▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023129254
(43)【公開日】2023-09-14
(54)【発明の名称】積層型電子部品及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20230907BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01G4/30 201F
H01G4/30 513
H01G4/30 516
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023002337
(22)【出願日】2023-01-11
(31)【優先権主張番号】10-2022-0027532
(32)【優先日】2022-03-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】リー、カン ハ
(72)【発明者】
【氏名】パク、ユーン ア
(72)【発明者】
【氏名】パク、ジン スー
(72)【発明者】
【氏名】スン、ウー キュン
(72)【発明者】
【氏名】パク、ウン ミ
(72)【発明者】
【氏名】キム、ジュン ミン
(72)【発明者】
【氏名】ハン、ジ ヒェ
(72)【発明者】
【氏名】リー、ジョン ホ
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF06
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE01
5E082FF05
5E082FG26
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG12
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高温信頼性が向上させる積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２が積層されたむ本体１１０と、第３面に配置される第１下地電極層１３１ａ、第１下地電極層上に配置される第１中間電極層１３１ｂ並びに第１中間電極層上に配置され、第１面及び第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層１３１ｃを含む第１外部電極１３１と、第４面に配置される第２下地電極層１３２ａ、第２下地電極層上に配置される第２中間電極層１３２ｂ並びに第２中間電極層上に配置され、第１面及び第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層１３２ｃを含む第２外部電極１３２と、を含む。第１下地電極層及び第２下地電極層は、ガラス及びＮｉを含み、第１中間電極層及び第２中間電極層はＳｎ及びＮｉを含む合金を含み、第１導電性樹脂層及び第２導電性樹脂層は樹脂及び金属を含む。
【選択図】図２
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２が積層されたむ本体１１０と、第３面に配置される第１下地電極層１３１ａ、第１下地電極層上に配置される第１中間電極層１３１ｂ並びに第１中間電極層上に配置され、第１面及び第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層１３１ｃを含む第１外部電極１３１と、第４面に配置される第２下地電極層１３２ａ、第２下地電極層上に配置される第２中間電極層１３２ｂ並びに第２中間電極層上に配置され、第１面及び第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層１３２ｃを含む第２外部電極１３２と、を含む。第１下地電極層及び第２下地電極層は、ガラス及びＮｉを含み、第１中間電極層及び第２中間電極層はＳｎ及びＮｉを含む合金を含み、第１導電性樹脂層及び第２導電性樹脂層は樹脂及び金属を含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置される第１下地電極層、前記第１下地電極層上に配置される第１中間電極層、前記第１中間電極層上に配置され、前記第１面及び前記第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２下地電極層、前記第２下地電極層上に配置される第２中間電極層、前記第２中間電極層上に配置され、前記第１面及び前記第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層を含む第２外部電極と、を含み、
前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層はガラス及びＮｉを含み、
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層はＳｎ及び前記Ｎｉを含む合金を含み、
前記第１導電性樹脂層及び前記第２導電性樹脂層は樹脂及び金属を含む、積層型電子部品。
前記第３面に配置される第１下地電極層、前記第１下地電極層上に配置される第１中間電極層、前記第１中間電極層上に配置され、前記第１面及び前記第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２下地電極層、前記第２下地電極層上に配置される第２中間電極層、前記第２中間電極層上に配置され、前記第１面及び前記第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層を含む第２外部電極と、を含み、
前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層はガラス及びＮｉを含み、
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層はＳｎ及び前記Ｎｉを含む合金を含み、
前記第１導電性樹脂層及び前記第２導電性樹脂層は樹脂及び金属を含む、積層型電子部品。
【請求項2】
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層は前記ガラスをさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層は、
前記合金及び前記ガラスを含む第１層、並びに前記第１層上に配置され、
前記ガラス及び前記Ｓｎを含む第２層を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記合金及び前記ガラスを含む第１層、並びに前記第１層上に配置され、
前記ガラス及び前記Ｓｎを含む第２層を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層は、前記第２層上に配置される第３層をさらに含み、
前記第３層はＳｎめっき層である、請求項３に記載の積層型電子部品。
前記第３層はＳｎめっき層である、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層は、前記第２層上に配置される第３層をさらに含み、
前記第３層を構成する元素の総モル数に対する前記Ｓｎのモル数は０．９５以上である、請求項３に記載の積層型電子部品。
前記第３層を構成する元素の総モル数に対する前記Ｓｎのモル数は０．９５以上である、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記第１中間電極層及び前記第２中間電極層の平均厚さは０．１μｍ以上である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記本体の前記第１方向の中央で測定した前記第１下地電極層の厚さをｔ１、前記本体の前記第１方向の最外殻に配置された内部電極で測定した前記第１下地電極層の厚さをｔ１'とするとき、
ｔ１'／ｔ１は０．７以上１．０以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
ｔ１'／ｔ１は０．７以上１．０以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層の平均厚さは０．１μｍ以上である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層は、前記第１面の延長線と前記第２面の延長線との間に配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記本体は、前記第１面と前記第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と前記第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と前記第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と前記第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーは、前記第３面に近づくほど、前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナーは、前記第４面に近づくほど、前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１下地電極層は、前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーに延長して配置され、
前記第２下地電極層は、前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナーに延長して配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーは、前記第３面に近づくほど、前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナーは、前記第４面に近づくほど、前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１下地電極層は、前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーに延長して配置され、
前記第２下地電極層は、前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナーに延長して配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記第１導電性樹脂層及び前記第２導電性樹脂層上に配置されるめっき層をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記第１導電性樹脂層及び前記第２導電性樹脂層は前記Ｓｎを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
誘電体層及び内部電極を含む本体を準備する段階と、
ガラス及びＮｉを含むシートに前記本体を圧着して前記シートを前記本体に付着させた後、焼成して下地電極層を形成する段階と、
前記下地電極層上にＳｎめっき層を形成する段階と、
前記Ｓｎめっき層が形成された前記本体を樹脂及び導電性金属を含むペーストにディッピングして前記Ｓｎめっき層上に前記ペーストを塗布する段階と、
前記ペーストが塗布された前記本体を硬化熱処理して外部電極を形成する段階と、を含み、
前記外部電極は、前記本体上に配置される下地電極層、前記下地電極層上に配置される中間電極層、及び前記中間電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、
前記外部電極の下地電極層は前記ガラス及び前記Ｎｉを含み、
前記中間電極層はＳｎ及び前記Ｎｉを含む合金を含み、
前記導電性樹脂層は前記樹脂及び金属を含む、積層型電子部品の製造方法。
ガラス及びＮｉを含むシートに前記本体を圧着して前記シートを前記本体に付着させた後、焼成して下地電極層を形成する段階と、
前記下地電極層上にＳｎめっき層を形成する段階と、
前記Ｓｎめっき層が形成された前記本体を樹脂及び導電性金属を含むペーストにディッピングして前記Ｓｎめっき層上に前記ペーストを塗布する段階と、
前記ペーストが塗布された前記本体を硬化熱処理して外部電極を形成する段階と、を含み、
前記外部電極は、前記本体上に配置される下地電極層、前記下地電極層上に配置される中間電極層、及び前記中間電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、
前記外部電極の下地電極層は前記ガラス及び前記Ｎｉを含み、
前記中間電極層はＳｎ及び前記Ｎｉを含む合金を含み、
前記導電性樹脂層は前記樹脂及び金属を含む、積層型電子部品の製造方法。
【請求項14】
前記硬化熱処理は１５０℃以上３００℃以下の温度で行う、請求項１３に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項15】
前記中間電極層は前記ガラスをさらに含む、請求項１３又は１４に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項16】
前記中間電極層は、
前記合金及び前記ガラスを含む第１層、並びに前記第１層上に配置され、前記ガラス及び前記Ｓｎを含む第２層を含む、請求項１５に記載の積層型電子部品の製造方法。
前記合金及び前記ガラスを含む第１層、並びに前記第１層上に配置され、前記ガラス及び前記Ｓｎを含む第２層を含む、請求項１５に記載の積層型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器の小型化、高出力化に伴い、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。また、最近、ｆｌｅｘｉｂｌｅ／ｆｏｌｄａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅが開発されて普及するにつれて、これらの機器に使用されるＭＬＣＣにも様々な機能が求められている。このために、ＭＬＣＣは同じサイズにおいて従来よりも遥かに高い容量が求められているとともに、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）熱処理過程で発生し得る実装クラック及び実装後に基板に加わる応力による曲げクラックを防止できなければならない。
【0004】
また、高温でもＭＬＣＣの特性の変化がなく、信頼性を保障することができるＭＬＣＣの開発が求められている。高温での信頼性劣化現象は、めっき過程中に発生する水素による影響を受けるようになるが、これを防止するためにはめっき中に発生する水素が本体の内部に浸透することを極力防止可能な技術が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明のいくつかの目的の一つは、高温信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0006】
本発明のいくつかの目的の一つは、実装クラック及び曲げクラックの発生が抑制された積層型電子部品を提供することである。
【0007】
本発明のいくつかの目的の一つは、下地電極層と導電性樹脂層間の物理的連結性及び電気的連結性を向上させることである。
【0008】
本発明のいくつかの目的の一つは、放射クラックの発生が抑制された積層型電子部品を提供することである。
【0009】
但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、上記第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１下地電極層、上記第１下地電極層上に配置される第１中間電極層、上記第１中間電極層上に配置され、上記第１及び第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２下地電極層、上記第２下地電極層上に配置される第２中間電極層、上記第２中間電極層上に配置され、上記第１及び第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層を含む第２外部電極と、を含み、上記第１及び第２下地電極層はガラス及びＮｉを含み、上記第１及び第２中間電極層はＳｎ及びＮｉを含む合金を含み、上記第１及び第２導電性樹脂層は樹脂及び金属を含むことができる。
【0011】
本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法は、誘電体層及び内部電極を含む本体を準備する段階と、ガラス及びＮｉを含むシートに上記本体を圧着して上記シートを本体に付着させた後、焼成して下地電極層を形成する段階と、上記下地電極層上にＳｎめっき層を形成する段階と、上記Ｓｎめっき層が形成された本体を樹脂及び導電性金属を含むペーストにディッピングして上記１次Ｓｎめっき層上に上記ペーストを塗布する段階と、上記ペーストが塗布された本体を熱処理して外部電極を形成する段階と、を含み、上記外部電極は、上記本体上に配置される下地電極層、上記下地電極層上に配置される中間電極層及び上記中間電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、上記外部電極の下地電極層はガラス及びＮｉを含み、上記中間電極層はＳｎ及びＮｉを含む合金を含み、上記導電性樹脂層は樹脂及び金属を含むことができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明のいくつかの効果の一つは、下地電極層と導電性樹脂層との間に、Ｓｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層を配置することにより、水素が本体の内部に浸透することを抑制させたことである。
【0013】
本発明のいくつかの効果の一つは、下地電極層と導電性樹脂層との間にＳｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層を配置することにより、下地電極層と導電性樹脂層間の物理的連結性及び電気的連結性を向上させたことである。
【0014】
本発明のいくつかの効果の一つは、実装クラック及び曲げクラックの発生を抑制したことである。
【0015】
本発明のいくつかの効果の一つは、放射クラックの発生を抑制したことである。
【0016】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。
【図4】本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示す分解斜視図である。
【図9】下地電極層を形成する段階を説明するための図である。
【図10】ペーストを塗布する段階を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0019】
そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0020】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
【0021】
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示す分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域を拡大した拡大図であり、図６は、図２のＫ２領域を拡大した拡大図である。
【0022】
【0023】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面に配置される第１下地電極層１３１ａ、上記第１下地電極層上に配置される第１中間電極層１３１ｂ、上記第１中間電極層上に配置され、上記第１及び第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層１３１ｃを含む第１外部電極１３１と、上記第４面に配置される第２下地電極層１３２ａ、上記第２下地電極層上に配置される第２中間電極層１３２ｂ、上記第２中間電極層上に配置され、上記第１及び第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層１３２ｃを含む第２外部電極１３２と、を含み、上記第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａはガラス及びＮｉを含み、上記第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂはＳｎ及びＮｉを含む合金を含み、上記第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃは樹脂及び金属を含むことができる。
【0024】
実装クラック及び曲げクラックの発生を抑制するために、本体上に金属及びガラスを含む下地電極層を配置し、上記下地電極層上に金属及び樹脂を含む導電性樹脂層を配置した２層構造の外部電極を適用することができる。
【0025】
しかし、上記２層構造の外部電極は、下地電極層と導電性樹脂層間の結合力が不十分であり、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）熱処理などの高温工程を経ることで下地電極層と導電性樹脂層間の剥離が発生する可能性があり、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が増加するおそれがあった。また、上記２層構造の外部電極は、めっき中に発生する水素が本体の内部に浸透することを抑制し難く、高温信頼性が低下するという問題が発生することがあった。
【0026】
そこで、本発明では、下地電極層１３１ａ、１３２ａと導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃとの間にＳｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層１３１ｂ、１３２ｂを配置することにより、水素が本体の内部に浸透することを抑制し、下地電極層１３１ａ、１３２ａと導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃ間の物理的連結性及び電気的連結性を向上させ、上記２層構造の外部電極が有する問題点を解決しようとした。以下では、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の各構成別に詳細に説明する。
【0027】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0028】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。
【0029】
一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーｃ１－３、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナーｃ１－４、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナーｃ２－３、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーｃ２－４を含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。
【0030】
誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生して第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、本体の焼結過程における収縮挙動により、第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、チッピング不良などを防止するために、本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することにより、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーはラウンド形状を有することができる。
【0031】
上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１～第６面は概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーと見なすことができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準として延長した線を意味することができる。
【0032】
一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５及び第６面を連結する部分、並びに第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さなくてもよい。
【0033】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0034】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0035】
また、上記誘電体層１１１を形成する原料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。
【0036】
一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。但し、一般的に、誘電体層を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に、誘電体層の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下するおそれがあった。
【0037】
本発明の一実施形態によると、下地電極層と導電性樹脂層との間にＳｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層を配置することで信頼性を向上させることができるため、誘電体層１１１の平均厚さが０．３５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。したがって、誘電体層１１１の平均厚さが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。
【0038】
上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。
【0039】
誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つの誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0040】
本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。
【0041】
カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0042】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0043】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0044】
一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、下地電極層と導電性樹脂層との間にＳｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層を配置することにより信頼性を向上させることができるため、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃが１５μｍ以下の場合でも優れた信頼性を確保することができる。
【0045】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向のサイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。
【0046】
また、上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と、第６面６に配置された第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。
【0047】
マージン部１１４、１１５は、図３に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0048】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0049】
一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、下地電極層と導電性樹脂層との間にＳｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層を配置することにより信頼性を向上させることができるため、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。
【0050】
マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを平均した値であることができる。
【0051】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。
【0052】
図３を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0053】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されずに第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。
【0054】
このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されてもよい。本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0055】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。
【0056】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0057】
一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。但し、一般的に内部電極を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下するおそれがあった。
【0058】
本発明の一実施形態によると、下地電極層と導電性樹脂層との間にＳｎ及びＮｉを含む合金を含む中間電極層を配置することにより、信頼性を向上させることができるため、内部電極１２１、１２２の平均厚さが０．３５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。
【0059】
したがって、内部電極１２１、１２２の厚さが平均０．３５μｍ以下である場合に、本発明による効果がより顕著となることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。
【0060】
上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができる。内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つの内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0061】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。
【0062】
第１外部電極１３１は、上記第３面に配置される第１下地電極層１３１ａ、上記第１下地電極層上に配置される第１中間電極層１３１ｂ、上記第１中間電極層上に配置され、上記第１及び第２面に延長して配置される第１導電性樹脂層１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は、上記第４面に配置される第２下地電極層、上記第２下地電極層上に配置される第２中間電極層、上記第２中間電極層上に配置され、上記第１及び第２面に延長して配置される第２導電性樹脂層を含むことができる。
【0063】
第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａはＮｉ及びガラスを含むことができる。下地電極層１３１ａ、１３２ａがＮｉを含むことにより、放射クラックが発生することを抑制することができ、下地電極層１３１ａ、１３２ａがガラスを含むことにより、本体１１０との結合力を向上させることができる。
【0064】
下地電極層に含まれた金属としてＣｕを使用し、内部電極がＮｉを含む場合、ＮｉがＣｕに拡散する速度に比べてＣｕがＮｉに拡散する速度が遥かに速いため、大量のＣｕが内部電極側へ拡散することによって内部電極の体積が膨張し、これにより放射クラックが発生するおそれがある。
【0065】
本発明では、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＮｉを含むことで、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＣｕを含む場合に比べて内部電極の体積が膨張することを抑制することができる。これにより、放射クラックが発生することを抑制することができる。また、内部電極がＮｉ以外の金属を含む場合でも、Ａｇを除くほとんどの金属よりもＣｕの拡散速度が速いため、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＮｉを含むことで、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＣｕを含む場合に比べて内部電極の体積が膨張することを抑制することができる。
【0066】
一実施形態において、本体１１０の第１方向の中央で測定した第１下地電極層１３１ａの厚さをｔ１、本体１１０の第１方向の最外殻に配置された内部電極で測定した上記第１下地電極層１３１ａの厚さをｔ１'とするとき、ｔ１'／ｔ１は０．７以上１．０以下であってもよい。第１下地電極層１３１ａが均一な厚さを有することによって、第１下地電極層の厚さを薄く形成することができ、積層型電子部品の単位体積当たりの容量を向上させることができる。また、第２下地電極層１３１ｂは、第１下地電極層１３１ａと第２方向に対称な関係であり得るため、第２下地電極層１３１ｂにも同様に適用することができる。
【0067】
一方、ｔ１'／ｔ１を０．７以上１．０以下に制御する方法は特に限定する必要はない。例えば、後述するようにＮｉ及びガラスを含むシートを用いて形成することにより、ｔ１'／ｔ１を０．７以上１．０以下に制御することができる。
【0068】
なお、ｔ１及びｔ１'は、本体の第３方向の中央において第１及び第２方向に切断した断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により２０００倍以上の倍率で観察して測定したものであってもよい。
【0069】
一実施形態において、第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さはそれぞれ０．１μｍ以上であってもよい。すなわち、第１下地電極層１３１ａの平均厚さは０．１μｍ以上であり、第２下地電極層１３２ａの平均厚さも０．１μｍ以上であることができる。
【0070】
第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さが０．１μｍ未満の場合には、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂのＳｎが内部電極に拡散して積層型電子部品の容量が低下するおそれがある。
【0071】
第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さは、積層型電子部品を本体の第３方向の中央において第１及び第２方向に切断した断面で測定したものであってもよく、第１方向に均等な間隔を有する５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよい。また、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により２０００倍以上の倍率で観察して測定したものであってもよい。
【0072】
一方、第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さの上限は特に限定する必要はない。例えば、第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さはそれぞれ１０μｍ以下であってもよい。
【0073】
一実施形態において、第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａは、本体の第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２との間に配置されることができる。これにより、本発明による曲げ強度の強化効果がより向上することができ、積層型電子部品のサイズが大きくなることを防止し、単位体積当たりの容量を向上させることができる。
【0074】
第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａが第１面の延長線Ｅ１を越えて第１面まで延長されるか、又は第２面の延長線Ｅ２を越えて第２面まで延長される場合には、曲げ強度及び単位体積当たりの容量が低下するおそれがある。
【0075】
一実施形態において、本体は、上記第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１下地電極層は、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーに延長して配置され、上記第２下地電極層は、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーに延長して配置されることができる。
【0076】
第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａが、第１－３コーナー及び第１－４コーナーを越えて第１面まで延長されるか、又は第１－４コーナー及び第２－４コーナーを越えて第２面まで延長される場合には、曲げ強度及び単位体積当たりの容量が低下するおそれがある。
【0077】
第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｓｎ及びＮｉを含む合金を含むことができる。Ｓｎは融点が低く、１５０℃以上３００℃以下の低温でも下地電極層に含まれた金属と合金を形成して、下地電極層１３１ａ、１３２ａと導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃ間の物理的連結性及び電気的連結性を向上させることができる。また、Ｓｎ及びＳｎを含む合金は、他の金属に比べて、水素に対する透過度（水素拡散係数）が低いため、水素が浸透することを防止することができる。本体１１０の内部に水素が拡散すると、誘電体層１１１の還元反応を促進させ、絶縁抵抗の劣化を引き起こす原因となる可能性があり、高温信頼性が低下するおそれがある。
【0078】
したがって、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｓｎ及びＮｉを含む合金を含むことにより、水素が本体の内部に浸透することを抑制し、下地電極層１３１ａ、１３２ａと導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃ間の物理的連結性及び電気的連結性を向上させることができる。
【0079】
第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第１及び第２下地電極層１３１ａ、１３２ａ上にＳｎめっき層を配置し、Ｓｎめっき層上に樹脂及び金属を含むペーストを塗布した後、熱処理することにより、Ｓｎめっき層のＳｎが第１及び第２下地電極層に拡散して第１及び第２下地電極層のＮｉと合金を形成することで形成されたものであってもよい。下地電極層１３１ａ、１３２ａ上にＳｎめっき層を配置せずに下地電極層上に樹脂、金属及びＳｎを含むペーストを塗布した後、熱処理することにより、中間電極層を形成する方案も考慮してみることができるが、この場合、十分な中間電極層を形成するためには、３５０℃以上の高温で熱処理を行う必要があるため、樹脂などの有機物の熱分解を誘発する可能性があり、これによる外部電極の強度の減少、曲げ強度の低下などの問題点が発生する可能性がある。
【0080】
一実施形態において、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さｔ２は１μｍ以上であってもよい。第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さｔ２が１μｍ未満の場合には、下地電極層１３１ａ、１３２ａの表面全体をカバーすることができない可能性があり、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの途切れが発生する可能性があるため、水素浸透の抑制効果及び下地電極層と導電性樹脂層間の連結性向上効果が不十分となるおそれがある。
【0081】
一方、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さｔ２の上限は特に限定されない。例えば、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さｔ２は１０μｍ以下であってもよい。
【0082】
第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さｔ２は、積層型電子部品１００を本体１１０の第３方向の中央において第１及び第２方向に切断した断面で測定したものであってもよく、第１方向に均等な間隔を有する５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよい。また、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により２０００倍以上の倍率で観察して測定したものであってもよい。
【0083】
一実施形態において、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂはガラスをさらに含むことができる。これは、硬化熱処理前の下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１上に配置されたＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１のＳｎが、熱処理過程で下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１に拡散して中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの一部又は全部を形成するためであり、第１及び第２中間電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれたガラスは、硬化熱処理前の下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１に含まれたガラスであることができる。
【0084】
図７を参照すると、第１中間電極層１３１ｂ'は、上記合金及びガラスを含む第１層１３１ｂ１及び上記第１層上に配置され、ガラス及びＳｎを含む第２層１３１ｂ２を含むことができる。また、第２中間電極層も、上記合金及びガラスを含む第１層及び上記第１層上に配置され、ガラス及びＳｎを含む第２層を含むことができる。
【0085】
硬化熱処理前の下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１上に配置したＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１のＳｎが、熱処理過程で下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１に拡散して一部は下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１のＮｉと合金を形成して第１層１３１ｂ１を構成し、拡散したＳｎの一部は、Ｎｉと合金を形成せずに第２層１３１ｂ２を構成することができる。
【0086】
また、図８を参照すると、第１中間電極層１３１ｂ''は、第２層１３１ｂ２上に配置される第３層１３１ｂ３をさらに含むことができる。なお、第２中間電極層も、第２層上に配置される第３層をさらに含むことができる。
【0087】
このとき、第３層１３１ｂ３はＳｎめっき層であってもよい。硬化熱処理前のＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１の一部は、下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－１に拡散せず、Ｓｎめっき層として残存し得るためである。また、第３層１３１ｂ３は、第３層１３１ｂ３を構成する元素の総モル数に対するＳｎのモル数が０．９５以上であってもよい。すなわち、不純物を除けばＳｎからなることができる。
【0088】
第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃは、樹脂及び金属を含むことができる。第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃに含まれる金属は、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂと電気的に連結できる材質であれば、特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。
【0089】
第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃに含まれる金属は、球状粉末及びフレーク状粉末のうち１つ以上を含むことができる。すなわち、金属はフレーク状粉末のみからなるか、又は球状粉末のみからなってもよく、フレーク状粉末と球状粉末とが混合された形態であってもよい。ここで、球状粉末は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下である形態を含むことができる。フレーク状粉末とは、平たい且つ細長い形状を有する粉末を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粉末及びフレーク状粉末の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0090】
第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たす。第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作製可能なものであれば、特に制限されない。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）等から選択された１種以上を含むことができる。
【0091】
また、第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。
【0092】
このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0093】
一実施形態において、第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃはＳｎを含むことができる。第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃに含まれたＳｎは、Ｓｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１のＳｎが、熱処理過程で拡散したものであるか、又は導電性樹脂層を形成するためのペーストに追加されたＳｎであることができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象によって濡らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残るようになる。
【0094】
したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち１つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎのうち１つ以上を含むことができる。
【0095】
導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃは、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂ上に配置され、第１及び第２面に延長して配置されることができる。これにより、曲げ強度を向上させることができ、実装クラック及び曲げクラックの発生を抑制することができる。
【0096】
一実施形態において、第１及び第２導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃ上に配置されるめっき層１３１ｄ、１３２ｄをさらに含むことができる。めっき層１３１ｄ、１３２ｄは実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｄ、１３２ｄの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0097】
めっき層１３１ｄ、１３２ｄに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｄ、１３２ｄは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｄ、１３２ｄは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0098】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において、本発明による信頼性及び単位体積当たりの容量向上効果がより顕著になることができる。
【0099】
したがって、製造誤差、外部電極サイズ等を考慮すると、積層型電子部品１００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大サイズを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大サイズを意味することができる。
【0100】
以下では、上述した積層型電子部品の製造方法について説明する。但し、これに制限されるものではなく、上述した内容と重複する内容については、重複説明を避けるために省略することができる。
【0101】
本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法は、誘電体層及び内部電極を含む本体を準備する段階と、ガラス及びＮｉを含むシートに上記本体を圧着して上記シートを本体に付着させた後、焼成して下地電極層を形成する段階と、上記下地電極層上にＳｎめっき層を形成する段階と、上記Ｓｎめっき層が形成された本体を樹脂及び金属を含むペーストにディッピングして上記Ｓｎめっき層上に上記ペーストを塗布する段階と、上記ペーストが塗布された本体を硬化熱処理して外部電極を形成する段階と、を含み、上記外部電極は、上記本体上に配置される下地電極層、上記下地電極層上に配置される中間電極層及び上記中間電極層上に配置される導電性樹脂層を含み、上記外部電極の下地電極層はガラス及びＮｉを含み、上記中間電極層はＳｎ及びＮｉを含む合金を含み、上記導電性樹脂層は樹脂及び金属を含むことができる。
【0102】
誘電体層及び内部電極を含む本体１１０は、内部電極１２１、１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを積層した後、焼成して形成することができる。また、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0103】
その後、図９を参照すると、支持台３００上にガラス及びＮｉを含むシート１３０ａを設けた後、シート１３０ａに本体１１０を圧着してシート１３０ａを本体１１０の一面に付着させることができる。その後、上記一面の反対面にも同様にシートを圧着してシート１３０ａを本体１１０の反対面に付着させることができる。その後、シートが付着した本体１１０を焼成して下地電極層１３１ａ－１を形成することができる。
【0104】
シート１３０ａは、焼結前の状態であって、バインダー、有機溶媒などの成分を含むことができる。また、下地電極層１３１ａ－１は、硬化熱処理前の状態であって、硬化熱処理後にはＳｎの拡散により下地電極層１３１ａ－１の一部は中間電極層１３１ｂを構成するため、硬化熱処理前後の厚さが異なることがある。
【0105】
シートを転写する方法を用いるため、下地電極層１３１ａ－１は、本体の第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２との間に配置されてもよく、本体の第１及び第２面には配置されなくてもよい。
【0106】
その後、下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－２上にＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１を形成することができる。Ｓｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１を形成する方法としては、電解めっき法又は無電解めっき法を用いることができる。
【0107】
その後、図１０に示すように、定盤４００上に樹脂及び金属を含むペースト５００を設け、Ｓｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１が形成された本体１１０をペースト５００にディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）して、Ｓｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１上に上記ペースト５００を塗布することができる。
【0108】
その後、ペースト５００が塗布された本体１１０を硬化熱処理して外部電極１３１、１３２を形成することができる。硬化熱処理によってＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１のＳｎが下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－２に拡散し、下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－２に含まれたＮｉと合金を形成することにより、Ｓｎ及びＮｉ合金を含む中間電極層１３１ｂ、１３２ｂが形成されることができる。また、硬化熱処理によってＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１を形成しながら吸収されためっき液、水分、水素などを除去することができ、信頼性を強化することができる。また、Ｓｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１の一部のＳｎは、導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃに拡散して合金を形成することもできる。
【0109】
このとき、硬化熱処理は１５０℃以上３００℃以下の温度で行われることができる。本発明によると、硬化熱処理前の下地電極層１３１ａ－１、１３２ａ－２上にＳｎめっき層１３１ｂ－１、１３２ｂ－１を配置するため、１５０℃以上３００℃以下の低い温度でも十分な中間電極層１３１ｂ、１３２ｂを形成することができる。
【0110】
３００℃を超える温度で硬化熱処理を行う場合、樹脂など有機物の熱分解を誘発する可能性があり、これによる外部電極の強度の低下、曲げ強度の低下などの問題が発生する可能性がある。１５０℃未満の温度で硬化熱処理を行う場合には、硬化が不十分となる可能性があり、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂの形成が不十分となるおそれがある。
【0111】
次に、導電性樹脂層１３１ｃ、１３２ｃ上にめっきを施してめっき層１３１ｄ、１３２ｄを形成することができる。本発明の一実施形態によると、中間電極層１３１ｂ、１３２ｂが配置されることにより、めっき層１３１ｄ、１３２ｄを形成するためのめっき工程時に発生する水素が本体の内部に浸透することを抑制することができるため、高温信頼性を向上させることができる。
【0112】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
【0113】
また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が、他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に係る説明として理解されることができる。
【0114】
本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0115】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：下地電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：中間電極層
１３１ｃ、１３２ｃ：樹脂電極層
１３１ｄ、１３２ｄ：めっき層
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：下地電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：中間電極層
１３１ｃ、１３２ｃ：樹脂電極層
１３１ｄ、１３２ｄ：めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】