特許 7049182 磁気記録媒体および磁気記憶装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-03-29

(45)【発行日】2022-04-06

(54)【発明の名称】磁気記録媒体および磁気記憶装置

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/65 20060101AFI20220330BHJP

   G11B 5/64 20060101ALI20220330BHJP

【ＦＩ】

G11B5/65

G11B5/64

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2018096805

(22)【出願日】2018-05-21

(65)【公開番号】P2019204564

(43)【公開日】2019-11-28

【審査請求日】2021-02-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000002004

【氏名又は名称】昭和電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】福島 隆之

(72)【発明者】

【氏名】丹羽 和也

(72)【発明者】

【氏名】張 磊

(72)【発明者】

【氏名】柴田 寿人

(72)【発明者】

【氏名】山口 健洋

(72)【発明者】

【氏名】徐 晨

(72)【発明者】

【氏名】神邊 哲也

(72)【発明者】

【氏名】茂 智雄

【審査官】川中 龍太

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－０１５０６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３５８６１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０７－２５４１２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１２５５２０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ１１Ｂ ５／６２ － ５／８２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、下地層と、（００１）配向しており、Ｌ１_０構造を有する磁性層をこの順で有し、
前記磁性層は、グラニュラー構造を有し、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含み、
前記炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物は、アモルファス構造を有し、構成する原子の一部が水素原子で置換されていることを特徴とする磁気記録媒体。

【請求項2】

前記磁性層は、前記炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量が３体積％以上６０体積％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項3】

前記磁性層は、厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。

【請求項4】

前記磁性層は、磁性粒子の粒界部に、前記炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含むことを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。

【請求項5】

前記磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。

【請求項6】

請求項１～５の何れか１項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に対する大容量化の要求が益々強まっている。このため、レーザー光源を搭載した磁気ヘッドにより、磁気記録媒体を加熱して記録する熱アシスト磁気記録方式が提案されている。

【0003】

熱アシスト磁気記録方式では、磁気記録媒体を加熱することによって、保磁力を大幅に低減することができる。このため、磁気記録媒体の磁性層に、結晶磁気異方性定数Ｋｕの高い磁性材料を用いることができる。その結果、熱安定性を維持したまま、磁性材料を微細化することが可能となり、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２の記録密度を達成することができる。ここで、Ｋｕが高い磁性材料としては、Ｌ１_０型ＦｅＰｔ合金、Ｌ１_０型ＣｏＰｔ合金、Ｌ１_１型ＣｏＰｔ合金等の規則合金等が提案されている。

【0004】

また、上記規則合金からなる結晶粒を分断するために、粒界相を形成する材料として、炭素、炭化物、酸化物、窒化物等の非磁性材料を添加して、グラニュラー構造を有する磁性層とすることが知られている。これにより、磁性粒子間の交換結合を低減することができ、シグナル・ノイズ比（ＳＮＲ）を高くすることができる。

【0005】

例えば、特許文献１には、ＦｅＰｔ等の磁性材料と、Ｃ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ等の非磁性材料を含む磁気記録層を有するデータ記憶媒体が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１０－１７６８２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

熱アシスト磁気記録方式では、レーザー光等を用いて、磁性層を局部的に加熱することによって、加熱された箇所の保磁力を低減させる。この場合、原理的には、記録ビットのみを加熱すれば、熱アシスト磁気記録方式の目的を果たすことができる。

【0008】

しかしながら、実際の磁気記録媒体では、記録ビットが隣接する磁性層の横方向にも、熱が拡散し、記録ビットに隣接するビットも加熱されることになる。また、磁性層の下には、下地層、基板等が存在するため、磁性層の下方向にも、熱が拡散することになる。特に、磁性層の横方向に熱が拡散すると、平面方向における磁化遷移領域が拡大し、その結果、書きにじみが発生しやすくなり、磁気記録媒体のＳＮＲが低下する。

【0009】

本発明の一態様は、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

（１） 基板と、下地層と、（００１）配向しており、Ｌ１_０構造を有する磁性層をこの順で有し、
前記磁性層は、グラニュラー構造を有し、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含み、
前記炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物は、アモルファス構造を有し、構成する原子の一部が水素原子で置換されていることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記磁性層は、前記炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量が３体積％以上６０体積％以下であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記磁性層は、厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記磁性層は、磁性粒子の粒界部に、前記炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含むことを特徴とする（１）～（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことを特徴とする（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）（１）～（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。

【発明の効果】

【0011】

本発明の一態様によれば、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本実施の形態における磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。

【図2】本実施の形態における磁気記憶装置の一例を示す模式図である。

【図3】図２の磁気ヘッドの一例を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、下記の実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施の形態に種々の変形および置換を加えることができる。

【0014】

［磁気記録媒体］
図１に、本実施の形態における磁気記録媒体の一例を示す。

【0015】

磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、（００１）配向しており、Ｌ１_０構造を有する磁性層３と、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を含む保護層４がこの順で形成されている。このとき、磁性層３は、（００１）配向している柱状晶の磁性粒子を含むグラニュラー構造を有する。また、磁性層３は、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含む。

【0016】

磁性層３は、上記のような構造を有するため、隣接する柱状晶の磁性粒子間の断熱性を向上させることができる。その結果、磁気ヘッドからレーザー光を照射する際に、磁性層３の横方向に熱が拡散しにくくなるため、書きにじみが発生しにくくなり、磁気記録媒体１００のＳＮＲが高くなる。

【0017】

また、磁性層３に含まれている、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物が、磁性層３に含まれている（００１）配向している柱状晶の磁性粒子の粒界部に含まれていることで、磁性層３を構成する磁性粒子間の断熱性をより向上させることができる。

【0018】

炭素の水素化物としては、構成する原子の一部が水素原子で置換されているグラファイトまたはダイヤモンド、Ｃ－Ｈ_ｘ結合（ただし、ｘは１、２または３である。）を有する硬質炭素、水素含有アモルファスカーボン（ａ－Ｃ：Ｈ）などを例示することができる。

【0019】

ホウ素の水素化物としては、構成する原子の一部が水素原子で置換されているホウ素結晶、水素含有アモルファスホウ素（ａ－Ｂ：Ｈ）などを例示することができる。

【0020】

窒化ホウ素の水素化物としては、構成する原子の一部が水素原子で置換されている窒化ホウ素、水素含有アモルファス窒化ホウ素（ａ－ＢＮ：Ｈ）などを例示することができる。

【0021】

磁性層３が上記のような構成を有することにより、隣接する磁性粒子間の断熱性が向上する理由として、以下のようなことが考えられる。

【0022】

従来のグラニュラー構造を有する磁性層は、磁性粒子の粒界部に、炭素、炭化物、酸化物、窒化物等の非磁性材料が存在している。この場合、隣接する磁性粒子の間の断熱性を高めるために、粒界部を構成する非磁性材料の熱伝導率を低くすると、その影響で磁性粒子の結晶性や配向性が低下する。

【0023】

一方、本実施の形態においては、グラニュラー構造を有する磁性層は、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含むため、磁性粒子の結晶性や配向性に影響を及ぼさずに、磁性層の熱伝導率を低くすることができる。

【0024】

ここで、炭素は、従来のグラニュラー構造を有する磁性層において、磁性粒子の粒界部に用いられている非磁性材料である。また、ホウ素、窒化ホウ素は、従来のグラニュラー構造を有する磁性層において、磁性粒子の粒界部に用いられている窒化物と特性が類似している。このため、炭素、ホウ素、窒化ホウ素は、磁性粒子の結晶性や配向性に影響を及ぼしにくい。

【0025】

一方、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物、窒化ホウ素の水素化物は、水素の原子半径が小さいため、磁性粒子の結晶性や配向性に影響を及ぼしにくいことに加えて、磁性層の熱伝導率を低くすることができる。特に、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物、窒化ホウ素の水素化物がアモルファス構造を有すると、磁性層の熱伝導率をさらに低くすることができる。

【0026】

また、磁性層３に含まれている、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物が、磁性層３に含まれている（００１）配向している柱状晶の磁性粒子の粒界部に含まれていることで、磁性層３を構成する磁性粒子間の横方向の断熱性をより向上させることができる。

【0027】

以上のことから、磁気記録媒体１００は、磁性層３の横方向、すなわち、隣接する磁性粒子間の断熱性が向上すると考えられる。

【0028】

炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の熱伝導率は、ＳｉＯ_２の熱伝導率の半分以下、すなわち、０．７Ｗ／（ｍ・ｋ）以下であることが好ましい。

【0029】

磁性層３は、スパッタ法により形成することができる。

【0030】

磁性層３を形成する際には、スパッタリングターゲットの温度上昇を低減するため、ＲＦスパッタ法を用いることが好ましい。これにより、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の分解を抑制することができる。また、導電性の低いスパッタリングターゲットも使用することができる。

【0031】

なお、磁性層３に含まれる炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物は、一部が分解して、炭素、ホウ素または窒化ホウ素になっていてもよい。

【0032】

磁性層３の形成に用いられるスパッタリングターゲットの製造方法としては、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物と、磁性粉末を含む組成物を焼結する方法、炭素、ホウ素または窒化ホウ素と、磁性粉末を含む組成物を水素中で焼結する方法等が挙げられる。

【0033】

また、磁性層３を形成する際に、炭素、ホウ素または窒化ホウ素と、磁性粉末を含む組成物を焼結して製造されているスパッタリングターゲットを用い、スパッタリングガス中に水素を導入してもよい。

【0034】

また、磁性層３を形成する際に、炭素、ホウ素または窒化ホウ素と、磁性粉末を含む組成物を焼結して製造されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタした後、水素プラズマに曝してもよい。

【0035】

磁性層３中の炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量は、３体積％以上６０体積％以下であることが好ましく、２０体積％以上５０体積％以下であることがさらに好ましい。磁性層３中の炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量が３体積％以上であると、隣接する磁性粒子間の断熱性が向上し、６０体積％以下であると、１ビット当たりの磁性粒子の体積が増大し、磁気記録媒体１００の熱揺らぎが生じにくくなる。

【0036】

ここで、磁性層３中の炭素、ホウ素または窒化ホウ素の含有量および炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量は、磁性層３の形成に用いられるスパッタリングターゲット中の炭素、ホウ素または窒化ホウ素の含有量および炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量とは必ずしも一致しない。このため、予備実験により、磁性層３中の炭素、ホウ素または窒化ホウ素と、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の比率と、磁性層３の形成に用いられるスパッタリングターゲット中の炭素、ホウ素または窒化ホウ素の含有量および炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量と、磁性層３の成膜条件との関係を算出し、これにより、実際に成膜する磁性層３中の炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物の含有量を求めることができる。

【0037】

磁性層３の厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましく、１．５ｎｍ以上５．５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。磁性層３の厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であると、Ｌ１_０構造を有する磁性層３の（００１）配向性、規則化度を向上させることができる。また、グラニュラー構造を有する磁性層３の隣接する磁性粒子間の断熱性を向上させることができる。

【0038】

磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことが好ましい。これにより、磁性粒子の結晶磁気異方性定数Ｋｕが高くなる。

【0039】

基板１としては、公知の基板を用いることができる。

【0040】

ここで、磁気記録媒体１００を製造する際に、基板１を５００℃以上の温度に加熱することが必要となる場合がある。このため、基板１として、例えば、軟化温度が５００℃以上、好ましくは６００℃以上の耐熱ガラス基板を用いることができる。

【0041】

下地層２を構成する材料としては、Ｌ１_０構造を有する磁性層３を（００１）配向させるのに適していれば、特に限定されないが、例えば、（１００）配向している、Ｗ、ＭｇＯ等が挙げられる。

【0042】

また、下地層２は、多層構造を有することができる。この場合、多層構造を有する下地層を構成する複数の層の間の格子ミスフィットは、１０％以下であることが好ましい。

【0043】

多層構造を有する下地層としては、例えば、（１００）配向している、Ｗ、ＭｇＯが積層されている下地層が挙げられる。

【0044】

また、下地層２を確実に（１００）配向させるために、下地層２の下に、Ｃｒ、Ｃｒを含み、ＢＣＣ構造を有する合金、または、Ｂ２構造を有する合金を含む層をさらに形成することができる。

【0045】

ここで、Ｃｒを含み、ＢＣＣ構造を有する合金としては、例えば、ＣｒＭｎ合金、ＣｒＭｏ合金、ＣｒＷ合金、ＣｒＶ合金、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＲｕ合金等が挙げられる。

【0046】

また、Ｂ２構造を有する合金としては、例えば、ＲｕＡｌ合金、ＮｉＡｌ合金等が挙げられる。

【0047】

磁気記録媒体１００は、磁性層３上に、保護層４が形成されているが、保護層４を省略することもできる。

【0048】

保護層４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ－ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。

【0049】

保護層４の厚さは、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましい。保護層４の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、磁気記録媒体１００のＳＮＲが向上する。

【0050】

磁気記録媒体１００は、保護層４上に、パーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂を含む潤滑剤層がさらに形成されていてもよい。

【0051】

［磁気記憶装置］
本実施の形態における磁気記憶装置は、前述の本実施の形態における磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。

【0052】

本実施の形態における磁気記憶装置は、例えば、磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子が設けられている磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有する。また、磁気ヘッドは、例えば、磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。

【0053】

図２に、本実施の形態における磁気記憶装置の一例を示す。

【0054】

図２の磁気記憶装置は、磁気記録媒体１００と、磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を有する。

【0055】

図３に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。

【0056】

磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を有する。

【0057】

記録ヘッド２０８は、主磁極２０１と、補助磁極２０２と、磁界を発生させるためのコイル２０３と、レーザー光発生部としての、レーザーダイオード（ＬＤ）２０４と、ＬＤ２０４から発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝達するための導波路２０７を有する。

【0058】

再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれている再生素子２１０を有する。

【実施例】

【0059】

以下、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

【0060】

（スパッタリングターゲット１の作製）
以下に示す製造方法により、６０体積％（５２ａｔ％Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔ）－４０体積％Ｃの組成を有するスパッタリングターゲット１を製造した。

【0061】

ガスアトマイズ法により、５２ａｔ％Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔの組成を有するＦｅＰｔ合金粉末を得た。ＦｅＰｔ合金粉末は、平均粒径が１５μｍであった。

【0062】

ＦｅＰｔ合金粉末と、カーボンブラック（平均粒径０．０５μｍ、アモルファス構造）を、体積比６０：４０で混合した後、円盤状に圧縮成形した。次に、１×１０^－３Ｐａの高真空中、焼結温度１０００℃、焼結時間３時間、焼結圧力３００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で、圧縮成形物を焼結し、直径２００ｍｍの焼結体からなるスパッタリングターゲット１を得た。スパッタリングターゲット１は、ＦｅＰｔ合金とアモルファス構造の炭素から構成されていた。

【0063】

（スパッタリングターゲット２の作製）
以下に示す製造方法により、６０体積％（５２ａｔ％Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔ）－４０体積％Ｂの組成を有するスパッタリングターゲット２を製造した。

【0064】

ガスアトマイズ法により、５２ａｔ％Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔの組成を有するＦｅＰｔ合金粉末を得た。ＦｅＰｔ合金粉末は、平均粒径が１５μｍであった。

【0065】

ＦｅＰｔ合金粉末と、ホウ素粉末（平均粒径１５μｍ、アモルファス構造）を、体積比６０：４０で混合した後、円盤状に圧縮成形した。次に、１×１０^－３Ｐａの高真空中、焼結温度１０００℃、焼結時間３時間、焼結圧力３００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で、圧縮成形物を焼結し、直径２００ｍｍの焼結体からなるスパッタリングターゲット２を得た。スパッタリングターゲット２は、ＦｅＰｔ合金とアモルファス構造のホウ素から構成されていた。

【0066】

（スパッタリングターゲット３の作製）
以下に示す製造方法により、６０体積％（５２ａｔ％Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔ）－４０体積％ＢＮの組成を有するスパッタリングターゲット３を製造した。

【0067】

ガスアトマイズ法により、５２ａｔ％Ｆｅ－４８ａｔ％Ｐｔの組成を有するＦｅＰｔ合金粉末を得た。ＦｅＰｔ合金粉末は、平均粒径が１５μｍであった。

【0068】

ＦｅＰｔ合金粉末と、六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）粉末（平均粒径１５μｍ）を、体積比６０：４０で混合した後、円盤状に圧縮成形した。次に、１×１０^－３Ｐａの高真空中、焼結温度１０００℃、焼結時間３時間、焼結圧力３００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で、圧縮成形物を焼結し、直径２００ｍｍの焼結体からなるスパッタリングターゲット３を得た。スパッタリングターゲット３は、ＦｅＰｔ合金とｈ－ＢＮから構成されていた。

【0069】

（実施例１）
最初に、２．５インチのガラス基板上に、下地層を成膜した。具体的には、２．５インチのガラス基板上に、第１の下地層として、膜厚５０ｎｍの５０Ｃｏ－５０Ｔｉ（５０ａｔ％のＣｏと５０ａｔ％のＴｉとの合金（以下、同様））膜を成膜した後、ガラス基板を３００℃で加熱した。次に、第２の下地層として、膜厚１２ｎｍの８０Ｃｒ－２０Ｖ膜、第３の下地層として、膜厚４０ｎｍのＷ膜、第４の下地層として、膜厚３ｎｍのＭｇＯ膜をこの順で成膜した。なお、下地層を成膜する際には、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、スパッタガスとしては、Ａｒを用いた。

【0070】

その後、ガラス基板を５２０℃で加熱した。次に、ＲＦスパッタ装置およびスパッタリングターゲット１を用いて、下地層上に、厚さ２ｎｍの磁性層を成膜した。このとき、スパッタガスとして、Ａｒと水素の混合ガス（体積比５：１）を３Ｐａの圧力で導入した。その後、ガラス基板の温度を４８０℃とした。

【0071】

赤外分光光度計（ＩＲ）を用いて、磁性層を分析したところ、Ｃ－Ｈ伸縮振動のピークが存在していることから、磁性層が水素含有アモルファスカーボン（ａ－Ｃ：Ｈ）を含んでいることがわかった。また、Ｃ－Ｈ伸縮振動のピークの強度と、Ｃ－Ｃ伸縮振動のピークの強度から、磁性層中のａ－Ｃ：Ｈおよび水素化されていない炭素の含有量を求めたところ、それぞれ１０体積％および３０体積％であった。

【0072】

その後、磁性層上に、厚さ３ｎｍのＤＬＣからなる保護層を形成した。次に、保護層上に、厚さ１．２ｎｍのパーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂からなる潤滑剤層を形成し、磁気記録媒体を得た。

【0073】

Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、下地層および磁性層を分析したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１_０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。

【0074】

（実施例２）
スパッタリングターゲット１の代わりに、スパッタリングターゲット２を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。

【0075】

赤外分光光度計（ＩＲ）を用いて、磁性層を分析したところ、Ｂ－Ｈ伸縮振動のピークが存在していることから、磁性層が水素含有アモルファスホウ素（ａ－Ｂ：Ｈ）を含んでいることがわかった。また、Ｂ－Ｈ伸縮振動のピークの強度と、Ｂ－Ｂ伸縮振動のピークの強度から、磁性層中のａ－Ｂ：Ｈおよび水素化されていないホウ素の含有量を求めたところ、それぞれ１０体積％および３０体積％であった。

【0076】

Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、下地層および磁性層を分析したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１_０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。

【0077】

（実施例３）
スパッタリングターゲット１の代わりに、スパッタリングターゲット３を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。

【0078】

赤外分光光度計（ＩＲ）を用いて、磁性層を分析したところ、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークが存在していることから、磁性層が水素含有アモルファス窒化ホウ素（ａ－ＢＮ：Ｈ）を含んでいることがわかった。また、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークの強度と、Ｂ－Ｎ伸縮振動のピークの強度から、磁性層中のａ－ＢＮ：Ｈおよび水素化されていない窒化ホウ素の含有量を求めたところ、それぞれ１０体積％および３０体積％であった。

【0079】

Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、下地層および磁性層を分析したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１_０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。

【0080】

（実施例４）
スパッタガス（Ａｒと水素の混合ガス）の体積比を１０：１に変更した以外は、実施例３と同様にして、磁気記録媒体を製造した。

【0081】

赤外分光光度計（ＩＲ）を用いて、磁性層を分析したところ、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークが存在していることから、磁性層が水素含有アモルファス窒化ホウ素（ａ－ＢＮ：Ｈ）を含んでいることがわかった。また、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークの強度と、Ｂ－Ｎ伸縮振動のピークの強度から、磁性層中のａ－ＢＮ：Ｈおよび水素化されていない窒化ホウ素の含有量を求めたところ、それぞれ１３体積％および３７体積％であった。

【0082】

（実施例５）
スパッタガス（Ａｒと水素の混合ガス）の体積比を１５：１に変更した以外は、実施例３と同様にして、磁気記録媒体を製造した。

【0083】

赤外分光光度計（ＩＲ）を用いて、磁性層を分析したところ、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークが存在していることから、磁性層が水素含有アモルファス窒化ホウ素（ａ－ＢＮ：Ｈ）を含んでいることがわかった。また、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークの強度と、Ｂ－Ｎ伸縮振動のピークの強度から、磁性層中のａ－ＢＮ：Ｈおよび水素化されていない窒化ホウ素の含有量を求めたところ、それぞれ１．５体積％および３８．５体積％であった。

【0084】

（実施例６）
スパッタガス（Ａｒと水素の混合ガス）の体積比を３：１に変更した以外は、実施例３と同様にして、磁気記録媒体を製造した。

【0085】

赤外分光光度計（ＩＲ）を用いて、磁性層を分析したところ、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークが存在していることから、磁性層が水素含有アモルファス窒化ホウ素（ａ－ＢＮ：Ｈ）を含んでいることがわかった。また、Ｂ－Ｈ伸縮振動およびＮ－Ｈ伸縮振動のピークの強度と、Ｂ－Ｎ伸縮振動のピークの強度から、磁性層中のａ－ＢＮ：Ｈおよび水素化されていない窒化ホウ素の含有量を求めたところ、それぞれ４０体積％および０体積％であった。

【0086】

（比較例１～３）
磁性層を成膜する際に、スパッタガスとして、Ａｒのみを導入した以外は、実施例１～３と同様にして、磁気記録媒体を製造した。

【0087】

Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、下地層および磁性層を分析したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１_０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。

【0088】

次に、磁気記録媒体のＳＮＲを測定した。

【0089】

（ＳＮＲ）
図３の磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体のＳＮＲを測定した。

【0090】

表１に、磁気記録媒体のＳＮＲの測定結果を示す。

【0091】

【表1】

表１から、実施例１～６の磁気記録媒体は、ＳＮＲが高いことがわかる。

【0092】

これに対して、比較例１～３の磁気記録媒体は、磁性層が、炭素の水素化物、ホウ素の水素化物または窒化ホウ素の水素化物を含んでいないため、ＳＮＲが低い。

【符号の説明】

【0093】

１ 基板
２ 下地層
３ 磁性層
４ 保護層
１００ 磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド

【図1】

【図2】

【図3】