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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025017663
(43)【公開日】2025-02-06
(54)【発明の名称】磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記憶装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/66 20060101AFI20250130BHJP
G11B 5/851 20060101ALI20250130BHJP
G11B 5/02 20060101ALI20250130BHJP
【ＦＩ】
G11B5/66
G11B5/851
G11B5/02 S
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023120812
(22)【出願日】2023-07-25
(71)【出願人】
【識別番号】524259126
【氏名又は名称】株式会社レゾナック・ハードディスク
(74)【代理人】
【識別番号】110004381
【氏名又は名称】弁理士法人ＩＴＯＨ
(72)【発明者】
【氏名】福島 隆之
(72)【発明者】
【氏名】山口 健洋
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 優樹
【テーマコード（参考）】
5D112
【Ｆターム（参考）】
5D112AA05
5D112BB02
(57)【要約】 （修正有）
【課題】グラニュラー磁性層が内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、面記録密度をさらに向上させた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１は、基板１０と、下地層２０と、第１の磁性層３０と、第２の磁性層４０を、この順で有し、第１の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含み、第２の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、六方晶窒化ホウ素を含む粒界部を有するグラニュラー構造を備え、第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面は、第２の磁性層との界面において、窒化ホウ素で覆われ、第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（００１）面よりエピタキシャル成長しており、第１の磁性層に含まれる磁性粒子と第２の磁性層含まれる磁性粒子は、それぞれ第１の磁性層と前記第２の磁性層を貫く柱状晶である。
【選択図】図１
【解決手段】磁気記録媒体１は、基板１０と、下地層２０と、第１の磁性層３０と、第２の磁性層４０を、この順で有し、第１の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含み、第２の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、六方晶窒化ホウ素を含む粒界部を有するグラニュラー構造を備え、第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面は、第２の磁性層との界面において、窒化ホウ素で覆われ、第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（００１）面よりエピタキシャル成長しており、第１の磁性層に含まれる磁性粒子と第２の磁性層含まれる磁性粒子は、それぞれ第１の磁性層と前記第２の磁性層を貫く柱状晶である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、下地層と、第１の磁性層と、第２の磁性層を、この順で有し、
前記第１の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含み、
前記第２の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、六方晶窒化ホウ素を含む粒界部を有するグラニュラー構造を備え、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面は、前記第２の磁性層との界面において、窒化ホウ素で覆われ、
前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（００１）面よりエピタキシャル成長しており、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子と前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、それぞれ、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層を貫く柱状晶である磁気記録媒体。
前記第１の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含み、
前記第２の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、六方晶窒化ホウ素を含む粒界部を有するグラニュラー構造を備え、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面は、前記第２の磁性層との界面において、窒化ホウ素で覆われ、
前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（００１）面よりエピタキシャル成長しており、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子と前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、それぞれ、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層を貫く柱状晶である磁気記録媒体。
【請求項2】
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面を覆う窒化ホウ素が、六方晶窒化ホウ素であり、
前記六方晶窒化ホウ素の（００１）面が、前記（１１１）面と平行である請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記六方晶窒化ホウ素の（００１）面が、前記（１１１）面と平行である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
前記粒界部の前記六方晶窒化ホウ素は、前記六方晶窒化ホウ素の前記（００１）面が前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子の側面を取り囲むように形成される請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層に含まれる、Ｌ１０構造を有する磁性粒子が、ＦｅＰｔ合金粒子である請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記製造方法は、スパッタリングにより前記第１の磁性層を形成する工程と、スパッタリングにより前記第２の磁性層を形成する工程との間に、スパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。
前記製造方法は、スパッタリングにより前記第１の磁性層を形成する工程と、スパッタリングにより前記第２の磁性層を形成する工程との間に、スパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項6】
請求項１に記載の磁気記録媒体を有する磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、磁気記録媒体に、近接場光又はマイクロ波を照射して局所的に加熱することで、保磁力を低下させて記録する熱アシスト記録方式又はマイクロ波アシスト記録方式が、２Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の高い面記録密度を実現することができる次世代記録方式として注目されている。
【0003】
このようなアシスト記録方式の磁気ヘッドを用いると、室温における保磁力が数十ｋＯｅである磁気記録媒体に容易に記録できる。そして、磁気記録媒体の磁性層に含まれる磁性粒子として、例えば、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が高い磁性粒子が用いられる。結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が高い磁性粒子は、熱安定性を維持したまま微細化することができ、室温における保磁力を高める。
【0004】
結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が高い磁性粒子としては、例えば、Ｆｅ－Ｐｔ合金粒子（Ｋｕ：最大で７×１０６Ｊ／ｍ３）、Ｃｏ－Ｐｔ合金粒子（Ｋｕ：最大で５×１０６Ｊ／ｍ３）等のＬ１０構造を有する磁性粒子が知られている。
【0005】
Ｌ１０構造を有する磁性粒子を用いた磁性層としては、例えば、非特許文献１に、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ磁性粒子の周囲を六方晶窒化ホウ素の層状物で覆ったグラニュラー構造の磁性層が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】B. S. D. Ch. S. Varaprasad et al., AIP Advances, 13, 035002(2023)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ここで、磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させることが望まれている。磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させるためには、磁性層に含まれる磁性粒子の粒径をさらに小さくすると共に、磁性粒子の異方性をさらに高めることが重要である。
【0008】
このような磁性層として、Ｌ１０構造で（００１）方向に配向したＦｅＰｔ磁性粒子と、その粒界部に六方晶窒化ホウ素を含むグラニュラー構造の磁性層（以下、単に、「ＦｅＰｔ－ｈＢＮグラニュラー磁性層」とする。）が提案されている。
【0009】
六方晶窒化ホウ素は、（００１）面が平行に積み重なった層状構造であるが、ＦｅＰｔ磁性粒子の間に粒界部を形成易いので、ＦｅＰｔ磁性粒子の粒径を小さくすることができる。また、六方晶窒化ホウ素は、ＦｅＰｔ磁性粒子との反応性が低いので、磁性粒子の規則化を阻害しない。そして、このような六方晶窒化ホウ素は、その（００１）面がＦｅＰｔ磁性粒子の側面を取り囲むように形成するのが好ましい。
【0010】
しかしながら、従来のＦｅＰｔ－ｈＢＮグラニュラー磁性層のように、グラニュラー構造を有する磁性層では、磁性粒子と粒界部とが相互に分離した層状物となり易く、グラニュラー構造とならない場合が多かった。また、ＢＮのような粒界部の成分が十分結晶化せずアモルファスの状態である場合も多かった。そのため、グラニュラー構造を有する磁性層（グラニュラー磁性層）を用いても、磁気記録媒体の面記録密度の向上が図れない場合がある、という問題があった。
【0011】
本発明の一態様は、グラニュラー磁性層が内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、面記録密度をさらに向上させた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
以上の目的は次により実現できる。
【0013】
（１） 基板と、下地層と、第１の磁性層と、第２の磁性層を、この順で有し、
前記第１の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含み、
前記第２の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、六方晶窒化ホウ素を含む粒界部を有するグラニュラー構造を備え、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面は、前記第２の磁性層との界面において、窒化ホウ素で覆われ、
前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（００１）面よりエピタキシャル成長しており、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子と前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、それぞれ、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層を貫く柱状晶である磁気記録媒体。
（２） 前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面を覆う窒化ホウ素が、六方晶窒化ホウ素であり、
前記六方晶窒化ホウ素の（００１）面が、前記（１１１）面と平行である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３） 前記粒界部の前記六方晶窒化ホウ素は、前記六方晶窒化ホウ素の前記（００１）面が前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子の側面を取り囲むように形成される（１）又は（２）に記載の磁気記録媒体。
（４） 前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層に含まれる、Ｌ１０構造を有する磁性粒子が、ＦｅＰｔ合金粒子である（１）～（３）の何れか一つに記載の磁気記録媒体。
（５） （１）～（４）の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記製造方法は、スパッタリングにより前記第１の磁性層を形成する工程と、スパッタリングにより前記第２の磁性層を形成する工程との間に、スパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。
（６） （１）～（４）の何れか一つに記載の磁気記録媒体を有する磁気記憶装置。
前記第１の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含み、
前記第２の磁性層は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、六方晶窒化ホウ素を含む粒界部を有するグラニュラー構造を備え、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面は、前記第２の磁性層との界面において、窒化ホウ素で覆われ、
前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（００１）面よりエピタキシャル成長しており、
前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子と前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子は、それぞれ、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層を貫く柱状晶である磁気記録媒体。
（２） 前記第１の磁性層に含まれる磁性粒子の（１１１）面を覆う窒化ホウ素が、六方晶窒化ホウ素であり、
前記六方晶窒化ホウ素の（００１）面が、前記（１１１）面と平行である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３） 前記粒界部の前記六方晶窒化ホウ素は、前記六方晶窒化ホウ素の前記（００１）面が前記第２の磁性層に含まれる磁性粒子の側面を取り囲むように形成される（１）又は（２）に記載の磁気記録媒体。
（４） 前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層に含まれる、Ｌ１０構造を有する磁性粒子が、ＦｅＰｔ合金粒子である（１）～（３）の何れか一つに記載の磁気記録媒体。
（５） （１）～（４）の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記製造方法は、スパッタリングにより前記第１の磁性層を形成する工程と、スパッタリングにより前記第２の磁性層を形成する工程との間に、スパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法。
（６） （１）～（４）の何れか一つに記載の磁気記録媒体を有する磁気記憶装置。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一態様によれば、グラニュラー磁性層が内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、面記録密度をさらに向上させた磁気記録媒体を提供することができる。
【0015】
本発明の他の態様によれば、グラニュラー磁性層が内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、面記録密度をさらに向上させた磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【0016】
また、本発明の他の態様によれば、高記録容量の磁気記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の層構成の一例を示す断面図である。
【図2】第１の磁性層及び第２の磁性層の形成時の結晶成長を説明する断面模式図であり、（ａ）は従来の結晶成長を示す断面模式図、（ｂ）は本発明の実施形態の結晶成長を示す断面模式図である。
【図3】本発明の実施形態に係る磁気記憶装置の一例を示す傾視図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が同一であるとは限らない。また、本明細書において数値範囲を示す「～」は、別段の断わりがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
【0019】
［磁気記録媒体］
図１に、本実施形態に係る磁気記録媒体の層構成の一例を示す。図１に示すように、磁気記録媒体１は、基板１０と、下地層２０と、第１の磁性層３０と、第２の磁性層４０を、この順に積層して備える。
図１に、本実施形態に係る磁気記録媒体の層構成の一例を示す。図１に示すように、磁気記録媒体１は、基板１０と、下地層２０と、第１の磁性層３０と、第２の磁性層４０を、この順に積層して備える。
【0020】
基板１０は、磁気記録媒体１に一般的に用いられる基板を用いてよい。基板１０としては、例えば、軟化温度が５００℃以上、好ましくは６００℃以上である耐熱ガラス基板を用いることが好ましい。磁気記録媒体１を製造する際に、基板１０を５００℃以上の温度に加熱する場合でも用いることができる。
【0021】
下地層２０を構成する材料としては、第１の磁性層３０、第２の磁性層４０に含まれるＬ１０構造を有する磁性粒子を（００１）面配向させることが可能であれば、特に限定されない。
【0022】
下地層２０は、多層構造を有していてもよい。
【0023】
下地層２０は、ＮａＣｌ型化合物を含むことが好ましい。
【0024】
ＮａＣｌ型化合物しては、例えば、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣ等が挙げられる。これらは、一種単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
【0025】
第１の磁性層３０は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含む。
【0026】
第１の磁性層３０を構成する、Ｌ１０構造を有する磁性粒子としては、例えば、ＦｅＰｔ合金粒子、ＣｏＰｔ合金粒子等が挙げられる。ＦｅＰｔ合金粒子、ＣｏＰｔ合金粒子は、Ｌ１０構造で（００１）方向に配向した磁性粒子である。
【0027】
第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子は、第１の磁性層３０を貫く形状を有する柱状晶である。
【0028】
第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子の粒径は、柱状であれば特に限定されず、例えば、円相当径で、３ｎｍ～７ｎｍであればよい。なお、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子の平均粒径は、平面透過型電子顕微鏡で観察することにより測定できる。
【0029】
第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子のアスペクト比は、第１の磁性層３０の厚さによるが、例えば、柱状粒子の高さ（ｔ）、円相当径（Ｄ）とした時、ｔ／Ｄ＝０．１～１．５であればよい。なお、アスペクト比とは、磁性粒子において、最も長い軸を最も短い軸で除した値である。磁性粒子のアスペクト比は、断面透過型電子顕微鏡で観察して測定した磁性粒子の粒子高さを、平面透過型電子顕微鏡で観察して測定した磁性粒子の平均粒径で除することにより求められる。
【0030】
第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子間の中心距離は、４．０ｎｍ～８．０ｎｍであることが好ましい。第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子間の中心距離は、７．８ｎｍ以下であることがより好ましく、７．６ｎｍ以下であることがさらに好ましい。第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子間の中心距離が上記の好ましい範囲内であれば、第１の磁性層３０に粒径が小さい磁性粒子を含めることができる。
【0031】
なお、磁性粒子間の中心距離とは、隣接する磁性粒子の重心同士の間の距離をいう。磁性粒子間の中心距離は、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で得られた表面観察像より、隣接する磁性粒子の重心同士の間の中心距離を算出することで測定できる。
【0032】
第２の磁性層４０は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子と、粒界部を含むグラニュラー構造を有する磁性層（グラニュラー磁性層）であり、粒界部は、六方晶窒化ホウ素を含む。
【0033】
第２の磁性層４０を構成する、Ｌ１０構造を有する磁性粒子としては、例えば、ＦｅＰｔ合金粒子、ＣｏＰｔ合金粒子等が挙げられる。
【0034】
第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子は、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子と同様、第２の磁性層４０を貫く形状を有する柱状晶である。
【0035】
第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子の粒径は、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子と同様、柱状であれば特に限定されず、例えば、円相当径で、３ｎｍ～７ｎｍであればよい。なお、第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子の平均粒径は、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子と同様の方法で測定できる。
【0036】
第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子のアスペクト比は、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子のアスペクト比と同様、第２の磁性層４０の厚さによるが、例えば、ｔ／Ｄ＝１．２～２．５であればよい。なお、アスペクト比とは、柱状粒子の高さ（ｔ）、円相当径（Ｄ）としてｔ／Ｄで求められる。第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子のアスペクト比は、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子のアスペクト比の測定方法と同様の方法で測定できる。
【0037】
粒界部に含まれる六方晶窒化ホウ素は、（００１）面が略平行に積み重なった層状構造であり、第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子との間に粒界部を形成し易いので、第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子の粒径を小さくすることができる。また、六方晶窒化ホウ素は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子との反応性が低いので、第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子の規則化を阻害しない。そのため、六方晶窒化ホウ素は、その（００１）面が第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子の側面を取り囲むように形成するのが好ましい。
【0038】
従来の方法では、このようなグラニュラー磁性層を安定的に成膜するのは難しかった。即ち、磁性合金と窒化ホウ素との反応性は低いので、成膜中に両者が相互に分離した層状物となり、グラニュラー構造とならない場合が多かった。また、窒化ホウ素が結晶化せずにアモルファス化する場合も多かった。
【0039】
本願発明者らは、磁性層を基板１０側から第１の磁性層３０、第２の磁性層４０の２層構造とし、第２の磁性層４０の磁性粒子を第１の磁性層３０の磁性粒子からエピタキシャル成長させることで、第２の磁性層４０のグラニュラー構造を安定的に形成できることを見出した。
【0040】
この場合、第１の磁性層３０の成長面における磁性粒子では、（００１）面に加え、（１１１）面も形成しているため、第２の磁性層４０の成膜時に、この（１１１）面に対して垂直方向への結晶成長が進行し、第２の磁性層４０の磁性粒子が粗大化する。第２の磁性層４０の磁性粒子の粗大化を防ぐため、本実施形態では、第１の磁性層３０の（１１１）面を窒化ホウ素で覆うことで、第２の磁性層４０の磁性粒子が粗大化を抑えることができる。この点について、図２を用いて詳細に説明する。
【0041】
図２は、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０の形成時の結晶成長を説明する断面模式図であり、（ａ）は、従来の第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０の形成時の結晶成長を示す断面模式図であり、図２（ｂ）は、本実施形態の第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０の形成時の結晶成長を示す断面模式図である。図２（ａ）に示すように、基板１０上に形成されるＬ１０構造を有する第１の磁性層３０を構成する磁性粒子３１の成長面３１１Ａには、基板１０と平行の（００１）面３１１Ｂと、（００１）面３１１Ｂに対して成長面３１１Ａ側（図２中、下側）に約３５°傾いた（１１１）面３１１Ｃが形成される。（１１１）面３１１Ｃに第２の磁性層４０（破線部）を成膜すると、第２の磁性層４０の磁性粒子４１は、磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃの垂直方向へも成長するため、磁性粒子４１の粒径は粗大化する。
【0042】
一方、本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、第１の磁性層３０の磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃを窒化ホウ素層５０で覆う。これにより、第２の磁性層４０（破線部）の磁性粒子４１が粗大化することを抑制し、第１の磁性層３０の磁性粒子３１の（００１）面３１１Ｂに、第２の磁性層４０の磁性粒子４１をエピタキシャル成長させて、磁性粒子３１、４１を第１の磁性層３０と第２の磁性層４０とを貫くような柱状晶とすることで、磁性粒子３１、４１は微細な粒径を維持できる。
【0043】
本実施形態では、窒化ホウ素層５０は、窒化ホウ素を含む層であり、好ましくは、窒化ホウ素を５０原子％以上含み、最も好ましくは窒化ホウ素のみから構成される。また、窒化ホウ素層５０は、連続した膜ではなく、部分的に磁性粒子３１及び磁性粒子４１の間を貫かれた膜である。
【0044】
本実施形態では、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃを覆う窒化ホウ素層５０を、六方晶窒化ホウ素とし、この六方晶窒化ホウ素の（００１）面５０Ａを（１１１）面３１１Ｃと略平行とするのが好ましい。これにより、第１の磁性層３０の磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃから第２の磁性層４０の磁性粒子４１が成長することを確実に抑制できる。
【0045】
本実施形態では、第２の磁性層４０の粒界部である六方晶窒化ホウ素粒界部４２を、その（００１）面４２Ａが第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子４１の側面４１１を取り囲むように形成するのが好ましい。これにより、第２の磁性層４０の磁性粒子４１が横に成長し、粗大化することが抑えられるので、磁性粒子４１の粒径を小さくすることができる。
【0046】
六方晶窒化ホウ素粒界部４２は、六方晶窒化ホウ素を含み、好ましくは、六方晶窒化ホウ素を５０原子％以上含み、最も好ましくは六方晶窒化ホウ素のみから構成される。
【0047】
本実施形態では、第１の磁性層３０に含まれる磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃを覆う窒化ホウ素層５０は、その（００１）面５０Ａが、磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃと略平行に形成され、第２の磁性層４０の粒界部である六方晶窒化ホウ素粒界部４２は、その（００１）面４２Ａが第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子４１の側面を取り囲むように形成されることが好ましい。そのため、六方晶窒化ホウ素粒界部４２は、窒化ホウ素層５０との界面４２Ｂにおいて結晶方位を徐々に変えるように形成することが好ましい。
【0048】
第２の磁性層４０中の六方晶窒化ホウ素粒界部４２の含有量は、２５体積％～５０体積％の範囲内であるのが好ましく、３５体積％～４５体積％の範囲内であることがより好ましい。第２の磁性層４０中の六方晶窒化ホウ素粒界部４２の含有量が２５体積％～５０体積％の範囲内である場合は、磁気記録媒体１の保磁力ＨｃＪと、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子３１、４１の異方性を高めることができる。
【0049】
第２の磁性層４０中の六方晶窒化ホウ素粒界部４２の含有量の測定方法は、特に限定されず、一般的な粒子中の体積の測定方法を用いることができるが、例えば、ＴＥＭ―ＥＥＬＳにより粒界部の元素分析することにより求めることができる。
【0050】
なお、本実施形態では、第１の磁性層３０も、第２の磁性層４０と同様に、グラニュラー構造としてよい。その場合の第１の磁性層３０内の粒界部の含有量は、第２の磁性層４０と同様としてよい。
【0051】
［磁気記録媒体の製造方法］
磁気記録媒体１の製造方法の一例を説明する。磁気記録媒体１の製造方法は、スパッタリングにより第１の磁性層３０を形成する工程と、第１の磁性層３０の主表面の上に、窒化ホウ素をスパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程と、窒化ホウ素層の主表面の上に、スパッタリングにより第２の磁性層４０を形成する工程とを含む。即ち、磁気記録媒体１は、スパッタリングにより第１の磁性層３０を形成する工程と、スパッタリングにより第２の磁性層４０を形成する工程との間に、スパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程を含み、第１の磁性層３０と第２の磁性層４０との間に窒化ホウ素層を設けることで、製造される。このような製造方法を用いることで、第１の磁性層３０の成長面における磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃを窒化ホウ素層５０で覆うことができるので、第２の磁性層４０の磁性粒子４１が粗大化することを抑制できる。
磁気記録媒体１の製造方法の一例を説明する。磁気記録媒体１の製造方法は、スパッタリングにより第１の磁性層３０を形成する工程と、第１の磁性層３０の主表面の上に、窒化ホウ素をスパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程と、窒化ホウ素層の主表面の上に、スパッタリングにより第２の磁性層４０を形成する工程とを含む。即ち、磁気記録媒体１は、スパッタリングにより第１の磁性層３０を形成する工程と、スパッタリングにより第２の磁性層４０を形成する工程との間に、スパッタリングにより窒化ホウ素層を形成する工程を含み、第１の磁性層３０と第２の磁性層４０との間に窒化ホウ素層を設けることで、製造される。このような製造方法を用いることで、第１の磁性層３０の成長面における磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃを窒化ホウ素層５０で覆うことができるので、第２の磁性層４０の磁性粒子４１が粗大化することを抑制できる。
【0052】
磁気記録媒体１の製造方法は、窒化ホウ素のスパッタリング条件を適宜選択することで、窒化ホウ素を磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃのみに選択的に成膜することができる。また、磁気記録媒体１の製造方法は、窒化ホウ素層５０の（００１）面５０Ａが磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃと略平行となるように成膜できる。
【0053】
このような成膜法としては、例えば、２Ｐａ以下の放電ガス圧を使用し、ＲＦ放電を用い、ターゲット表面電位を５０Ｖ～２００Ｖとし、成膜後加熱（ポストアニール）を行い、その温度を成膜時温度に対して１００℃ほど高くなるようにする方法等がある。
【0054】
また、磁性粒子３１の全面を覆うように窒化ホウ素層５０を成膜した後、その表面をエッチングして、磁性粒子３１の（００１）面３１１Ｂに析出した六方晶窒化ホウ素だけを取り除き、六方晶窒化ホウ素が（１１１）面３１１Ｃのみを覆うようにしてもよい。
【0055】
窒化ホウ素のスパッタリング成膜にＲＦ放電を用いた場合は、ＤＣ放電を用いる場合に比べ、プラズマが基板１０に与える影響が大きく、スパッタリング時に窒化ホウ素から分離して発生した窒素が基板に取り込まれ易くなる。窒素は成膜温度である４００℃以上では気体であるため、成膜後のポストアニール温度を高めると、窒素は磁性粒子３１の表面から脱気しようとする。この際、窒化ホウ素のスパッタリング時に窒化ホウ素から窒素が分離することで発生した金属ホウ素は、第１の磁性層３０の磁性粒子３１のスパッタ時に粒子内部にマイグレーションするが、同じくポストアニールによって表面に析出する。磁性粒子３１の表面から脱気しようとする窒素が、磁性粒子３１の表面に析出したホウ素と再結合することで、六方晶窒化ホウ素を形成し易くなる。
【0056】
第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子３１、４１は、柱状晶を形成するため、基板１０に対して、ｃ軸配向、即ち、（００１）面配向性を高めることが好ましい。
【0057】
第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０に含まれる磁性粒子３１、４１を、基板１０に対して、ｃ軸配向させる方法としては、例えば、下地層２０を用いて、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０をｃ軸方向にエピタキシャル成長させる方法等が挙げられる。
【0058】
第１の磁性層３０の下、又は第２の磁性層４０の上に、さらに別の磁性層を設けてもよい。新たに設ける別の磁性層は、第１の磁性層３０と同様に、Ｌ１０構造を有する磁性粒子を含むことが好ましい。また、その磁性粒子は、磁性粒子３１、４１と柱状晶を形成することが好ましい。
【0059】
よって、磁気記録媒体１の製造方法を用いることで、図１に示す磁気記録媒体１が得られる。
【0060】
磁気記録媒体１は、第１の磁性層３０、第２の磁性層４０の上に、保護層をさらに有することが好ましい。
【0061】
保護層としては、例えば、硬質炭素膜等が挙げられる。
【0062】
保護層の形成方法としては、例えば、炭化水素ガス（原料ガス）を高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ－ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。
【0063】
保護層の厚さは、１ｎｍ～６ｎｍであることが好ましい。保護層の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、磁気記録媒体１のＳＮＲ（信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比））が向上する。
【0064】
なお、本明細書において、保護層の厚さとは、保護層の主面に垂直な方向の長さをいう。保護層の厚さは、例えば、保護層の断面において、任意の場所を測定した時の厚さである。保護層の断面において、任意の場所で数カ所測定した場合は、これらの測定箇所の厚さの平均値としてもよい。他の層も保護層の厚さと同様の測定方法を用いることができる。
【0065】
磁気記録媒体１は、保護層上に、潤滑剤層をさらに有していてもよい。
【0066】
潤滑剤層は、液体潤滑剤層を用いて形成できる。液体潤滑剤には、化学的に安定で、低摩擦で、低吸着性を有するものが好適に用いられる。液体潤滑剤としては、例えば、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含むパーフルオロポリエーテル系潤滑剤等のフッ素樹脂系潤滑剤が挙げられる。
【0067】
潤滑剤層の厚さは、特に限定されないが、例えば、１ｎｍ～３ｎｍとしてよい。
【0068】
なお、磁気記録媒体１は、保護層及び潤滑剤層の他に、適宜任意の層を含んでもよい。例えば、磁気記録媒体１は、基板１０、下地層２０及び第１の磁性層３０の何れかの層同士の間に、密着層、軟磁性下地層、配向制御層等を必要に応じて適宜備えてよい。軟磁性下地層は、例えば、第１軟磁性層、中間層及び第２軟磁性層を含んで構成されてもよい。配向制御層は、１層でもよいし、２層（例えば、第１の配向制御層、第２の配向制御層等）以上でもよい。密着層、軟磁性下地層、配向制御層等を形成する材料は、磁気記録媒体に使用される一般的な材料を用いることができる。
【0069】
このように、磁気記録媒体１は、基板１０、下地層２０、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０をこの順で有し、第１の磁性層３０は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子３１を含み、第２の磁性層４０は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子４１と六方晶窒化ホウ素粒界部４２を含むグラニュラー磁性層とし、六方晶窒化ホウ素粒界部４２に六方晶窒化ホウ素を含んでいる。そして、磁性粒子３１の（１１１）面３１１Ｃは、第２の磁性層４０との界面が窒化ホウ素で覆われ、磁性粒子４１は磁性粒子３１の（００１）面３１１Ｂよりエピタキシャル成長している。さらに、磁性粒子３１及び４１は、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０を貫く柱状晶となるように形成されている。このため、磁性粒子３１及び４１の粒径は小さく微少であり、磁性粒子３１及び４１は、柱状に一方向に向かって連続して形成されている。
【0070】
磁気記録媒体１は、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０に含まれるそれぞれの磁性粒子３１及び４１の粒径を小さくすると共に、磁性粒子３１及び４１を同一方向に連続してつながった状態で含むことで異方性を高めることができる。よって、磁気記録媒体１は、第２の磁性層４０の内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、第２の磁性層４０をグラニュラー磁性層として安定的に含むことができるので、面記録密度をさらに向上させることができる。
【0071】
磁気記録媒体１は、上記のような特性を有することにより、記録方式として熱アシスト記録方式又はマイクロ波アシスト記録方式を用いても、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０は、高い記録密度を有するため、第１の磁性層３０及び第２の磁性層４０に、磁気ヘッドの記録磁界によって、磁気情報を十分に記録することができる。よって、磁気記録媒体１は、更に高い記録密度を有する磁気記録再生装置に好適に用いることができる。
【0072】
［磁気記憶装置］
本実施形態に係る磁気記録媒体を備える磁気記憶装置について説明する。本実施形態に係る磁気記憶装置は、本実施形態に係る磁気記録媒体を有していれば、形態は特に限定されない。なお、ここでは、磁気記憶装置が熱アシスト記録方式を用いて磁気情報を磁気記録媒体に記録する場合について説明する。
本実施形態に係る磁気記録媒体を備える磁気記憶装置について説明する。本実施形態に係る磁気記憶装置は、本実施形態に係る磁気記録媒体を有していれば、形態は特に限定されない。なお、ここでは、磁気記憶装置が熱アシスト記録方式を用いて磁気情報を磁気記録媒体に記録する場合について説明する。
【0073】
本実施形態に係る磁気記憶装置は、例えば、本実施形態に係る磁気記録媒体を駆動して、回転させる磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子が設けられている磁気ヘッドと、磁気ヘッドを駆動して、移動させる磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有してよい。
【0074】
磁気ヘッドは、熱アシスト記録方式の磁気ヘッドであり、例えば、レーザー光を発生させて、磁気記録媒体を加熱するレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。
【0075】
図３に、本実施形態に係る磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置の一例の斜視図を示す。図３に示すように、磁気記憶装置１００は、磁気記録媒体１０１と、磁気記録媒体１０１を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０２と、先端部に近接場光発生素子を備えた磁気ヘッド１０３と、磁気ヘッド１０３を移動させるための磁気ヘッド駆動部１０４と、記録再生信号処理部１０５を有することができる。磁気記録媒体１０１は、上述の磁気記録媒体１が用いられる。
【0076】
【0077】
記録ヘッド１１０は、主磁極１１１と、補助磁極１１２と、磁界を発生させるコイル１１３と、レーザー光を発生させるレーザーダイオード（ＬＤ）１１４と、ＬＤ１１４から発生したレーザー光Ｌを近接場光発生素子１１５まで導く導波路１１６を有する。
【0078】
再生ヘッド１２０は、シールド１２１と、シールド１２１で挟まれている再生素子１２２を有する。
【0079】
図３に示すように、磁気記憶装置１００は、磁気記録媒体１０１の中心部をスピンドルモータの回転軸に取り付けて、スピンドルモータにより回転駆動される磁気記録媒体１０１の面上を磁気ヘッド１０３が浮上走行しながら、磁気記録媒体１０１に対して情報の書き込み又は読み出しを行う。
【0080】
本実施形態に係る磁気記憶装置１００は、磁気記録媒体１０１に磁気記録媒体１を用いることで、磁気記録媒体１０１の面記録密度を高めることができるため、磁気記録媒体１０１の記録容量を高めることができる。
【0081】
なお、磁気記憶装置は、磁気ヘッド１０３に、熱アシスト記録方式の磁気ヘッドに代えて、マイクロ波アシスト記録方式の磁気ヘッドを用いてもよい。
【0082】
以上の通り、実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の組み合わせ、省略、置き換え、変更などを行うことが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【実施例0083】
以下、実施例及び比較例を示して実施形態を更に具体的に説明するが、実施形態はこれらの実施例及び比較例により限定されるものではない。
【0084】
＜磁気記録媒体の製造＞
（実施例１）
ガラス基板上に、下地層として、スパッタリング法で、厚さ１００ｎｍのＣｒ－５０ａｔ％Ｔｉ合金層と、厚さ３０ｎｍのＣｏ－２７ａｔ％Ｆｅ－５ａｔ％Ｚｒ－５ａｔ％Ｂ合金層とを順次形成した。次に、ガラス基板を２５０℃まで加熱した後、スパッタリング法で、厚さ１０ｎｍのＣｒ層と、厚さ５ｎｍのＭｇＯ層とを順次形成した。次に、ガラス基板を４５０℃まで加熱した後、スパッタリング法で、厚さ０．５ｎｍの（Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔ－５ａｔ％Ｂ）合金層（第１の磁性層）を形成した。
（実施例１）
ガラス基板上に、下地層として、スパッタリング法で、厚さ１００ｎｍのＣｒ－５０ａｔ％Ｔｉ合金層と、厚さ３０ｎｍのＣｏ－２７ａｔ％Ｆｅ－５ａｔ％Ｚｒ－５ａｔ％Ｂ合金層とを順次形成した。次に、ガラス基板を２５０℃まで加熱した後、スパッタリング法で、厚さ１０ｎｍのＣｒ層と、厚さ５ｎｍのＭｇＯ層とを順次形成した。次に、ガラス基板を４５０℃まで加熱した後、スパッタリング法で、厚さ０．５ｎｍの（Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔ－５ａｔ％Ｂ）合金層（第１の磁性層）を形成した。
【0085】
その後、（１１１）面被覆層として厚さ０．５ｎｍの窒化ホウ素膜を、ＲＦスパッタリング法で成膜した。成膜条件は、ターゲット表面電位を１００Ｖ、成膜レートを０．０８ｎｍ／秒とし、成膜時温度に対してポストアニール温度が１００℃ほど高くなるように成膜した。
【0086】
その後、０．５Ｐａのアルゴン雰囲気、７Ｗでエッチング処理を行った。
【0087】
これにより、磁性層の磁性粒子の（１１１）面を六方晶窒化ホウ素で覆い、またこの六方晶窒化ホウ素の（００１）面が磁性粒子の（１１１）面と略平行となる構造とした。
【0088】
その後、スパッタリング法で、厚さ１３ｎｍの（Ｆｅ－４９ａｔ％Ｐｔ）－４０体積％六方晶窒化ホウ素層（第２の磁性層）を順次形成した。次に、保護層として、厚さ３ｎｍのカーボン膜を形成し、磁気記録媒体を作製した。
【0089】
第１の磁性層の組成及び被覆条件と、第２の磁性層の組成を表１に示す。
【0090】
（実施例２～７、比較例１～８）
第１の磁性層の被覆条件を表１に示す被覆条件に変更した以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
第１の磁性層の被覆条件を表１に示す被覆条件に変更した以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【0091】
＜磁気記録媒体の評価＞
各実施例及び各比較例で製造した磁気記録媒体の評価を行った。評価は、第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面の被覆状態及び六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性の確認と、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃと第１磁性層の磁性粒子間の中心距離との測定とを行った。
各実施例及び各比較例で製造した磁気記録媒体の評価を行った。評価は、第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面の被覆状態及び六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性の確認と、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃと第１磁性層の磁性粒子間の中心距離との測定とを行った。
【0092】
（第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面の被覆状態）
第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面の被覆状態は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテク製）を用いて磁気記録媒体の断面を観察して評価した。
第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面の被覆状態は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテク製）を用いて磁気記録媒体の断面を観察して評価した。
【0093】
（六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性）
第１磁性層の六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテク製）を用いて磁気記録媒体の断面を観察して、格子縞の観察により評価した。結晶性の物質を電子顕微鏡で観察すると格子間隔で格子縞が観察できるため、透過型電子顕微鏡で磁気記録媒体の断面を観察し、格子縞を観察することにより、第１磁性層の六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性を確認できる。六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性が良好であれば、第２磁性層の内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、第２磁性層はグラニュラー磁性層として機能していると評価できる。
第１磁性層の六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテク製）を用いて磁気記録媒体の断面を観察して、格子縞の観察により評価した。結晶性の物質を電子顕微鏡で観察すると格子間隔で格子縞が観察できるため、透過型電子顕微鏡で磁気記録媒体の断面を観察し、格子縞を観察することにより、第１磁性層の六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性を確認できる。六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性が良好であれば、第２磁性層の内部にグラニュラー構造を形成した状態を安定的に維持し、第２磁性層はグラニュラー磁性層として機能していると評価できる。
【0094】
（磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体の保磁力Ｈｃは、超伝導Ｋｅｒｒ測定装置（ネオアーク製）を用い、レーザー光（波長４０８ｎｍ）を磁気記録媒体の主表面に照射した際のＫｅｒｒ回転角を測定することにより評価した。保磁力Ｈｃは、第１磁性層及び第２磁性層の磁性粒子の結晶性を反映し、第１磁性層及び第２磁性層の結晶構造が乱れると、保磁力Ｈｃが低下すると考えられる。そのため、保磁力Ｈｃが高いほど、第１磁性層及び第２磁性層の結晶性は高く、面記録密度を向上させることができると評価できる。
磁気記録媒体の保磁力Ｈｃは、超伝導Ｋｅｒｒ測定装置（ネオアーク製）を用い、レーザー光（波長４０８ｎｍ）を磁気記録媒体の主表面に照射した際のＫｅｒｒ回転角を測定することにより評価した。保磁力Ｈｃは、第１磁性層及び第２磁性層の磁性粒子の結晶性を反映し、第１磁性層及び第２磁性層の結晶構造が乱れると、保磁力Ｈｃが低下すると考えられる。そのため、保磁力Ｈｃが高いほど、第１磁性層及び第２磁性層の結晶性は高く、面記録密度を向上させることができると評価できる。
【0095】
（第１磁性層の磁性粒子間の中心距離）
第１磁性層の磁性粒子間の中心距離は、ＳＥＭで得られた表面観察像より、第１磁性層の隣接する磁性粒子の重心同士の間の中心距離を算出することで得た。磁性粒子間の中心距離が小さいほど、磁性粒子の粒径も小さいと評価できる。そのため、第１磁性層の磁性粒子間の中心距離が小さいほど、第１磁性層の磁性粒子の粒径は小さく、面記録密度を向上させることができると評価できる。なお、磁性粒子の粒径の評価に際しては、磁気記録媒体表面のカーボン保護膜を除去するため、１分間のアルゴンエッチング処理を行った。
第１磁性層の磁性粒子間の中心距離は、ＳＥＭで得られた表面観察像より、第１磁性層の隣接する磁性粒子の重心同士の間の中心距離を算出することで得た。磁性粒子間の中心距離が小さいほど、磁性粒子の粒径も小さいと評価できる。そのため、第１磁性層の磁性粒子間の中心距離が小さいほど、第１磁性層の磁性粒子の粒径は小さく、面記録密度を向上させることができると評価できる。なお、磁性粒子の粒径の評価に際しては、磁気記録媒体表面のカーボン保護膜を除去するため、１分間のアルゴンエッチング処理を行った。
【0096】
第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面の被覆状態と六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性との評価結果と、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃと第１磁性層の磁性粒子間の中心距離との測定結果を表１に示す。
【0097】
【表1】
【0098】
表１より、各実施例の磁気記録媒体は、高い保磁力Ｈｃを有することが確認された。よって、第１磁性層の磁性粒子の（１１１）面を六方晶窒化ホウ素ｈＢＮで被覆し、六方晶窒化ホウ素ｈＢＮの結晶性を良好とすれば、第１の磁性層及び第２の磁性層に含まれる磁性粒子の粒径を小さくすることができ、第２の磁性層は、その内部にグラニュラー構造を形成した状態を維持し、グラニュラー磁性層として機能できることが確認された。したがって、各実施例の磁気記録媒体は、高い面記録密度を有するため、磁気記憶装置に用いることで、高い記録容量を有することができるといえる。
【符号の説明】
【0099】
１、１０１ 磁気記録媒体
１０ 基板
２０ 下地層
３０ 第１の磁性層
３１、４１ 磁性粒子
４０ 第２の磁性層
４２ 六方晶窒化ホウ素粒界部（粒界部）
５０ 窒化ホウ素層
１００ 磁気記憶装置
３１１Ａ 成長面
４２Ａ、５０Ａ、３１１Ｂ （００１）面
３１１Ｃ （１１１）面
１０ 基板
２０ 下地層
３０ 第１の磁性層
３１、４１ 磁性粒子
４０ 第２の磁性層
４２ 六方晶窒化ホウ素粒界部（粒界部）
５０ 窒化ホウ素層
１００ 磁気記憶装置
３１１Ａ 成長面
４２Ａ、５０Ａ、３１１Ｂ （００１）面
３１１Ｃ （１１１）面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】