特許 7236703 点灯装置、及び照明器具

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-03-02

(45)【発行日】2023-03-10

(54)【発明の名称】点灯装置、及び照明器具

(51)【国際特許分類】

   H05B 45/30 20200101AFI20230303BHJP

   H02M 3/155 20060101ALI20230303BHJP

【ＦＩ】

H05B45/30

H02M3/155 H

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2019120589

(22)【出願日】2019-06-27

(65)【公開番号】P2021007071

(43)【公開日】2021-01-21

【審査請求日】2022-03-14

(73)【特許権者】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002527

【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】長田 暁

(72)【発明者】

【氏名】林 洋平

(72)【発明者】

【氏名】平山 克利

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 将人

(72)【発明者】

【氏名】上畑 義泰

(72)【発明者】

【氏名】滝北 久也

(72)【発明者】

【氏名】二階堂 和宏

(72)【発明者】

【氏名】山本 真史

【審査官】安食 泰秀

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－１０３００１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０９８１０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１０９９２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２１６０４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２３３２６０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｂ ４５／００

Ｈ０２Ｍ ３／１５５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

交流電圧を入力されて交流電力を直流電力に変換し、直流電圧を光源に出力する電源回路と、
前記光源に直列接続されて、前記光源に流れる負荷電流を調整する電流可変回路と、
前記電流可変回路に生じるフィードバック電圧と所定の目標電圧との差分に応じた電流を誤差電流として出力する誤差検出部と、
前記誤差電流が流れる補償抵抗と補償コンデンサとの直列回路を有するゲイン設定回路と、
前記直列回路に生じる電圧に応じて前記電源回路を制御して、前記直流電圧をフィードバック制御する電圧制御部と、を備え、
前記補償コンデンサの容量をα、前記補償抵抗の抵抗値をβ、前記誤差電流の最大値をＩｍとした場合に、
前記補償コンデンサの容量αと前記誤差電流の最大値Ｉｍとの比率は、前記光源の全調光範囲に亘って前記交流電圧の周期と前記フィードバック電圧の周期とが一致するように設定され、
かつ、
１／（２・π・α・β）は、前記交流電圧の周波数の２倍値に一致する
点灯装置。

【請求項2】

前記補償コンデンサの容量αと前記誤差電流の最大値Ｉｍとの比率はＩｍ／αであり、前記比率は所定の閾値未満に設定されている
請求項１の点灯装置。

【請求項3】

前記閾値は２０である
請求項２の点灯装置。

【請求項4】

前記ゲイン設定回路は、前記補償抵抗と前記補償コンデンサとの直列回路に並列接続された別の補償コンデンサをさらに有する
請求項１乃至３のいずれか一つの点灯装置。

【請求項5】

前記電源回路は、スイッチング素子を有し、
前記電圧制御部は、前記交流電力の力率を改善する力率改善回路及び前記交流電力を前記直流電力に変換する電力変換回路として前記電源回路が機能するように、前記スイッチング素子をスイッチング制御する
請求項１乃至４のいずれか一つの点灯装置。

【請求項6】

前記電源回路は、ＳＥＰＩＣ回路を備える
請求項５の点灯装置。

【請求項7】

前記電流可変回路は、
前記負荷電流が流れるトランジスタと検出抵抗との直列回路と、
前記検出抵抗の両端電圧が基準電圧に一致するように前記トランジスタを制御して前記負荷電流を調節する電流制御部と、備える
請求項１乃至６のいずれか一項の点灯装置。

【請求項8】

前記フィードバック電圧は、前記トランジスタと前記検出抵抗との直列回路の両端電圧である
請求項７の点灯装置。

【請求項9】

請求項１乃至８のいずれか一項の点灯装置と、前記点灯装置から直流電力を供給される光源と、前記点灯装置及び前記光源の少なくとも一方を支持する器具本体とを備える
照明器具。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、点灯装置、及び照明器具に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１の照明装置は電源ユニットを備え、電源ユニットは、交流電圧を入力されて、直流電圧を光源に出力する。電源ユニットの主回路は、ＳＥＰＩＣ（Single Ended Primary Inductor Converter）回路であり、力率改善回路の機能とＤＣ／ＤＣコンバータ回路の機能を備えた１コンバータ方式の電源変換回路で構成される。電源ユニットの制御部は、光源に直列に接続されている検出抵抗を通じて検出される検出電圧に基づいて、主回路のスイッチング素子のスイッチング動作をフィードバック制御する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－６１８０３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述の特許文献１のような電源ユニット（点灯装置）では、力率を改善するためにフィードバック制御のフィードバックゲインを低い値に抑える必要がある。しかしながら、フィードバックゲインを低い値に抑えると、起動直後に光源の光がちらつくことがある。

【0005】

本開示の目的とするところは、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる点灯装置、及び照明器具を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様に係る点灯装置は、電源回路と、電流可変回路と、誤差検出部と、ゲイン設定回路と、電圧制御部と、を備える。前記電源回路は、交流電圧を入力されて交流電力を直流電力に変換し、直流電圧を光源に出力する。前記電流可変回路は、前記光源に直列接続されて、前記光源に流れる負荷電流を調整する。前記誤差検出部は、前記電流可変回路に生じるフィードバック電圧と所定の目標電圧との差分に応じた電流を誤差電流として出力する。前記ゲイン設定回路は、前記誤差電流が流れる補償抵抗と補償コンデンサとの直列回路を有する。前記電圧制御部は、前記直列回路に生じる電圧に応じて前記電源回路を制御して、前記直流電圧をフィードバック制御する。前記補償コンデンサの容量をα、前記補償抵抗の抵抗値をβ、前記誤差電流の最大値をＩｍとした場合に、前記補償コンデンサの容量αと前記誤差電流の最大値Ｉｍとの比率は、前記光源の全調光範囲に亘って前記交流電圧の周期と前記フィードバック電圧の周期とが一致するように設定される。かつ、１／（２・π・α・β）は、前記交流電圧の周波数の２倍値に一致する。

【0007】

本開示の一態様に係る照明器具は、上述の点灯装置と、前記点灯装置から直流電力を供給される光源と、前記点灯装置及び前記光源の少なくとも一方を支持する器具本体とを備える。

【発明の効果】

【0008】

以上説明したように、本開示では、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、実施形態に係る点灯装置を示すブロック図である。

【図2】図２は、比較例の点灯装置を示すブロック図である。

【図3】図３は、比較例の各部の波形を示す図である。

【図4】図４Ａは、実施形態に係る点灯装置において非発振時の各部の波形を示す図である。図４Ｂは、発振時の各部の波形を示す図である。

【図5】図５は、同上の点灯装置の動作を説明するための図である。

【図6】図６は、同上の点灯装置の別の動作を説明するための図である。

【図7】図７は、同上の点灯装置のＯＫ領域における各部の波形を示す図である。

【図8】図８は、同上の点灯装置のＮＧ領域における各部の波形を示す図である。

【図9】図９は、同上の点灯装置のＮＧ領域における各部の別の波形を示す図である。

【図10】図１０は、同上の点灯装置のＯＫ領域における各部の別の波形を示す図である。

【図11】図１１は、同上の点灯装置の変形例を示すブロック図である。

【図12】図１２は、同上の点灯装置のフィードバックゲイン特性を示すブロック図である。

【図13】図１３は、実施形態に係る照明器具を示す斜視図である。

【図14】図１４は、同上の照明器具の分解斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下の実施形態は、一般に、点灯装置、および照明器具に関する。より詳細には、以下の実施形態は、交流電力を入力されて、直流電力を光源に供給する点灯装置、および照明器具に関する。

【0011】

以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

【0012】

（１）基本構成
図１は、本実施形態の点灯装置１の回路構成を示す。

【0013】

点灯装置１は、電源回路１１と、電流可変回路１２と、制御回路１３と、ゲイン設定回路１４とを、主構成として備える。

【0014】

電源回路１１の入力端は、交流電源９に電気的に接続している。交流電源９は、１００Ｖ系又は２００Ｖ系の商用電力系統である。電源回路１１は、交流電源９から交流電力を供給され、交流電力を電力変換して直流電力を生成し、生成した直流電力を光源２へ供給する。交流電源９の電圧は交流電圧Ｖｉであり、交流電圧Ｖｉが電源回路１１に入力され、交流電源９から電源回路１１には交流電流Ｉｉが供給される。

【0015】

電源回路１１は、昇降圧機能及び昇圧機能のいずれかを有するワンコンバータ（又はシングルステージコンバータ）のスイッチング電源回路である。ワンコンバータでは、交流電力の力率を改善する力率改善回路と、交流電力を直流電力に変換する電力変換回路とが一体に構成されており、部品点数の低減、及び高効率化を図っている。すなわち、電源回路１１は、力率改善回路、及び電力変換回路として機能することができる。電源回路１１が昇降圧機能を有する場合、電源回路１１は、ＳＥＰＩＣ（Single Ended Primary Inductor Converter）回路、ＣＵＫ回路、及びＺＥＴＡ回路のいずれかの構成を備えることが好ましい。

【0016】

図１の電源回路１１は、整流回路１１１、及びコンバータ１１２を備えており、コンバータ１１２は、ＳＥＰＩＣ回路を構成している。

【0017】

整流回路１１１は、フルブリッジ接続された４個のダイオードを有するダイオードブリッジ１１ａ、及びコンデンサ１１ｂを備える。コンデンサ１１ｂは、ダイオードブリッジ１１ａの出力端間に接続される。ダイオードブリッジ１１ａは、交流電源９から入力された交流電圧Ｖｉを全波整流し、コンデンサ１１ｂの両端間には直流の脈流電圧が生成される。整流回路１１１が出力する脈流電圧は、コンバータ１１２に入力される。コンデンサ１１ｂの負極がグランドに接続されており、コンデンサ１１ｂの負極の電位がグランド電位になる。

【0018】

コンバータ１１２は、整流回路１１１から脈流電圧を入力されて、直流の出力電圧Ｖｏを出力する。コンバータ１１２は、制御回路１３によって制御される。

【0019】

具体的に、コンバータ１１２は、インダクタ１１ｃ，１１ｉ、コンデンサ１１ｄ、ダイオード１１ｅ、出力コンデンサ１１ｆ、スイッチング素子１１ｇ、及び抵抗１１ｈを備えて、ＳＥＰＩＣ回路を構成する。インダクタ１１ｃとインダクタ１１ｉとは、同じ鉄心に巻き回されていてもよいし、それぞれ別の鉄心に巻き回されていてもよい。コンデンサ１１ｂの正極（脈流電圧の高電位）と負極（脈流電圧の負電位）との間には、正極からインダクタ１１ｃ、コンデンサ１１ｄ、ダイオード１１ｅ、出力コンデンサ１１ｆを順に接続した直列回路が接続されている。インダクタ１１ｃとコンデンサ１１ｄとの接続点とコンデンサ１１ｂの負極との間には、スイッチング素子１１ｇと抵抗１１ｈとの直列回路が接続されている。図１のスイッチング素子１１ｇは、Ｎチャネルのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）である。スイッチング素子１１ｇのドレインは、インダクタ１１ｃとコンデンサ１１ｄとの接続点に接続され、スイッチング素子１１ｇのソースは抵抗１１ｈの一端に接続される。抵抗１１ｈの他端は、コンデンサ１１ｂの負極に接続される。なお、スイッチング素子１１ｇは、ＭＯＳＦＥＴ以外に、例えばバイポーラトランジスタなどの他の半導体スイッチング素子であってもよい。

【0020】

コンデンサ１１ｄとダイオード１１ｅとの接続点とコンデンサ１１ｂの負極との間には、インダクタ１１ｉが接続されている。そして、出力コンデンサ１１ｆの両端電圧が出力電圧Ｖｏになる。なお、ダイオード１１ｅのアノードはコンデンサ１１ｄに接続され、ダイオード１１ｅのカソードは出力コンデンサ１１ｆの正極（出力電圧Ｖｏの高電位）に接続されている。

【0021】

そして、スイッチング素子１１ｇがオンすると、コンデンサ１１ｂの正極、インダクタ１１ｃ、スイッチング素子１１ｇ、抵抗１１ｈ、コンデンサ１１ｂの負極の順序で電流が流れて、インダクタ１１ｃにエネルギー（磁気エネルギー）が蓄積される。また、スイッチング素子１１ｇがオンすると、コンデンサ１１ｄ、スイッチング素子１１ｇ、抵抗１１ｈ、インダクタ１１ｉ、コンデンサ１１ｄの順序で電流が流れて、インダクタ１１ｉにエネルギー（磁気エネルギー）が蓄積される。

【0022】

次に、スイッチング素子１１ｇがオフすると、インダクタ１１ｃ及びインダクタ１１ｉに蓄積されているエネルギーによって、出力コンデンサ１１ｆが充電される。また、スイッチング素子１１ｇがオフすると、インダクタ１１ｃを通じて脈流電圧によってコンデンサ１１ｄが充電される。

【0023】

そして、スイッチング素子１１ｇがオンオフすることによって、脈流電圧を入力とする昇降圧動作が行われ、出力コンデンサ１１ｆの両端間に直流の出力電圧Ｖｏが発生する。電源回路１１は、出力電圧Ｖｏを出力する。

【0024】

電源回路１１の出力端間（出力コンデンサ１１ｆの両端間）には、光源２と電流可変回路１２との直列回路が接続されている。光源２と電流可変回路１２との直列回路には、出力電圧Ｖｏが印加される。光源２に流れる負荷電流Ｉｏは、電流可変回路１２によって制御される。電流可変回路１２は、負荷電流Ｉｏを制御することで光源２の光出力を調整し、光源２の点灯、消灯、及び調光を行うことができる。

【0025】

光源２は、固体発光素子としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いており、直列接続された複数のＬＥＤを備える。隣り合う一対のＬＥＤでは、一方のＬＥＤのカソードが、他方のＬＥＤのアノードに接続している。光源２は、高電位側をアノード側とし、低電位側をカソード側とする。この場合、光源２のアノード側は、出力コンデンサ１１ｆの正極に接続している。光源２のカソード側は、電流可変回路１２に接続している。

【0026】

電流可変回路１２は、ＦＥＴ１２１（トランジスタ）と、電流制御部１２２とを備える。

【0027】

ＦＥＴ１２１は、Ｎチャネルのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであり、ＦＥＴ１２１のドレインは、光源２のカソード側に接続している。なお、ＦＥＴ１２１の代わりに、例えばバイポーラトランジスタなどの他のトランジスタを用いてもよい。

【0028】

電流制御部１２２は、オペアンプ１２ａと、抵抗１２ｂ，１２ｃと、検出抵抗１２ｄとを備える。ＦＥＴ１２１のソースは、検出抵抗１２ｄの一端に接続している。検出抵抗１２ｄの他端は、出力コンデンサ１１ｆの負極に接続している。すなわち、電源回路１１の出力端間には、光源２とＦＥＴ１２１と検出抵抗１２ｄとの直列回路が接続している。

【0029】

抵抗１２ｂの一端は、ＦＥＴ１２１のソースに接続し、抵抗１２ｂの他端は、オペアンプ１２ａの－側入力端子に接続している。すなわち、ＦＥＴ１２１のソースと検出抵抗１２ｄとの接続点は、抵抗１２ｂを介してオペアンプ１２ａの－側入力端子に接続している。また、オペアンプ１２ａの＋側入力端子には、制御回路１３から基準電圧Ｖｒ２が入力される。また、オペアンプ１２ａの出力端子と－側入力端子との間には、抵抗１２ｃが接続されている。さらに、オペアンプ１２ａの出力端子は、ＦＥＴ１２１のゲートに接続している。そして、電流制御部１２２は、ＦＥＴ１２１のゲート電圧を制御することで、ＦＥＴ１２１と検出抵抗１２ｄとの直列回路に流れる負荷電流Ｉｏを調節できる。

【0030】

本実施形態では、ＦＥＴ１２１と検出抵抗１２ｄとの直列回路の両端電圧（ＦＥＴ１２１のドレインと出力コンデンサ１１ｆの負極との間の電圧）をフィードバック電圧Ｖｂとする。このフィードバック電圧Ｖｂは、ＦＥＴ１２１の両端電圧（ドレイン－ソース間電圧）を含む。本実施形態では、フィードバック電圧Ｖｂは、ＦＥＴ１２１と検出抵抗１２ｄとの直列回路の両端電圧である。フィードバック電圧Ｖｂは、制御回路１３の入力ポートＰ３に入力される。入力ポートＰ３には、例えば制御回路１３のＦＢ（Feedback）ポートを用いることができる。

【0031】

図１の制御回路１３は、誤差検出部１３１、及び電圧制御部１３２を備える。誤差検出部１３１は、電流源に相当し、例えば電流出力のエラーアンプなどのハードウェアで構成される。電圧制御部１３２は、ＳＥＰＩＣ回路の制御ＩＣで構成される。また、電圧制御部１３２は、例えばプロセッサ及びメモリを有するマイクロコンピュータなどのコンピュータを有していてもよい。この場合、プロセッサがメモリに格納されているプログラムを実行することにより、コンピュータが電圧制御部１３２として機能する。プロセッサが実行するプログラムは、ここではコンピュータのメモリに予め記録されているが、メモリカード等の非一時的な記録媒体に記録されて提供されてもよいし、インターネット等の電気通信回線を通じて提供されてもよい。また、電圧制御部１３２は、ディスクリート部品を組み合わせて構成されてもよい。

【0032】

制御回路１３の設定ポートＰ４には、誤差検出部１３１のゲイン（フィードバックゲイン）を設定するためのゲイン設定回路１４が接続される。ゲイン設定回路１４は、位相補償用の抵抗である補償抵抗Ｒ１と、位相補償用のコンデンサである補償コンデンサＣ１との直列回路を、ＲＣ直列回路１４０として有する。設定ポートＰ４には、例えば制御回路１３のｃｏｍｐ（phase compensation）ポートを用いることができる。フィードバックゲインは、フィードバック系のゲインに相当する。

【0033】

そして、制御回路１３は、電源回路１１が、交流電源９から供給される交流電力の力率を改善する力率改善回路、及び交流電力を直流電力に変換する電力変換回路として機能するように、スイッチング素子１１ｇをスイッチング制御する。すなわち、制御回路１３は、電源回路１１を制御することで、出力電圧Ｖｏを制御することができる。さらに、制御回路１３は、基準電圧Ｖｒ２を生成し、ＤＣポートＰ２から基準電圧Ｖｒ２を電流制御部１２２へ出力する。すなわち、制御回路１３は、基準電圧Ｖｒ２の値を調整することで、負荷電流Ｉｏを制御することができる。

【0034】

なお、光源２は、ＬＥＤに限らず、有機ＥＬ（Organic Electro Luminescence、OEL）、または半導体レーザ（Laser Diode、LD）などの他の固体発光素子を有していてもよい。

【0035】

（２）電流制御
以下、負荷電流Ｉｏの制御について説明する。

【0036】

電流可変回路１２のオペアンプ１２ａの＋側入力端子には基準電圧Ｖｒ２が入力されている。そして、オペアンプ１２ａは、イマジナリショート（Imaginary Short）の作用によって、オペアンプ１２ａの－側入力端子の電位が基準電圧Ｖｒ２に等しくなるように出力電圧を調整する。つまり、負荷電流Ｉｏによって生じる検出抵抗１２ｄの両端電圧が基準電圧Ｖｒ２に等しくなるように、オペアンプ１２ａは出力電圧を調整する。

【0037】

そして、オペアンプ１２ａの出力電圧はＦＥＴ１２１のゲートに印加されるため、基準電圧Ｖｒ２によってＦＥＴ１２１のゲート電圧（ゲート－ソース間電圧）が決まる。電流制御部１２２は、ＦＥＴ１２１のゲート電圧を調整することで、負荷電流Ｉｏ（ＦＥＴ１２１のドレイン電流）を制御することができる。したがって、制御回路１３が、外部からの指示信号などに応じた基準電圧Ｖｒ２を設定することで、光源２の光出力が制御される。

【0038】

（３）電圧制御
以下、出力電圧Ｖｏのフィードバック制御について説明する。

【0039】

誤差検出部１３１は、入力ポートＰ３を介してフィードバック電圧Ｖｂを受け取る。そして、誤差検出部１３１は、フィードバック電圧Ｖｂから目標電圧Ｖｒ１を差し引いた差分電圧に応じた大きさの電流を誤差電流Ｉｅとして出力する。誤差検出部１３１は、フィードバック電圧Ｖｂと目標電圧Ｖｒ１との大小関係に応じて、誤差電流Ｉｅを吐き出すソース（source）動作、及び誤差電流Ｉｅを引き込むシンク（sink）動作を切り換える。誤差検出部１３１は、フィードバック電圧Ｖｂが目標電圧Ｖｒ１より大きければ、ソース動作及びシンク動作の一方を行い、フィードバック電圧Ｖｂが目標電圧Ｖｒ１より小さければ、ソース動作及びシンク動作の他方を行う。また、誤差検出部１３１は、差分電圧の絶対値が大きいほど、誤差電流Ｉｅの絶対値を大きくすることが好ましく、例えば誤差電流Ｉｅの絶対値は差分電圧の絶対値に比例する。

【0040】

誤差検出部１３１の出力端は、設定ポートＰ４及びゲイン設定回路１４を介してグランドに接続している。誤差電流Ｉｅは、設定ポートＰ４を介してゲイン設定回路１４に供給され、ＲＣ直列回路１４０を通ってグランドに流れ込む。誤差検出部１３１がソース動作を行えば補償コンデンサＣ１は補償抵抗Ｒ１を介して充電され、ＲＣ直列回路１４０の両端電圧は増加する。誤差検出部１３１がシンク動作を行えば、補償コンデンサＣ１は補償抵抗Ｒ１を介して放電され、ＲＣ直列回路１４０の両端電圧は低下する。ＲＣ直列回路１４０の両端電圧は、誤差信号Ｙ１として電圧制御部１３２に入力される。

【0041】

電圧制御部１３２は、誤差信号Ｙ１を受け取り、誤差信号Ｙ１に基づいて駆動信号Ｙ２を生成し、駆動信号Ｙ２を出力ポートＰ１からスイッチング素子１１ｇのゲートへ出力する。駆動信号Ｙ２は、スイッチング素子１１ｇをスイッチング制御するための電圧信号である。駆動信号Ｙ２の電圧値がＨ（Ｈｉｇｈ）レベルであれば、スイッチング素子１１ｇはオンし、駆動信号Ｙ２の電圧値がＬ（Ｌｏｗ）レベルであれば、スイッチング素子１１ｇはオフする。

【0042】

電圧制御部１３２は、スイッチング素子１１ｇを繰り返しオンオフさせるスイッチング制御を駆動信号Ｙ２によって行うことで、電源回路１１を力率改善回路及び電力変換回路として機能させる。具体的に、電圧制御部１３２は、スイッチング素子１１ｇを一定の周期毎にターンオンさせ、誤差信号Ｙ１に基づいてオン期間を調整することで、出力電圧Ｖｏを制御する。電圧制御部１３２は、誤差信号Ｙ１に基づいて、フィードバック電圧Ｖｂが目標電圧Ｖｒ１に一致するように（差分電圧が０（ゼロ）になるように）、スイッチング素子１１ｇのオン期間を調整して、出力電圧Ｖｏをフィードバック制御する。目標電圧Ｖｒ１は、光源２を点灯可能、かつ、できるだけ低い値に設定されることが好ましく、光源２の順方向電圧Ｖｆの最大値に一定値（例えば２～３Ｖ程度）を加算した値になる。したがって、ＦＥＴ１２１のドレイン－ソース間電圧は、目標電圧Ｖｒ１から検出抵抗１２ｄでの電圧降下を引いた値に維持され、ＦＥＴ１２１の電力損失を抑制することができる。

【0043】

なお、制御回路１３は、抵抗１１ｈの両端電圧を監視し、抵抗１１ｈの両端電圧が上限値を上回れば、スイッチング素子１１ｇのドレイン電流が過大になる過電流異常を検出することが好ましい。制御回路１３は、過電流異常を検出すると、例えばスイッチング素子１１ｇのスイッチング制御を停止して、スイッチング素子１１ｇをオフ状態に維持する。

【0044】

（４）比較例
図２は、比較例の点灯装置１０の回路構成を示す。

【0045】

図２の点灯装置１０は、図１の点灯装置１のゲイン設定回路１４の代わりにゲイン設定回路１５を備える。なお、図１の点灯装置１と同様の構成には同一の符号を付して、説明を省略する。

【0046】

ゲイン設定回路１５では、設定ポートＰ４とグランドとの間に補償コンデンサＣ１０が接続されている。誤差電流Ｉｅは、補償コンデンサＣ１０を流れる。誤差検出部１３１がソース動作を行えば補償コンデンサＣ１０は充電され、補償コンデンサＣ１０の両端電圧は増加する。誤差検出部１３１がシンク動作を行えば、補償コンデンサＣ１０は放電され、補償コンデンサＣ１０の両端電圧は低下する。補償コンデンサＣ１０の両端電圧は、誤差信号Ｙ１０として電圧制御部１３２に入力される。

【0047】

電圧制御部１３２は、誤差信号Ｙ１０を受け取り、誤差信号Ｙ１０に基づいて駆動信号Ｙ２０を生成し、駆動信号Ｙ２０をスイッチング素子１１ｇのゲートへ出力する。電圧制御部１３２は、スイッチング素子１１ｇを繰り返しオンオフさせるスイッチング制御を駆動信号Ｙ２０によって行うことで、電源回路１１を力率改善回路及び電力変換回路として機能させる。具体的に、電圧制御部１３２は、スイッチング素子１１ｇを一定の周期毎にターンオンさせ、誤差信号Ｙ１０に基づいてオン期間を調整することで、出力電圧Ｖｏを制御する。

【0048】

このように、フィードバック電圧Ｖｂに基づいてスイッチング素子１１ｇのオン幅を調整する出力電圧Ｖｏのフィードバック制御において、電源回路１１を力率改善回路として機能させるためには、誤差検出部１３１のゲインを比較的低く抑えたい。しかし、誤差検出部１３１のゲインを低くするほど、フィードバック制御の応答速度が遅くなる。この結果、出力電圧Ｖｏのフィードバック制御（スイッチング素子１１ｇのオン幅の制御）がコンバータ１１２の入力の変化に追従し難くなり、光源２の光がちらつくことがある。この光源２の光のちらつきは、点灯装置１０の起動直後に発生しやすく、コンバータ１１２の入力電圧が比較的低いときに顕著になる。

【0049】

図３は、上段から順に、比較例の点灯装置１０における交流電圧Ｖｉ、駆動信号Ｙ２０、フィードバック電圧Ｖｂ、及び負荷電流Ｉｏの各波形を示す。

【0050】

交流電源９が投入された（時間ｔ１）後、電圧制御部１３２が起動して駆動信号Ｙ２０の出力を開始すると（時間ｔ２）、スイッチング素子１１ｇがオンオフして、出力電圧Ｖｏが０（ゼロ）から増加し、フィードバック電圧Ｖｂも０から増加する。しかし、誤差検出部１３１のゲインが低すぎるために、起動直後の出力電圧Ｖｏのフィードバック制御は不安定になり、フィードバック電圧Ｖｂは、目標電圧Ｖｒ１に振動しながら徐々に近付く（減衰）。このとき、フィードバック電圧Ｖｂが電流可変回路１２の制御限界である限界値Ｖａ１未満にまで低下すると（時間ｔ３～ｔ４）、負荷電流Ｉｏが一瞬落ち込み、光源２の光量も一瞬低下して、光源２の光がちらついてしまう。限界値Ｖａ１は、ＦＥＴ１２１のオン抵抗と負荷電流Ｉｏとの乗算値である。

【0051】

そこで、光源２の光のちらつきを改善するために、補償コンデンサＣ１０の容量を小さくして、フィードバック制御の応答速度を速くすることが考えられる。しかし、補償コンデンサＣ１０の容量を小さくし過ぎると、交流電源９の周波数（商用周波数：５０Ｈｚ又は６０Ｈｚ）において、誤差信号Ｙ１０が発振しやすくなる。すなわち、商用周波数において、フィードバック（フィードバック系）が発振しやすくなる。この結果、交流電流Ｉｉの波形が歪み、力率が低下することがある。

【0052】

（５）本実施形態におけるゲイン設定
そこで、本実施形態では、以下のようにフィードバックゲインを設定する。

【0053】

ゲイン設定回路１４は、補償抵抗Ｒ１と補償コンデンサＣ１との直列回路を、ＲＣ直列回路１４０として備える。そして、補償コンデンサＣ１の容量をα、補償抵抗Ｒ１の抵抗値をβ、誤差電流Ｉｅの最大値をＩｍとした場合に、α、β、及びＩｍは、以下の条件（１）、及び条件（２）を満たす。なお、誤差電流Ｉｅの最大値Ｉｍは、誤差検出部１３１のソース動作及びシンク動作における誤差電流Ｉｅの絶対値の最大値である。

【0054】

条件（１）：αとＩｍとの比率は、光源２の全調光範囲に亘って交流電圧Ｖｉの周期とフィードバック電圧Ｖｂの周期とが一致するように設定される。なお、「交流電圧Ｖｉの周期とフィードバック電圧Ｖｂの周期とが一致する」とは、点灯装置１に供給される交流電力の力率が所定値（例えば０．８５以上）以上に維持される程度に、交流電圧Ｖｉの周期とフィードバック電圧Ｖｂの周期とが重なっていることを意味する。

【0055】

条件（２）：フィードバック系の零点に対応する１／（２・π・α・β）は、交流電圧Ｖｉの周波数（商用周波数）の２倍値に一致する。なお、「１／（２・π・α・β）は、交流電圧Ｖｉの周波数（商用周波数）の２倍値に一致する」とは、１／（２・π・α・β）が、商用周波数の２倍値に完全に一致するだけでなく、商用周波数の２倍値を基準として設定された所定範囲内に収まっていることも含む。すなわち、１／（２・π・α・β）は、光源２の光のちらつきを抑制できる程度に、商用周波数の２倍値を基準として設定された所定範囲内に収まっていればよい。

【0056】

条件（１）は、全調光範囲に亘って商用周波数でフィードバックが発振しないようにするための条件である。条件（１）が満たされれば、フィードバックが発振せず、図４Ａに示すように、交流電流Ｉｉの波形が商用周波数の正弦波状となる。この結果、交流電圧Ｖｉの周期と交流電流Ｉｉの周期とが一致し、力率は高い値（例えば０．８５以上）に維持される。条件（１）が満たされなければ、フィードバックが発振し、図４Ｂに示すように、交流電流Ｉｉの波形が商用周波数の１／２の周波数の歪んだ波形となり、図４Ａに比べて力率は低下する。

【0057】

さらに、αとＩｍとの比率をＩｍ／αとすると、比率Ｉｍ／αは、所定の閾値未満に設定されていることが好ましい。閾値は、全調光範囲に亘って交流電圧Ｖｉの周期とフィードバック電圧Ｖｂの周期とが一致するように設定される。閾値は、例えば以下のように求められる。

【0058】

点灯装置１を全調光範囲に亘って動作させ、α及びＩｍの少なくとも一方を複数の値のそれぞれに順次設定し、各設定における交流電力の力率を求める。通常、誤差電流Ｉｅの最大値Ｉｍは、誤差検出部１３１の仕様によって一義に決まるので、容量αを複数の値のそれぞれに順次設定する。そして、力率が０．８５以上になる各設定の比率Ｉｍ／αに基づいて閾値を求めることができる。閾値は、力率が０．８５以上になる各設定の比率Ｉｍ／αのうちの最小値であることが好ましいが、各設定の比率Ｉｍ／αの平均値、最大値、及び中央値などのいずれであってもよい。

【0059】

なお、全調光範囲とは、点灯装置１の仕様として予め決められている調光範囲である。全調光範囲は、例えば消灯から全点灯に至る範囲、所定の調光レベルから全点灯に至る範囲、消灯から所定の調光レベルに至る範囲、及び第１調光レベルから第２調光レベルに至る範囲のいずれであってもよい。また、全調光範囲は、不連続な複数の範囲であってもよい。

【0060】

条件（２）は、光源２の光のちらつきを抑制するための条件である。条件（２）では、１／（２・π・α・β）が、商用周波数の２倍値に一致することが好ましい。しかし、１／（２・π・α・β）は、商用周波数の２倍値に一致していなくても、光源２の光のちらつきを抑制できる程度に、商用周波数の２倍値を基準として設定された所定範囲内に収まっていればよい。

【0061】

点灯装置１では、補償コンデンサＣ１の容量α、補償抵抗Ｒ１の抵抗値β、及び誤差電流Ｉｅの最大値Ｉｍが、上述の条件（１）及び条件（２）を満たすように設定されている。したがって、点灯装置１のフィードバック制御には、力率改善とちらつきの低減との両立を可能とするフィードバックゲインが設定されている。すなわち、点灯装置１は、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0062】

次に、点灯装置１には、当該点灯装置の仕様を保障できる交流電圧Ｖｉ（定格入力電圧）の範囲が予め定められている。そして、公称電圧が異なる複数の電力系統に対応できるように、点灯装置の定格入力電圧が、複数の公称電圧を含む広い範囲に設定されることがある。本実施形態の点灯装置１は、交流電源９が１００Ｖ系及び２００Ｖ系の商用電力系統のいずれであっても、動作可能である。

【0063】

図５は、交流電源９の交流電圧Ｖｉの実効値が２５４Ｖである場合の点灯装置１の動作を示す。図５は、横軸に比率Ｉｍ／αを表し、縦軸に調光レベルを表す座標平面である。そして、図５は、比率Ｉｍ／αと調光レベルの各組合せに対する点灯装置１の動作を座標平面に対応付けている。以降、座標平面の任意の点を（比率、調光レベル）で表すことがある。

【0064】

座標平面は、２つの直線Ｌ１、Ｌ２によって３つの領域に分割されている。直線Ｌ１は、正の傾きでＱ１（２０、０）を通る直線である。直線Ｌ２は、正の傾きでＱ２（４０、０）を通る直線である。直線Ｌ１の傾きは、直線Ｌ２の傾きより大きい。そして、直線Ｌ１と横軸と縦軸とで囲まれた領域をＯＫ領域Ｇ１とする。直線Ｌ１、Ｌ２と横軸とで囲まれた領域をＮＧ領域Ｇ２とする。直線Ｌ２と横軸とで囲まれた領域をＯＫ領域Ｇ３とする。ＯＫ領域Ｇ１、Ｇ３は、フィードバックが発振せずに、力率が０．８５以上となる領域である。ＮＧ領域Ｇ２は、フィードバックが発振して、力率が０．８５未満となる領域である。

【0065】

例えば、消灯から全点灯に至る範囲（調光レベル０％～１００％）を全調光範囲とする場合、全調光範囲においてフィードバックが発振せずに、力率が０．８５以上となるためには、比率Ｉｍ／αを閾値２０未満に設定することが好ましい。したがって、交流電圧Ｖｉの実効値が２５４Ｖである場合に、全調光範囲において力率改善を実現するためには、比率Ｉｍ／αを閾値２０未満に設定する。例えば、誤差電流Ｉｅの最大値Ｉｍが２０μＡであれば、補償コンデンサＣ１の容量αは１μＦより大きくなる。

【0066】

図６は、交流電源９の交流電圧Ｖｉの実効値が１００Ｖである場合の点灯装置１の動作を示す。図６では、直線Ｌ１と直線Ｌ２とで囲まれた全領域がＯＫ領域Ｇ１１になる。したがって、交流電圧Ｖｉの実効値が１００Ｖである場合には、比率Ｉｍ／αを２００程度まで大きくしても、全調光範囲において力率改善を実現することができる。

【0067】

図７～図１０は、交流電圧Ｖｉ及びフィードバック電圧Ｖｂの各波形を示す。フィードバック電圧Ｖｂには、交流電流Ｉｉの変化が同様に反映されている。

【0068】

図７は、点灯装置１がＯＫ領域Ｇ１（図５参照）で動作したときの各波形であり、交流電圧Ｖｉの周期とフィードバック電圧Ｖｂの周期とが一致している。フィードバック電圧Ｖｂは正弦波状に変動している。したがって、図７では、フィードバックが発振せずに、力率が０．８５以上となる。ＯＫ領域Ｇ１内で調光レベルが徐々に低下すると、フィードバック電圧Ｖｂの大きさが徐々に低下する。

【0069】

図８は、点灯装置１がＮＧ領域Ｇ２（図５参照）で動作したときの各波形であり、フィードバック電圧Ｖｂの波形が商用周波数の１／２の周波数の歪んだ波形となる。すなわち、図８では、光源２の消費電力（負荷の重さ）と比率Ｉｍ／α（又はフィードバックゲイン）とのバランスがとれておらず、フィードバックが発振して、力率が０．８５未満となる。

【0070】

図９は、点灯装置１がＮＧ領域Ｇ２で図８の調光レベルよりも低い調光レベルで動作したときの各波形である。フィードバック電圧Ｖｂの波形が歪んだまま、フィードバック電圧Ｖｂの大きさが図８よりも小さくなっている。

【0071】

図１０は、点灯装置１がＯＫ領域Ｇ３（図５参照）で動作したときの各波形であり、交流電圧Ｖｉの周期とフィードバック電圧Ｖｂの周期とが一致している。フィードバック電圧Ｖｂは正弦波状に変動し、フィードバック電圧Ｖｂの大きさが図７よりも小さくなっている。したがって、図１０では、フィードバックが発振せずに、力率が０．８５以上となる。

【0072】

（６）ゲイン設定の変形例
図１１は、点灯装置１の変形例を示す。変形例では、図１のゲイン設定回路１４の代わりにゲイン設定回路１４Ａを備える。なお、図１の点灯装置１と同様の構成には同一の符号を付して、説明を省略する。

【0073】

ゲイン設定回路１４Ａは、ＲＣ直列回路１４０に並列接続された補償コンデンサＣ２（別のコンデンサ）を更に備える。補償コンデンサＣ２は、フィードバック系に極を与える。図１２は、ゲイン設定回路１４Ａによるフィードバックゲイン（誤差検出部１３１のゲイン）の周波数特性を示す。図１２中の周波数ｆ１は、フィードバック系の零点に対応する１／（２・π・α・β）に等しい。図１２中の周波数ｆ２は、フィードバック系の極に対応する。周波数ｆ２は、周波数ｆ１より高く、補償コンデンサＣ２の容量によって決まる。そして、周波数ｆ１より低い低周波域では、周波数の増加に伴ってフィードバックゲインは低下する。周波数ｆ１～ｆ２の周波数域では、フィードバックゲインはほぼ一定に維持される。周波数ｆ２より低い高周波域では、周波数の増加に伴ってフィードバックゲインは低下する。すなわち、補償コンデンサＣ２は、高周波域でのフィードバックゲインを抑える機能を有する。したがって、補償コンデンサＣ２によってフィードバック系の安定性が向上する。

【0074】

（７）照明器具
本開示の照明器具Ｂ１について、図１３及び図１４を参照して説明する。

【0075】

照明器具Ｂ１は、図１３及び図１４に示すように、光源ユニット６と、光源ユニット６を支持する器具本体７とを備える。光源ユニット６は、天井に直付けされる器具本体７に着脱可能に取り付けられる。ただし、器具本体７は、天井に埋め込まれてもよいし、あるいは、壁に直付けされてもよいし、壁に埋め込まれてもよい。

【0076】

器具本体７は、下面が開放された矩形箱状の収容部７０と、収容部７０の長手方向に沿った両側の開口端縁より斜め上向きに突出する一対の反射板７１と、収容部７０及び一対の反射板７１の長手方向の両端に設けられた一対のエンド板７２とを備える（図１４参照）。器具本体７は、収容部７０の底面に設けられている複数の取付孔７００のうちの少なくともいずれか二つの取付孔７００に吊りボルト（不図示）がそれぞれ挿通され、それらの吊りボルトにナット（不図示）が締め付けられることで天井に設置される。また、収容部７０の底面に設けられている複数の電源孔７０１のうちのいずれか一つの電源孔７０１に電源線が挿通される。電源孔７０１に挿通された電源線は、端子台７０２を介して、点灯装置１と電気的に接続される。

【0077】

光源ユニット６は、図１４に示すように、本開示の点灯装置１と、点灯装置１によって点灯させられるＬＥＤモジュール６２を光源２として備えている。また、光源ユニット６は、取付部材６１とカバー６３とを更に備えている。

【0078】

ＬＥＤモジュール６２は、多数のＬＥＤ６２０と、基板６２１とを備えている。基板６２１は、長尺の矩形板状に形成されている。多数のＬＥＤ６２０は、基板６２１の表面（下面）における短手方向の中央に、基板６２１の長手方向に沿って等間隔かつ一列に並べて実装されている。

【0079】

取付部材６１は、金属板によって長尺の角樋状に形成されている。取付部材６１は、長尺の矩形板状の底板６１０と、底板６１０の長手方向に沿った両端から上向きに立ち上がる一対の側板６１１とを有している。ＬＥＤモジュール６２は、底板６１０から切り起こされている複数の爪によって底板６１０の下面に取り付けられている。なお、ＬＥＤモジュール６２は、不図示の電線によって点灯装置１の出力用のコネクタと電気的に接続される。

【0080】

カバー６３は、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂などの透光性を有する合成樹脂によって半円筒形状に形成されている。また、カバー６３は、長手方向に沿って上向きに突出する一対の突壁６３３を有している。カバー６３は、一対の突壁６３３の間に取付部材６１を収容し、取付部材６１の一対の側板６１１の先端（上端）に、一対の突壁６３３の先端（上端）に形成されている引掛部が引っ掛けられることで取付部材６１に取り付けられる。

【0081】

点灯装置１は、プリント回路板１９と、プリント回路板１９を収容するケース１８とを有する。プリント回路板１９は、電源回路１１と、電流可変回路１２と、制御回路１３と、ゲイン設定回路１４とを含む種々の電子部品が長方形状のプリント配線板に実装されて構成されている。ケース１８は、金属板により、一面（下面）が開口した長尺の矩形箱状に形成されている。ケース１８は、プリント回路板１９を収容し、開口面を底板６１０の下面に向けるようにして取付部材６１に固定される。なお、ケース１８は、取付部材６１に固定された状態において、取付部材６１と電気的に接続されている。さらに、取付部材６１は、光源ユニット６が器具本体７に取り付けられた状態において器具本体７と電気的に接続されている。したがって、点灯装置１のケース１８は、取付部材６１を通して器具本体７と電気的に接続される。

【0082】

照明器具Ｂ１は、上述の点灯装置１を備えるので、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0083】

（８）まとめ
以上のように、実施形態に係る第１の態様の点灯装置（１）は、電源回路（１１）と、電流可変回路（１２）と、誤差検出部（１３１）と、ゲイン設定回路（１４）と、電圧制御部（１３２）と、を備える。電源回路（１１）は、交流電圧（Ｖｉ）を入力されて交流電力を直流電力に変換し、直流電圧（Ｖｏ）を光源（２）に出力する。電流可変回路（１２）は、光源（２）に直列接続されて、光源（２）に流れる負荷電流（Ｉｏ）を調整する。誤差検出部（１３１）は、電流可変回路（１２）に生じるフィードバック電圧（Ｖｂ）と所定の目標電圧（Ｖｒ１）との差分に応じた電流を誤差電流（Ｉｅ）として出力する。ゲイン設定回路（１４）は、誤差電流（Ｉｅ）が流れる補償抵抗（Ｒ１）と補償コンデンサ（Ｃ１）との直列回路（１４０）を有する。電圧制御部（１３２）は、直列回路（１４０）に生じる電圧に応じて電源回路（１１）を制御して、直流電圧（Ｖｏ）をフィードバック制御する。補償コンデンサ（Ｃ１）の容量をα、補償抵抗（Ｒ１）の抵抗値をβ、誤差電流（Ｉｅ）の最大値をＩｍとした場合に、補償コンデンサ（Ｃ１）の容量αと誤差電流（Ｉｅ）の最大値Ｉｍとの比率は、光源（２）の全調光範囲に亘って交流電圧（Ｖｉ）の周期とフィードバック電圧（Ｖｂ）の周期とが一致するように設定される。かつ、１／（２・π・α・β）は、交流電圧（Ｖｉ）の周波数の２倍値に一致する。

【0084】

上述の点灯装置（１）は、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0085】

実施形態に係る第２の態様の点灯装置（１）では、第１の態様において、補償コンデンサ（Ｃ１）の容量αと誤差電流（Ｉｅ）の最大値Ｉｍとの比率はＩｍ／αであり、比率は所定の閾値未満に設定されていることが好ましい。

【0086】

上述の点灯装置（１）は、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0087】

実施形態に係る第３の態様の点灯装置（１）では、第２の態様において、閾値は２０であることが好ましい。

【0088】

上述の点灯装置（１）は、広範囲の交流電圧（Ｖｉ）に対して、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0089】

実施形態に係る第４の態様の点灯装置（１）は、第１乃至第３の態様のいずれか一つにおいて、ゲイン設定回路（１４）は、補償抵抗（Ｒ１）と補償コンデンサ（Ｃ１）との直列回路（１４０）に並列接続された別の補償コンデンサ（Ｃ２）をさらに有することが好ましい。

【0090】

上述の点灯装置（１）は、高周波域でのフィードバックゲインを抑えて、フィードバック系の安定性を向上させることができる。

【0091】

実施形態に係る第５の態様の点灯装置（１）は、第１乃至第４の態様のいずれか一つにおいて、電源回路（１１）は、スイッチング素子（１１ｇ）を有することが好ましい。電圧制御部（１３２）は、交流電力の力率を改善する力率改善回路及び交流電力を直流電力に変換する電力変換回路として電源回路（１１）が機能するように、スイッチング素子（１１ｇ）をスイッチング制御する。

【0092】

上述の点灯装置（１）は、力率改善回路及び電力変換回路の各機能をフィードバック制御して、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0093】

実施形態に係る第６の態様の点灯装置（１）は、第５の態様において、電源回路（１１）は、ＳＥＰＩＣ回路を備えることが好ましい。

【0094】

上述の点灯装置（１）は、ＳＥＰＩＣ回路をフィードバック制御して、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0095】

実施形態に係る第７の態様の点灯装置（１）は、第１乃至第６の態様のいずれか一つにおいて、電流可変回路（１２）は、負荷電流（Ｉｏ）が流れるトランジスタ（１２１）と検出抵抗（１２ｄ）との直列回路と、電流制御部（１２２）と、備えることが好ましい。電流制御部（１２２）は、検出抵抗（１２ｄ）の両端電圧が基準電圧（Ｖｒ２）に一致するようにトランジスタ（１２１）を制御して負荷電流（Ｉｏ）を調節する。

【0096】

上述の点灯装置（１）は、負荷電流（Ｉｏ）を定電流制御することができる。

【0097】

実施形態に係る第８の態様の点灯装置（１）は、第７の態様において、フィードバック電圧（Ｖｂ）は、トランジスタ（１２１）と検出抵抗（１２ｄ）との直列回路の両端電圧であることが好ましい。

【0098】

上述の点灯装置（１）は、トランジスタ（１２１）における電力損失を低減できる。

【0099】

実施形態に係る第９の態様の照明器具（Ｂ１，Ｂ２）は、第１乃至第８の態様のいずれか一つの点灯装置（１）と、点灯装置（１）から直流電力を供給される光源（２）と、点灯装置（１）及び光源（２）の少なくとも一方を支持する器具本体（７）とを備える。

【0100】

上述の照明器具（Ｂ１，Ｂ２）は、フィードバック制御を行って、力率改善とちらつきの低減との両方を実現できる。

【0101】

また、上述の実施形態および変形例は本開示の一例である。このため、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されることはなく、この実施形態および変形例以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。

【符号の説明】

【0102】

１ 点灯装置
１１ 電源回路
１１ｇ スイッチング素子
１２ 電流可変回路
１２１ トランジスタ
１２２ 電流制御部
１２ｄ 検出抵抗
１３１ 誤差検出部
１３２ 電圧制御部
１４ ゲイン設定回路
１４０ ＲＣ直列回路（直列回路）
２ 光源
７ 器具本体
Ｂ１、Ｂ２ 照明器具
Ｖｉ 交流電圧
Ｖｏ 出力電圧（直流電圧）
Ｖｂ フィードバック電圧
Ｖｒ１ 目標電圧
Ｖｒ２ 基準電圧
Ｉｏ 負荷電流
Ｉｅ 誤差電流
Ｒ１ 補償抵抗
Ｃ１ 補償コンデンサ
Ｃ２ 補償コンデンサ
α 容量
β 抵抗値
Ｉｍ 誤差電流の最大値
Ｉｍ／α 比率

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】