特開 2023-16719 基板処理方法及び基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023016719

(43)【公開日】2023-02-02

(54)【発明の名称】基板処理方法及び基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20230126BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20230126BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 105B

H01L21/304 645C

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022111391

(22)【出願日】2022-07-11

(31)【優先権主張番号】10-2021-0095577

(32)【優先日】2021-07-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】ウム，ヨン ジェ

(72)【発明者】

【氏名】パク，ワン ジェ

(72)【発明者】

【氏名】キム，ドン－フン

(72)【発明者】

【氏名】リー，ソン ギル

(72)【発明者】

【氏名】パク，ジ フン

【テーマコード（参考）】

5F004

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F004AA09

5F004BA09

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB26

5F004BB28

5F004CA02

5F004CA04

5F004DA22

5F004DA23

5F004DA25

5F004EA27

5F004EA28

5F004EB01

5F157AA63

5F157AA93

5F157AB02

5F157AB13

5F157AB16

5F157AB33

5F157AC01

5F157AC13

5F157BG34

5F157BG35

5F157BG36

5F157BG37

5F157BG58

5F157BG72

5F157BH18

(57)【要約】

【課題】基板を効率的に処理することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板処理方法を提供する。薄膜が積層され、ホールが形成された基板を処理する方法は、イオンを含む第１プラズマを利用して前記基板を処理する第１処理段階と、イオンが除去された第２プラズマを利用して前記基板を処理する第２処理段階と、を含むことができる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜が積層され、ホールが形成された基板を処理する方法において、
イオンを含む第１プラズマを利用して前記基板を処理する第１処理段階と、
イオンが除去された第２プラズマを利用して前記基板を処理する第２処理段階と、を含む基板処理方法。

【請求項2】

前記第１処理段階が遂行される少なくとも一部の時期の間に前記基板は、静電気力でチャッキングされる請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記第１処理段階には、
チャンバー内の第１空間に工程ガスを供給して前記第１プラズマを発生させ、
前記第２処理段階には、
前記第１空間と異なるチャンバー内の第２空間に工程ガスを供給して前記第２プラズマを発生させる請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記第１空間は、前記基板が置かれる空間であり、
前記第２プラズマの前記イオンの除去は、前記第１空間と前記第２空間との間に配置されたイオンブロッカーによって除去される請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項5】

前記第１処理段階は、
前記第１プラズマに励起される工程ガスの供給を開始し、設定時間が経過した後、前記第１空間に電界を形成する請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記第２処理段階は、
前記第２プラズマに励起される工程ガスの供給を開始し、設定時間が経過した後、前記第２空間に電界を形成する請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記第１処理段階、そして前記第２処理段階間には、
前記第１空間を排気する排気段階が遂行される請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項8】

前記基板が処理される間に前記基板を支持するチャックの温度は、
８５℃乃至１３０℃で制御される請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項9】

前記第１処理段階で前記第１空間の圧力は１０ｍＴｏｒｒ乃至１００ｍＴｏｒｒに制御され、
前記第２処理段階で前記第１空間の圧力は１Ｔｏｒｒ乃至１０Ｔｏｒｒに制御される請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項10】

前記第１処理段階で前記第１空間に電界を形成する第１電極には、１００Ｗ乃至１０００Ｗが印加され、
前記第２処理段階で前記第２空間に電界を形成する第２電極には、５０Ｗ乃至１００Ｗが印加される請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項11】

前記第１プラズマに励起される工程ガスは、水素を含み、
前記第２プラズマに励起される工程ガスは、弗素を含む請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項12】

前記第１プラズマに励起される工程ガスは、１００ｓｃｃｍ乃至１０００ｓｃｃｍに前記第１空間に供給される請求項１１に記載の基板処理方法。

【請求項13】

前記第２プラズマに励起される工程ガスは、１０ｓｃｃｍ乃至５００ｓｃｃｍに前記第２空間に供給される請求項１１に記載の基板処理方法。

【請求項14】

異なる選択比を有する薄膜が少なくとも２以上積層された基板を処理する方法において、
静電気力でチャッキング（Ｃｈｕｃｋｉｎｇ）された前記基板にイオンを含む第１プラズマを利用して前記基板を処理する第１処理段階と、
前記第１処理段階の後に遂行され、イオンが除去された第２プラズマを利用して前記基板を処理する第２処理段階と、を含み、
前記第１プラズマは、
水素、アルゴン、又はヘリウムを含む工程ガスから励起されたプラズマであり、
前記第２プラズマは、
弗素を含む工程ガスから励起されたプラズマである基板処理方法。

【請求項15】

前記第１プラズマが生成される第１空間、そして前記第２プラズマが生成される第２空間は、接地されたプレートによって区画される請求項１４に記載の基板処理方法。

【請求項16】

前記第２処理段階には、
イオンが除去された前記第２プラズマに窒素及び水素を含む工程ガスを供給する請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。

【請求項17】

基板を処理する装置において、
処理空間を定義するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持するチャックと、
前記チャックは、前記処理空間でプラズマを発生させる下部電源と連結される下部電極が提供され、
上部電源と連結される上部電極と、
前記上部電極と互いに対向されるように配置されるイオンブロッカーと、
前記イオンブロッカーは、前記処理空間と流体連通するプラズマ空間を区画し、前記上部電極は、前記プラズマ空間でプラズマを発生させ、
前記処理空間又は前記プラズマ空間に工程ガスを供給するガス供給ユニットと、
制御器と、を含み、
前記制御器は、
前記処理空間でプラズマを発生させて基板を処理した後、前記プラズマ空間でプラズマを発生させて基板を処理するように前記上部電源、前記下部電源、そして前記ガス供給ユニットを制御する基板処理装置。

【請求項18】

前記制御器は、
前記処理空間でプラズマを発生させる場合、前記処理空間に水素を含む工程ガスを供給する請求項１７に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記プラズマ空間でプラズマを発生させる場合、前記プラズマ空間に弗素を含む工程ガスを供給する請求項１７に記載の基板処理装置。

【請求項20】

前記チャックには、
基板を静電気力でチャッキングする静電電極が提供される求項１７乃至請求項１９のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理方法及び基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を製造するために、基板に写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、そして薄膜蒸着等の様々な工程を通じて望むパターンをウエハ等の基板上に形成する。各々の工程には様々な処理液処理ガスが使用され、工程進行の際にはパーティクル、そして工程副産物が発生する。

【0003】

図１は処理工程が一部遂行された基板の形状を示す図面である。図１を参照すれば、処理工程が一部遂行された基板Ｗ上には第１薄膜Ｌ１、そして第２薄膜Ｌ２が互いに積層されて形成され、蝕刻等の処理を通じて第１薄膜Ｌ１及び第２薄膜Ｌ２を貫通するホールＨが形成されている。第１薄膜Ｌ１及び第２薄膜Ｌ２は互いに異なる素材で提供されることができる。例えば、第１薄膜Ｌ１はＳｉＯを含む素材で提供され、第２薄膜Ｌ２はＳｉＮを含む素材で提供されることができる。このように互いに異なる素材である第１薄膜Ｌ１と第２薄膜Ｌ２は物理学特性が互いに異なる。したがって、処理される過程で基板Ｗ上に形成されるホールＨにはラフネス（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が発生することができる。また、蝕刻等の処理過程で基板Ｗ上にはダメージ層ＤＬが形成されることができる。ダメージ層ＤＬはＳｉを含む素材で提供されることができる。

【0004】

一般的に、このようなホールＨのラフネス（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）、そしてダメージ層ＤＬを除去するために基板Ｗ上に薬液を供給する。しかし、最近基板Ｗ上に形成されるパターンの稠密化、ホールＨの縦横比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）が高くなるにつれて、ホールＨ内に薬液が適切に浸透できず、基板Ｗ上のダメージ層ＤＬを適切に除去できない場合が発生している。また、第１薄膜Ｌ１と第２薄膜Ｌ２は薬液に対する選択比が互いに異なるので、薬液がホールＨに適切に浸透してもホールＨのラフネス（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）は改善されない可能性がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】国際特許公開第ＷＯ2020161879Ａ１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の目的は基板を効率的に処理することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

【0007】

また、本発明の目的は基板上に形成されたダメージ層を効果的に除去することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

【0008】

また、本発明の目的は基板上に互いに異なる選択比を有する薄膜が２以上積層される場合に基板上に形成されたホールのラフネスを効果的に改善することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

【0009】

また、本発明の目的はイオンによる基板処理及びラジカルによる基板処理を全て遂行することができる基板処理装置を提供することにある。

【0010】

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から通常の技術者が明確に理解理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明は基板処理方法を提供する。薄膜が積層され、ホールが形成された基板を処理する方法は、イオンを含む第１プラズマを利用して前記基板を処理する第１処理段階と、イオンが除去された第２プラズマを利用して前記基板を処理する第２処理段階と、を含むことができる。

【0012】

一実施形態によれば、前記第１処理段階が遂行される少なくとも一部の時期の間に前記基板は静電気力でチャッキングされることができる。

【0013】

一実施形態によれば、前記第１処理段階には、チャンバー内第１空間に工程ガスを供給して前記第１プラズマを発生させ、前記第２処理段階には、前記第１空間と異なるチャンバー内第２空間に工程ガスを供給して前記第２プラズマを発生させることができる。

【0014】

一実施形態によれば、前記第１空間は前記基板が置かれる空間であり、前記第２プラズマの前記イオンの除去は、前記第１空間と前記第２空間との間に配置されたイオンブロッカーによって除去されることができる。

【0015】

一実施形態によれば、前記第１処理段階は、前記第１プラズマに励起される工程ガスの供給を開始し、設定時間が経過した後、前記第１空間に電界を形成することができる。

【0016】

一実施形態によれば、前記第２処理段階は、前記第２プラズマに励起される工程ガスの供給を開始し、設定時間が経過した後、前記第２空間に電界を形成することができる。

【0017】

一実施形態によれば、前記第１処理段階、そして前記第２処理段階の間には、前記第１空間を排気する排気段階が遂行されることができる。

【0018】

一実施形態によれば、前記基板が処理される間に前記基板を支持するチャックの温度は、８５℃乃至１３０℃に制御されることができる。

【0019】

一実施形態によれば、前記第１処理段階で前記第１空間の圧力は１０ｍＴｏｒｒ乃至１００ｍＴｏｒｒに制御され、前記第２処理段階で前記第１空間の圧力は１Ｔｏｒｒ乃至１０Ｔｏｒｒに制御されることができる。

【0020】

一実施形態によれば、前記第１処理段階で前記第１空間に電界を形成する第１電極には、１００Ｗ乃至１０００Ｗが印加され、前記第２処理段階で前記第２空間に電界を形成する第２電極には、５０Ｗ乃至１００Ｗが印加されることができる。

【0021】

一実施形態によれば、前記第１プラズマに励起される工程ガスは水素を含み、前記第２プラズマに励起される工程ガスは弗素を含むことができる。

【0022】

一実施形態によれば、前記第１プラズマに励起される工程ガスは、１００ｓｃｃｍ乃至１０００ｓｃｃｍで前記第１空間に供給されることができる。

【0023】

一実施形態によれば、前記第２プラズマに励起される工程ガスは、１０ｓｃｃｍ乃至５００ｓｃｃｍで前記第２空間に供給されることができる。

【0024】

また、本発明は基板処理方法を提供する。異なる選択比を有する薄膜が少なくとも２以上積層された基板を処理する方法は、静電気力でチャッキング（Ｃｈｕｃｋｉｎｇ）された前記基板にイオンを含む第１プラズマを利用して前記基板を処理する第１処理段階と、前記第１処理段階の後に遂行され、イオンが除去された第２プラズマを利用して前記基板を処理する第２処理段階と、を含み、前記第１プラズマは、水素、アルゴン、又はヘリウムを含む工程ガスから励起されたプラズマであり、前記第２プラズマは、弗素を含む工程ガスから励起されたプラズマであり得る。

【0025】

一実施形態によれば、前記第１プラズマが生成される第１空間、そして前記第２プラズマが生成される第２空間は接地されたプレートによって区画されることができる。

【0026】

一実施形態によれば、前記第２処理段階には、イオンが除去された前記第２プラズマに窒素及び水素を含む工程ガスを供給することができる。

【0027】

また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、処理空間を定義するハウジングと、前記処理空間で基板を支持するチャックと、前記チャックは前記処理空間でプラズマを発生させる下部電源と連結される下部電極が提供され、上部電源と連結される上部電極と、
前記上部電極と互いに対向されるように配置されるイオンブロッカーと、前記イオンブロッカーは前記処理空間と流体連通するプラズマ空間を区画し、前記上部電極は前記プラズマ空間でプラズマを発生し、前記処理空間又は前記プラズマ空間に工程ガスを供給するガス供給ユニットと、制御器と、を含み、前記制御器は、前記処理空間でプラズマを発生させて基板を処理した後、前記プラズマ空間でプラズマを発生させて基板を処理するように前記上部電源、前記下部電源、そして前記ガス供給ユニットを制御することができる。

【0028】

一実施形態によれば、前記制御器は、前記処理空間でプラズマを発生させる場合、前記処理空間に水素を含む工程ガスを供給することができる。

【0029】

一実施形態によれば、前記プラズマ空間でプラズマを発生させる場合、前記プラズマ空間に弗素を含む工程ガスを供給することができる。

【0030】

一実施形態によれば、前記チャックには、基板を静電気力でチャッキングする静電電極が提供されることができる。

【発明の効果】

【0031】

本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。

【0032】

また、本発明の一実施形態によれば、基板上に形成されたダメージ層を効果的に除去することができる。

【0033】

また、本発明の一実施形態によれば、基板上に互いに異なる選択比を有する薄膜が２以上積層される場合に基板上に形成されたホールのラフネスを効果的に改善することができる。

【0034】

また、本発明の一実施形態によれば、イオンによる基板処理及びラジカルによる基板処理を全て遂行することができる。

【0035】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0036】

【図1】処理工程が一部遂行された基板の形状を示す図面である。

【図2】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す図面である。

【図3】本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。

【図4】図３の基板処理方法を遂行する時に基板処理装置の処理条件を概略的に示すグラフである。

【図5】図４のチャッキング－圧力安定化段階で基板に対するチャッキングが行われる基板処理装置の形状を示す図面である。

【図6】図４のチャッキング－圧力安定化段階で圧力安定化が遂行される基板処理装置の形状を示す図面である。

【図7】図４のイオン処理段階を遂行する形状を示す図面である。

【図8】イオン処理段階が遂行される基板の形状を示す図面である。

【図9】図４の第１排気段階が遂行される形状を示す図面である。

【図10】図４の圧力安定化段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。

【図11】図４のラジカル処理段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。

【図12】ラジカル処理段階が遂行される基板の形状を示す図面である。

【図13】イオン処理及びラジカル処理が遂行された基板の形状を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0037】

以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。

【0038】

ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。

【0039】

単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。

【0040】

第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素も第１構成要素と称されることができる。

【0041】

ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“～間に”と“すぐ～間に”又は“～に隣接する”と“～に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。

【0042】

異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。

【0043】

以下では、図２乃至図１３を参照して本発明の実施形態に対して説明する。

【0044】

図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す図面である。図２を参照すれば、本発明の一実施形態による基板処理装置１０は基板Ｗを処理することができる。基板処理装置１０はプラズマを利用して基板Ｗを処理することができる。基板処理装置１０はプラズマを利用して基板Ｗ上のダメージ層ＤＬを除去し、基板Ｗ上のホールＨのラフネスを改善することができる。基板処理装置１０に搬入される基板Ｗは処理工程が一部遂行された基板Ｗが搬入されることができる。例えば、基板処理装置１０に搬入される基板Ｗは、蝕刻工程、写真工程等が遂行された基板Ｗが搬入されている可能性がある。例えば、基板処理装置１０に搬入された処理対象である基板Ｗは、先に図１を参照して説明した基板Ｗと同一又は類似な状態に基板処理装置１０に搬入されることができる。

【0045】

基板処理装置１０は、ハウジング１００、チャック２００、シャワーヘッド３００、加熱部材４００、イオンブロッカー５００、絶縁部材ＤＲ、上部電極６００（第２電極の一例）、ガス供給ユニット７００、８００、排気ユニット９００、そして制御器１０００を含むことができる。

【0046】

ハウジング１００とシャワーヘッド３００は互いに組み合わせて、基板Ｗが処理される空間である処理空間Ａ１（第１空間の一例）を定義することができる。また、シャワーヘッド３００、加熱部材４００、そしてイオンブロッカー５００は互いに組み合わせてイオンＩが除去されたプラズマＰと第１ガス供給ユニット７００が供給する第１工程ガスＧ１を互いにミキシングする空間であるミキシング空間Ａ３（第３空間の一例）を定義することができる。また、イオンブロッカー５００、絶縁部材ＤＲ、上部電極６００は互いに組み合わせて、プラズマＰが発生される空間であるプラズマ空間Ａ２（第２空間の一例）を定義することができる。また、処理空間Ａ１、プラズマ空間Ａ２、そしてミキシング空間Ａ３を定義するのに関与する構成を通称してチャンバーと称することもあり得る。

【0047】

ハウジング１００は処理空間Ａ１を定義することができる。例えば、ハウジング１００は後述するシャワーヘッド３００と互いに組み合わせて処理空間Ａ１を定義することができる。ハウジング１００は上部が開放された筒形状を有することができる。ハウジング１００の内側壁は、後述するプラズマＰによって蝕刻されことを防止することができる素材でコーティングされることができる。例えば、ハウジング１００の内側壁はセラミックのような誘電体膜でコーティングされることができる。また、ハウジング１００は接地されることができる。また、ハウジング１００には基板Ｗが処理空間Ａ１に搬入されるか、或いは処理空間Ａ１から搬出されるように開口（図示せず）が形成されていることができる。開口はドア（図示せず）によって選択的に遮蔽されることができる。

【0048】

チャック２００は処理空間Ａ１で基板Ｗを支持することができる。チャック２００は基板Ｗを加熱することができる。また、チャック２００は基板Ｗを静電気力を利用してチャッキング（Ｃｈｕｃｋｉｎｇ）することができるＥＳＣであり得る。チャック２００は支持板２１０、静電電極２２０、ヒーター２３０、そして下部電極２４０（第１電極の一例）を含むことができる。

【0049】

支持板２１０は基板Ｗを支持することができる。支持板２１０は基板Ｗを支持する支持面を有することができる。支持板２１０は誘電体で提供されることができる。例えば、支持板２１０はセラミック素材で提供されることができる。支持板２１０内には静電電極２２０が提供されることができる。静電電極２２０は上部から見る時、基板Ｗと重畳される位置に提供されることができる。静電電極２２０に電力が印可されれば、静電電極２２０は基板Ｗをチャッキングさせることができる静電気力による電界を形成することができる。電界は基板Ｗが支持板２１０に向かう方向にチャッキングされるようにする引力を基板Ｗに伝達することができる。また、電界は、後述するイオンＩが基板Ｗに向かって直進に流動（即ち、イオンＩが異方性を有するように）するようにすることができる。

【0050】

また、基板処理装置１０、例えばチャック２００は静電電極２２０に電力を印加する第１電源モジュール２２２、２２４を含むことができる。第１電源モジュール２２２、２２４は静電電極電源２２２及び静電電極スイッチ２２４を含むことができる。静電電極スイッチ２２４のオン／オフに応じて静電電極２２０には電力が印加されることができる。

【0051】

ヒーター２３０は基板Ｗを加熱することができる。ヒーター２３０は支持板２１０の温度を上昇させて基板Ｗを加熱することができる。また、ヒーター２３０に電力が印可されれば、ヒーター２３０は熱を発生させることができる。ヒーター２３０はタングステンのような発熱体であり得る。しかし、ヒーター２３０の種類はこれに限定されることではなく、公知されたヒーター２３０で多様に変形されることができる。ヒーター２３０は基板Ｗが処理される間に基板Ｗから分離される不純物（例えば、Ｓｉ－ポリマー）がホールＨに再付着されることを防止できるように支持板２１０の温度を高めることができる。例えば、ヒーター２３０は支持板２１０の温度を８５℃乃至１３０℃に制御することができる。

【0052】

また、基板処理装置１０、例えばチャック２００はヒーター２３０に電力を印加する第２電源モジュール２３２、２３４を含むことができる。第２電源モジュール２３２、２３４はヒーター電源２３２及びヒーター電源スイッチ２３４を含むことができる。ヒーター電源スイッチ２３４のオン／オフに応じてヒーター２３０には電力が印加されることができる。

【0053】

下部電極２４０は処理空間Ａ１でプラズマを発生させることができる。下部電極２４０は板形状を有することができる。下部電極２４０は後述するシャワーヘッド３００と互いに対向される電極であり得る。下部電極２４０に電力が印可されれば、下部電極２４０は処理空間Ａ１に電界を形成し、形成された電界は処理空間Ａ１に流入（供給）される工程ガスＧ１、Ｇ２を励起させてプラズマＰを発生させることができる。また、基板処理装置１０、例えばチャック２００は下部電極２４０に電力を印加する下部電源モジュール２４２、２４４を含むことができる。下部電源モジュール２４２、２４４はＲＦソースである下部電源２４２及び下部電源スイッチ２４４を含むことができる。下部電源スイッチ２４４のオン／オフに応じて下部電極２４０には電力が印加されることができる。

【0054】

シャワーヘッド３００はハウジング１００の上部に配置されることができる。シャワーヘッド３００は後述するイオンブロッカー５００と処理空間Ａ１との間に配置されることができる。シャワーヘッド３００は接地されることができる。シャワーヘッド３００は接地されて上述した下部電極２４０と互いに対向電極として機能することができる。また、シャワーヘッド３００には複数のホール３０２が形成されることができる。ホール３０２はシャワーヘッド３００の上面から下面まで延長されて形成されることができる。即ち、ホール３０２はシャワーヘッド３００を貫通して形成されることができる。ホール３０２は処理空間Ａ１と後述するプラズマ空間Ａ２を互いに流体連通させることができる。また、ホール３０２は処理空間Ａ１と後述するミキシング空間Ａ３を互いに流体連通させることができる。

【0055】

また、シャワーヘッド３００にはガス注入口３０４が形成されることができる。ガス注入口３０４は後述する第２ガスライン７０６と連結されることができる。ガス注入口３０４はミキシング空間Ａ３に向かって第１工程ガスＧ１を供給するように構成されることができる。ガス注入口３０４はミキシング空間Ａ３の縁領域に工程ガスを供給するように構成されることができる。ガス注入口３０４はミキシング空間Ａ３には通じる（また、間接的にプラズマ空間Ａ２と通じる）が、処理空間Ａ１には通じないように構成されることができる。

【0056】

加熱部材４００はシャワーヘッド３００の上部に配置されることができる。加熱部材４００は上部から見る時、リング形状を有するリングヒーターであり得る。加熱部材４００は熱を発生させてミキシング空間Ａ３の温度を高めてイオンＩが除去されたプラズマＰと第１工程ガスＧ１がミキシングされることがより効果的に行われるように助けることができる。

【0057】

イオンブロッカー５００はプラズマ空間Ａ２とミキシング空間Ａ３を区画（さらにはプラズマ空間Ａ２と処理空間Ａ１を間接的に区画）することができる。イオンブロッカー５００は上部電極６００と処理空間Ａ１との間に配置されることができる。

【0058】

イオンブロッカー５００は加熱部材４００の上部に配置されることができる。イオンブロッカー５００は接地されることができる。イオンブロッカー５００は接地されて、プラズマ空間Ａ２で発生されたプラズマＰがミキシング空間Ａ３、さらに処理空間Ａ１に流入する時、プラズマＰが含むイオンＩを除去することができる。要するに、プラズマ空間Ａ２で発生されたプラズマＰは、イオンブロッカー５００を経りながら、イオンＩが除去されるので、実質的にラジカルＲのみを含むようになることができる。

【0059】

また、イオンブロッカー５００は接地されて後述する上部電極６００と互いに対向電極として機能することができる。イオンブロッカー５００には複数の通孔５０２が形成されることができる。通孔５０２はイオンブロッカー５００を貫通して形成されることができる。通孔５０２はプラズマ空間Ａ２とミキシング空間Ａ３を流体連通させることができる。通孔５０２はプラズマ空間Ａ２と処理空間Ａ１を流体連通させることができる。

【0060】

また、イオンブロッカー５００にはガス供給口５０４が形成されていることができる。ガス供給口５０４は後述する第１ガスライン７０４と連結されることができる。ガス供給口５０４はミキシング空間Ａ３に工程ガスを供給するように構成されることができる。ガス供給口５０４はミキシング空間Ａ３の中央領域に工程ガスを供給するように構成されることができる。ガス供給口５０４はミキシング空間Ａ３とは通じる（また、間接的に処理空間Ａ１と通じる）が、プラズマ空間Ａ２とは通じないように構成されることができる。

【0061】

上部電極６００は板形状を有することができる。上部電極６００はプラズマを発生させることができる。上部電極６００には、基板処理装置１０が有する上部電源モジュール６０２、６０４が電力を印加することができる。上部電源モジュール６０２、６０４はＲＦソースである上部電源６０２及び下部電源スイッチ６０４を含むことができる。上部電源スイッチ６０２のオン／オフに応じて上部電極６００には電力が印加されることができる。上部電極６００に電力が印可されれば、対向電極として機能するイオンブロッカー５００と上部電極６００との間に電界が形成され、したがってプラズマ空間Ａ２で後述する第２工程ガスＧ２を励起してプラズマを発生させることができる。また、上部電極６００とイオンブロッカー５００との間には絶縁素材で提供される絶縁部材ＤＲが配置されることができる。絶縁部材ＤＲは上部から見る時、リング形状を有することができる。

【0062】

ガス供給ユニット７００、８００はプラズマＰ状態に励起される工程ガスＧ１、Ｇ２を供給することができる。ガス供給ユニット７００、８００は第１ガス供給ユニット７００、そして第２ガス供給ユニット８００を含むことができる。以下では、第１ガス供給ユニット７００が供給する工程ガスを、第１工程ガスＧ１であるとし、第２ガス供給ユニット８００が供給する工程ガスを、第２工程ガスＧ２であるとする。

【0063】

第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間Ａ３に工程ガスを供給することができる。第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間Ａ３に工程ガスを注入して、処理空間Ａ１に工程ガスを供給することができる。第１ガス供給ユニット７００は第１ガス供給源７０１、メーンガスライン７０３、第１ガスライン７０４、及び第２ガスライン７０６を含むことができる。メーンガスライン７０３の一端は第１ガス供給源７０１と連結されることができ、メーンガスライン７０３の他端は第１ガスライン７０４及び第２ガスライン７０６に分岐されることができる。第１ガスライン７０４は上述したガス供給口５０４と連結されることができる。また、第２ガスライン７０６は上述したガス注入口３０４と連結されることができる。

【0064】

第１ガス供給ユニット７００が供給する第１工程ガスＧ１はＮＨ_３、Ｈ_２の中で少なくとも１つ以上であり得る。

【0065】

第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間Ａ２に工程ガスを供給することができる。第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間Ａ２に工程ガスを注入して、ミキシング空間Ａ２、そして処理空間Ａ１に工程ガスを供給することができる。第２ガス供給ユニット８００は第２ガス供給源８０１、そしてガスチャンネル８０３を含むことができる。ガスチャンネル８０３の一端は第２ガス供給源８０１と連結され、他端はプラズマ空間Ａ２と連通されることができる。

【0066】

第２ガス供給ユニット８００が供給する第２工程ガスＧ２はＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ_２、フルオリン（弗素）系列（例えば、ＮＦ_３、Ｆ_２）の中でいずれか１つであり得る。

【0067】

排気ユニット９００は処理空間Ａ１に供給された工程ガスＧ１、Ｇ２、工程副産物等を排出することができる。排気ユニット９００は処理空間Ａ１の圧力を調節することができる。排気ユニット９００は減圧部材９０２、そして減圧ライン９０４を含むことができる。減圧部材９０２はポンプであり得る。しかし、これに限定されることではなく、減圧を提供する公知された装置に多様に変形されることができる。

【0068】

制御器１０００は基板処理装置１０、具体的に基板処理装置１０が有する構成を制御することができる。例えば、制御器１０００はガス供給ユニット７００、８００、第１電源モジュール２２２、２２４、第２電源モジュール２３２、２３４、減圧部材９０２、下部電源モジュール２４２、２４４、上部電源モジュール６０２、６０４等を制御することができる。制御器１０００は基板処理装置１０の制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピュータ）で成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレー等で成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置１０で実行される処理をプロセスコントローラの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部で処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは格納部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。

【0069】

以下では、本発明の一実施形態による基板処理方法に対して説明する。以下では説明する基板処理方法は、上述した基板処理装置１０によって遂行されることができる。また、以下では説明する基板処理方法を遂行するために制御器１０００は基板処理装置１０が有する構成を制御することができる。

【0070】

図３は本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートであり、図４は図３の基板処理方法を遂行する時、基板処理装置の処理条件を概略的に示すグラフである。図３、そして図４を参照すれば、本発明の一実施形態による基板処理方法は、待機段階（Ｓ１０）、第１処理段階（Ｓ２０）、第１排気段階（Ｓ３０）、第２処理段階（Ｓ４０）、そして第２排気段階（Ｓ５０）を含むことができる。待機段階（Ｓ１０）、第１処理段階（Ｓ２０）、第１排気段階（Ｓ３０）、第２処理段階（Ｓ４０）、そして第２排気段階（Ｓ５０）は順次的に遂行されることができる。

【0071】

以下では、第１ガス供給ユニット７００が供給する工程ガスを、第１工程ガスＧ１であるとし、第２ガス供給ユニット８００が供給する工程ガスを、第２工程ガスＧ２であるとする。また、処理空間Ａ１で工程ガスが励起されて発生されるプラズマを第１プラズマＰ１であるとし、プラズマ空間Ａ２で工程ガスが励起されて発生するプラズマを第２プラズマＰ２であるとする。プラズマ空間Ａ２で発生される第２プラズマＰ２が処理空間Ａ１に流入される場合、イオンブロッカー５００によってイオンが除去されるので、第２プラズマＰ２はイオンが除去されたプラズマを意味することができる。また、処理空間Ａ１で発生する第１プラズマＰ１はイオンブロッカー５００によってイオンが除去されないので、第１プラズマＰ１はイオンを含むプラズマを意味することができる。

【0072】

待機段階（Ｓ１０）には処理対象である基板Ｗが処理空間Ａ１に搬入するまで待機する段階である。基板Ｗの搬入を待機する時間（即ち、待機段階（Ｓ１０）が持続される時間）が設定時間以上になる場合、基板処理装置１０のコンディションが低下されることができる。したがって、必要によっては基板Ｗの搬入を待機する時間が設定時間以上になる場合、基板Ｗが処理空間Ａ１に搬入されない状態で後述する第１処理段階（Ｓ２０）、第１排気段階（Ｓ３０）、第２処理段階（Ｓ４０）、そして第２排気段階（Ｓ５０）の中で少なくとも１つ以上を遂行することができる。

【0073】

第１処理段階（Ｓ２０）は待機段階（Ｓ１０）の後に遂行されることができる。第１処理段階（Ｓ２０）はチャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）及びイオン処理段階（Ｓ２２）を含むことができる。チャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）には支持ユニット２００が基板Ｗを静電気力でチャッキングすることができる（図５参照）。また、この時、静電電極スイッチ２２４はオン（Ｏｎ）されることができる。したがって、静電電極電源２２２が印加する電力は静電電極２２０に伝達されることができる。静電電極２２０に電力が印可されれば、基板Ｗ上には下に向かう方向に引っ張る力を発生させる電界が形成されることができる。このような電界は基板Ｗをチャッキング（Ｃｈｕｃｋｉｎｇ）のみならず、後述するイオンＩが異方性の状態（即ち、イオンＩが下に向かう方向に垂直に流動する状態）を有するようにしてもよい。

【0074】

また、チャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）はイオン処理段階（Ｓ２２）での基板Ｗ処理が安定的に遂行されるように処理空間Ａ１の圧力を安定化させる段階であり得る。チャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）にはガス供給ユニット７００、８００が工程ガスＧ１、Ｇ２を供給することができる（図６参照）。例えば、第１ガス供給ユニット７００がミキシング空間Ａ３に供給する第１工程ガスＧ１はホール３０２を通じて処理空間Ａ１に流入されることができる。第２ガス供給ユニット８００がプラズマ空間Ａ２に供給する第２工程ガスＧ２は通孔５０２とホール３０２を通じて処理空間Ａ１に流入されることができる。処理空間Ａ１に工程ガスＧ１、Ｇ２が流入されることによって、処理空間Ａ１の圧力は設定圧力に到達及び設定圧力に一定に維持されることができる（圧力の安定化）。

【0075】

また、チャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）で第１ガス供給ユニット７００が供給する第１工程ガスＧ１はＮＨ_３、又はＨ_２のように水素を含むガスであり得る。また、チャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）で第２ガス供給ユニット８００が供給する第２工程ガスＧ２はＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ_２を含む不活性ガスであり得る。第１処理段階（Ｓ２０）で供給される工程ガスＧ１、Ｇ２はＨ_２、Ｈｅ、そしてＡｒの中でいずれか１つを含むガスと、Ｈ及び／又はＮを含むガス（例えば、ＮＨ_３）を含むことができる。

【0076】

処理空間Ａ１に工程ガスＧ１、Ｇ２の供給が開始し、設定時間が経過した後、イオン処理段階（Ｓ２２）には下部電源モジュール２４２、２４４が下部電極２４０に電力を印加することができる。下部電極２４０に電力が印可されれば、処理空間Ａ１には電界が形成されることができる。処理空間Ａ１に形成される電界は、工程ガスＧ１、Ｇ２を励起させて第１プラズマＰ１を発生させることができる（図７参照）。処理空間Ａ１で発生される第１プラズマＰ１はイオンブロッカー５００を経なく、処理空間Ａ１で直接的に発生するようになるので、イオンＩを含むことができる。第１プラズマＰ１が含むイオンＩは極性を有するので、静電電極２２０が形成する静電気力によって異方性を有するようにされることができる。したがって、図８に図示されたようにイオンＩはホールＨ内に進入してダメージ層ＤＬに適切に伝達されることができ、またホールＨで相対的に突出された第１薄膜Ｌ１部分は第２薄膜Ｌ２部分より相対的にイオンＩによる処理がさらに行われることができる。即ち、ホールＨの一部はイオンＩによって処理が行われ、ホールＨの他の一部はイオンＩによって処理が行われないことがあり得る。

【0077】

第１処理段階（Ｓ２０）が遂行される間に、チャック２００の温度は５０℃乃至１５０℃、より好ましくは８５℃乃至１３０℃で制御されることができる。また、第１処理段階（Ｓ２０）が遂行される間に、処理空間Ａ１の圧力は排気ユニット９００によって５ｍＴｏｒｒ乃至１５０ｍＴｏｒｒ、より好ましくは１０ｍＴｏｒｒ乃至１００ｍＴｏｒｒに制御されることができる。また、第１処理段階（Ｓ２０）が遂行される間に、下部電極２４０には５０Ｗ乃至１５００Ｗ、より好ましくは１００Ｗ乃至１０００Ｗが印加されることができる。また、第１処理段階（Ｓ２０）が遂行される間に供給される工程ガス、例えばＮＨ_３を含む第１工程ガスＧ１は５０ｓｃｃｍ乃至１０００ｓｃｃｍ、より好ましくは１００ｓｃｃｍ乃至１０００ｓｃｃｍに処理空間Ａ１に供給されることができる。

【0078】

第１排気段階（Ｓ３０）には排気ユニット９００が処理空間Ａ１の雰囲気を排気することができる（図９参照）。第１排気段階（Ｓ３０）には処理空間Ａ１を排気して処理空間Ａ１に残留する工程副産物、第１処理段階（Ｓ２０）で供給された工程ガスＧ１、Ｇ２、そして第１プラズマＰ１を処理空間Ａ１の外部に排気することができる。

【0079】

第２処理段階（Ｓ４０）は第１排気段階（Ｓ３０）の後に遂行されることができる。第２処理段階（Ｓ４０）は圧力安定化段階（Ｓ４１）及びラジカル処理段階（Ｓ４２）を含むことができる。圧力安定化段階（Ｓ４１）はラジカル処理段階（Ｓ４２）での基板Ｗ処理が安定的に遂行されるように処理空間Ａ１の圧力を安定化させる段階であり得る。圧力安定化段階（Ｓ４１）にはガス供給ユニット７００、８００が工程ガスＧ１、Ｇ２を供給することができる（図１０参照）。例えば、第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間Ａ３に第１工程ガスＧ１を供給することができる。第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間Ａ２に第２工程ガスＧ２を供給することができる。また、プラズマ空間Ａ２とミキシング空間Ａ３に供給される工程ガスＧ１、Ｇ２は処理空間Ａ１に流入されて処理空間Ａ１の圧力を安定化させることができる。

【0080】

また、圧力安定化段階（Ｓ４１）で第１ガス供給ユニット７００が供給する第１工程ガスＧ１はＮＨ_３、又はＨ_２のように水素を含むガスであり得る。また、チャッキング－圧力安定化段階（Ｓ２１）で第２ガス供給ユニット８００が供給する第２工程ガスＧ２は弗素（例えば、ＮＦ_３、Ｆ_２）、そして不活性ガス（例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ_２）を含むことができる。

【0081】

工程ガスＧ１、Ｇ２の供給が開始し、設定時間が経過した後、ラジカル処理段階（Ｓ４２）には上部電源モジュール６０２、６０４が上部電極６００に電力を印加することができる。上部電極６００に電力が印可されれば、プラズマ空間Ａ２には電界が形成されることができる。プラズマ空間Ａ２に形成される電界は、第２工程ガスＧ２を励起させて第２プラズマＰ２を発生させることができる（図１０参照）。

【0082】

第２プラズマＰ２はイオンブロッカー５００を経てミキシング空間Ａ２に流れることができる。ミキシング空間Ａ２に流入された第２プラズマＰ２はイオンブロッカー５００によってイオンＩが除去された状態になることができる。イオンＩが除去された状態の第２プラズマＰ２は、ミキシング空間Ａ２に供給される第１工程ガスＧ１と互いにミキシングされることができる。第１工程ガスＧ１とミキシングされた、イオンＩが除去された第２プラズマＰ２は処理空間Ａ１に流入されて、基板Ｗを処理することができる（図１２参照）。この時、イオンＩが除去されたラジカルＲは、中性を有するので、等方性を有することができる。また、先の第１処理段階（Ｓ２０）でイオンＩによって処理された領域と、処理されない領域の間には選択比の差が発生するようになる。したがって、図１２に図示されたようにホールＨのラフネス改善、そしてダメージ層ＤＬを効果的に除去することができるようになる。

【0083】

第２処理段階（Ｓ４０）が遂行される間に、チャック２００の温度は５０℃乃至１５０℃、より好ましくは８５℃乃至１３０℃で制御されることができる。また、第２処理段階（Ｓ４０）が遂行される間に、処理空間Ａ１の圧力は排気ユニット９００によって０．５Ｔｏｒｒ乃至１５Ｔｏｒｒ、より好ましくは１Ｔｏｒｒ乃至１０Ｔｏｒｒに制御されることができる。また、第２処理段階（Ｓ４０）が遂行される間に、上部電極６００には２０Ｗ乃至５００Ｗ、より好ましくは５０Ｗ乃至５００Ｗが印加されることができる。また、第２処理段階（Ｓ４０）が遂行される間に供給される工程ガス、例えばＮＨ_３を含む第１工程ガスＧ１は５０ｓｃｃｍ乃至１５００ｓｃｃｍ、より好ましくは１００ｓｃｃｍ乃至１０００ｓｃｃｍにミキシング空間Ａ３に供給されることができる。また、第２処理段階（Ｓ４０）が遂行される間に供給される工程ガス、例えばＮＦ３を含む第２工程ガスＧ２は５ｓｃｃｍ乃至８００ｓｃｃｍ、より好ましくは１０ｓｃｃｍ乃至５００ｓｃｃｍでプラズマ空間Ａ３に供給されることができる。

【0084】

また、第１処理段階（Ｓ２０）と第２処理段階（Ｓ４０）は繰り返して遂行されることができる。

【0085】

第２排気段階（Ｓ５０）には第１排気段階（Ｓ３０）と類似に、処理空間Ａ１の雰囲気を排気ユニット９００が排気することができる。

【0086】

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。

【符号の説明】

【0087】

Ｗ 基板
ＤＬ ダメージ層
Ｌ１ 第１薄膜
Ｌ２ 第２薄膜
１０ 基板処理装置
１００ ハウジング
１０２ 処理空間
１０４ 排気ホール
２００ チャック
２１０ 支持板
２２０ 静電電極
２２２ 静電電極電源
２２４ 静電電極スイッチ
２３０ ヒーター
２３２ ヒーター電源
２３４ ヒーター電源スイッチ
２４０ 下部電極
２４２ 下部電源
２４４ 下部電源スイッチ
３００ シャワーヘッド
３０２ ホール
３０４ ガス注入口
４００ 加熱部材
５００ イオンブロッカー
５０２ 通孔
５０４ ガス供給口
ＤＲ 絶縁部材
６００ 上部電極
６０２ 上部電源
６０４ 上部電源スイッチ
７００ 第１ガス供給ユニット
７０１ 第１ガス供給源
７０４ 第１ガスライン
７０６ 第２ガスライン
８００ 第２ガス供給ユニット
８０１ 第２ガス供給源
８０３ ガスチャンネル
９００ 排気ユニット
９０２ 減圧部材
９０４ 減圧ライン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】