(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-03-16
(45)【発行日】2023-03-27
(54)【発明の名称】圧力マッピング装置及びそれを用いてガラス基板を清掃する方法
(51)【国際特許分類】
G01L 5/00 20060101AFI20230317BHJP
G01L 1/20 20060101ALI20230317BHJP
B08B 1/04 20060101ALI20230317BHJP
【ＦＩ】
G01L5/00 101Z
G01L1/20 G
B08B1/04
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2020502971
(86)(22)【出願日】2018-07-19
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2020-10-01
(86)【国際出願番号】 US2018042915
(87)【国際公開番号】W WO2019018663
(87)【国際公開日】2019-01-24
【審査請求日】2021-07-14
(31)【優先権主張番号】10-2017-0092736
(32)【優先日】2017-07-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】397068274
【氏名又は名称】コーニング インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100073184
【弁理士】
【氏名又は名称】柳田 征史
(72)【発明者】
【氏名】キム，サンモ
(72)【発明者】
【氏名】パク，ジュン－ウク
(72)【発明者】
【氏名】パク，ソン－ハ
(72)【発明者】
【氏名】ソン，ヨン－チュン
【審査官】森 雅之
(56)【参考文献】
【文献】特開２０００－３２９６３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２１３７４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開平６－４５６７６（ＪＰ，Ｕ）
【文献】特許第３９０３２０６（ＪＰ，Ｂ２）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｌ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持基板；前記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、前記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；
前記複数の圧力センサそれぞれからの前記信号を受信し、受信した前記信号に基づいて、前記支持基板上に圧力マップを出力するよう構成された、アナライザ；及び
前記圧力センサの上に位置決めされた、ガラス基板を清掃する複数の摩擦清掃部品
を備え、
前記圧力マップは、前記複数の摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整するために、前記圧力マッピング装置によって、前記複数の摩擦清掃部品それぞれにより印加される圧力が印加される面積及び位置に対する圧力のレベルを示す圧力輪郭マップとして表示される、圧力マッピング装置。
【請求項2】
前記複数の圧力センサはそれぞれ、上側導体層及び下側導体層を備え、前記下側導体層は、前記上側導体層から離間し、かつ前記上側導体層の下方に配置され、前記上側導体層は、第１の電極を含む第１の導体部品、及び第２の電極を含む第２の導体部品を備え、
前記上側導体層は、前記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された前記圧力によって変形され、前記下側導体層に接触する、請求項１に記載の圧力マッピング装置。
【請求項3】
前記複数の圧力センサそれぞれの前記第１の電極及び前記第２の電極に接続された、複数のリード線を更に備え、前記複数のリード線は、前記支持基板の一方の側部上に設けられたコネクタまで延在し、前記アナライザは、前記コネクタ及び信号ケーブルを通して前記信号を受信するよう構成される、請求項２に記載の圧力マッピング装置。
【請求項4】
前記第１の導体部品及び前記第２の導体部品は、前記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された前記圧力に比例して変形され、前記第１の導体部品及び前記第２の導体部品それぞれが前記下側導体層に接触する接触面積は、前記変形に伴って増大する、請求項２に記載の圧力マッピング装置。
【請求項5】
前記第１の導体部品及び前記第２の導体部品は、複数のくし状の指状部を備える、請求項４に記載の圧力マッピング装置。
【請求項6】
前記複数の圧力センサはそれぞれ、前記第１の電極及び前記第２の電極の下にスペーサを更に備え、前記スペーサは、前記上側導体層を前記下側導体層から隔てる、請求項２に記載の圧力マッピング装置。
【請求項7】
前記支持基板は、可撓性基板である、請求項１～６のいずれか１項に記載の圧力マッピング装置。
【請求項8】
前記複数の圧力センサは、前記支持基板上に格子状に配設される、請求項１～７のいずれか１項に記載の圧力マッピング装置。
【請求項9】
ガラス基板を清掃する方法であって、前記方法は：
圧力マッピング装置を複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；
前記複数の摩擦清掃部品をそれぞれ、清掃位置まで下げるステップ；
前記複数の摩擦清掃部品それぞれが前記ガラス基板に印加した圧力を、前記圧力マッピング装置を用いてマッピングするステップ；
マッピングされた前記圧力に基づいて、前記複数の摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整するステップ；
ガラス基板を前記複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；及び
前記複数の摩擦清掃部品を用いて前記ガラス基板を清掃するステップ
を含み、
前記圧力マッピング装置は：
支持基板；
前記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、前記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；及び
前記複数の圧力センサそれぞれからの前記信号を受信し、受信した前記信号に基づいて、前記支持基板上に圧力マップを出力するよう構成され、
前記圧力マップは、前記圧力マッピング装置によって圧力が印加される面積及び位置に対する圧力のレベルを示す圧力輪郭マップとして表示される、分析装置
を備える、方法。
【請求項10】
前記圧力をマッピングする前記ステップは、前記複数の摩擦清掃部品から印加された各前記圧力が、基準圧力値範囲内であるかどうかを決定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記下方加圧特性を調整する前記ステップは、前記摩擦清掃部品の設置高さを調整するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記下げるステップは、前記複数の摩擦清掃部品それぞれを、空気圧又は油圧によって下げるステップを更に含み、前記調整するステップは、清掃のために前記複数の摩擦清掃部品それぞれに印加される前記空気圧又は油圧の設定値を調整するステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項13】
前記ガラス基板は、前記ガラス基板を清掃する前記ステップの実施中に、水平方向に移動する、請求項９～１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項14】
前記複数の摩擦清掃部品は：前記ガラス基板の移動方向に対して垂直な横方向に対応する第１の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第１の摩擦清掃部品；及び
前記第１の行の前記複数の第１の摩擦清掃部品の配設方向に対して平行な横方向に対応する第２の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第２の摩擦清掃部品
を備え、
前記第２の行の１つの前記第２の摩擦清掃部品は、前記第１の行の２つの隣接する前記第１の摩擦清掃部品の間の位置から、前記ガラス基板の前記移動方向に離間して配置される、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
前記ガラス基板を清掃する前記ステップは、清掃液を前記ガラス基板上に供給するステップを含む、請求項９～１４のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【0001】
本出願は、米国特許法第１１９条の下で、２０１７年７月２１日出願の韓国特許出願第１０‐２０１７‐００９２７３６号の優先権を主張するものであり、上記特許出願の内容は依拠され、参照によりその全体が本出願に援用される。
【技術分野】
【0002】
１つ以上の実施形態は、圧力マッピング装置、及び上記圧力マッピング装置を用いてガラス基板を清掃する方法に関し、より詳細には、圧力マッピング装置、及び上記圧力マッピング装置を用いてガラス基板を清掃する方法であって、これにより、清掃プロセス中の作業員間での偏差を生じずに客観的かつ定量的な試験を実施できる、圧力マッピング装置及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
高い表面品質を有するガラス基板に対する消費者の需要は高まっており、より大きな面積を有するガラス基板の使用がますます増加しているため、ガラス基板の製造プロセス中に粒子状欠陥が発生する可能性が高まっている。
【0004】
ガラス基板製造プロセスに関して、清掃プロセスの客観的かつ定量的な試験又は評価のための設備はいくつかしか存在しないため、粒子状欠陥の発生の低減は困難である。また、清掃プロセス中の作業員間の偏差によって引き起こされる基板の不均一性を低減する必要がある。
【発明の概要】
【0005】
１つ以上の実施形態は、圧力マッピング装置であって、これにより、清掃プロセス中の作業員間での偏差を生じずに客観的かつ定量的な試験を実施できる、圧力マッピング装置を含む。
【0006】
１つ以上の実施形態は、ガラス基板を清掃する方法であって、これにより、粒子状欠陥等の製品の欠陥を大幅に削減できる、方法を含む。
【0007】
更なる態様は、その一部が以下の説明に記載され、また一部はこの記載から明らかであるか、又は提示される実施形態の実践によって学習できる。
【0008】
１つ以上の実施形態によると、圧力マッピング装置は：支持基板；上記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、上記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；上記支持基板を取り囲む防水ポーチ；及び上記複数の圧力センサそれぞれからの上記信号を受信し、受信した上記信号に基づいて、上記支持基板上に圧力マップをリアルタイムで出力するよう構成された、アナライザを含む。
【0009】
上記複数の圧力センサはそれぞれ、上側導体層及び下側導体層を含んでよく、上記下側導体層は、上記上側導体層から離間し、かつ上記上側導体層の下方に配置され、また上記上側導体層は、第１の電極を含む第１の導体部品、及び第２の電極を含む第２の導体部品を含んでよく、上記上側導体層は、上記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された上記圧力によって変形させることができ、上記下側導体層に接触できる。
【0010】
上記圧力マッピング装置は更に、上記複数の圧力センサそれぞれの上記第１の電極及び上記第２の電極に接続された、複数のリード線を含んでよく、上記複数のリード線は、上記支持基板の一方の側部上に設けられたコネクタまで延在し、上記アナライザは、上記コネクタ及び信号ケーブルを通して上記信号を受信するよう構成されていてよい。
【0011】
上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品は、上記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された上記圧力に比例して変形させることができ、上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品それぞれが上記下側導体層に接触する接触面積は、これに伴って増大し得る。
【0012】
上記第１の導体部品は、平行に配設された複数の第１の指状部を含んでよく、上記第２の導体部品は、平行に配設された複数の第２の指状部を含んでよく、上記複数の第１の指状部と、上記複数の第２の指状部とは、互いに対して交互に配設されていてよい。
【0013】
上記複数の圧力センサはそれぞれ、上記第１の電極及び上記第２の電極の下にスペーサを更に含んでよく、上記スペーサは、上記上側導体層を上記下側導体層から隔てることができる。
【0014】
上記支持基板は、可撓性基板であってよい。
【0015】
上記複数の圧力センサは、上記支持基板上に格子状に配設されていてよい。
【0016】
１つ以上の実施形態によると、ガラス基板を清掃する方法は：圧力マッピング装置を複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；上記複数の摩擦清掃部品をそれぞれ、清掃位置まで下げるステップ；上記複数の摩擦清掃部品それぞれが上記ガラス基板に印加した圧力を、上記圧力マッピング装置を用いてマッピングするステップ；マッピングされた上記圧力に基づいて、上記複数の摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整するステップ；ガラス基板を上記複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；及び上記複数の摩擦清掃部品を用いて上記ガラス基板を清掃するステップを含み、上記圧力マッピング装置は：支持基板；上記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、上記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；及び上記複数の圧力センサそれぞれからの上記信号を受信し、受信した上記信号に基づいて、上記支持基板上に圧力マップをリアルタイムで出力するよう構成された、分析装置を含む。
【0017】
上記圧力をマッピングする上記ステップは、上記複数の摩擦清掃部品から印加された各上記圧力が、基準圧力値範囲内であるかどうかを決定するステップを含んでよい。
【0018】
上記下方加圧特性を調整する上記ステップは、上記基準圧力値範囲外の圧力を印加するある上記摩擦清掃部品に関して、上記摩擦清掃部品の設置高さを調整するステップを含んでよい。
【0019】
上記複数の摩擦清掃部品はそれぞれ、空気圧又は油圧によって、上記清掃位置まで下げることができ、上記下方加圧特性を調整する上記ステップは、清掃のために上記複数の摩擦清掃部品それぞれに印加される上記空気圧又は油圧の設定値を調整するステップを含んでよい。
【0020】
上記ガラス基板は、上記ガラス基板を清掃する上記ステップの実施中に、水平方向に移動してよい。
【0021】
上記複数の摩擦清掃部品は：上記ガラス基板の移動方向に対して垂直な横方向に対応する第１の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第１の摩擦清掃部品；及び上記第１の行の上記複数の第１の摩擦清掃部品の配設方向に対して平行な横方向に対応する第２の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第２の摩擦清掃部品を含んでよく、上記第２の行の１つの上記第２の摩擦清掃部品は、上記第１の行の２つの隣接する上記第１の摩擦清掃部品の間の位置から、上記ガラス基板の上記移動方向に離間して配置されていてよい。
【0022】
上記ガラス基板を清掃する上記ステップは、清掃液を上記ガラス基板上に供給するステップを含んでよい。
【0023】
これらの及び／又はその他の態様は、添付の図面と併せて解釈される以下の実施形態の説明から明らかになり、また比較的容易に理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】ある実施形態による圧力マッピング装置を概略的に示す概念図
【図2A】ある実施形態による圧力センサを示す概念図
【図3A】ある実施形態による、印加された圧力によって引き起こされた第１及び第２の指状部の変形状態を概略的に示す側面断面図
【図3B】ある実施形態による、印加された圧力によって引き起こされた第１及び第２の指状部の変形状態を概略的に示す側面断面図
【図4】ある実施形態による、圧力センサとコネクタとの間の接続構成を示す概略図
【図5】ある実施形態による分析装置の例示的なブロック図
【図6】ある実施形態に従って製造された圧力マッピング装置によって圧力が印加される面積及び位置に対する圧力のレベルを示す、圧力輪郭マップ
【図7】別の実施形態による圧力センサを示す概念図
【図8】別の実施形態による圧力センサを示す側面断面図
【図9A】ある実施形態による圧力センサの製造方法を示すための断面図
【図9B】ある実施形態による圧力センサの製造方法を示すための断面図
【図9C】ある実施形態による圧力センサの製造方法を示すための断面図
【図10】ある実施形態による、ガラス基板を清掃する方法のフローチャート
【図11】複数の摩擦清掃部品によって印加された圧力をマッピングする操作の詳細を示すフローチャート
【図12】圧力マッピング方法を示す概略図であり、ここでは複数の圧力センサユニットが１つの摩擦清掃部品の下に配置されている
【図13】ある実施形態によるガラス基板清掃プロセスを２次元的に示す概略図
【図14】ある実施形態による圧力マッピング装置を用いて、ある清掃位置において５行に配設された摩擦清掃部品に対する圧力マッピングを実施することによって得られた結果を示す画像
【図15】ある実施形態による圧力マッピング装置を用いて、ある清掃位置において５行に配設された摩擦清掃部品に対する圧力マッピングを実施することによって得られた結果を示す画像
【図16A】ある実施形態による圧力マッピングシステムを用いた各摩擦清掃部品の下方加圧特性の調整の前後の圧力輪郭マップを示す画像
【図16B】ある実施形態による圧力マッピングシステムを用いた各摩擦清掃部品の下方加圧特性の調整の前後の圧力輪郭マップを示す画像
【図18A】別のガラス製品製造プロセスにおける、ある実施形態による圧力マッピングシステムを用いた各摩擦清掃部品の下方加圧特性の調整の前後の粒子状欠陥の位置の個数の変化を示すグラフ
【図18B】別のガラス製品製造プロセスにおける、ある実施形態による圧力マッピングシステムを用いた各摩擦清掃部品の下方加圧特性の調整の前後の粒子状欠陥の位置の個数の変化を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【0025】
これより、実施形態に対する言及を詳細に行うが、上記実施形態の例は添付の図面に図示されており、全体を通して同様の参照番号は同様の要素を指す。この点において、これらの実施形態は異なる複数の形態を取ることができ、本明細書に記載の説明に限定されるものと解釈してはならない。従ってこれらの実施形態は、以下において、図面を参照して、単に本発明の態様を説明するために記載される。本明細書中で使用される場合、用語「及び／又は（ａｎｄ／ｏｒ）」は、関連して列挙された項目のうちの１つ以上のいずれのあらゆる組み合わせを含む。複数の要素のリストに先行する「…のうちの少なくとも１つ（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ ｏｆ）」等の表現は、これらの要素のリスト全体を修飾し、上記リストの個々の要素を修飾するものではない。
【0026】
これより、本発明の例示的実施形態が図示されている添付の図面を参照して、本発明の概念をより詳細に説明する。しかしながら、本発明の概念は多数の異なる形態で実現してよく、本明細書に記載の実施形態に限定されるものと解釈してはならず、むしろこれらの実施形態は、本開示が徹底的かつ完全なものとなり、また本発明の概念を当業者に完全に伝達するものとなるように、提供される。全体を通して同様の参照番号は同様の要素を指す。図面では、いくつかの要素を誇張する、省略する、又は概略的に図示する。更に、各要素のサイズは実際のサイズを完全に反映したものではない。本発明の概念の実施形態は、図面に図示された相対的なサイズ又は間隔によって制限されない。
【0027】
様々な要素を説明するために「第１の（ｆｉｒｓｔ）」及び「第２の（ｓｅｃｏｎｄ）」のような用語を使用する場合があるが、これらの要素はこれらの用語によって限定されないものとする。上記用語は、ある要素を別の要素から区別することのみを目的として使用され得る。例えば、本発明の概念の精神及び範囲から逸脱することなく、第１の要素が第２の要素を指す場合もあり、また同様に第２の要素が第１の要素を指す場合もある。
【0028】
本出願において特定の実施形態のみを説明するために使用される用語は、該実施形態を限定することを意図したものではない。以下の説明では、技術用語は、ある具体的な例示的実施形態を説明するために使用され、該実施形態を限定しない。単数形の用語は、特段の記載がない限り、複数形を含むことができる。「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、又は「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」の意味は、ある特性、領域、固定された数、ステップ、プロセス、要素及び／又は構成部品を指定するものの、他の特性、領域、固定された数、ステップ、プロセス、要素及び／又は構成部品を排除しない。
【0029】
本明細書中で使用される全ての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、その他の定義がなされていない限り、本発明の概念が属する技術分野の当業者が一般に理解する意味と同一の意味を有する。更に、一般に使用される辞書中で定義されているような用語は、関連技術の文脈におけるこれらの用語の意味に一致する意味を有するものとして解釈されるものとし、本明細書中で明らかにそのように定義されていない限り、理想化された、又は過度に形式的な意味に解釈してはならないことが理解される。
【0030】
ある特定の実施形態を様々に実装できる場合、ある特定のプロセスシーケンスは、本記載のシーケンスとは異なるように実施してよい。例えば、連続して記載された２つのプロセスは、略同時に実施してよく、又は記載されているシーケンスとは逆のシーケンスで実施してよい。
【0031】
添付の図面では、例えば、製造技術及び／又は許容誤差に応じて、図示されている形状の修正が予想される場合がある。従って、本発明の概念の実施形態は、図面に図示されているある領域の特定の形状に限定されるものとして解釈してはならず、また例えば、製造プロセスにおいて引き起こされる形状の変化を含むものとする。本明細書中で使用される場合、用語「及び／又は（ａｎｄ／ｏｒ）」は、記載されている要素のうちの１つ以上の組み合わせ、及び記載されている要素それぞれを含む。また、本明細書中で使用される場合、用語「基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」は、基板自体を含む、又は基板と、基板の表面上に形成された特定の層若しくはフィルムとを含む、積層構造を指すことができる。また、本明細書中で使用される場合、基板の表面は、基板自体の露出した表面、又は基板上に形成された特定の層又はフィルムの外面を指すことができる。
【0032】
図１は、ある実施形態による圧力マッピング装置１００を概略的に図示する概念図である。
【0033】
図１を参照すると、圧力マッピング装置１００は：支持基板１１０；支持基板１１０上に配設された複数の圧力センサ１２０；支持基板１１０を取り囲む防水ポーチ１３０；及び複数の圧力センサ１２０から信号を受信して、支持基板１１０上に圧力マップをリアルタイムで出力できる、アナライザ１４０を含んでよい。
【0034】
ある実施形態によると、支持基板１１０は、可撓性を有する任意の基板であってよい。ある実施形態によると、支持基板１１０はフィルムタイプのものであってよい。例えば支持基板１１０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリメチル（メタ）アクリレート（ＰＭＭＡ）、ノルボルネン樹脂、ポリエステル、及び／又はポリスチレン（ＰＳ）等を含んでよいが、これらに限定されない。支持基板１１０の厚さは、約５０μｍ～約３ｍｍであってよい。
【0035】
複数の圧力センサ１２０は、互いに対して規則的な間隔又は不規則な間隔で、支持基板１１０上に配設してよい。圧力センサ１２０は、その上部に印加された圧力に応答して電気信号を出力するよう構成されていてよい。図２Ａは、ある実施形態による圧力センサ１２０を示す概念図である。図２Ｂは、図２Ａの線Ｂ‐Ｂ’に沿って得られた側面断面図である。
【0036】
図２Ａ及び２Ｂを参照すると、圧力センサ１２０は、上側導体層１２２及び下側導体層１２４を含んでよい。
【0037】
上側導体層１２２は、第１の導体部品１２２ａ及び第２の導体部品１２２ｂを含んでよい。第１の導体部品１２２ａは第１の電極１２２ａｅを含んでよく、第２の導体部品１２２ｂは第２の電極１２２ｂｅを含んでよい。
【0038】
上側導体層１２２は金属材料を含んでよく、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、又はこれらの合金を含んでよいが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、上側導体層１２２は、グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、及びフラーレンを含んでよい。
【0039】
第１の導体部品１２２ａ及び第２の導体部品１２２ｂは、一定の間隔だけ互いから離間していてよい。いくつかの実施形態では、第１の導体部品１２２ａは、平行に配設された複数の第１の指状部１２２ａｆと、複数の第１の指状部１２２ａｆを接続する第１の接続部品１２２ａｃとを含んでよい。いくつかの実施形態では、第２の導体部品１２２ｂは、平行に配設された複数の第２の指状部１２２ｂｆと、複数の第２の指状部１２２ｂｆを接続する第２の接続部品１２２ｂｃとを含んでよい。
【0040】
複数の第１の指状部１２２ａｆ及び複数の第２の指状部１２２ｂｆは、図２Ａに示すように、互いに対して平行に交互に配設されていてよい。
【0041】
第１の指状部１２２ａｆ及び第１の接続部品１２２ａｃは、その上部に印加された圧力によって変形させることができ、下側導体層１２４に接触できる。また、第２の指状部１２２ｂｆ及び第２の接続部品１２２ｂｃは、その上部に印加された圧力によって変形させることができ、下側導体層１２４に接触できる。第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆの変形、並びに第１の接続部品１２２ａｃ及び第２の接続部品１２２ｂｃの変形は、これらの上部に印加された圧力に比例していてよい。
【0042】
上側導体層１２２上に、上側絶縁層１２８を設けてよい。上側絶縁層１２８は、圧力センサ１２０を製造するプロセスにおいて、上側導体層１２２の支持基板として機能できる。また上側絶縁層１２８は、上側導体層１２２を保護できる。
【0043】
いくつかの実施形態では、第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆ、並びに／又は第１の接続部品１２２ａｃ及び第２の接続部品１２２ｂｃが下側導体層１２４に接触する面積は、その上部に印加された圧力によって変動し得る。詳細には、第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆ、並びに／又は第１の接続部品１２２ａｃ及び第２の接続部品１２２ｂｃが下側導体層１２４に接触する面積は、ある特定の圧力範囲内の、その上部に印加された圧力に比例していてよい。
【0044】
図３Ａ及び３Ｂは、印加された圧力によって引き起こされた第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆの変形状態を概略的に示す側面断面図である。
【0045】
図３Ａを参照すると、第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆは、第１の圧力Ｐ１によって変形させることができ、下側導体層１２４に物理的に接触できる。この場合、第２の指状部１２２ｂｆはそれぞれ、幅Ｗ１に対応する接触面積を有してよく、下側導体層１２４に接触してよい。
【0046】
図３Ｂを参照すると、第１の圧力Ｐ１より高い第２の圧力Ｐ２が第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆに印加されると、第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆは図３Ａよりも大きく変形させることができ、下側導体層１２４に接触できる。第２の指状部１２２ｂｆがより大きく変形するため、第２の指状部１２２ｂｆはそれぞれ、幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２に対応する接触面積を有してよく、下側導体層１２４に接触してよい。
【0047】
第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆ、並びに／又は第１の接続部品１２２ａｃ及び第２の接続部品１２２ｂｃが下側導体層１２４に接触する面積が広くなるに従って、下側導体層１２４を介して流れる電流が大きくなり得、ここで第１の電極１２２ａｅと第２の電極１２２ｂｅとの間にはある一定の電圧が印加されている。従って、上記電流は印加された圧力に相関し得、この電流の値を測定することによって、印加された圧力のレベルを得ることができる。
【0048】
下側導体層１２４は上側導体層１２２から離間していてよく、上側導体層１２２の下に配置されていてよい。下側導体層１２４は、金属又は炭素系材料等の導体を含んでよい。下側導体層１２４の材料として使用される金属又は炭素系材料は、上側導体層１２２に関して上述した通りであるため、更なる説明は提供しない。
【0049】
図２Ｂでは、下側導体層１２４は、支持基板１１０の全面積にわたって延在するものとして図示されているが、このように限定されない。いくつかの実施形態では、下側導体層１２４は、１つの圧力センサ１２０を含むセル領域内に制限されていてよい。即ち、２つの隣接する圧力センサ１２０の下側導体層は、互いから電気的に絶縁されていてよい。
【0050】
上側導体層１２２及び下側導体層１２４は、スペーサ１２６によって互いから電気的に分離されていてよい。圧力が上側導体層１２２の上部に印加される際、スペーサ１２６は、上側導体層１２２と下側導体層１２４との間に間隙を維持でき、従ってスペーサ１２６が配置された位置において分離を維持でき、上側導体層１２２は、スペーサ１２６が配置されていない位置において変形させることができる。
【0051】
スペーサ１２６は、任意の電気的絶縁体を含んでよく、例えばポリマー樹脂、電気的絶縁特性を有する金属酸化物、電気的絶縁特性を有する金属窒化物、非ドープ酸化ケイ素、非ドープ窒化ケイ素、又はこれらの組み合わせを含んでよい。
【0052】
再び図１を参照すると、防水ポーチ１３０は、複数の圧力センサ１２０が設けられた表面を含む支持基板１１０を取り囲むよう構成されていてよい。防水ポーチ１３０は支持基板１１０を取り囲んでよく、例えば、清掃に使用される水又はケミカルといった液体成分が、圧力センサ１２０に直接接触するのを防止できる。
【0053】
防水ポーチ１３０は、可撓性材料を含んでよい。いくつかの実施形態では、防水ポーチ１３０は、支持基板１１０の材料とは異なる、又は支持基板１１０の材料と同一の材料を含んでよい。例えば、防水ポーチ１３０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリメチル（メタ）アクリレート（ＰＭＭＡ）、ノルボルネン樹脂、ポリエステル、及び／又はポリスチレン（ＰＳ）等を含んでよいが、これらに限定されない。
【0054】
防水ポーチ１３０は、複数の圧力センサ１２０と以下で説明されるアナライザ１４０との間の電気的接続のためのコネクタ１５０を露出させることができる。コネクタ１５０は、リード線を通して、複数の圧力センサ１２０へと電気的に接続できる。
【0055】
図４は、ある実施形態による、圧力センサとコネクタとの間の接続構成を示す概略図である。
【0056】
図４を参照すると、複数の圧力センサ１２０は、ある一定の規則に従って配設できる。図４では、４つの圧力センサ１２０が一方向に配設されたものとして図示されているが、圧力センサ１２０の個数は４より多くても少なくてもよい。いくつかの実施形態では、複数の圧力センサ１２０を格子状に配設してよい。しかしながら、本実施形態はこのように限定されない。ある１つの行に配設された複数の圧力センサ１２０の第１の電極は、１つの第１のリード線１６０ａに共通して接続されていてよい。また、ある１つの行に配設された複数の圧力センサ１２０の第２の電極は、１つの第２のリード線１６０ｂに共通して接続されていてよい。
【0057】
第１のリード線１６０ａ及び第２のリード線１６０ｂは、コネクタ１５０の端子に電気的に接続されていてよい。コネクタ１５０は、互いから一定の間隔で配設された複数の接続端子を含んでよく、又は特定の規格、例えばシリアル・アドバンスト・テクノロジ・アタッチメント（ｓｅｒｉａｌ ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ：ＳＡＴＡ）規格、パラレル・アドバンスト・テクノロジ・アタッチメント（ｐａｒａｌｌｅｌ ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ：ＰＡＴＡ）規格、若しくはスモール・コンピュータ・システム・インタフェース（ｓｍａｌｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ：ＳＣＳＩ）規格に従って外部デバイスとの間で信号の送受信を行うコネクタであってよい。ここで、ＳＡＴＡ規格は、ＳＡＴＡ‐２、ＳＡＴＡ‐３、及び外付け用ＳＡＴＡ（ｅ‐ＳＡＴＡ）、並びにＳＡＴＡ‐１といった、全てのＳＡＴＡシリーズの規格を含んでよい。ＰＡＴＡ規格は、インテグレーテッド・ドライブ・エレクトロニクス（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｄｒｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ：ＩＤＥ）及び拡張ＩＤＥ（ｅｎｈａｎｃｅｄ‐ＩＤＥ：Ｅ‐ＩＤＥ）といった全てのＩＤＥシリーズ規格を含んでよい。
【0058】
アナライザ１４０は、複数の圧力センサ１２０それぞれから電気信号を受信してよい。上記電気信号は、各圧力センサ１２０から測定された電流の値（これ以降「電流値」と呼ぶ）であってよく、圧力センサ１２０からそれぞれ測定された電流値のデータを処理することによって生成された二次データであってよい。
【0059】
図５は、アナライザ１４０の例示的なブロック図である。
【0060】
図５を参照すると、アナライザ１４０は、コントローラ２０１０、入出力（Ｉ／Ｏ）デバイス２０２０、メモリ２０３０、及びインタフェース２０４０を含んでよい。これらの要素はバス２０５０を通して互いに接続されていてよい。
【0061】
コントローラ２０１０は、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、又はこれらと同様の処理デバイスのうちの少なくとも１つを含んでよい。Ｉ／Ｏデバイス２０２０は、キーパッド、キーボード、及びディスプレイのうちの少なくとも１つを含んでよい。メモリ２０３０は、コントローラ２０１０が実行するコマンドを記憶するために使用できる。例えばメモリ２０３０を用いてユーザデータを記憶できる。
【0062】
いくつかの実施形態では、インタフェース２０４０は、コネクタ１５０に接続されるように構成されていてよい（図４を参照）。
【0063】
アナライザ１４０がコネクタ１５０及びインタフェース２０４０を通して信号（又はデータ）を受信すると、アナライザ１４０は信号を処理して、図６に示すような圧力輪郭マップを生成できる。図６は、ある実施形態に従って製造された圧力マッピング装置によって圧力が印加される面積及び位置に対する圧力のレベルを示す、圧力輪郭マップである。この圧力輪郭マップは、ディスプレイデバイス等のＩ／Ｏデバイス２０２０を通して出力できる。
【0064】
アナライザ１４０は、圧力輪郭マップを生成するためのプログラム及び／又はルーチンを記憶していてよい。上記プログラム及び／又はルーチンは市販されているため、これらに関する詳細な説明は省略する。
【0065】
図７は、別の実施形態による圧力センサ２２０を示す概念図である。
【0066】
図７を参照すると、第１の電極１２２ａｅと第２の電極１２２ｂｅとがバイパスライン１２２ｃを介して互いに接続されていることを除いて、図７に示されている圧力センサ２２０は、図２Ａに示されている圧力センサ１２０と同一である。従って、共通の細部について追加の説明は行わず、異なっている細部のみについて以下に説明する。
【0067】
バイパスライン１２２ｃが設けられているため、電流は根本的に、圧力センサ２２０に圧力が印加されているかどうかに関係なく、第１の電極１２２ａｅと第２の電極１２２ｂｅとの間を流れることができる。第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆが、圧力センサ２２０の上部に印加された圧力によって変形させられると、第１の指状部１２２ａｆ及び第２の指状部１２２ｂｆは、これらの下に位置する下側導体層１２４に接触できる（図２Ｂを参照）。この場合、バイパスライン１２２ｃに加えて、第１の電極１２２ａｅと第２の電極１２２ｂｅとの間を電流が流れる際に通る経路を更に形成してよく、これにより、第１の電極１２２ａｅと第２の電極１２２ｂｅとの間を流れる電流を増大させることができる。
【0068】
図７の圧力センサ２２０では、バイパスライン１２２ｃを追加することにより、第１の電極１２２ａｅと第２の電極１２２ｂｅとの間を流れる電流の値の測定の感度を調整できる。
【0069】
図８は、別の実施形態による圧力センサ３２０を示す側面断面図である。
【0070】
図８を参照すると、ドーム状の突出部１２９が上側絶縁層１２８上に更に設けられていることを除いて、図８に示されている圧力センサ３２０は、図２Ｂに示されている圧力センサ１２０と同一である。従って、共通の細部について追加の説明は行わず、異なっている細部のみについて以下に説明する。
【0071】
外側から圧力センサ３２０に圧力が印加されると、突出部１２９は、比較的低い圧力又は横方向の圧力によってさえ、複数の指状部１２２ａｆ及び１２２ｂｆが変形されるのを促進できる。換言すれば、外側から圧力センサ３２０に圧力が印加されると、突出部１２９により、圧力を突出部１２９の領域に集中させることができ、従って圧力が比較的低いにもかかわらず、指状部１２２ａｆ及び１２２ｂｆを十分に変形させることができる。
【0072】
更に、突出部１２９は凸状であってよく、横方向に作用する力又は圧力を、突出部１２９の下に配置された指状部１２２ａｆ及び１２２ｂｆに効率的に伝達できる。
【0073】
従って、圧力センサ３２０の感度は突出部１２９によって上昇する。
【0074】
図９Ａ～９Ｃは、ある実施形態による圧力センサ１２０を製造する方法を示す断面図である。
【0075】
図９Ａを参照すると、上側導体層１２２を上側絶縁層１２８上に形成してよい。上側導体層１２２のパターンの形成には、様々な方法を使用してよい。例えば、導電性材料層を上側絶縁層１２８上に形成してよく、その後、フォトリソグラフィプロセス等によってパターン形成してよい。あるいは犠牲層パターンを上側絶縁層１２８上に形成してよく、その後、共形の導電性材料層を化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス等によって堆積させ、犠牲層パターンを除去することによって、不要な導電性材料層を取り除き、これによってパターン形成を実施してよい。
【0076】
図９Ａでは、上側導体層１２２は、上側絶縁層１２８の下面上に配置されているものとして図示されているが、上向き方向と下向き方向とを反転させてもよい。
【0077】
図９Ｂを参照すると、スペーサ１２６を、上側導体層１２２の適切な位置に形成してよい。スペーサ１２６は例えば、印刷プロセス、スクリーン印刷プロセス、ドクターブレードプロセス等によって形成してよいが、これらに限定されない。スペーサ１２６として無機材料を使用する場合、スペーサ１２６を、物理蒸着（ＰＶＤ）プロセス、ＣＶＤプロセス等によって形成してよい。
【0078】
図９Ｃを参照すると、下側導体層１２４を支持基板１１０上に形成してよく、また図９Ｂに示されている構造に連結してよい。支持基板１１０及び下側導体層１２４については図１を参照して既に詳細に説明したため、追加の説明は行わない。下側導体層１２４は、コーティングプロセス、めっきプロセス、蒸着プロセス等によって支持基板１１０上に形成してよい。
【0079】
図１０は、ある実施形態によるガラス基板を清掃する方法を順次示すフローチャートである。
【0080】
ガラス基板は、ガラス基板に対して横方向に、互いに対して一定の間隔で配設された、複数の摩擦清掃部品によって清掃できる。摩擦清掃部品は例えば、１つ以上のブラシ、織布、不織布、フェルト、スポンジ、生地等であってよいが、これらに限定されない。
【0081】
操作Ｓ１１０、Ｓ１２０、及びＳ１３０では、まず、ガラス基板を清掃するために、複数の摩擦清掃部品が適切な圧力でガラス基板を押すことができるかどうかを決定できる。複数の摩擦清掃部品が適切な圧力でガラス基板を押すことができないと決定された場合、操作Ｓ１４０において、各摩擦清掃部品の下方加圧特性を微調整してよい。続いて、操作Ｓ１５０及びＳ１６０において、ガラス基板を複数の摩擦清掃部品の下に配置してよく、清掃プロセスを実施してよい。これより、各操作について説明する。
【0082】
まず、操作Ｓ１１０において、圧力マッピング装置を複数の摩擦清掃部品の下に配置してよい。特に、圧力マッピング装置の圧力センサユニットを、複数の摩擦清掃部品の下に配置してよく、また分離後に、アナライザを、ケーブルを通して圧力センサユニットに接続してよい。例えば、図１２に示すように、複数の摩擦清掃部品２０１が配置される全幅が大きいために、複数の摩擦清掃部品２０１を１つの圧力センサユニットＰＳＵでカバーすることが困難である場合、複数の圧力センサユニットＰＳＵを同時に複数の摩擦清掃部品２０１の下に配置してよい。
【0083】
続いて、操作Ｓ１２０において、複数の摩擦清掃部品をそれぞれ清掃位置まで下げてよく、圧力を圧力センサユニットに印加してよい。複数の摩擦清掃部品がそれぞれ清掃位置に配置されているため、圧力センサユニットに印加される圧力は、ガラス基板の清掃時にガラス基板に印加される圧力と略同一となり得る。圧力センサユニットは防水ポーチ１３０によって保護されている（図１を参照）ため、圧力センサユニットは、水又はケミカル材料から安全な状態である。
【0084】
続いて、操作Ｓ１３０において、複数の摩擦清掃部品によって印加された圧力をマッピングすることにより、下方加圧特性が適切であるかどうかを決定してよい。この操作について、図１１を参照して以下に詳細に説明する。
【0085】
図１１を参照すると、まず、上述の圧力マッピング装置は、操作Ｓ１３１において、各圧力マッピング範囲内の位置ベースの圧力値を算出してよい。即ち、複数の圧力センサそれぞれの位置における圧力、及び／又は圧力センサの間の位置における圧力を、各圧力センサから受信したデータに基づいて算出してよい。
【0086】
任意に、操作Ｓ１３３において、各摩擦清掃部品によって印加される圧力を、算出された位置ベースの圧力値に基づいて算出してよい。即ち、摩擦清掃部品の識別（ＩＤ）が適切であるかどうかを、押圧された境界を認識することによって決定でき、ＩＤが適切である場合には、摩擦清掃部品によって印加された圧力を、対応する境界の圧力分布に基づいて得ることができる。いくつかの実施形態では、摩擦清掃部品によって印加された圧力を、対応する境界の複数の点における圧力値を単に平均すること、又は重み付け平均することによって、決定してよい。
【0087】
続いて、操作Ｓ１３５において、摩擦清掃部品によって印加された圧力が、基準圧力値範囲内であるかどうかを決定してよい。摩擦清掃部品によって印加された圧力が基準圧力値範囲内である場合、追加のプロセスなしに、ガラス基板を清掃する操作（図１０のＳ１５０）を即座に実施してよい。一方、摩擦清掃部品によって印加された圧力が基準圧力値範囲ではない場合、印加された圧力が基準圧力値範囲外である１つの摩擦清掃部品に対して、下方加圧特性を調整する操作（図１０のＳ１４０）を実施してよい。
【0088】
再び図１０を参照すると、操作Ｓ１４０では、印加された圧力が基準圧力値範囲外である各摩擦清掃部品に対して、下方加圧特性を調整してよい。
【0089】
摩擦清掃部品がアクチュエータに固定され、垂直方向セクション内で往復運動するように構成されている場合、上記調整は、摩擦清掃部品の設置位置（例えば設置高さ）を変更することによって実施してよい。一方、摩擦清掃部品がアクチュエータに固定されているものの、下方加圧特性が、外部動力源によってアクチュエータに印加される空気圧若しくは油圧、又はアクチュエータによって摩擦清掃部品に印加される空気圧若しくは油圧に基づいて決定される場合、上記調整は、各アクチュエータの設定値を調整することによって実施してよい。
【0090】
摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整した後、操作Ｓ１５０において、ガラス基板を複数の摩擦清掃部品の下に配置してよい。続いて、操作Ｓ１６０において、複数の摩擦清掃部品はガラス基板を清掃してよい。
【0091】
図１３は、ある実施形態によるガラス基板清掃プロセスを２次元的に示す概略図である。
【0092】
図１３を参照すると、複数の摩擦清掃部品２０１は、ある一定の規則に従って配設されていてよい。例えば、複数の摩擦清掃部品２０１は、複数の行、例えば第１の行Ｒ１、第２の行Ｒ２、第３の行Ｒ３等で配設されていてよい。第１の行Ｒ１から第３の行Ｒ３までの各行の摩擦清掃部品２０１は、ｘ方向、即ち横方向に配設されていてよい。また、複数の行（例えばＲ１、Ｒ２、Ｒ３、・・・）は、ｙ方向において、第１の行Ｒ１、第２の行Ｒ２、第３の行Ｒ３、・・・の順序で配設されていてよい。図１３では、３つの行だけが図示されているが、ｙ方向に３つ未満の行又は４つ以上の行が配設されていてもよい。
【0093】
ガラス基板Ｇは、清掃のためにｙ方向に移動するよう構成されていてよい。特に、ｘ方向に配設された複数の摩擦清掃部品２０１は、互いから一定の間隔で配設されていてよく、これによって１つの行を構成する。例えば第１の行Ｒ１では、ガラス基板Ｇは、摩擦清掃部品２０１の間の上記間隔に対応する部分においては清掃されない場合がある。従って次の行（例えば第２の行Ｒ２）では、ガラス基板Ｇの未清掃部分を清掃するために、第２の行Ｒ２の摩擦清掃部品を、ｙ方向において、２つの摩擦清掃部品の間にある間隔を設けて、第１の行のＲ１に隣接して配置してよい。
【0094】
ガラス基板Ｇが、摩擦清掃部品２０１が配設された複数の行を通過してｙ方向に移動する際、摩擦清掃部品２０１は、回転しながらガラス基板Ｇの表面を清掃してよい。同時に、水及び／又はケミカルクリーナを含む洗浄液をガラス基板Ｇ上に噴霧することにより、ガラス基板Ｇ上に付着した異物を完全に除去する。
【0095】
図１４は、ある実施形態による圧力マッピング装置を用いて、ある清掃位置において５行に配設された摩擦清掃部品に対する圧力マッピングを実施することによって得られた結果を示す画像である。図１４に示すように、下向きの圧力が感知されない摩擦清掃部品の個数は、清掃位置においてもチェックされる。関連技術では、ユーザが摩擦清掃部品の高さを裸眼で認識し、設置高さが適切であるかどうかを評価するため、下向きの圧力がガラス基板に作用していない摩擦清掃部品をチェックするのは困難である。
【0096】
図１５は、ある実施形態による圧力マッピング装置を用いて、ある清掃位置において５行に配設された摩擦清掃部品に対する圧力マッピングを実施することによって得られた結果を示す画像である。
【0097】
図１５に示すように、第１の行に関して、摩擦清掃部品の大半が適切な圧力でガラス基板を押し、清掃していると判断される。しかしながら、図の右側付近に配置された各摩擦清掃部品の下方加圧特性は、第２の行、第３の行、第４の行、そして第５の行へと徐々に劣化したと判断される。特に、加圧特性が良好でない摩擦清掃部品の分布はランダムではなく、ある一定の傾向に従っているため、主に、全ての摩擦清掃部品の高さに影響する装置のフレームの左右のバランスが適切でないものと推測される。
【0098】
図１４及び１５に示すように、全ての摩擦清掃部品それぞれの加圧特性をリアルタイムでチェックできるため、ガラス基板の製品欠陥の原因を、後続のプロセスでより容易に決定できる。
【0099】
図１６Ａ及び１６Ｂは、ある実施形態による圧力マッピングシステムを用いた各摩擦清掃部品の下方加圧特性の調整の前後の圧力輪郭マップを示す画像である。
【0100】
図１６Ａを参照すると、４行に配設された摩擦清掃部品の加圧特性は極めて悪いことが確認できる。特に、第１の行では下向きの押圧がほとんど実施されない。
【0101】
チェック済みの圧力輪郭マップに基づいて各摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整した後、圧力輪郭マップは、図１６Ｂに示されているようになる。図１６Ｂに示すように、第１の行、第２の行、及び第４の行それぞれの下方加圧特性は、大幅に改善されていることが確認できる。
【0102】
【0103】
図１７では、各摩擦清掃部品の加圧特性が、時間Ｔにおいて調整されている。調整前（即ち時間Ｔに対して左側）では、粒子状欠陥の個数は多く、その平均値は１６２である。調整後（即ち時間Ｔに対して右側）では、粒子状欠陥の個数は低減され、その平均値は約１１５であると決定される。
【0104】
上述のように、粒子の除去に寄与していない摩擦清掃部品の加圧特性を調整することによって、粒子の除去に寄与する摩擦清掃部品の個数が増大するため、粒子状欠陥の位置の個数が低減されると結論付けることができる。
【0105】
図１８Ａ及び１８Ｂは、別のガラス製品製造プロセスにおける、ある実施形態による圧力マッピングシステムを用いた各摩擦清掃部品の下方加圧特性の調整の前後の粒子状欠陥の位置の個数の変化を示すグラフである。
【0106】
図１８Ａを参照すると、粒子状欠陥の個数は、時間Ｔに関して大幅に低減されることが決定される。即ち、時間Ｔの前（即ち調整前）では、粒子状欠陥の個数は約１，１００個であると決定されるが、時間Ｔの後（即ち調整後）では、粒子状欠陥の個数は約７００個であると決定される。
【0107】
図１８Ｂを参照すると、粒子状欠陥の個数は、時間Ｔに関して大幅に低減されることが決定される。即ち、時間Ｔの前（即ち調整前）では、粒子状欠陥の個数は約７５１個であると決定されるが、時間Ｔの後（即ち調整後）では、粒子状欠陥の個数は約４１３個であると決定される。
【0108】
上述の実施形態による、圧力マッピング装置、及びガラス基板を清掃する方法を使用することにより、清掃プロセス中の作業員間での偏差を生じずに、客観的かつ定量的な試験を実施でき、従って粒子状欠陥等の製品欠陥が大幅に削減される。
【0109】
本明細書に記載の実施形態は、説明的な意味でのみ考慮されるべきであり、限定を目的として考慮されるべきではないことを理解されたい。各実施形態内の特徴又は側面の説明は、典型的には、他の実施形態における他の同様の特徴又は側面として利用可能なものとみなされるものとする。
【0110】
図面を参照して１つ以上の実施形態を説明したが、以下の請求項によって定義されるような本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、これらにおいて形態及び細部に関する様々な変更を実施してよいことは、当業者には理解されるだろう。
【0111】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【0112】
実施形態１
支持基板；
上記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、上記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；及び
上記複数の圧力センサそれぞれからの上記信号を受信し、受信した上記信号に基づいて、上記支持基板上に圧力マップを出力するよう構成された、アナライザ
を備える、圧力マッピング装置。
支持基板；
上記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、上記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；及び
上記複数の圧力センサそれぞれからの上記信号を受信し、受信した上記信号に基づいて、上記支持基板上に圧力マップを出力するよう構成された、アナライザ
を備える、圧力マッピング装置。
【0113】
実施形態２
上記複数の圧力センサはそれぞれ、上側導体層及び下側導体層を備え、上記下側導体層は、上記上側導体層から離間し、かつ上記上側導体層の下方に配置され、
上記上側導体層は、第１の電極を含む第１の導体部品、及び第２の電極を含む第２の導体部品を備え、
上記上側導体層は、上記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された上記圧力によって変形され、上記下側導体層に接触する、実施形態１に記載の圧力マッピング装置。
上記複数の圧力センサはそれぞれ、上側導体層及び下側導体層を備え、上記下側導体層は、上記上側導体層から離間し、かつ上記上側導体層の下方に配置され、
上記上側導体層は、第１の電極を含む第１の導体部品、及び第２の電極を含む第２の導体部品を備え、
上記上側導体層は、上記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された上記圧力によって変形され、上記下側導体層に接触する、実施形態１に記載の圧力マッピング装置。
【0114】
実施形態３
上記複数の圧力センサそれぞれの上記第１の電極及び上記第２の電極に接続された、複数のリード線を更に備え、上記複数のリード線は、上記支持基板の一方の側部上に設けられたコネクタまで延在し、
上記アナライザは、上記コネクタ及び信号ケーブルを通して上記信号を受信するよう構成される、実施形態２に記載の圧力マッピング装置。
上記複数の圧力センサそれぞれの上記第１の電極及び上記第２の電極に接続された、複数のリード線を更に備え、上記複数のリード線は、上記支持基板の一方の側部上に設けられたコネクタまで延在し、
上記アナライザは、上記コネクタ及び信号ケーブルを通して上記信号を受信するよう構成される、実施形態２に記載の圧力マッピング装置。
【0115】
実施形態４
上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品は、上記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された上記圧力に比例して変形され、上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品それぞれが上記下側導体層に接触する接触面積は、上記変形に伴って増大する、実施形態２に記載の圧力マッピング装置。
上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品は、上記圧力センサのうちの対応する１つに対して印加された上記圧力に比例して変形され、上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品それぞれが上記下側導体層に接触する接触面積は、上記変形に伴って増大する、実施形態２に記載の圧力マッピング装置。
【0116】
実施形態５
上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品は、複数のくし状の指状部を備える、実施形態４に記載の圧力マッピング装置。
上記第１の導体部品及び上記第２の導体部品は、複数のくし状の指状部を備える、実施形態４に記載の圧力マッピング装置。
【0117】
実施形態６
上記複数の圧力センサはそれぞれ、上記第１の電極及び上記第２の電極の下にスペーサを更に備え、
上記スペーサは、上記上側導体層を上記下側導体層から隔てる、実施形態２に記載の圧力マッピング装置。
上記複数の圧力センサはそれぞれ、上記第１の電極及び上記第２の電極の下にスペーサを更に備え、
上記スペーサは、上記上側導体層を上記下側導体層から隔てる、実施形態２に記載の圧力マッピング装置。
【0118】
実施形態７
上記支持基板は、可撓性基板である、実施形態１に記載の圧力マッピング装置。
上記支持基板は、可撓性基板である、実施形態１に記載の圧力マッピング装置。
【0119】
実施形態８
上記複数の圧力センサは、上記支持基板上に格子状に配設される、実施形態１に記載の圧力マッピング装置。
上記複数の圧力センサは、上記支持基板上に格子状に配設される、実施形態１に記載の圧力マッピング装置。
【0120】
実施形態９
ガラス基板を清掃する方法であって、
上記方法は：
圧力マッピング装置を複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；
上記複数の摩擦清掃部品をそれぞれ、清掃位置まで下げるステップ；
上記複数の摩擦清掃部品それぞれが上記ガラス基板に印加した圧力を、上記圧力マッピング装置を用いてマッピングするステップ；
マッピングされた上記圧力に基づいて、上記複数の摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整するステップ；
ガラス基板を上記複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；及び
上記複数の摩擦清掃部品を用いて上記ガラス基板を清掃するステップ
を含み、
上記圧力マッピング装置は：
支持基板；
上記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、上記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；及び
上記複数の圧力センサそれぞれからの上記信号を受信し、受信した上記信号に基づいて、上記支持基板上に圧力マップを出力するよう構成された、分析装置
を備える、方法。
ガラス基板を清掃する方法であって、
上記方法は：
圧力マッピング装置を複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；
上記複数の摩擦清掃部品をそれぞれ、清掃位置まで下げるステップ；
上記複数の摩擦清掃部品それぞれが上記ガラス基板に印加した圧力を、上記圧力マッピング装置を用いてマッピングするステップ；
マッピングされた上記圧力に基づいて、上記複数の摩擦清掃部品の下方加圧特性を調整するステップ；
ガラス基板を上記複数の摩擦清掃部品の下に位置決めするステップ；及び
上記複数の摩擦清掃部品を用いて上記ガラス基板を清掃するステップ
を含み、
上記圧力マッピング装置は：
支持基板；
上記支持基板上に配設された複数の圧力センサであって、上記複数の圧力センサはそれぞれ、印加された圧力に応答して信号を出力するよう構成される、圧力センサ；及び
上記複数の圧力センサそれぞれからの上記信号を受信し、受信した上記信号に基づいて、上記支持基板上に圧力マップを出力するよう構成された、分析装置
を備える、方法。
【0121】
実施形態１０
上記圧力をマッピングする上記ステップは、上記複数の摩擦清掃部品から印加された各上記圧力が、基準圧力値範囲内であるかどうかを決定するステップを含む、実施形態９に記載の方法。
上記圧力をマッピングする上記ステップは、上記複数の摩擦清掃部品から印加された各上記圧力が、基準圧力値範囲内であるかどうかを決定するステップを含む、実施形態９に記載の方法。
【0122】
実施形態１１
上記下方加圧特性を調整する上記ステップは、上記摩擦清掃部品の設置高さを調整するステップを含む、実施形態１０に記載の方法。
上記下方加圧特性を調整する上記ステップは、上記摩擦清掃部品の設置高さを調整するステップを含む、実施形態１０に記載の方法。
【0123】
実施形態１２
上記下げるステップは、上記複数の摩擦清掃部品それぞれを、空気圧又は油圧によって下げるステップを更に含み、
上記調整するステップは、清掃のために上記複数の摩擦清掃部品それぞれに印加される上記空気圧又は油圧の設定値を調整するステップを更に含む、実施形態１０に記載の方法。
上記下げるステップは、上記複数の摩擦清掃部品それぞれを、空気圧又は油圧によって下げるステップを更に含み、
上記調整するステップは、清掃のために上記複数の摩擦清掃部品それぞれに印加される上記空気圧又は油圧の設定値を調整するステップを更に含む、実施形態１０に記載の方法。
【0124】
実施形態１３
上記ガラス基板は、上記ガラス基板を清掃する上記ステップの実施中に、水平方向に移動する、実施形態９に記載の方法。
上記ガラス基板は、上記ガラス基板を清掃する上記ステップの実施中に、水平方向に移動する、実施形態９に記載の方法。
【0125】
実施形態１４
上記複数の摩擦清掃部品は：
上記ガラス基板の移動方向に対して垂直な横方向に対応する第１の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第１の摩擦清掃部品；及び
上記第１の行の上記複数の第１の摩擦清掃部品の配設方向に対して平行な横方向に対応する第２の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第２の摩擦清掃部品
を備え、
上記第２の行の１つの上記第２の摩擦清掃部品は、上記第１の行の２つの隣接する上記第１の摩擦清掃部品の間の位置から、上記ガラス基板の上記移動方向に離間して配置される、実施形態１３に記載の方法。
上記複数の摩擦清掃部品は：
上記ガラス基板の移動方向に対して垂直な横方向に対応する第１の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第１の摩擦清掃部品；及び
上記第１の行の上記複数の第１の摩擦清掃部品の配設方向に対して平行な横方向に対応する第２の行において、互いから一定の間隔に配設された、複数の第２の摩擦清掃部品
を備え、
上記第２の行の１つの上記第２の摩擦清掃部品は、上記第１の行の２つの隣接する上記第１の摩擦清掃部品の間の位置から、上記ガラス基板の上記移動方向に離間して配置される、実施形態１３に記載の方法。
【0126】
実施形態１５
上記ガラス基板を清掃する上記ステップは、清掃液を上記ガラス基板上に供給するステップを含む、実施形態９に記載の方法。
上記ガラス基板を清掃する上記ステップは、清掃液を上記ガラス基板上に供給するステップを含む、実施形態９に記載の方法。
【符号の説明】
【0127】
１００ 圧力マッピング装置
１１０ 支持基板
１２０、２２０、３２０ 圧力センサ
１２２ 上側導体層
１２２ａ 第１の導体部品
１２２ａｃ 第１の接続部品
１２２ａｅ 第１の電極
１２２ａｆ 第１の指状部
１２２ｂ 第２の導体部品
１２２ｂｃ 第２の接続部品
１２２ｂｅ 第２の電極
１２２ｂｆ 第２の指状部
１２２ｃ バイパスライン
１２４ 下側導体層
１２６ スペーサ
１２８ 上側絶縁層
１２９ 突出部
１３０ 防水ポーチ
１４０ アナライザ
１５０ コネクタ
１６０ａ 第１のリード線
１６０ｂ 第２のリード線
２０１ 摩擦清掃部品
２０１０ コントローラ
２０２０ 入出力（Ｉ／Ｏ）デバイス
２０３０ メモリ
２０４０ インタフェース
２０５０ バス
１１０ 支持基板
１２０、２２０、３２０ 圧力センサ
１２２ 上側導体層
１２２ａ 第１の導体部品
１２２ａｃ 第１の接続部品
１２２ａｅ 第１の電極
１２２ａｆ 第１の指状部
１２２ｂ 第２の導体部品
１２２ｂｃ 第２の接続部品
１２２ｂｅ 第２の電極
１２２ｂｆ 第２の指状部
１２２ｃ バイパスライン
１２４ 下側導体層
１２６ スペーサ
１２８ 上側絶縁層
１２９ 突出部
１３０ 防水ポーチ
１４０ アナライザ
１５０ コネクタ
１６０ａ 第１のリード線
１６０ｂ 第２のリード線
２０１ 摩擦清掃部品
２０１０ コントローラ
２０２０ 入出力（Ｉ／Ｏ）デバイス
２０３０ メモリ
２０４０ インタフェース
２０５０ バス
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図17】
【図18A】
【図18B】