特開 2025-154626 積層セラミック電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025154626

(43)【公開日】2025-10-10

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 201D

H01G4/30 201C

H01G4/30 201L

H01G4/30 515

H01G4/30 514

H01G4/30 513

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024057736

(22)【出願日】2024-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】渡邊 篤

(72)【発明者】

【氏名】田辺 智由貴

(72)【発明者】

【氏名】岡田 一宏

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 雫

(72)【発明者】

【氏名】奥井 保弘

(72)【発明者】

【氏名】井口 俊宏

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC01

5E001AE01

5E001AE03

5E082AB03

5E082BC33

(57)【要約】

【課題】温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】
積層されている誘電体層と内部電極層とを有する積層セラミック電子部品である。内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層とし、誘電体層のうち積層方向に沿って第１内部電極層より外側にある誘電体層を外装誘電体層とし、外装誘電体層には第１内部電極層の近傍から積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層されている誘電体層と内部電極層とを有する積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層とし、
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より外側にある誘電体層を外装誘電体層とし、
前記外装誘電体層には前記第１内部電極層の近傍から前記積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する積層セラミック電子部品。

【請求項2】

前記外装誘電体層の厚みが１５０ｕｍ以上５００ｕｍ以下である請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項3】

前記外装誘電体層のうち前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以下である部分に前記濃度勾配が存在する請求項２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項4】

前記外装誘電体層において、前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度と比較して、前記第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が８０％以上９０％以下であり、かつ、前記第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が９０％以上１００％以下である請求項３に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項5】

前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高い請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項6】

前記内部電極層のうち、前記第１内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とし、
前記第２内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層とし、
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ１、前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、前記第３内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ３として、
Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たす請求項５に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項7】

Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０以下である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項8】

前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部以外の部分におけるＭｎ濃度をＣ２Ｂとして、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項9】

Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項10】

前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より内側にある誘電体層を内部誘電体層として、前記内部誘電体層の厚みが３．０ｕｍ以上１５ｕｍ以下である請求項１～９のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。

【請求項11】

前記内部電極層の積層数が５０以上３００以下である請求項１～９のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。

【請求項12】

前記誘電体層がＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯを含む請求項１～９のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、積層セラミックコンデンサに関する発明が記載されている。具体的には、最外層内部電極と、その外側に位置する最外誘電体セラミック層と、の境界にＭｇとＭｎとを含有する境界層が形成されることでセラミック積層体への水分の侵入を抑制、防止できることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－２３２８９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記の目的を達成するために、本発明に係る積層セラミック電子部品は、
積層されている誘電体層と内部電極層とを有する積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層とし、
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より外側にある誘電体層を外装誘電体層とし、
前記外装誘電体層には前記第１内部電極層の近傍から前記積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する積層セラミック電子部品である。

【0006】

前記外装誘電体層の厚みが１５０ｕｍ以上５００ｕｍ以下であってもよい。

【0007】

前記外装誘電体層のうち前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以下である部分に前記濃度勾配が存在してもよい。

【0008】

前記外装誘電体層において、前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度と比較して、前記第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が８０％以上９０％以下であってもよく、かつ、前記第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が９０％以上１００％以下であってもよい。

【0009】

前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高くてもよい。

【0010】

前記内部電極層のうち、前記第１内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とし、
前記第２内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層とし、
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ１、前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、前記第３内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ３として、
Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たしてもよい。

【0011】

Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０以下であってもよい積層セラミック電子部品。

【0012】

前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部以外の部分におけるＭｎ濃度をＣ２Ｂとして、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下であってもよい。

【0013】

Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下であってもよい。

【0014】

前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より内側にある誘電体層を内部誘電体層として、前記内部誘電体層の厚みが３．０ｕｍ以上１５ｕｍ以下であってもよい。

【0015】

前記内部電極層の積層数が５０以上３００以下であってもよい。

【0016】

前記誘電体層がＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯを含んでもよい。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面を示す模式図である。

【図2】図２は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面を示す模式図である。

【図3】図３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面を示す模式図である。

【図4】図４は、第１内部電極層からの距離とＭｎの特性Ｘ線の強度との関係を示すグラフである。

【図5】図５は、第１内部電極層からの距離とＭｎの特性Ｘ線の強度との関係を示すグラフである。

【図6】図６は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面の一部を示す模式図である。

【図7】図７は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面の一部を示す模式図である。

【図8】図８は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面の一部を示す模式図である。

【図9】図９は、各誘電体層用シートの配置の一例を示す模式図である。

【図10】図１０は、各誘電体層用シートの配置の一例を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明を、具体的な実施形態に基づき説明する。

【0019】

本実施形態に係る積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１が図１に示される。積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と、内部電極層３と、が交互に積層された構成の素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部には、一対の外部電極４が形成してある。

【0020】

そして、図１に示される互いに異なる外部電極４と導通する一対の内部電極層３と、図１に示されるいずれの外部電極４とも導通しない内部電極層３と、が素子本体１０の中で積層方向（図１の上下方向）に沿って交互に配置されている。

【0021】

素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、素子本体１０の寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。

【0022】

誘電体層２の組成には特に制限はない。例えば、誘電体層２が誘電体磁器組成物から構成されていてもよい。誘電体層２の組成には特に制限はない。例えば、誘電体層２がＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯを主に含んでいてもよく、Ａサイト元素としてＣａおよびＳｒを含み、Ｂサイト元素としてＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト化合物であってもよい。ペロブスカイト化合物とは、一般式ＡＢＯ₃（ＡはＡサイト元素、ＢはＢサイト元素）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である。誘電体層２がＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯを主に含む場合には、後述する技術手法によって温度特性を好適に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制する効果が大きくなる。

【0023】

誘電体層２がＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯを主に含むとは、誘電体層２におけるＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯの合計含有割合が９０ａｔ％以上であることを指す。

【0024】

誘電体層２がＡサイト元素としてＣａおよびＳｒを含み、Ｂサイト元素としてＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト化合物を含む場合において、当該ペロブスカイト化合物のＡサイト元素全体に対するＣａおよびＳｒの合計含有割合が５０ａｔ％以上であってもよい。当該ペロブスカイト化合物のＢサイト元素全体に対するＺｒおよびＴｉの合計含有割合が９０ａｔ％以上であってもよい。

【0025】

なお、当該ペロブスカイト化合物のＡサイト元素全体に対するＣａおよびＳｒの合計含有割合が５０ａｔ％未満である場合、特にＡサイト元素としてＢａを多く含む場合には、後述する技術手法によって温度特性を好適に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制する効果が小さくなりやすい。

【0026】

誘電体層２が上記のペロブスカイト化合物以外に例えばＳｉＯ₂および／またはＡｌ₂Ｏ₃を含んでもよい。具体的には、ペロブスカイト化合物のＢサイト元素１００モル部に対して、Ｓｉを０モル部以上４．０モル部以下、含んでいてもよい。Ａｌを０モル部以上２．０モル部以下、含んでいてもよい。

【0027】

誘電体層２のうち後述する第１内部電極層３ａより積層方向に沿って外側にある誘電体層を外装誘電体層２ａとし、後述する第１内部電極層３ａより積層方向に沿って内側にある誘電体層を内部誘電体層２ｂとする。

【0028】

外装誘電体層２ａがＭｎを含む。そして、外装誘電体層２には第１内部電極層３ａの近傍から積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する。上記の濃度勾配が存在することにより、温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制することができる。

【0029】

上記の濃度勾配が外装誘電体層２ａのどこに存在するかについては特に制限はない。例えば、第１内部電極層２ａからの距離が１００ｕｍ以下である部分に上記の濃度勾配が存在してもよい。

【0030】

さらに具体的には、第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度の平均が、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度の平均よりも低い場合に上記の濃度勾配が存在するとみなしてもよい。

【0031】

外装誘電体層２ａにおいて、第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度の平均と比較して、第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度の平均が５０％以上９０％以下であってもよく、かつ、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度の平均が８０％以上１１０％以下であってもよい。

【0032】

外装誘電体層２ａにおいて、第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度の平均と比較して、第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度の平均が８０％以上９０％以下であり、かつ、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度の平均が９０％以上１００％以下であってもよい。

【0033】

Ｍｎ濃度の分布が上記の範囲内である場合に、サーマルクラックの発生、特に外装誘電体層２ａと第１内部電極層３ａとの界面や外装誘電体層２ａと外部電極４との界面におけるサーマルクラックの発生を抑制しやすい。

【0034】

上記の濃度勾配の有無、および、Ｍｎ濃度の分布を確認する方法としては、ＳＥＭ－ＥＤＳまたはＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いてＭｎの特性Ｘ線の強度を測定する方法が挙げられる。

【0035】

Ｍｎの特性Ｘ線の強度はＭｎ濃度に比例する。したがって、積層方向に沿って第１内部電極層３ａから外装誘電体層２ａに向かってＭｎの特性Ｘ線の強度をライン分析し、第１内部電極層３ａからの距離が大きくなるほどＭｎの特性Ｘ線の強度が上昇する箇所がある場合に上記の濃度勾配を有するといえる。

【0036】

上記のライン分析において、特性Ｘ線の測定箇所同士の間隔は十分に短くする。具体的には、２ｕｍ以下とする。

【0037】

また、第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度よりも低い場合に上記の濃度勾配が存在するとみなしてもよい。

【0038】

また、第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度と比較して、第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が８０％以上９０％以下であり、かつ、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が９０％以上１００％以下であってもよい。この場合には、第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度の平均と比較して、第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が平均で８０％以上９０％以下であり、かつ、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が平均で９０％以上１００％以下である。

【0039】

第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度を算出する際において、外装誘電体層２ａの厚さが２００ｕｍ未満である場合には、第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分全体についてＭｎの特性Ｘ線の平均強度を算出する。

【0040】

また、外装誘電体層２ａの厚さが２００ｕｍ以上である場合には、第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上２００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度を第１内部電極層３ａからの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度とみなしてもよい。

【0041】

横軸に第１内部電極層３ａからの距離、縦軸にＭｎの特性Ｘ線の強度を記載して得られたグラフを図４および図５に示す。図４は第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度よりも低い場合を示す。図５は第１内部電極層３ａからの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が、第１内部電極層３ａからの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度と同一である場合を示す。

【0042】

外装誘電体層２ａに上記の濃度勾配が存在することによりサーマルクラックの発生を抑制することができるのは、上記の濃度勾配の存在により外装誘電体層２ａの焼結が抑制されることで焼結による外装誘電体層２ａの収縮率が低下するためであると考えられる。

【0043】

なお、第１内部電極層３ａの近傍から積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が下降する濃度勾配が存在する場合には、サーマルクラックが発生しやすくなる。

【0044】

外装誘電体層２ａの厚みは特に限定されず、所望の特性や用途等に応じて任意に設定することができる。例えば、５０ｕｍを上回り８００ｕｍ以下であってもよく、１５０ｕｍ以上５００ｕｍ以下であってもよい。外装誘電体層２ａが厚いほどサーマルクラックが発生しやすくなる。逆に、外装誘電体層２ａが薄いほどサーマルクラックの発生しやすさが上記の濃度勾配の有無に依存しにくくなる。

【0045】

内部誘電体層２ｂの１層あたりの厚み（層間厚み）は特に限定されず、所望の特性や用途等に応じて任意に設定することができる。例えば、１．０ｕｍ以上２０ｕｍ以下であってもよく、３．０ｕｍ以上１５ｕｍ以下であってもよい。内部誘電体層２ｂが厚いほど、サーマルクラックの発生しやすさが上記の濃度勾配の有無に依存しにくくなる。内部誘電体層２ｂが薄いほど、サーマルクラックが発生しやすくなる。

【0046】

内部電極層３は、各端面が素子本体１０の対向する２つの端部の表面に露出するように積層してある。

【0047】

内部電極層３のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層３ａとする。第１内部電極層３ａよりも内側にあり後述するギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とする。第２内部電極層よりも内側にあり後述するギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層３ｃとする。

【0048】

ギャップ対応部とは、第１内部電極層３ａ以外の内部電極層３において、積層方向に沿って外側に他の内部電極層が存在しない部分のことである。

【0049】

ギャップ対応部は外部電極４の厚さ方向（図１の左右方向）の長さが１０ｕｍ以上である部分とする。言いかえれば、積層方向に沿って外側に他の内部電極層が存在しない部分であっても、外部電極４の厚さ方向の長さが１０ｕｍ未満である部分はギャップ対応部とはみなさない。

【0050】

図１に示すように、第２内部電極層は、第２内部電極層のギャップ対応部３ｂ１と、第２内部電極層のギャップ対応部以外の部分３ｂ２と、からなる。

【0051】

図１の左右方向における第２内部電極層の長さ（ギャップ対応部３ｂ１とギャップ対応部以外の部分３ｂ２との合計長さ）に対するギャップ対応部３ｂ１の長さの割合には特に制限はない。例えば、２．５％以上２０％以下であってもよい。

【0052】

内部電極層３に含有される導電材の主成分は金属である。金属としては特に限定されず、たとえばＰｄ、Ｐｄ系合金、Ｐｔ、Ｐｔ系合金、Ｎｉ、Ｎｉ系合金Ｃｕ、Ｃｕ系合金、など、金属として公知の導電材を用いればよい。

【0053】

第１内部電極層３ａなどの一部の内部電極層３がＭｎを含んでいてもよく、第１内部電極層３ａにおけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高くてもよい。

【0054】

第１内部電極層３ａにおけるＭｎ濃度が高いことにより、第１内部電極層３ａにおける線膨張係数が小さくなりやすい。そして、外装誘電体層２ａと第１内部電極層３ａとで線膨張係数の差が小さくなりやすくなる。そのため、サーマルクラックが発生しにくくなると考えられる。

【0055】

また、全ての内部電極層におけるＭｎ濃度を均等に高くする場合よりも、相対的に第１内部電極層におけるＭｎ濃度を高くする場合の方が、積層セラミックコンデンサ１の温度特性が向上しやすくなる。

【0056】

全ての内部電極層におけるＭｎ濃度が均等に低い場合はサーマルクラックが発生しやすくなり、全ての内部電極層におけるＭｎ濃度が均等に高い場合は温度特性を良好に維持しにくくなる。

【0057】

第１内部電極層３ａにおけるＭｎ濃度には特に制限はない。例えば、０．１ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下であってもよい。

【0058】

第１内部電極層３ａにおけるＭｎ濃度をＣ１、第２内部電極層のギャップ対応部３ｂ１におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、第２内部電極層のギャップ対応部以外の部分３ｂ２におけるＭｎ濃度をＣ２Ｂ、第３内部電極層３ｃにおけるＭｎ濃度をＣ３として、Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たしてもよい。

【0059】

さらに、Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０以下であってもよい。Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下であってもよい。Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下であってもよい。なお、Ｃ２Ｂ／Ｃ３については特に制限はないが、Ｃ２Ｂ／Ｃ３が０．９以上１．１以下であってもよく、１．０であってもよい。Ｃ２Ａ／Ｃ３についても特に制限はないが、Ｃ２Ａ／Ｃ３が１．１以上４．０未満であってもよい。

【0060】

各内部電極層におけるＭｎ濃度が上記の関係を満たすことにより、サーマルクラックが発生しにくくなり、かつ、温度特性を良好に維持しやすくなる。なお、Ｃ１／Ｃ３、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂ、および／または、Ｃ１／Ｃ２Ａが大きい場合には温度特性が低下しやすくなる傾向にある。

【0061】

それぞれ図１の一部分を示す模式図である図６～図８を示す。図６～図８に示すように、各内部電極層にはＭｎの濃度が周囲よりも高いＭｎ偏析１１が含まれていてもよい。

【0062】

各内部電極層にＭｎ偏析１１が含まれていることは、積層セラミックコンデンサ１の断面についてＳＥＭ－ＥＤＳまたはＳＴＥＭ－ＥＤＳ等を用いてＭｎ元素マッピング画像を作成することにより確認できる。

【0063】

図６は第１内部電極層３ａ、第２内部電極層のギャップ対応部以外の部分３ｂ２、および、第３内部電極層３ｃが含まれる部分の概略図である。Ｍｎ偏析１１は第１内部電極層３ａに多く含まれていることがわかる。また、第２内部電極層のギャップ対応部以外の部分３ｂ２と、第３内部電極層３ｃとではＭｎ偏析１１の含有割合も実質的に等しいことがわかる。

【0064】

図７は第２内部電極層のギャップ対応部３ｂ１および第３内部電極層３ｃが含まれる部分の概略図である。Ｍｎ偏析１１は第２内部電極層のギャップ対応部３ｂ１に多く含まれていることがわかる。

【0065】

図６および図７より、第１内部電極層３ａと、第２内部電極層のギャップ対応部とでは第１内部電極層３ａの方がＭｎ偏析１１の含有割合が大きいことがわかる。

【0066】

図８は多数の第３内部電極層３ｃが含まれる部分の概略図である。第３内部電極層３ｃ同士の間ではＭｎ偏析１１の含有割合が実質的に等しいことがわかる。

【0067】

Ｃ１、Ｃ２Ａ、Ｃ２ＢおよびＣ３の測定方法には特に制限はない。例えば、ＳＥＭ－ＥＤＳまたはＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いてＭｎの特性Ｘ線の強度を測定する方法が挙げられる。

【0068】

Ｍｎの特性Ｘ線の強度はＭｎ濃度に比例する。したがって、各内部電極層の内部において、外部電極４の厚さ方向（図１の左右方向）に沿ってＭｎの特性Ｘ線の強度をライン分析し、平均することにより、Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たすことを確認できる。さらに、Ｃ１／Ｃ３、Ｃ２Ａ／Ｃ２ＢおよびＣ１／Ｃ２Ａを算出することができる。

【0069】

上記のライン分析における特性Ｘ線の測定箇所同士の間隔は十分に短くする。具体的には、２ｕｍ以下とする。また、Ｃ１、Ｃ２Ａ、Ｃ２ＢおよびＣ３を確認するためには、少なくとも３０ｕｍ以上の長さでライン分析を行う。

【0070】

また、内部電極層３には、Ｐ等の各種微量成分が０．１質量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層３は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

【0071】

内部電極層３の積層数には特に制限はない。４０以上４００以下であってもよく、５０以上３００以下であってもよい。内部電極層３の積層数が多いほど、サーマルクラックが発生しやすくなる。内部電極層３の積層数が少ないほど、サーマルクラックの発生しやすさが上記の濃度勾配の有無に依存しにくくなる。

【0072】

外部電極４に含有される導電材は特に限定されない。たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕあるいはこれらの合金、導電性樹脂など公知の導電材を用いればよい。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

【0073】

次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例を説明する。

【0074】

まず、素子本体１０の製造工程について、説明する。素子本体１０の製造工程では、焼成後に誘電体層２となる誘電体用ペーストと、焼成後に内部電極層１２となる内部電極用ペーストとを準備する。

【0075】

誘電体用ペーストは、たとえば以下のような方法で製造される。まず、誘電体原料を湿式混合等の手段によって均一に混合し、乾燥させる。誘電体原料は金属元素の酸化物であってもよく、熱処理により金属元素の酸化物となる化合物（例えば炭酸塩）であってもよい。その後、所定の条件で熱処理することで、仮焼粉を得る。次に、得られた仮焼粉に、公知の有機ビヒクルまたは公知の水系ビヒクルを加えて混練し、誘電体用ペーストを調製する。なお、誘電体用ペーストには、必要に応じて、各種分散剤、可塑剤、誘電体、副成分化合物、ガラスフリットなどから選択される添加物が含有されていてもよい。

【0076】

ここで、外装誘電体層２ａにおいてＭｎ濃度の勾配を形成するため、および、必要であれば各内部電極層にＭｎ偏析を形成するために、互いにＭｎの含有量が異なる複数種類の誘電体層用ペーストを準備する。Ｍｎの含有量は、具体的にはＭｎ酸化物の粉末または熱処理によりＭｎ酸化物となる化合物の粉末の添加量を制御することで調整する。

【0077】

一方、内部電極用ペーストは、導電性金属またはその合金からなる導電性粉末（好ましくはＮｉ粉末もしくはＮｉ合金粉末）を混練して調製する。また、必要であれば各内部電極層にＭｎ偏析を形成するために、Ｍｎ酸化物の粉末または熱処理によりＭｎ酸化物となる化合物の粉末を適宜、添加してもよい。また、互いにＭｎの含有量が異なる複数種類の内部電極層用ペーストを準備してもよい。

【0078】

なお、内部電極用ペーストには、必要に応じて、共材としてセラミック粉末が含まれていてもよい。共材は、焼成過程において導電性粉末の焼結を抑制する作用を奏する。

【0079】

次に、誘電体用ペーストを、ドクターブレード法などの手法によりシート化することで、グリーンシートを得る。

【0080】

以下の記載では、複数種類の誘電体層用ペーストを用いてＭｎ多量添加シート２１、Ｍｎ適量添加シート２２およびＭｎなしシート２３を作製してグリーンシートとして用いるとする。

【0081】

そして、各グリーンシート上に、スクリーン印刷等の各種印刷法や転写法により、内部電極用ペーストを所定のパターンで塗布し、内部電極パターン３１を形成する。内部電極パターン３１を形成したグリーンシートを複数層に渡って積層した後、積層方向にプレスすることでグリーンチップを得る。

【0082】

この際に、図９に示すように各グリーンシートを積層する。具体的には、Ｍｎ多量添加シート２１を最終的に第１内部電極層３ａとなる内部電極パターン３１に接するように配置する。そして、最終的に内部誘電体層２ｂとなる部分にはＭｎ適量添加シート２２を配置する。そして、Ｍｎ多量添加シート２１より外側には、Ｍｎ適量添加シート２２とＭｎなしシート２３とを適宜、配置する。

【0083】

この際に、図９に示すように、内部電極パターン３１に近い部分により多くのＭｎなしシート２３を配置する。このようにすることで、外装誘電体層２ａにおける上記のＭｎの濃度勾配を形成することができる。

【0084】

また、Ｍｎ多量添加シート２１を最終的に第１内部電極層３ａとなる内部電極パターンの上に配置することにより、Ｍｎ多量添加シートに含まれるＭｎの多くが誘電体中に拡散する。そして、内部電極にＭｎが取り込まれＭｎ偏析が生じる。その結果、Ｃ１が高く、Ｃ２ａがＣ１の次に高く、Ｃ２ｂおよびＣ３が低い状態を生じさせることができる。

【0085】

他方、図１０に示すようにＭｎなしシート２３を用いずにグリーンチップを作製する場合には、外装誘電体層２ａにおいて、上記のＭｎの濃度勾配が形成されにくい。

【0086】

得られたグリーンチップに対し、必要に応じて、脱バインダ処理を行ってもよい。脱バインダ処理条件は、公知の条件とすればよく、たとえば、保持温度を２００℃以上９００℃以下としてもよく、保持時間を１時間以上４８時間以下としてもよい。また、脱バインダ時の雰囲気にも特に制限はない。

【0087】

脱バインダ処理後、グリーンチップの焼成を行い、素子本体１０を得る。本実施形態では、焼成時の雰囲気は酸素分圧が２．０×１０^-13aｔｍ以上１．０×１０^-7aｔｍ以下の還元性雰囲気としてもよい。その他の焼成条件は、公知の条件とすればよく、たとえば、保持温度は１１００℃以上１３５０℃以下としてもよく、保持時間は０．５時間以上５時間以下としてもよい。

【0088】

焼成後には、必要に応じてアニール処理を行ってもよい。アニール処理の条件には特に制限はない。たとえば、保持温度を５００℃以上１１５０℃以下、保持時間を０．５時間以上２０時間以下としてもよい。アニール雰囲気中の酸素分圧は、例えば１．０×１０^-9aｔｍ以上３．０×１０^-5aｔｍ以下とする。

【0089】

上記のようにして得られた素子本体１０に必要に応じて端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼き付けし、外部電極４を形成する。そして、必要に応じて、外部電極４の表面に、めっき等により被覆層を形成する。外部電極用ペーストの作製方法には特に制限はなく、内部電極用ペーストと同様の方法で作製してもよい。

【0090】

このようにして、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１が製造される。

【0091】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。

【0092】

例えば、図２に示す積層セラミックコンデンサ１ａのように、素子本体１０の両端部には素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してあってもよい。また、図３に示す積層セラミックコンデンサ１ｂのように、第１内部電極層３ａを外部電極４と導通しないようにしてもよい。

【0093】

本実施形態では、積層セラミック電子部品の一つである積層セラミックコンデンサ１を例示したが、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限られない。

【実施例0094】

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。

【0095】

実施例では、以下の手順で、図１に示す積層セラミックコンデンサ１を作製した。

【0096】

まず、互いにＭｎの含有量が異なる３種類の誘電体用ペーストを準備した。各誘電体層用ペーストの作製方法は共通している。

【0097】

主相粒子の主成分として含まれるペロブスカイト化合物の原料粉末（以下、主成分原料粉末と記載する場合がある）を作製した。具体的には、組成式が（Ｃａ_0.70Ｓｒ_0.30）（Ｚｒ_0.96Ｔｉ_0.04）Ｏ₃であるペロブスカイト化合物（表１では略してＣＳＺＴ）が得られるように、Ｃａ酸化物の原料粉末、Ｓｒ酸化物の原料粉末、Ｚｒ酸化物の原料粉末およびＴｉ酸化物の原料粉末を準備し、秤量した。なお、「γ酸化物の原料粉末」は、γの酸化物の粉末、および／または、熱処理によりγの酸化物の粉末となる化合物の粉末を指す。その後、各粉末を純水中に分散させ、乾燥させ、さらに熱処理（保持温度１２００～１２５０℃、保持時間０．５～５時間）を行うことで、ＢＥＴ法により測定される比表面積が５．０ｍ²／ｇ程度である主成分原料粉末を作製した。熱処理時の保持温度および保持時間は各試料に応じて適宜、設定した。

【0098】

別途、ＭｎＣＯ₃粉末、ＳｉＯ₂粉末およびＡｌ₂Ｏ₃粉末を準備した。そして、Ｓｉの含有量がＡｌの含有量よりも原子数基準で大きくなるように秤量した。また、Ｍｎ多量添加シートの作製に用いられる誘電体層用ペーストではＭｎの含有量が４．０～１０．０モル部、Ｍｎ適量添加シートの作製に用いられる誘電体層用ペーストではＭｎの含有量が１．５～３．０モル部となるように、ＭｎＣＯ₃粉末を準備し、秤量した。また、Ｍｎ多量添加シートおよびＭｎ適量添加シートでは、Ｍｎの含有量がＳｉの含有量よりも原子数基準で大きくなるように秤量した。

【0099】

主成分原料粉末と、添加物元素の酸化物の粉末と、を純水中に分散させ、乾燥させ、さらに熱処理を行うことで、誘電体粉末を得た。保持温度は４００℃、保持時間は０．５～５時間とした。熱処理時の保持時間は各試料に応じて適宜設定した。

【0100】

誘電体粉末と有機ビヒクルとを混ぜ合わせて各誘電体用ペーストを作製した。誘電体粉末１００質量部に対してポリビニルブチラール樹脂１０質量部と、可塑剤としてのジオクチルフタレート（ＤＯＰ）５質量部と、溶媒としてのアルコール１００質量部とをボールミルで混合してペースト化して誘電体層用ペーストを得た。

【0101】

内部電極用ペーストの作製方法を以下に示す。まず、Ｎｉ粉末、テルピネオール、エチルセルロースおよびベンゾトリアゾールを、質量比が４４．６：５２．０：３．０：０．４となるように準備した。そして、これらを３本ロールにより混練し、ペースト化することにより、内部電極用ペーストを作製した。

【0102】

次に、上記の各誘電体用ペーストと内部電極用ペーストとを用いて、シート法によりグリーンチップを製造した。この際に、外装誘電体層にＭｎ濃度勾配を形成する場合には、図９に示すように各誘電体層用シートを配置した。外装誘電体層にＭｎ濃度勾配を形成しない場合には、図１０に示すように図９のＭｎなしシートを全てＭｎ適量添加シートに置き替えた。

【0103】

そして、当該グリーンチップに対して、脱バインダ処理、焼成処理、およびアニール処理を施し、積層方向に垂直な面の寸法が３．２ｍｍ×２．５ｍｍである直方体形状の素子本体１０を得た。上記の寸法は図１の横方向が３．２ｍｍである。積層方向の長さは後述する内部誘電体層の積層数、内部誘電体層の平均厚みおよび外装誘電体層の厚みにより異なる。焼成処理時の保持温度は１２００℃、保持時間は２．０時間とし、焼成時の雰囲気は酸素分圧が２．０×１０^-13aｔｍ以上１．０×１０^-7aｔｍ以下の還元雰囲気とした。また、得られた素子本体１０において、内部誘電体層の積層数、内部誘電体層の平均厚みおよび外装誘電体層の厚みは各表に示す値とした。

【0104】

次に、上記の素子本体１０の外面に、Ｃｕを含む焼付電極層と、Ｎｉメッキ層と、Ｓｎメッキ層とを、記載の順に形成することで外部電極４を形成し、積層セラミックコンデンサ１を得た。

【0105】

（誘電体磁器組成物の組成）
誘電体磁器組成物の組成に関しては、内部誘電体層についてＩＣＰ発光分光分析法を用いて組成分析を行った。そして、内部誘電体層に含まれるペロブスカイト化合物の組成が上記の組成であり、添加物元素の含有量がＭｎ適量添加シートの作製に用いられる誘電体層用ペーストにおける含有量であることを確認した。

【0106】

（Ｍｎ濃度勾配）
Ｍｎ濃度勾配の有無については、図１に示す方向の断面、すなわち積層方向に平行であり外部電極の厚み方向に平行な断面について、ＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて第１内部電極層から積層方向に沿って外側に向かって２００ｕｍの長さでライン分析を行うことにより、Ｍｎの特性Ｘ線の強度を測定した。１ｕｍ～５０ｕｍの平均強度、５０～１００ｕｍの平均強度、１００ｕｍ～２００ｕｍの平均強度をそれぞれ測定した。Ｍｎの特性Ｘ線の強度とＭｎ濃度とが比例することから、平均濃度の比率を算出した。Ｍｎ濃度勾配の有無についても確認した。結果を各表に示す。

【0107】

（内部電極層のＭｎ濃度、Ｍｎ偏析の有無）
内部電極層のＭｎ濃度については、図１に示す方向の断面において、各内部電極層の内部について積層方向に垂直な方向に沿ってライン分析を行い、Ｍｎの特性Ｘ線の強度を測定した。第１内部電極層における平均強度、第２内部電極層のギャップ対応部における平均強度、第２内部電極層のギャップ対応部以外の部分における平均強度、および、第３内部電極層における平均強度を測定した。Ｍｎの特性Ｘ線の強度とＭｎ濃度とが比例することから、Ｃ１／Ｃ３、Ｃ２Ａ／Ｃ２ＢおよびＣ１／Ｃ２Ａを算出した。さらに、ＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて内部誘電体層を含むＭｎマッピング画像を作成し、Ｍｎマッピング画像を観察することで、Ｍｎ偏析の含有割合を確認した。Ｍｎ偏析の含有割合については、第１内部電極層におけるＭｎ偏析の含有割合が第３内部電極層におけるＭｎ偏析の含有割合と比較して多いか同等であるか、を表１に示す。

【0108】

（サーマルクラック試験）
各試料番号につき６０個の積層セラミックコンデンサに対して、４００℃のはんだ槽に３秒間浸漬し、取り出した。そして、各積層セラミックコンデンサに対して、倍率１０倍の光学顕微鏡によりサーマルクラックが生じているか否かを確認し、サーマルクラックが生じている積層セラミックコンデンサの個数割合を評価した。結果を各表に示す。なお、サーマルクラックの発生率が１０／６０以下である場合を良好とし、５／６０以下である場合を更に良好とし、１／６０未満である場合、すなわち本実施例では０／６０である場合を最も良好とした。

【0109】

（温度特性）
積層セラミックコンデンサ１の温度特性は容量温度係数τＣ（単位：ｐｐｍ／℃）を測定することにより評価した。具体的には、２５℃および１２５℃において、積層セラミックコンデンサに対して周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力し、各温度帯における静電容量を測定した。そして、２５℃における静電容量Ｃ２５と、１２５℃における静電容量Ｃ１２５と、から、以下の式により容量温度係数τＣを算出した。
τＣ＝｛（Ｃ１２５－Ｃ２５）／Ｃ２５｝×｛１／（１２５－２５）｝

【0110】

各試料番号につき１０個の積層セラミックコンデンサ１に対して容量温度係数τＣを測定し、平均した。温度特性は、容量温度係数τＣの平均値が－１５ｐｐｍ／℃以上＋１５ｐｐｍ／℃以下である場合を良とし、容量温度係数τＣの平均値が－２０ｐｐｍ／℃以上－１５ｐｐｍ／℃未満、または、＋２０ｐｐｍ／℃を上回り＋２０ｐｐｍ／℃以下である場合を可とし、－２０ｐｐｍ／℃未満、または、＋２０ｐｐｍ／℃を上回る場合を不可とした。なお、本実験例では温度特性が不可である場合が無かった。

【0111】

【表1】

【0112】

実施例１～５はＭｎ多量添加シートの作製に用いられる誘電体層用ペーストにおけるＭｎの添加量を変化させた点以外は同条件で実施した。実施例６はＭｎ多量添加シートを用いず、代わりにＭｎ適量添加シートを用いた。

【0113】

実施例１～６はいずれも外装誘電体層に第１内部電極層の近傍から積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在した。さらに、第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以上２００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度と比較して、第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が８０％以上９０％以下であり、かつ、第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が９０％以上１００％以下であった。

【0114】

実施例１～５は第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高かった。これに対し、実施例６は第１内部電極層におけるＭｎ濃度と他の内部電極層におけるＭｎ濃度とが同一であった。そのため、実施例１～５は実施例６と比較してサーマルクラック試験の結果が良好であった。また、実施例１～５および後述する他の実施例では第１内部電極層等の各内部電極層にＭｎ偏析が含まれ、かつ、第１内部電極層により多くのＭｎ偏析が含まれることが確認された。これに対し、実施例６では、全ての内部電極層におけるＭｎ偏析の含有割合が同等であった。

【0115】

特に、Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０以下であり、Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下であり、かつ、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下である実施例２～４はサーマルクラック試験の結果がさらに良好であった。

【0116】

Ｃ１／Ｃ３、Ｃ２Ａ／Ｃ２ＢおよびＣ１／Ｃ２Ａがいずれも高かった実施例１は、実施例２～６と比較して温度特性が低下した。

【0117】

実施例７～９は外装誘電体層の厚みを変化させ、それに伴い積層セラミックコンデンサの積層方向のサイズを変化させた点以外は実施例３と同条件で実施した。実施例３、７～９はいずれもサーマルクラック試験の結果も温度特性も良好であった。

【0118】

特に外装誘電体層の厚みが１５０ｕｍ以上５００ｕｍ以下である実施例３、７、８は、外装誘電体層の厚みが５５０ｕｍである実施例９と比較してサーマルクラック試験の結果が特に良好であった。

【0119】

実施例１０、１１は内部誘電体層の厚みを変化させ、それに伴い積層セラミックコンデンサの積層方向のサイズを変化させた点以外は実施例３と同条件で実施した。実施例３、１０、１１はいずれもサーマルクラック試験の結果も温度特性も良好であった。

【0120】

実施例１２、１３は内部電極層の積層数を変化させ、それに伴い内部誘電体層の積層数および積層セラミックコンデンサの積層方向のサイズを変化させた点以外は実施例３と同条件で実施した。実施例３、１２、１３はいずれもサーマルクラック試験の結果も温度特性も良好であった。

【0121】

実施例１４～１７は外装誘電体層におけるＭｎの濃度勾配を変化させた点以外は実施例３と同条件で実施した。具体的には、Ｍｎなしシートの配置を適宜、変化させることでＭｎの濃度勾配を変化させた。

【0122】

実施例３、１４～１７はいずれもサーマルクラック試験の結果も温度特性も良好であった。ただし、第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が低かった実施例１４、第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が高かった実施例１５、第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が低かった実施例１６、第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎの特性Ｘ線の平均強度が高かった実施例１７は、いずれも実施例３と比較してサーマルクラックが発生しやすかった。

【0123】

実施例１８はペロブスカイト化合物をＢａＴｉＯ₃（表１では略してＢＴ）に変更した点以外は実施例３と同条件で実施した。実施例３、１８はいずれもサーマルクラック試験の結果も温度特性も良好であった。

【符号の説明】

【0124】

１、１ａ、１ｂ・・・積層セラミックコンデンサ
２・・・誘電体層
２ａ・・・外層誘電体層
２ｂ・・・内部誘電体層
３・・・内部電極層
３ａ・・・第１内部電極層
３ｂ１・・・第２内部電極層のギャップ対応部
３ｂ２・・・第２内部電極層の前記ギャップ対応部以外の部分
３ｃ・・・第３内部電極層
４・・・外部電極
１０・・・素子本体
１１・・・Ｍｎ偏析
２１・・・Ｍｎ多量添加シート
２２・・・Ｍｎ適量添加シート
２３・・・Ｍｎなしシート
３１・・・内部電極パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【手続補正書】

【提出日】2025-03-17

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0011】

Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０以下であってもよい。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0028】

外装誘電体層２ａがＭｎを含む。そして、外装誘電体層２ａには第１内部電極層３ａの近傍から積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する。上記の濃度勾配が存在することにより、温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制することができる。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0074】

まず、素子本体１０の製造工程について、説明する。素子本体１０の製造工程では、焼成後に誘電体層２となる誘電体用ペーストと、焼成後に内部電極層３となる内部電極用ペーストとを準備する。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0076】

ここで、外装誘電体層２ａにおいてＭｎ濃度の勾配を形成するため、および、必要であれば各内部電極層にＭｎ偏析を形成するために、互いにＭｎの含有量が異なる複数種類の誘電体用ペーストを準備する。Ｍｎの含有量は、具体的にはＭｎ酸化物の粉末または熱処理によりＭｎ酸化物となる化合物の粉末の添加量を制御することで調整する。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0077】

一方、内部電極用ペーストは、導電性金属またはその合金からなる導電性粉末（好ましくはＮｉ粉末もしくはＮｉ合金粉末）を混練して調製する。また、必要であれば各内部電極層にＭｎ偏析を形成するために、Ｍｎ酸化物の粉末または熱処理によりＭｎ酸化物となる化合物の粉末を適宜、添加してもよい。また、互いにＭｎの含有量が異なる複数種類の内部電極用ペーストを準備してもよい。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0080】

以下の記載では、複数種類の誘電体用ペーストを用いてＭｎ多量添加シート２１、Ｍｎ適量添加シート２２およびＭｎなしシート２３を作製してグリーンシートとして用いるとする。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0084】

また、Ｍｎ多量添加シート２１を最終的に第１内部電極層３ａとなる内部電極パターンの上に配置することにより、Ｍｎ多量添加シートに含まれるＭｎの多くが誘電体中に拡散する。そして、内部電極にＭｎが取り込まれＭｎ偏析が生じる。その結果、Ｃ１が高く、Ｃ２ＡがＣ１の次に高く、Ｃ２ＢおよびＣ３が低い状態を生じさせることができる。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0110】

各試料番号につき１０個の積層セラミックコンデンサ１に対して容量温度係数τＣを測定し、平均した。温度特性は、容量温度係数τＣの平均値が－１５ｐｐｍ／℃以上＋１５ｐｐｍ／℃以下である場合を良とし、容量温度係数τＣの平均値が－２０ｐｐｍ／℃以上－１５ｐｐｍ／℃未満、または、＋１５ｐｐｍ／℃を上回り＋２０ｐｐｍ／℃以下である場合を可とし、－２０ｐｐｍ／℃未満、または、＋２０ｐｐｍ／℃を上回る場合を不可とした。なお、本実験例では温度特性が不可である場合が無かった。