特許7242990ＳｉＣ化学気相成長装置及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

発明の名称　ＳｉＣ化学気相成長装置及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

出願人　日立化成株式会社　（識別番号 4455）

　　　　特許公開件数ランキング 85 位（338件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 46 位（455件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7242990

公報発行日　2023年3月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7242990

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