処理方法は熱処理チャンバ２６０から基板(W)に対して基板を熱処理した以後、液処理チャンバ２８０から基板(W)に対して液処理を順次に進行することができる。
【0111】
基板撓め状態判断段階(Ｓ１００)は熱処理チャンバ２６０で遂行することができる。熱処理チャンバ２６０では基板(W)を加熱処理することができる。熱処理チャンバ２６０に提供された加熱プレート２６６１の第１ヒーター２６６２aによって基板(W)の中央領域を加熱することができる。熱処理チャンバ２６０に提供された加熱プレート２６６１の第２ヒーター２６６２bによって基板(W)の縁領域を加熱することができる。第１ヒーター２６６２aに第１電力が供給される。第２ヒーター２６６２bに第２電力が供給される。センサー２６６４は第１電力と第２電力それぞれ測定する。センサー２６６４は第１電力と第２電力基板(W)が加熱プレート２６６１に安着された直後の値を測定する。検出器２６６５はセンサー２６６４から測定された第１電力値が第２電力値より高く測定された場合基板(W)を撓め状態と判断することができる。
【0112】
昇降移動段階(Ｓ２００)では処理容器２８２０と支持ユニット２８３０との間の相対高さが調節される。第２昇降ユニット２８４４は基板(W)の撓め状態によって、処理容器２８２０と支持ユニット２８３０との間の相対高さが調節されるように昇降移動する。処理容器２８２０と支持ユニット２８３０との間の相対高さの調節は基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入される前、または基板(W)が液処理チャンバ２８０に搬入されて液処理を始める以前に遂行されることができる。
【0113】
支持ユニット２８３０の上面で処理容器２８２０の側部２８２４bに向けて水平でつなぐ仮想線に対応される処理容器２８０２の側部２８２４b支点を基準高さ(A)と定義する。基板撓め状態判断段階(Ｓ１００)で基板(W)を平たい状態と判断した場合、第２昇降ユニット２８４４は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)と対応される高さに配置されるように昇降する。基板撓め状態判断段階(Ｓ１００)から基板(W)を撓めた状態と判断した場合、第２昇降ユニット２８４４は支持ユニット２８３０の上面が処理容器２８３０の基準高さ(A)と対応される高さに配置されるように昇降する。
【0114】
液処理段階(Ｓ３００)は回転する基板(W)上に液を供給する。一例で、液は塗布液であることができる。また、他の例で液はフリーウェット液であることがある。回転する基板(W)上に液が供給されることで遠心力によって処理容器２８２０に液が飛散される。昇降段階(Ｓ２００)で基板(W)の撓め状態によって処理容器２８２０と支持ユニット２８３０との間の相対高さを調節してA支点に液が飛散されて付着するように誘導することができる。基板(W)が平たい状態である時にもA支点に液が飛散されることができる。基板(W)が下の方向にふくらんでいる状態で撓めた場合にもA支点に液が飛散されることができる。これによって、液処理過程で飛散された液を処理容器２８３０の特定支点に弾着されることができるので、液処理工程を進行する時塗布不良を最小化することができる。
【0115】
本発明の一実施例による基板処理方法は、洗浄処理段階(Ｓ４００)をさらに含むことができる。洗浄処理段階(Ｓ４００)は液処理段階(Ｓ３００)以後に遂行されることができる。洗浄処理段階(Ｓ４００)は基板(W)を支持ユニット２８３０から除去した後、ジグプレート(J)を支持ユニット２８３０に安着させてジグプレート(J)上に洗浄液を吐出することができる。洗浄液は超純水(DIW)であることがある。ジグプレート(J)上に吐出された洗浄液が遠心力によって処理容器側面に飛散される。液供給段階(Ｓ３００)で基板(W)の撓め状態と無関係にA支点に液が飛散されて付着されたので、洗浄処理段階(Ｓ４００)でA支点を向かって洗浄液が飛散されるようにできる。これによってA支点に付着されたフリーウェット液または/及び塗布液は洗浄液によって除去される。
【0116】
液供給段階(Ｓ３００)で飛散された液が処理容器２８２０の予想できない部分に液が飛散されることを予防して汚染を最小化することができる。また、特定支点に液が弾着されるように誘導することで、ジグプレート(J)を利用した洗浄を容易に遂行することができる。ジグプレート(J)を利用して洗浄が難しい支点に液が弾着されることを予防することで、処理容器２８２０の洗浄のための設備中断問題を解決して工程効率を上昇させることができる。
【0117】
前述した実施例の基板撓め状態判断段階(Ｓ１００)でセンサー２６６４は加熱プレート２６６１に置かれた基板(W)の領域別電力をそれぞれ測定することで説明した。但し、これに限定されないで、センサー２６６４は第１ヒーター２６６２aと第２ヒーター２６６２bの抵抗を測定することができる。また、センサー２６６４は距離センサーに提供されることができる。一例で、センサー２６６４は赤外線測定センサーに提供されることができる。センサー２６６４はハウジング２６２０天井面に提供されることができる。センサー２６６４は基板(W)の領域に対応されるように複数個が提供されることができる。それぞれのセンサー２６６４らは設置された位置から基板(W)までの距離を測定することができる。検出器２６６５はそれぞれのセンサー２６６４らで測定した距離データに根拠して基板(W)の撓め状態を判断することができる。一例で、検出器２６６５は基板(W)の縁領域に位置した第２センサー(図示せず)で検出された距離値が基板(W)の中央領域に位置した第１センサー(図示せず)の検出された距離値より小さい場合基板(W)が下の方向にふくらんでいるように屈曲された状態と判断することができる。
【0118】
前述した実施例の洗浄処理段階(Ｓ４００)ではジグプレート(J)を利用して洗浄処理をすることの例を挙げて説明した。但し、これに限定されないで、回転する胴体２８３２の上面または下面に直接洗浄液を供給して処理容器２８２０に対する洗浄処理を遂行することができる。
【0119】
再び図２乃至図４を参照すれば、現像ブロック２０bは返送チャンバ２２０、バッファーチャンバ２４０、熱処理チャンバ２６０、そして、液処理チャンバ２８０を有する。現像ブロック２０bの返送チャンバ２２０、バッファーチャンバ２４０、熱処理チャンバ２６０、そして、液処理チャンバ２８０は塗布ブロック２０aの返送チャンバ２２０、バッファーチャンバ２４０、熱処理チャンバ２６０、そして、液処理チャンバ２８０と概して類似な構造及び配置で提供されるので、これに対する説明は略する。但し、現像ブロック２０bの液処理チャンバ２８０らはすべて等しく現像液を供給して基板(W)を現像処理する現像工程(developing process)を遂行する。
インターフェースモジュール３０は処理モジュール２０と外部の露光装置４０を連結する。インターフェースモジュール３０はインターフェースフレーム３２０、付加工程チャンバ３４０、インターフェースバッファー３６０、そして、返送部材３８０を含む。
インターフェースモジュール３０は処理モジュール２０と外部の露光装置４０を連結する。インターフェースモジュール３０はインターフェースフレーム３２０、付加工程チャンバ３４０、インターフェースバッファー３６０、そして、返送部材３８０を含む。
【0120】
インターフェースフレーム３２０は内部空間を提供する。インターフェースフレーム３２０の上端には内部空間に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。インターフェースフレーム３２０の内部空間に付加工程チャンバ３４０、インターフェースバッファー３６０、そして、返送部材３８０が提供される。
【0121】
付加工程チャンバ３４０は塗布ブロック２０aで工程が完了された基板(W)が露光装置４０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバ３４０は露光装置４０で工程が完了された基板(W)が現像ブロック２０bに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一例によれば、付加工程は基板(W)のエッジ領域を露光するエッジ露光工程、または基板(W)の上面を洗浄する上面洗浄工程、または、基板(W)の下面を洗浄する下面洗浄工程であることができる。付加工程チャンバ３４０は複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバ３４０はすべて等しい工程を遂行するように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバ３４０らのうちで一部はお互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
【0122】
インターフェースバッファー３６０は塗布ブロック２０a、付加工程チャンバ３４０、露光装置４０、そして、現像ブロック２０bの間に返送される基板(W)が返送途中一時的にとどまる空間を提供する。インターフェースバッファー３６０は複数個が提供され、複数のインターフェースバッファー３６０らはお互いに積層されるように提供されることができる。一例によれば、返送チャンバ２２０の長さ方向の延長線を基準で一側面には付加工程チャンバ３４０が配置され、他の側面にはインターフェースバッファー３６０が配置されることができる。
【0123】
返送部材３８０は塗布ブロック２０a、付加工程チャンバ３４０、露光装置４０、そして、現像ブロック２０bの間に基板(W)を返送する。返送部材３８０は１個または複数個のロボットに提供されることができる。一例によれば、返送部材３８０は第１ロボット３８２０、第２ロボット３８４０、そして、第３ロボット３８６０を含む。第１ロボット３８２０は塗布ブロック２０a、付加工程チャンバ３４０、そして、インターフェースバッファー３６０の間に基板(W)を返送する。第２ロボット３８４０はインターフェースバッファー３６０と露光装置４０との間に基板(W)を返送する。第３ロボット３８６０はインターフェースバッファー３６０と現像ブロック２０bとの間に基板(W)を返送する。
【0124】
第１ロボット３８２０、第２ロボット３８４０、そして、第３ロボット３８６０はそれぞれ基板(W)が置かれるハンドを含む。ハンドは前進及び後進移動、第３方向６に平行な軸を基準にした回転、そして、第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。第１ロボット３８２０、第２ロボット３８４０、そして、第３ロボット３８６０のハンドはすべて返送ロボット２２４の返送ハンド２２４０と同一、または類似な形状で提供されることができる。選択的に熱処理チャンバの冷却プレート２６４２と直接基板(W)を取り交わすロボットのハンドは返送ロボット２２４の返送ハンド２２４０と同一または類似な形状で提供され、残りロボットのハンドはこれと相異な形状で提供されることができる。
【0125】
以上の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0126】
２６０ 熱処理チャンバ
２８０ 液処理チャンバ
２６６２ ヒーター
２６６４ センサー
２６６５ 検出器
２８２０ 処理容器
２８３０ 支持ユニット
２８４０ 昇降ユニット
２８０ 液処理チャンバ
２６６２ ヒーター
２６６４ センサー
２６６５ 検出器
２８２０ 処理容器
２８３０ 支持ユニット
２８４０ 昇降ユニット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】