特許 7041597 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-03-15

(45)【発行日】2022-03-24

(54)【発明の名称】熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/66 20060101AFI20220316BHJP

   G11B 5/02 20060101ALI20220316BHJP

   H01F 10/14 20060101ALI20220316BHJP

   H01F 10/20 20060101ALI20220316BHJP

   H01F 10/16 20060101ALI20220316BHJP

【ＦＩ】

G11B5/66

G11B5/02 S

H01F10/14

H01F10/20

H01F10/16

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2018124049

(22)【出願日】2018-06-29

(65)【公開番号】P2020004469

(43)【公開日】2020-01-09

【審査請求日】2021-03-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000002004

【氏名又は名称】昭和電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】張 磊

(72)【発明者】

【氏名】福島 隆之

(72)【発明者】

【氏名】徐 晨

(72)【発明者】

【氏名】丹羽 和也

(72)【発明者】

【氏名】柴田 寿人

(72)【発明者】

【氏名】山口 健洋

(72)【発明者】

【氏名】神邊 哲也

(72)【発明者】

【氏名】茂 智雄

【審査官】中野 和彦

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－１１５３７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０９２１８８５０（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】米国特許出願公開第２００９／０１３６７８２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開昭６０－１６００２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３５８６１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ１１Ｂ ５／６６

Ｇ１１Ｂ ５／０２

Ｈ０１Ｆ １０／１４

Ｈ０１Ｆ １０／２０

Ｈ０１Ｆ １０／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、下地層と、（００１）配向している磁性層を有し、
前記磁性層は、前記下地層の側から、第１の磁性層および第２の磁性層がこの順で積層されており、
前記第１の磁性層および前記第２の磁性層は、Ｌ１_０構造を有する合金を含み、
前記第２の磁性層は、磁性粒子の粒界部に、フェライトを含み、
前記フェライトは、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＭｇＦｅ_２Ｏ_４、ＭｎＦｅ_２Ｏ_４、ＣｕＦｅ_２Ｏ_４、ＺｎＦｅ_２Ｏ_３、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＢａＦｅ_２Ｏ_４、ＳｒＦｅ_２Ｏ_４およびＦｅ_３Ｏ_４からなる群より選択される１種以上であり、
前記磁性粒子のキュリー温度は、前記フェライトのキュリー温度よりも低いことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。

【請求項2】

前記第１の磁性層は、厚さが０．３ｎｍ～５．０ｎｍの範囲内であり、
前記第２の磁性層は、厚さが１．０ｎｍ～１０．０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。

【請求項3】

前記第２の磁性層は、前記磁性粒子の粒界部に、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ_４Ｃ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される物質をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の熱アシスト磁気記録媒体。

【請求項4】

前記第２の磁性層は、前記フェライトの含有量が０．５体積％～６０体積％の範囲内であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。

【請求項5】

前記Ｌ１_０構造を有する合金は、Ｆｅ－Ｐｔ合金またはＣｏ－Ｐｔ合金であることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。

【請求項6】

請求項１～５の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近接場光等を磁気記録媒体に照射して表面を局所的に加熱し、磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込む熱アシスト記録方式は、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２程度の面記録密度を実現することが可能な次世代記録方式として注目されている。熱アシスト記録方式を用いると、室温における保磁力が数十ｋＯｅである磁気記録媒体に対して、磁気ヘッドの記録磁界により、容易に書き込むことができる。このため、結晶磁気異方性定数Ｋｕが１０^６Ｊ／ｍ^３台である高Ｋｕ材料を磁性層に用いることができ、その結果、磁性層の熱安定性を維持したまま、磁性粒子の粒径を６ｎｍ以下まで微細化することができる。高Ｋｕ材料としては、Ｌ１_０構造を有するＦｅ－Ｐｔ合金（Ｋｕ～７×１０^６Ｊ／ｍ^３）、Ｃｏ－Ｐｔ合金（Ｋｕ～５×１０^６Ｊ／ｍ^３）等が知られている。

【0003】

熱アシスト磁気記録媒体の面記録密度を向上させるためには、磁性層の結晶配向性を向上させ、磁性粒子を微細化し、磁性粒子間の交換結合を低減することで、熱アシスト磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させる必要がある。

【0004】

しかしながら、磁性粒子を微細化すると、磁性粒子の結晶性が低下し、その結果、磁性粒子のキュリー温度が低下し、磁性粒子のキュリー温度の分散が大きくなる。このため、熱アシスト磁気記録媒体の電磁変換特性が低下する（例えば、非特許文献１参照）。

【0005】

そこで、特許文献１には、第２のキュリー温度を有する第２の材料のマトリックスに埋め込まれている第１のキュリー温度を有する第１の磁性材料の複数の粒子を含む薄膜構造体が開示されている。ここで、第２のキュリー温度は、第１のキュリー温度よりも低く、第２の材料は、酸化物、硫化物、窒化物及び硼化物のうちの１つ以上を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】米国特許公開第２０１０／０１１０５７７号明細書

【非特許文献】

【0007】

【文献】ADVANCED MATERIALS, 2006, 18, 2984-2988

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、熱アシスト磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させること、即ち、熱アシスト磁気記録媒体の電磁変換特性をさらに向上させることが望まれている。

【0009】

本発明の一態様は、電磁変換特性に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

（１）基板と、下地層と、（００１）配向している磁性層を有し、前記磁性層は、前記下地層の側から、第１の磁性層および第２の磁性層がこの順で積層されており、前記第１の磁性層および前記第２の磁性層は、Ｌ１_０構造を有する合金を含み、前記第２の磁性層は、磁性粒子の粒界部に、フェライトを含み、前記フェライトは、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＭｇＦｅ_２Ｏ_４、ＭｎＦｅ_２Ｏ_４、ＣｕＦｅ_２Ｏ_４、ＺｎＦｅ_２Ｏ_３、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＢａＦｅ_２Ｏ_４、ＳｒＦｅ_２Ｏ_４およびＦｅ_３Ｏ_４からなる群より選択される１種以上であり、前記磁性粒子のキュリー温度は、前記フェライトのキュリー温度よりも低いことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（２）前記第１の磁性層は、厚さが０．５ｎｍ～３ｎｍの範囲内であり、前記第２の磁性層の厚さは、前記第１の磁性層の厚さの２倍以上であることを特徴とする（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３）前記第２の磁性層は、前記磁性粒子の粒界部に、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ_４Ｃ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される物質をさらに含むことを特徴とする（１）または（２）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（４）前記第２の磁性層は、前記フェライトの含有量が０．５体積％～６０体積％の範囲内であることを特徴とする（１）～（３）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５）前記Ｌ１_０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金であることを特徴とする（１）～（４）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（６）（１）～（５）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。

【発明の効果】

【0011】

本発明の一態様によれば、電磁変換特性に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す断面図である。

【図2】本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す傾視図である。

【図3】図２の磁気ヘッドの一例を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が同一であるとは限らない。

【0014】

［熱アシスト磁気記録媒体］
図１に、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す。

【0015】

熱アシスト磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、（００１）配向している磁性層３を有する。ここで、磁性層３は、第１の磁性層３１および第２の磁性層３２がこの順で積層されている。また、第１の磁性層３１および第２の磁性層３２は、Ｌ１_０構造を有する合金を含み、第２の磁性層３２は、磁性粒子の粒界部に、フェライトを含む。フェライトは、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＭｇＦｅ_２Ｏ_４、ＭｎＦｅ_２Ｏ_４、ＣｕＦｅ_２Ｏ_４、ＺｎＦｅ_２Ｏ_３、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＢａＦｅ_２Ｏ_４、ＳｒＦｅ_２Ｏ_４およびＦｅ_３Ｏ_４からなる群より選択される１種以上である。第２の磁性層３２に含まれる磁性粒子のキュリー温度は、第２の磁性層３２に含まれるフェライトのキュリー温度よりも低い。

【0016】

熱アシスト磁気記録媒体１００は、以上のような構造を有することで、磁性層３を構成する磁性粒子の粒径を６ｎｍ以下にしても、熱アシスト磁気記録媒体１００の電磁変換特性を高い水準に維持することができる。

【0017】

ここで、フェライトのキュリー温度と磁性粒子のキュリー温度の差は、５０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることがより好ましい。

【0018】

次に、熱アシスト記録媒体１００の電磁変換特性が向上する理由について、説明する。

【0019】

一般に、磁性層を構成する磁性粒子の粒径を６ｎｍ以下にすると、磁性粒子の結晶性が低下し、その結果、磁性粒子のキュリー温度が低下し、磁性粒子のキュリー温度の分散が大きくなる。このため、熱アシスト磁気記録媒体の電磁変換特性が低下する。

【0020】

そこで、熱アシスト記録媒体１００は、第２の磁性層３２を構成する磁性粒子の粒界部に、磁性粒子よりもキュリー温度が高いフェライトを含むため、磁性粒子とフェライトが交換結合する。これにより、磁性粒子の見かけ上のキュリー温度が向上し、キュリー温度の分散が低減する。また、フェライトを含む粒界部も磁性を有するため、第２の磁性層３２を構成する磁性粒子の見かけ上の磁性粒径が大きくなる。以上のことから、熱アシスト磁気記録媒体１００の電磁変換特性が向上すると考えられる。

【0021】

第２の磁性層３２を構成する磁性粒子の粒界部に含まれるフェライトは、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＭｇＦｅ_２Ｏ_４、ＭｎＦｅ_２Ｏ_４、ＣｕＦｅ_２Ｏ_４、ＺｎＦｅ_２Ｏ_３、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＢａＦｅ_２Ｏ_４、ＳｒＦｅ_２Ｏ_４およびＦｅ_３Ｏ_４からなる群より選択される一種以上であるが、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＭｇＦｅ_２Ｏ_４、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＣｕＦｅ_２Ｏ_４、ＺｎＦｅ_２Ｏ_３およびＳｒＦｅ_２Ｏ_４からなる群より選択される一種以上であることが好ましい。これにより、磁性粒子と交換結合することに加え、磁性粒子を微細化することができる。

【0022】

第２の磁性層３２中のフェライトの含有量は、０．５体積％～６０体積％の範囲内であることが好ましく、１０体積％～４０体積％の範囲内であることがより好ましい。第２の磁性層３２中のフェライトの含有量が０．５体積％以上であると、磁性粒子の見かけ上のキュリー温度がさらに向上し、６０体積％以下であると、磁性粒子とフェライトがさらに交換結合しやすくなる。

【0023】

第２の磁性層３２の厚さは、１．０ｎｍ～１０．０ｎｍの範囲内であることが好ましく、３．０ｎｍ～７．０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第２の磁性層３２の厚さが１．０ｎｍ以上であると、熱アシスト記録媒体１００の電磁変換特性がさらに向上し、１０．０ｎｍ以下であると、第２の磁性層３２の（００１）配向性がさらに向上する。

【0024】

また、第１の磁性層３１は、Ｌ１_０構造を有する合金を含むため、第２の磁性層３２の（００１）配向性が向上する。

【0025】

ここで、第１の磁性層３１は、フェライトを含まないことが好ましい。これにより、第２の磁性層３２の（００１）配向性がさらに向上する。

【0026】

第１の磁性層３１の厚さは、０．３ｎｍ～５．０ｎｍの範囲内であることが好ましく、０．５ｎｍ～３．０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第１の磁性層３１の厚さが０．３ｎｍ以上であると、第２の磁性層３２の（００１）配向性がさらに向上し、５．０ｎｍ以下であると、熱アシスト記録媒体１００の電磁変換特性がさらに向上する。

【0027】

磁性層３に含まれるＬ１_０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ磁性合金またはＣｏＰｔ磁性合金であることが好ましい。

【0028】

磁性層３は、磁性粒子の粒界偏析材料を含むことが好ましい。これにより、磁性層３は、Ｌ１_０構造を有する磁性粒子が、粒界偏析材料によって分断されているグラニュラー構造となる。その結果、磁性粒子を微細化することに加え、磁性粒子間の交換結合を低減することができる。

【0029】

磁性粒子の粒界偏析材料としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ等の酸化物や、Ｃ、ＶＣ等の炭化物、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮ等の窒化物等が挙げられ、二種以上を併用してもよい。

【0030】

熱アシスト磁気記録媒体１００は、第２の磁性層３２を構成する磁性粒子の粒界部に、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ_４Ｃ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される物質をさらに含むことが好ましい。これらの物質は、高温であっても、フェライトと反応しにくいため、第２の磁性層３２を構成する磁性粒子の粒界部に、フェライトと混在していても、磁性粒子をさらに微細化することに加え、磁性粒子間の交換結合をさらに低減することができる。

【0031】

第２の磁性層３２中の上記物質の含有量は、１０体積％～５０体積％の範囲内であることが好ましく、２０体積％～４０体積％の範囲内であることがより好ましい。第２の磁性層３２中の上記物質の含有量が１０体積％以上であると、熱アシスト記録媒体１００の電磁変換特性がさらに向上し、５０体積％以下であると、第２の磁性層３２の（００１）配向性がさらに向上する。

【0032】

下地層２は、磁性層３との格子整合性が高いことが好ましい。これにより、磁性層３の（００１）配向性がさらに向上する。

【0033】

磁性層３との格子整合性が高い下地層２としては、例えば、（１００）配向しているＣｒ層、Ｗ層、ＭｇＯ層等が挙げられる。

【0034】

下地層２は、多層構造を有していてもよい。

【0035】

多層構造を有する下地層２の各層の間における格子ミスフィットは、１０％以下であることが好ましい。

【0036】

格子ミスフィットが１０％以下である多層構造を有する下地層２としては、例えば、（１００）配向しているＣｒ層、Ｗ層、ＭｇＯ層等が積層されている下地層が挙げられる。

【0037】

下地層２の（１００）配向性を向上させるために、基板１と下地層２の間に、ｂｃｃ構造を有するＣｒ層もしくはＣｒ合金層、または、Ｂ２構造を有する合金層をさらに形成してもよい。

【0038】

Ｃｒ合金としては、例えば、Ｃｒ－Ｍｎ合金、Ｃｒ－Ｍｏ合金、Ｃｒ－Ｗ合金、Ｃｒ－Ｖ合金、Ｃｒ－Ｔｉ合金、Ｃｒ－Ｒｕ合金等が挙げられる。

【0039】

Ｂ２構造を有する合金としては、例えば、Ｒｕ－Ａｌ合金、Ｎｉ－Ａｌ合金等が挙げられる。

【0040】

また、磁性層３との格子整合性を向上させるために、下地層２に酸化物を添加してもよい。

【0041】

酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、ＶおよびＷからなる群より選択される１種以上の金属の酸化物等が挙げられる。これらの中でも、ＣｒＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｒＯ_３、ＭｏＯ_２、ＭｏＯ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｖ_２Ｏ_３、ＶＯ_２、ＷＯ_２、ＷＯ_３、ＷＯ_６が好ましい。

【0042】

下地層２中の酸化物の含有量は、２ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、１０ｍｏｌ％～２５ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。下地層２中の酸化物の含有量が２ｍｏｌ％以上であると、磁性層３の（００１）配向性がさらに向上し、３０ｍｏｌ％以下であると、下地層２の（１００）配向性がさらに向上する。

【0043】

熱アシスト磁気記録媒体１００は、磁性層３上に、保護層が形成されていることが好ましい。

【0044】

保護層の形成方法としては、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ－ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。

【0045】

保護層の厚さは、１ｎｍ～６ｎｍであることが好ましい。保護層の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、熱アシスト磁気記録媒体１００のＳＮＲが向上する。

【0046】

熱アシスト磁気記録媒体１００は、保護層上に、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を含む潤滑剤層がさらに形成されていてもよい。

【0047】

［磁気記憶装置］
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。

【0048】

本実施形態の磁気記憶装置は、例えば、熱アシスト磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子が設けられている磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有する。

【0049】

また、磁気ヘッドは、例えば、熱アシスト磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。

【0050】

図２に、本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す。

【0051】

図２の磁気記憶装置は、熱アシスト磁気記録媒体１００と、熱アシスト磁気記録媒体１００を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を有する。

【0052】

図３に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。

【0053】

磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を有する。

【0054】

記録ヘッド２０８は、主磁極２０１と、補助磁極２０２と、磁界を発生させるコイル２０３と、レーザー光発生部としての、レーザーダイオード（ＬＤ）２０４と、ＬＤ２０４から発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝送する導波路２０７を有する。

【0055】

再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれている再生素子２１０を有する。

【実施例】

【0056】

以下、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で、適宜変更して実施することができる。

【0057】

（実施例１－１～１－８、比較例１－１）
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ－５０ａｔ％Ｔｉ（Ｃｒの含有量５０ａｔ％、Ｔｉの含有量５０ａｔ％）合金層（下地層）、厚さ２５ｎｍのＣｏ－２０ａｔ％Ｔａ－５ａｔ％Ｂ合金層（軟磁性下地層）を形成し、２５０℃まで加熱した。その後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（下地層）、厚さ１０ｎｍのＭｇＯ層（下地層）を形成した後、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ０．５ｎｍの第１の磁性層、厚さ６．０ｎｍの第２の磁性層を形成した後、厚さ３ｎｍのカーボン層（保護層）を形成した。最後に、保護層上に、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。

【0058】

ここで、第１の磁性層、第２の磁性層を構成する材料は、表１に示す通りである。

【0059】

例えば、（Ｆｅ－５５ａｔ％Ｐｔ）－２０ｖｏｌ％Ｃ－２０ｖｏｌ％ＣｏＦｅ_２Ｏ_４は、Ｆｅの含有量４５ａｔ％、Ｐｔの含有量５５ａｔ％のＦｅ－Ｐｔ合金の含有量が６０体積％であり、Ｃの含有量が２０体積％であり、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４の含有量が２０体積％であることを意味する。

【0060】

（電磁変換特性）
図２の磁気記憶装置に熱アシスト磁気記録媒体を組み込んだ後、図３の磁気ヘッドを用いて、熱アシスト磁気記録媒体を加熱し、線記録密度１６００ｋＦＣＩ（ｋｉｌｏ Ｆｌｕｘ ｃｈａｎｇｅｓ ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）の信号を記録し、ＳＮ比（ＳＮＲ）を測定した。

【0061】

表１に、熱アシスト磁気記録媒体の電磁変換特性の測定結果を示す。

【0062】

【表1】

表１から、実施例１－１～１－８の熱アシスト磁気記録媒体は、電磁変換特性が高いことがわかる。

【0063】

これに対して、比較例１－１の熱アシスト磁気記録媒体は、第２の磁性層がフェライトを含まないため、電磁変換特性が低い。

【0064】

（実施例２－１～２－９、比較例２－１）
第１の磁性層の厚さを１．０ｎｍに変更し、第１の磁性層、第２の磁性層を構成する材料を変更した（表２参照）以外は、実施例１－１～１－８、比較例１－１と同様にして、熱アシスト磁気記録媒体を得た。

【0065】

表２に、熱アシスト磁気記録媒体の電磁変換特性の測定結果を示す。

【0066】

【表2】

表２から、実施例２－１～２－９の熱アシスト磁気記録媒体は、電磁変換特性が高いことがわかる。

【0067】

これに対して、比較例２－１、２－２の熱アシスト磁気記録媒体は、第２の磁性層がフェライトを含まないため、電磁変換特性が低い。

【符号の説明】

【0068】

１ 基板
２ 下地層
３ 磁性層
３１ 第１の磁性層
３２ 第２の磁性層
１００ 磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド

【図1】

【図2】

【図3】