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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-05-16
(45)【発行日】2023-05-24
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230517BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 338
G09F9/30 348A
G09F9/30 330
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2021548107
(86)(22)【出願日】2019-09-27
(86)【国際出願番号】 JP2019038096
(87)【国際公開番号】W WO2021059468
(87)【国際公開日】2021-04-01
【審査請求日】2022-03-10
(73)【特許権者】
【識別番号】000005049
【氏名又は名称】シャープ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100147304
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 知哉
(74)【代理人】
【識別番号】100148493
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 浩二
(72)【発明者】
【氏名】郡司 遼佑
(72)【発明者】
【氏名】齋田 信介
(72)【発明者】
【氏名】市川 伸治
(72)【発明者】
【氏名】岡部 達
(72)【発明者】
【氏名】井上 彬
(72)【発明者】
【氏名】仲田 芳浩
(72)【発明者】
【氏名】神村 浩治
【審査官】村上 遼太
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－３３８０１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／２１３１７８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１９／０６４４０９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１１／０６１９６１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－６４９６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１７８２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１６４３２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１７３６２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０７８０２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２１／００１１６０２（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ １／１３３－１／１３３４
１／１３３９－１／１３４１
１／１３４７
１／１３６－１／１３６８
Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６
Ｇ０９Ｇ ３／００－３／０８
３／１２
３／１６
３／１９－３／２６
３／３０
３／３４
３／３８
Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８
４４／００
４５／６０
Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域と、前記表示領域の周囲に配置された額縁領域とを備え、
前記額縁領域が、その端部に配置された端子部を有する表示装置であって、
前記表示領域と前記額縁領域とに配置された基板上に、第１配線、第１層間絶縁膜、第２配線、第２層間絶縁膜、及び、第３配線、がこの順番に設けられ、
前記表示領域に、
前記第１配線に含まれるとともに、第１方向に延伸する複数の制御線と、
前記第３配線に含まれるとともに、前記第１方向と直交する第２方向に延伸する複数のデータ信号線と、
前記制御線と前記データ信号線との交差点に対応するように備えられた複数の画素回路と、
前記画素回路に対応するように備えられた複数の発光素子と、が設けられ、
前記額縁領域に、前記端子部に設けられた複数の端子と前記複数のデータ信号線とを電気的に接続する複数の引き回し配線が設けられ、
前記引き回し配線は、前記第２層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記表示領域が、前記第１方向に沿った前記端子部側の二つの角に配置された一対の隅部と、前記一対の隅部の間に配置された中央部とを有し、
前記引き回し配線は、中央部引き回し配線と、前記中央部引き回し配線よりも長さが長い隅部引き回し配線と、を含み、
前記隅部引き回し配線は、前記複数のデータ信号線のうち、前記表示領域の前記隅部を通るデータ信号線と電気的に接続され、
前記中央部引き回し配線は、前記複数のデータ信号線のうち、前記表示領域の前記中央部を通るデータ信号線と電気的に接続され、
前記隅部引き回し配線に対応するコンタクトホールの数が、前記中央部引き回し配線に対応するコンタクトホールの数よりも多い表示装置。
【請求項2】
前記第１配線が前記引き回し配線を含み、前記コンタクトホールが、前記第２層間絶縁膜及び前記第１層間絶縁膜に設けられる請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記複数の引き回し配線のうち、前記第１配線に含まれる前記引き回し配線に隣接する引き回し配線は、前記第２配線に含まれる請求項２に記載の表示装置。【請求項4】
前記表示領域の一方の隅部を通る前記データ信号線と電気的に接続する引き回し配線に対応する前記コンタクトホールと、前記表示領域の他方の隅部を通る前記データ信号線と電気的に接続する引き回し配線に対応する前記コンタクトホールとの間の第１距離が、前記端子部と前記表示領域との間の引き回し領域における前記一方の隅部側の引き回し配線と前記他方の隅部側の引き回し配線との間の第２距離よりも長い請求項１から３の何れか一項に記載の表示装置。【請求項5】
前記表示領域の前記隅部がアール形状を有する請求項１から４の何れか一項に記載の表示装置。【請求項6】
前記隅部引き回し配線に対応する前記コンタクトホールの数が複数であり、前記複数のコンタクトホールの一部が、前記複数のコンタクトホールの残りの一部よりも前記端子部から遠い位置に配置された電蝕対応コンタクトホールであり、
前記複数のコンタクトホールの残りの一部が、前記電蝕対応コンタクトホールよりも前記端子部に近い位置に配置された接続確保コンタクトホールである請求項１から５の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項7】
表示領域と、前記表示領域の周囲に配置された額縁領域とを備え、
前記額縁領域が、その端部に配置された端子部を有する表示装置であって、
前記表示領域と前記額縁領域とに配置された基板上に、第１配線、第１層間絶縁膜、第２配線、第２層間絶縁膜、及び、第３配線、がこの順番に設けられ、
前記表示領域に、
前記第１配線に含まれるとともに、第１方向に延伸する複数の制御線と、
前記第１方向と直交する第２方向に延伸する複数のデータ信号線と、
前記制御線と前記データ信号線との交差点に対応するように備えられた複数の画素回路と、
前記画素回路に対応するように備えられた複数の発光素子と、が設けられ、
前記額縁領域に、
前記制御線に制御信号を入力するための制御回路と、
前記複数の制御線と前記制御回路とを接続するための複数の引き回し配線とが設けられ、
前記第３配線は、前記複数の制御線と前記複数の引き回し配線とをそれぞれ接続する複数の接続配線を含み、
各制御線は、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とに設けられた第１コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続し、
各引き回し配線は、前記第２層間絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続し、
各引き回し配線に対応する前記第２コンタクトホールの数が各制御線に対応する前記第１コンタクトホールの数よりも大きい表示装置。
【請求項8】
前記表示領域がアール形状を有する隅部を含み、前記制御線が前記隅部を通り、
前記制御回路が、前記表示領域の前記第１方向に平行な辺に沿って配置された第１ドライバと、前記第２方向に平行な辺に沿って配置された第２ドライバとを含み、
前記引き回し配線が前記制御線と前記第１ドライバとを接続する請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１配線が前記引き回し配線を含み、前記第２コンタクトホールが、前記第２層間絶縁膜及び前記第１層間絶縁膜に設けられる請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記複数の引き回し配線のうち、前記第１配線に含まれる前記引き回し配線に隣接する引き回し配線は、前記第２配線に含まれる請求項９に記載の表示装置。【請求項11】
前記制御回路が走査制御回路であり、前記制御線が走査制御線である請求項７から１０の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項12】
前記制御回路が発光制御回路であり、前記制御線が発光制御線である請求項７から１０の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項13】
前記第２コンタクトホールの数が複数であり、前記複数の第２コンタクトホールの一部が、前記複数の第２コンタクトホールの残りの一部よりも前記制御回路から遠い位置に配置された電蝕対応コンタクトホールであり、
前記複数の第２コンタクトホールの残りの一部が、前記電蝕対応コンタクトホールよりも前記制御回路に近い位置に配置された接続確保コンタクトホールである請求項７に記載の表示装置。
【請求項14】
前記電蝕対応コンタクトホールと前記接続確保コンタクトホールとの間の第３距離が、前記電蝕対応コンタクトホールが設けられた引き回し配線の幅の２倍以上である請求項６又は１３の何れか一項に記載の表示装置。【請求項15】
前記電蝕対応コンタクトホールと前記接続確保コンタクトホールとの間の前記引き回し配線の幅が、前記接続確保コンタクトホールが設けられた位置の前記引き回し配線の幅よりも狭い請求項６、請求項１３、及び請求項１４の何れか一項に記載の表示装置。【請求項16】
前記引き回し配線が、前記電蝕対応コンタクトホールと前記接続確保コンタクトホールとの間の少なくとも二箇所で屈曲して延伸する請求項６、請求項１３から請求項１５の何れか一項に記載の表示装置。【請求項17】
前記接続確保コンタクトホールの数が、前記電蝕対応コンタクトホールの数よりも多い請求項６、請求項１３～請求項１６の何れか一項に記載の表示装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、絶縁基板上に、薄膜トランジスタのゲートを共通接続するゲートバスラインと、薄膜トランジスタのドレインを共通接続するドレインバスラインとが延在し、透明絶縁基板の縁部にゲートバスラインの端部に相対して外部端子が形成され、ドレインバスラインの端部に相対して外部端子が形成されている表示装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】日本国公開特許公報「特開平8-328033号（1996年12月13日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記した特許文献１に記載の表示装置では、絶縁基板上のゲートバスライン、ドレインバスラインに対して、製造工程でスピン洗浄により絶縁基板に洗浄液を流すと、長いゲートバスライン、ドレインバスラインの端部のコンタクトホールが電蝕を起こして電気的に断線するおそれがあるという問題がある。
【0005】
本発明の一態様は、製造工程でスピン洗浄により基板に洗浄液を流しても、基板上の配線が電気的に断線することを防止することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る表示装置は、表示領域と、前記表示領域の周囲に配置された額縁領域とを備え、前記額縁領域が、その端部に配置された端子部を有する表示装置であって、前記表示領域と前記額縁領域とに配置された基板上に、第１配線、第１層間絶縁膜、第２配線、第２層間絶縁膜、及び、第３配線、がこの順番に設けられ、前記表示領域に、第１方向に延伸する複数の制御線と、前記第１方向と直交する第２方向に延伸する複数のデータ信号線と、前記制御線と前記データ信号線との交差点に対応するように備えられた複数の画素回路と、前記画素回路に対応するように備えられた複数の発光素子と、が設けられ、前記額縁領域に、前記端子部に設けられた複数の端子と前記複数のデータ信号線とを電気的に接続する複数の引き回し配線が設けられ、前記第３配線は前記データ信号線を含み、前記引き回し配線は、前記第２層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記データ信号線と電気的に接続し、前記表示領域が、前記第１方向に沿った前記端子部側の二つの角に配置された一対の隅部と、前記一対の隅部の間に配置された中央部とを有し、前記表示領域の前記隅部を通るデータ信号線と電気的に接続される引き回し配線の長さが、前記表示領域の前記中央部を通るデータ信号線と電気的に接続される引き回し配線の長さよりも長く、前記表示領域の前記隅部を通るデータ信号線と電気的に接続される引き回し配線に関連するコンタクトホールの数が、前記表示領域の前記中央部を通るデータ信号線と電気的に接続される引き回し配線に関連するコンタクトホールの数よりも多い。
【0007】
本発明に係る他の表示装置は、表示領域と、前記表示領域の周囲に配置された額縁領域とを備え、前記額縁領域が、その端部に配置された端子部を有する表示装置であって、前記表示領域と前記額縁領域とに配置された基板上に、第１配線、第１層間絶縁膜、第２配線、第２層間絶縁膜、及び、第３配線、がこの順番に設けられ、前記表示領域に、前記第１配線に含まれるとともに、第１方向に延伸する複数の制御線と、前記第１方向と直交する第２方向に延伸する複数のデータ信号線と、前記制御線と前記データ信号線との交差点に対応するように備えられた複数の画素回路と、前記画素回路に対応するように備えられた複数の発光素子と、が設けられ、前記額縁領域に、前記制御線に制御信号を入力するための制御回路と、前記複数の制御線と前記制御回路とを接続するための複数の引き回し配線とが設けられ、前記第３配線は、前記複数の制御線と前記複数の引き回し配線とをそれぞれ接続する複数の接続配線を含み、各制御線は、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とに設けられた第１コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続し、各引き回し配線は、前記第２層間絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続し、各引き回し配線に対応する前記第２コンタクトホールの数が各制御線に対応する前記第１コンタクトホールの数よりも大きい。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一態様は、製造工程でスピン洗浄により基板に洗浄液を流しても、基板上の配線が電気的に断線することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図2】表示装置の平面構成を示す模式図である。
【図3】表示領域の断面構成を示す模式図である。
【図5】サブ画素の構成を示す回路図である。
【図6】実施形態１に係る表示領域の中央部と隅部とを示す平面図である。
【図7】実施形態１に係る額縁領域の構成を示す平面図である。
【図11】実施形態１に係る額縁領域の構成を示す平面図である。
【図12】実施形態１に係る額縁領域の構成の変形例を示す平面図である。
【図13】実施形態１に係る額縁領域の構成を示す平面図である。
【図14】実施形態１に係る額縁領域の構成を示す平面図である。
【図15】上記額縁領域の引き回し配線の製造工程を説明するための平面図である。
【図19】上記額縁領域の他の引き回し配線の製造工程を説明するための平面図である。
【図23】上記額縁領域の電蝕対応コンタクトホール及び接続確保コンタクトホールの製造工程を説明するための平面図である。
【図27】上記額縁領域のデータ信号線の製造工程を説明するための平面図である。
【図31】実施形態２に係る表示領域の中央部と隅部とを示す平面図である。
【図32】実施形態２に係る表示領域の隅部の構成を示す平面図である。
【図33】実施形態２に係る表示領域の中央部の構成を示す平面図である。
【図34】実施形態２に係る額縁領域の隅部の構成を示す平面図である。
【図35】実施形態２に係る額縁領域の中央部の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも前のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
【0011】
【0012】
図１～図３に示すように、フレキシブルな表示装置２を製造する場合、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に可撓性基板１２（樹脂基板）を形成する（ステップＳ１）。可撓性基板１２は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲に配置された額縁領域ＮＡとを有する。額縁領域ＮＡは、その端部に配置された端子部ＴＳと、端子部ＴＳ及び表示領域ＤＡの間にＹ方向に延びるように配置された折り曲げ部ＺＳとを有する。
【0013】
次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。表示領域ＤＡの発光素子層５には、サブ画素ＳＧの発光素子ＥＳが形成される。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を可撓性基板１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、可撓性基板１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、可撓性基板１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、額縁領域ＮＡの端子部ＴＳ（端子ＴＭｂを含む）に、電子回路基板（ドライバチップ、フレキシブルプリント基板等）を実装する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１の後に、表示装置２を額縁領域ＮＡの折り曲げ部ＺＳで折り曲げることができる。
【0014】
ステップＳ１～Ｓ１１は、表示装置製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
【0015】
図４は、図１のステップＳ３およびステップＳ４の詳細を示すフローチャートである。図１～図４に示すように、ステップＳ２の後に、半導体層１５の成膜（ステップＳ３ａ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ａ）、半導体層１５のパターニング（ステップＳ３ｂ）を行う。続いて、下層無機絶縁膜である無機絶縁膜１６の成膜（ステップＳ３ｃ）、第１下層金属層４ｍａ（第１配線）の成膜（ステップＳ３ｄ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｄ）を行う。そして、第１下層金属層４ｍａをパターニングして引き回し配線Ｃ１（図６）を形成する（ステップＳ３ｅ）。続いて、中層無機絶縁膜である無機絶縁膜１８（第１層間絶縁膜）の成膜（ステップＳ３ｆ）、第２下層金属層４ｍｂ（第２配線）の成膜（ステップＳ３ｇ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｇ）を行う。そして、第２下層金属層４ｍｂをパターニングして引き回し配線Ｃ２（図６）を形成する（ステップＳ３ｈ）。
【0016】
続いて、上層無機絶縁膜である無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）の成膜（ステップＳ３ｉ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｉ）を行う。そして、無機絶縁膜１６・１８・１９のパターニングを行い、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１（図７）、接続確保コンタクトホールＣＨ２（図７）、及び、導通電極ＤＥのためのコンタクトホールを形成する（ステップＳ３ｊ）。次に、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｊ）を行った後、折り曲げ部ＺＳのバリア層３、無機絶縁膜１６・１８・１９を除去してスリットを形成する（ステップＳ３ｋ）。
【0017】
続いて、充填層を塗布（ステップＳ３ｍ）する。そして、図２に示す折り曲げ部ＺＳのスリットにのみ充填層を残し、表示領域ＤＡの画素内の充填層を除去して充填層のパターニング（ステップＳ３ｎ）を行う。続いて、第１上層金属層４ｍｃ（第３配線）の成膜（ステップＳ３ｐ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｐ）を行う。そして、第１上層金属層４ｍｃのパターニングを行い、データ信号線ＤＬ（図６、図７）を形成する（ステップＳ３ｑ）。
【0018】
続いて、第1樹脂層２０の塗布（ステップＳ３ｒ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｒ）、及び、第1樹脂層２０のパターニング（ステップＳ３ｓ）を行う。
【0019】
続いて、第２上層金属層４ｍｄの成膜（ステップＳ３ｗ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｗ）、及び、第２上層金属層４ｍｄのパターニングを行う（ステップＳ３ｘ）。続いて、第２樹脂層２１の塗布（ステップＳ３ｙ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ３Ｙ）、及び、第２樹脂層２１のパターニングを行う（ステップＳ３ｚ）。
【0020】
続いて、アノード２２を形成するための金属層の成膜（ステップＳ４ａ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ４Ａ）、アノード２２のパターニング（ステップＳ４ｂ）を行う。続いて、第３樹脂層２３の塗布（ステップＳ４ｃ）、フォトリソグラフィ（ステップＳ４Ｃ）、第３樹脂層２３のパターニング（ステップＳ４ｄ）、ＥＬ層２４の蒸着（ステップＳ４ｅ）、カソード２５の形成（ステップＳ４ｆ）を行う。その後、封止層６の形成（ステップＳ５）を行う。
【0021】
可撓性基板１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。可撓性基板１２を、２層のポリイミド膜およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
【0022】
バリア層３は、水、酸素、可動イオン等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
【0023】
半導体層１５には、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）を用いることができる。
【0024】
第１下層金属層４ｍａ、第２下層金属層４ｍｂ、第１上層金属層４ｍｃ、および第２上層金属層４ｍｄは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む単層金属膜あるいは複層金属膜によって構成される。特に、第１上層金属層４ｍｃおよび第２上層金属層４ｍｄについては、アルミニウム膜を２層のチタン膜で挟持して得られる、低抵抗金属層とすることができる。また、第２上層金属層４ｍｄについてはアルミニウム膜とその上層のチタン膜の２層で形成することもできる。
【0025】
第１下層金属層４ｍａと第２下層金属層４ｍｂは同じ金属材料で形成されるのが好ましく、第１上層金属層４ｍｃと第２上層金属層４ｍｄは同じ金属材料で形成されるのが好ましい。
【0026】
無機絶縁膜１６・１８・１９および保護層は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
【0027】
充填層、第１樹脂層２０および第２樹脂層２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
【0028】
トランジスタＴｒは、半導体層１５と、第１下層金属層４ｍａに含まれるゲート電極ＧＥとを含む。
【0029】
表示領域ＤＡには、ｍ列目のデータ信号線ＤＬ（ｍ）とｎ行目の走査制御線ＧＬ（ｎ）との交差点に対応するように、図５に示すサブ画素ＳＧ（ｍ列ｎ行に対応）の画素回路が設けられている。なお、ここで説明する画素回路の構成は一例であって、他の公知の構成を採用することもできる。図５に示す画素回路は、１個の発光素子ＥＳと、６個のトランジスタ（駆動トランジスタＴａ、書き込み制御トランジスタＴｂ、電源供給制御トランジスタＴｃ、発光制御トランジスタＴｄ、閾値電圧補償トランジスタＴｅ、初期化トランジスタＴｆ）と、１個のコンデンサＣｐとを含んでいる。トランジスタＴａ～Ｔｆは、ｐチャネル型のトランジスタである。コンデンサＣｐは、２つの電極からなる容量素子である。発光制御線ＥＭ（ｎ）（制御線）は、電源供給制御トランジスタＴｃおよび発光制御トランジスタＴｄの制御端子に接続する。走査制御線ＧＬ（ｎ）（制御線）は、書き込み制御トランジスタＴｂおよび閾値電圧補償トランジスタＴｅの制御端子に接続する。走査制御線ＧＬ（ｎ－１）は初期化トランジスタＴｆの制御端子に接続する。初期化電源線ＰＩ（ｎ）は、初期化トランジスタＴｆの一方の導通端子に接続される。データ信号線ＤＬ（ｍ）は、書き込み制御トランジスタＴｂの一方の導通端子に接続される。高電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する高電源電圧線ＰＳ（ｍ）は電源供給制御トランジスタＴｃの一方の導通端子に接続する。発光素子ＥＳのカソード２５は複数の画素回路に共通する共通電極であり、低電源電圧ＥＬＶＳＳと電気的に接続する。
【0030】
図５の画素回路は一例であり、これに限定されない。ｎチャネル型のトランジスタを用いて画素回路を構成することもできる。
【0031】
表示領域ＤＡにおいては、例えば、第１下層金属層４ｍａ（第１配線）に、Ｙ方向に延伸する走査制御線ＧＬ（ｎ）、Ｙ方向に延伸する発光制御線ＥＭ（ｎ）、各トランジスタ（Ｔａ～Ｔｆ）のゲート電極、およびゲート配線ＧＨ（図３参照）が含まれ、第２下層金属層４ｍｂ（第２配線）に、Ｙ方向に延伸する初期化電源線ＰＩ（ｎ）、Ｙ方向に延伸する高電圧電源線、コンデンサＣｐの一方電極ＣＥ（図３参照）が含まれ、第１上層金属層４ｍｃ（第３配線）に、Ｘ方向に延伸するデータ信号線ＤＬ（ｍ）、Ｘ方向に延伸する高電圧電源線、各トランジスタの導通電極ＤＥ（ソース／ドレイン電極）が含まれ、第２上層金属層４ｍｄ（第４配線）にＸ方向及びＹ方向に延伸し、格子状に設けられる高電圧電源線ＰＳ（ｍ）が含まれる。これらは例示に過ぎず、どの金属層にどの配線が含まれるかを限定するものではない。なお、第２上層金属層４ｍｄ、第２樹脂層２１は形成しなくてもよいが、第２上層金属層４ｍｄで形成される高電源電圧線を設けることで、電源線の抵抗を下げ、ＩＲドロップによる輝度の変化を抑えることができる。
【0032】
発光素子層５は、アノード２２と、アノード２２のエッジを覆う第３樹脂層（エッジカバー）２３と、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。第３樹脂層２３には、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料を用いることができる。
【0033】
表示領域ＤＡでは、サブ画素ＳＧごとに表示素子が設けられる。表示素子は、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含んで発光素子層５に形成される発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード、ＱＬＥＤ：量子ドット発光ダイオード）と、発光素子ＥＳの制御回路（ＴＦＴ層４に形成される）とで構成される。
【0034】
ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、第３樹脂層（エッジカバー）２３の開口に重なるように島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
【0035】
ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の貫通孔を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの貫通孔を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
【0036】
ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
【0037】
アノード２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
【0038】
発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
【0039】
発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
【0040】
発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
【0041】
封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素、可動イオン等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
【0042】
無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機バッファ膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができる。
【0043】
下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に可撓性基板１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示装置を実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
【0044】
表示領域ＤＡは、Ｙ方向（第１方向）に沿った端子部ＴＳ側の二つの角に配置された一対の隅部ＳＰと、この一対の隅部ＳＰの間に配置された中央部ＣＰとを有する。表示領域ＤＡの隅部ＳＰは、外側に突出するように湾曲したアール形状を有する。また、隅部ＳＰに沿う額縁領域ＮＡも同様に、アール形状を有する。
【0045】
図６は実施形態１に係る表示領域ＤＡの中央部ＣＰと隅部ＳＰとを示す平面図である。図７は実施形態１に係る隅部ＳＰに沿う額縁領域ＮＡの構成を示す平面図である。図８は図７に示す面ＡＡに沿った断面図である。図９は図７に示す面ＢＢに沿った断面図である。図１０は図７に示す面ＣＣに沿った断面図である。図１１は中央部ＣＰに沿う額縁領域ＮＡの構成を示す平面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
【0046】
表示領域ＤＡに、Ｙ方向（第１方向）に延伸する複数の走査制御線ＧＬ（制御線）及び発光制御線ＥＭ（制御線）と、Ｘ方向（第２方向）に延伸する複数のデータ信号線ＤＬと、走査制御線ＧＬ及び発光制御線ＥＭとデータ信号線ＤＬとの交差点に対応するように備えられた複数の画素回路（図５）と、画素回路に対応するように備えられた複数の発光素子ＥＳ（図３）とが設けられる。
【0047】
額縁領域ＮＡに、端子部ＴＳに設けられた複数の端子ＴＭｂ（図２）と複数のデータ信号線ＤＬとを電気的に接続する複数の引き回し配線Ｃ１・Ｃ２が設けられる。図８、図９に示すように、引き回し配線Ｃ１は第１下層金属層４ｍａ（第１配線、図３）に含まれ、引き回し配線Ｃ２は第２下層金属層４ｍｂ（第２配線、図３）に含まれる。
【0048】
表示領域ＤＡの隅部ＳＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続される引き回し配線Ｃ１・Ｃ２（隅部引き回し配線）に対応するコンタクトホールの数は複数（少なくとも２つ以上）ある。そして、複数のコンタクトホールの一部は、複数のコンタクトホールの他の一部よりも端子部ＴＳから遠い位置に配置された電蝕対応コンタクトホールＣＨ１である。複数のコンタクトホールの他の一部は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１よりも端子部ＴＳに近い位置に配置された接続確保コンタクトホールＣＨ２である。
【0049】
図８に示すように、隅部ＳＰに対応する引き回し配線Ｃ１は、無機絶縁膜１８（第１層間絶縁膜）及び無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）に設けられた電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を介してデータ信号線ＤＬと電気的に接続する。図９に示すように、隅部ＳＰに対応する引き回し配線Ｃ２は、無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）に設けられた電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を介してデータ信号線ＤＬと電気的に接続する。また、同様に、中央部ＣＰに対応する引き回し配線Ｃ１（中央部引き回し配線）は、無機絶縁膜１８（第１層間絶縁膜）及び無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）に設けられた接続確保コンタクトホールＣＨ２を介してデータ信号線ＤＬと電気的に接続する。中央部ＣＰに対応する引き回し配線Ｃ２（中央部引き回し配線）は、無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）に設けられた接続確保コンタクトホールＣＨ２を介してデータ信号線ＤＬと電気的に接続する。
【0050】
表示領域ＤＡの隅部ＳＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続される引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の長さは、表示領域ＤＡの中央部ＣＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続される引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の長さよりも長い。ここで、引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の長さとは、それぞれ同じ金属層のままで延伸する長さをいう。例えば、引き回し配線Ｃ１の場合は、第１下層金属層４ｍａ（第１配線）の金属層のまま延伸する長さであり、図７や図１１に示す表示領域ＤＡ側の端（端において、例えば、別の金属層である第１上層金属層４ｍｃ（第３配線）に繋ぎ変えられる）から、端子部ＴＳ側の端（端において、例えば、別の金属層である第１上層金属層４ｍｃ（第３配線）に繋ぎ変えられる）までの長さをいう。
【0051】
このように、隅部ＳＰに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２は、図６に示すように、中央部ＣＰに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２よりも長い。これは、隅部ＳＰがアール形状を有する場合により強調される。隅部ＳＰがアール形状を有さない場合でも、引き回し領域ＲＡのＹ方向に沿った幅が、表示領域ＤＡのＹ方向に沿った幅よりも狭いことによって、隅部ＳＰに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２は、中央部ＣＰに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２よりも長くなる。
【0052】
表示領域ＤＡの隅部ＳＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続される引き回し配線Ｃ１・Ｃ２に関連するコンタクトホール（電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２とを含む）の数が、表示領域ＤＡの中央部ＣＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続される引き回し配線Ｃ１・Ｃ２に関連するコンタクトホール（接続確保コンタクトホールＣＨ２）の数よりも多い。例えば、図７において、隅部ＳＰに対応するコンタクトホールの数は３つ（電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が１つ、接続確保コンタクトホールＣＨ２が２つ）であり、図１１において、中央部ＣＰに対応するコンタクトホールは１つ（接続確保コンタクトホールＣＨ２が１つ）である。コンタクトホールの数は上記に限定されない。少なくとも、隅部ＳＰに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２に関連するコンタクトホールの数が、中央部ＣＰに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２に関連するコンタクトホールの数よりも多ければよい。中央部ＣＰに対応するコンタクトホールが１つであれば、隅部ＳＰに対応するコンタクトホールの数は少なくとも２つ以上あればよく、例えば、隅部ＳＰに対応するコンタクトホールの数は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が１つ、接続確保コンタクトホールＣＨ２が１つの合計２つであってもよい。また、中央部ＣＰに対応するコンタクトホールつまり、接続確保コンタクトホールＣＨ２が２つであってもよい。その場合、隅部ＳＰに対応するコンタクトホールの数は少なくとも３つ以上である。また、図７に示すように、接続確保コンタクトホールＣＨ２の数は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１の数よりも多い方が好ましい。
【0053】
電蝕対応コンタクトホールＣＨ１は、引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の端子部ＴＳと反対側の先端で生じる電蝕に対して避雷針的に作用するコンタクトホールである。接続確保コンタクトホールＣＨ２は、引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の先端で電蝕が生じた場合に、データ信号線ＤＬと引き回し配線Ｃ１・Ｃ２との間の電気的接続を確保するコンタクトホールである。
【0054】
複数の表示パネルパターンをガラスや有機フィルムからなる１枚の絶縁性母基板上に作製する製造工程において、この絶縁性母基板を回転させて洗浄液等の液体を流すスピン洗浄工程では、絶縁性母基板の外周側が帯電して電蝕が発生しやすい。絶縁性母基板の外周側に配置された表示パネルパターンの特に長い配線パターンで帯電が生じやすい。また、表示パネルパターンの回路形成が完了していない途中工程では、電気的に浮いた配線パターンにおいて帯電した電荷が抜けにくいため帯電が生じやすい。
【0055】
端子部ＴＳから引き回す複数の引き回し配線Ｃ１及び複数の引き回し配線Ｃ２のうち隅部ＳＰに対応する外側の引き回し配線Ｃ１・Ｃ２のコンタクトホールが電蝕を起こし易い。
【0056】
実際には、端子部ＴＳから表示領域ＤＡまで引き回したゲート配線ＧＨに対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２と、データ信号線ＤＬとの間の接続部において、引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の端子部ＴＳと反対側の先端のコンタクトホールが電蝕で断線するという問題がある。
【0057】
実施形態１では、データ信号線ＤＬと引き回し配線Ｃ１・Ｃ２との間の接続部に、引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の先端の電蝕対応コンタクトホールＣＨ１とは別に、接続確保コンタクトホールＣＨ２が設けられる。これにより、引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の先端のコンタクトホール（つまり、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１）で電蝕による断線が生じても、接続確保コンタクトホールＣＨ２によりデータ信号線ＤＬと引き回し配線Ｃ１・Ｃ２との間の電気的な接続が確保され電気的な不良（コンタクト不良）の発生が防止される。
【0058】
電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２との間の第３距離Ｄ３は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が設けられた引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の幅Ｗ１の２倍以上であることが好ましく、さらには５倍以上であることが好ましい。また、第３距離Ｄ３は、複数の接続確保コンタクトホールＣＨ２の間の距離Ｄ４よりも長いことが好ましい。電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２とは、互いにより離れて配置される方が、より大きな効果が得られ、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１に生じた電蝕が接続確保コンタクトホールＣＨ２に及ぶ事を防ぐことができる。
【0059】
図７に示すように、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２との間の引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の幅Ｗ２が、接続確保コンタクトホールＣＨ２が設けられた位置の引き回し配線Ｃ１・Ｃ２の幅Ｗ１よりも狭い。このようにすることで、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１に電蝕が起きても、幅Ｗ２に対応する引き回し配線Ｃ１・Ｃ２を切ることにより、この電蝕が接続確保コンタクトホールＣＨ２に及ぶ事を防ぐことができる。但し、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が設けられていれば、幅Ｗ１と幅Ｗ２は同程度であってもよく、同程度であっても断線に効果がある。
【0060】
図１２は額縁領域ＮＡの構成の変形例を示す平面図である。隅部ＳＰ、中央部ＣＰに沿う額縁領域ＮＡの引き回し配線Ｃ１・Ｃ２は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２との間の少なくとも二箇所の屈曲点ＫＰ１・ＫＰ２で屈曲して延伸してもよい。このようにすることで、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１で電蝕が起きても、屈曲点ＫＰ１又はＫＰ２において引き回し配線Ｃ１又はＣ２を切断するようにすることで、電蝕が接続確保コンタクトホールＣＨ２に及ぶのを防ぐことができる。
【0061】
また、スピン洗浄工程の回数分の個数の電蝕対応コンタクトホールＣＨ１を設けてもよい。これにより、スピン洗浄工程の度に電蝕が発生してもスピン洗浄工程の回数分の個数の電蝕対応コンタクトホールＣＨ１により対応することができ、接続確保コンタクトホールＣＨ２により電気的接続が確保される。
【0062】
電蝕は、コンタクトホールを形成した後に起こり、電蝕が起こると下地の第１下層金属層４ｍａ、第２下層金属層４ｍｂが無くなる。このため、単にデータ信号線ＤＬと引き回し配線Ｃ１・Ｃ２とが重畳する接続部を延長するだけでなく、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を設けることによりコンタクトホールの設置数を増やしている。
【0063】
電蝕対応コンタクトホールＣＨ１の寸法と接続確保コンタクトホールＣＨ２の寸法とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【0064】
図７等で前述した例では、第１下層金属層４ｍａに対応する引き回し配線Ｃ１と、第２下層金属層４ｍｂに対応する引き回し配線Ｃ２とを設けた例を示したが、図１３及び図１４に示すように、第１下層金属層４ｍａに対応する引き回し配線Ｃ１のみを設けてもよい。
【0065】
図６に示すように、表示領域ＤＡの一方の隅部ＳＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続する引き回し配線Ｃ１に対応するコンタクトホールと、表示領域ＤＡの他方の隅部ＳＰを通るデータ信号線ＤＬと電気的に接続する引き回し配線Ｃ１に対応するコンタクトホールとの間の第１距離Ｄ１は、端子部ＴＳと表示領域ＤＡとの間の引き回し領域ＲＡにおける一方の隅部ＳＰ側の引き回し配線Ｃ１と他方の隅部ＳＰ側の引き回し配線Ｃ１との間の第２距離Ｄ２よりも長い。上記は、引き回し配線Ｃ２にも当てはまる。
【0066】
図１５は額縁領域ＮＡの引き回し配線Ｃ１の製造工程を説明するための平面図である。図１６は図１５に示す面ＡＡに沿った断面図である。図１７は図１５に示す面ＢＢに沿った断面図である。図１８は図１５に示す面ＣＣに沿った断面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
【0067】
【0068】
図１９は額縁領域ＮＡの引き回し配線Ｃ２の製造工程を説明するための平面図である。図２０は図１９に示す面ＡＡに沿った断面図である。図２１は図１９に示す面ＢＢに沿った断面図である。図２２は図１９に示す面ＣＣに沿った断面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
【0069】
【0070】
図２３は額縁領域ＮＡの電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２の製造工程を説明するための平面図である。図２４は図２３に示す面ＡＡに沿った断面図である。図２５は図２３に示す面ＢＢに沿った断面図である。図２６は図２３に示す面ＣＣに沿った断面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
【0071】
図４で前述したステップＳ３ｊにおいて、引き回し配線Ｃ１に対応する電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を、図２３、図２４、及び図２６に示すように、無機絶縁膜１８・１９を通って引き回し配線Ｃ１に到達するように形成する。そして、引き回し配線Ｃ２に対応する電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を、図２３、図２５、及び図２６に示すように、無機絶縁膜１９を通って引き回し配線Ｃ２に到達するように形成する。
【0072】
図２７は額縁領域ＮＡのデータ信号線ＤＬの製造工程を説明するための平面図である。図２８は図２７に示す面ＡＡに沿った断面図である。図２９は図２７に示す面ＢＢに沿った断面図である。図３０は図２７に示す面ＣＣに沿った断面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
【0073】
図４で前述したステップＳ３ｑにおいて、引き回し配線Ｃ１に対応するデータ信号線ＤＬを、図２７、図２８、及び図３０に示すように、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を通って引き回し配線Ｃ１に到達するように無機絶縁膜１９上に形成する。そして、引き回し配線Ｃ２に対応するデータ信号線ＤＬを、図２７、図２９、及び図３０に示すように、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１及び接続確保コンタクトホールＣＨ２を通って引き回し配線Ｃ２に到達するように無機絶縁膜１９上に形成する。
【0074】
[実施形態２]
図３１は実施形態２に係る表示領域ＤＡの中央部ＣＰ１と隅部ＳＰ１とを示す平面図である。図３２は表示領域ＤＡの隅部ＳＰ１の構成を示す平面図である。図３３は表示領域ＤＡの中央部ＣＰ１の構成を示す平面図である。図３４は額縁領域ＮＡの隅部ＳＰ１の構成を示す平面図である。図３５は額縁領域ＮＡの中央部ＣＰ１の構成を示す平面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
図３１は実施形態２に係る表示領域ＤＡの中央部ＣＰ１と隅部ＳＰ１とを示す平面図である。図３２は表示領域ＤＡの隅部ＳＰ１の構成を示す平面図である。図３３は表示領域ＤＡの中央部ＣＰ１の構成を示す平面図である。図３４は額縁領域ＮＡの隅部ＳＰ１の構成を示す平面図である。図３５は額縁領域ＮＡの中央部ＣＰ１の構成を示す平面図である。前述した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その詳細な説明は繰り返さない。
【0075】
実施形態２に係る表示装置は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲に配置された額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡは、表示装置の端部に配置された端子部ＴＳを有する。表示領域ＤＡと額縁領域ＮＡとに配置された可撓性基板１２上に、前述した図３に示すように、第１下層金属層４ｍａ（第１配線）、無機絶縁膜１８（第１層間絶縁膜）、第２下層金属層４ｍｂ（第２配線）、無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）、及び、第１上層金属層４ｍｃ（第３配線）、がこの順番に設けられる。
【0076】
表示領域ＤＡに、第１下層金属層４ｍａに含まれるとともに、Ｙ方向に延伸する複数の発光制御線ＥＭ（制御線）及び走査制御線ＧＬ（制御線）と、Ｘ方向に延伸する複数のデータ信号線ＤＬと、発光制御線ＥＭ及び走査制御線ＧＬとデータ信号線ＤＬとの交差点に対応するように備えられた複数の画素回路と、画素回路に対応するように備えられた複数の発光素子層５と、が設けられている。
【0077】
額縁領域ＮＡに、発光制御線ＥＭに発光制御信号を入力するための発光制御回路３１ａ（第１ドライバ、制御回路）・３１ｂ（第２ドライバ、制御回路）及び走査制御線ＧＬに走査制御信号を入力するための走査制御回路３２（第２ドライバ、制御回路）と、複数の発光制御線ＥＭと発光制御回路３１ａとを接続するための複数の引き回し配線Ｃ３・Ｃ４とが設けられる。
【0078】
発光制御線ＥＭ及び走査制御線ＧＬは第１下層金属層４ｍａ（第１配線）に含まれる。
【0079】
第１上層金属層４ｍｃ（第３配線）は、複数の発光制御線ＥＭと複数の引き回し配線Ｃ３・Ｃ４とをそれぞれ接続する複数の接続配線Ｃ５を含む。
【0080】
図３４において、引き回し配線Ｃ３は、第1下層金属層４ｍａ（第１配線）に含まれ、引き回し配線Ｃ４は、第２下層金属層４ｍｂ（第２配線）に含まれ、第1下層金属層４ｍａの引き回し配線Ｃ３と第２下層金属層４ｍｂの引き回し配線Ｃ４とを交互に引き回す例を示す。しかしながら本発明はこれに限定されず、引き回し配線Ｃ３・Ｃ４ともに、第２下層金属層４ｍｂ（第２配線）に含まれていてもよい。
【0081】
各発光制御線ＥＭは、無機絶縁膜１８（第１層間絶縁膜）、無機絶縁膜１９（第２層間絶縁膜）に設けられた１個以上のコンタクトホールＣＨ３（第１コンタクトホール）を介して対応する接続配線Ｃ５と電気的に接続する。
【0082】
各引き回し配線Ｃ３・Ｃ４は、無機絶縁膜１９に設けられた１個以上の電蝕対応コンタクトホールＣＨ１（第２コンタクトホール）、接続確保コンタクトホールＣＨ２（第２コンタクトホール）を介して対応する接続配線Ｃ５と電気的に接続する。但し、引き回し配線Ｃ４が第1下層金属層４ｍａ（第１配線）に含まれる場合は、無機絶縁膜１８にも電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が設けられる。
【0083】
各引き回し配線Ｃ３・Ｃ４に対応する電蝕対応コンタクトホールＣＨ１（第２コンタクトホール）の数と、接続確保コンタクトホールＣＨ２（第２コンタクトホール）の数との和は、各発光制御線ＥＭに対応するコンタクトホールＣＨ３（第１コンタクトホール）の数以上である。
【0084】
例えば、図３４において、各引き回し配線Ｃ３・Ｃ４に対応する電蝕対応コンタクトホールＣＨ１の数は1つであり、接続確保コンタクトホールＣＨ２の数は２つである。そして、各発光制御線ＥＭに対応するコンタクトホールＣＨ３の数は１つである。従って、請求項に記載の第２コンタクトホールの数（電蝕対応コンタクトホールＣＨ１の数と接続確保コンタクトホールＣＨ２の数との和（３つ））が、請求項に記載の第１コンタクトホール（コンタクトホールＣＨ３）の数（１つ）よりも多くなっている例を示している。
【0085】
コンタクトホールの数は上記に限定されない。少なくとも、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１（第２コンタクトホール）の数と接続確保コンタクトホールＣＨ２（第２コンタクトホール）の数との和がコンタクトホールＣＨ３（第１コンタクトホール）の数以上であればよい。例えば、コンタクトホールＣＨ３（第１コンタクトホール）の数が1つであれば、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１（第２コンタクトホール）と接続確保コンタクトホールＣＨ２（第２コンタクトホール）との何れかが１つ以上あればよい。また、コンタクトホールＣＨ３（第１コンタクトホール）の数が零であれば、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１（第２コンタクトホール）と接続確保コンタクトホールＣＨ２（第２コンタクトホール）との何れかが１つ以上あればよい。
【0086】
中央部ＣＰ１においては、発光制御線ＥＭは隅部ＳＰ１のように発光制御回路３１aへとＣ３・Ｃ４により引き回す必要がなく発光制御回路３１ｂと直接接続する。このため、中央部ＣＰ１を示す図３５では、発光制御線ＥＭが接続配線Ｃ５と接続するための接続確保コンタクトホールＣＨ２（第２コンタクトホール）のみが示されている。
【0087】
表示領域ＤＡの隅部ＳＰ１はアール形状を含む。複数の発光制御線ＥＭの一部は、隅部ＳＰ１を通る。
【0088】
制御回路は、表示領域ＤＡのＹ方向に平行な辺に沿って配置された発光制御回路３１ａ（第１ドライバ）と、Ｘ方向に平行な辺に沿って配置された発光制御回路３１ｂ（第２ドライバ）及び走査制御回路３２（第２ドライバ）とを含む。引き回し配線Ｃ３・Ｃ４は発光制御線ＥＭと発光制御回路３１ａ（第１ドライバ）とを接続するために設けられる。ここで、第１ドライバとは、Ｙ方向に平行な辺に沿って配置される制御回路を意味し、第２ドライバとは、Ｘ方向に平行な辺に沿って配置される制御回路を意味する。上記では、第１ドライバが発光制御回路３１ａである例を示したが、第１ドライバが走査制御回路３２ａであってもよい。つまり、表示領域ＤＡのＹ方向に平行な辺に沿って配置された走査制御回路３２ａ（第１ドライバ）と、Ｘ方向に平行な辺に沿って配置された走査制御回路３ｓｂ（第２ドライバ）及び発光制御回路３２（第２ドライバ）とを含んでいてもよく、その変形例では、引き回し配線Ｃ３・Ｃ４は走査制御線ＧＬと走査制御回路３２ａ（第１ドライバ）とを接続するために設けられる。
【0089】
電蝕対応コンタクトホールＣＨ１は、接続確保コンタクトホールＣＨ２よりも発光制御回路３１ａから遠い位置に配置されている。
【0090】
電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２との間の第３距離Ｄ３は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が設けられた引き回し配線Ｃ３・Ｃ４の幅Ｗ１の２倍以上であることが好ましい。また、第３距離Ｄ３は、複数の接続確保コンタクトホールＣＨ２の間の距離Ｄ４よりも長いことが好ましい。電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２とは、互いにより離れて配置される方が、より大きな効果が得られ、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１に生じた電蝕が接続確保コンタクトホールＣＨ２に及ぶ事を防ぐことができる。
【0091】
電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２との間の引き回し配線Ｃ３・Ｃ４の幅Ｗ２は、接続確保コンタクトホールＣＨ２が設けられた位置の引き回し配線Ｃ３・Ｃ４の幅Ｗ１よりも狭い。
【0092】
引き回し配線Ｃ３・Ｃ４は、実施形態１で前述した引き回し配線Ｃ１・Ｃ２と同様に、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１と接続確保コンタクトホールＣＨ２との間の少なくとも二箇所で屈曲して延伸することが好ましい。
【0093】
接続確保コンタクトホールＣＨ２の数は、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１の数よりも多いことが好ましい。
【0094】
図３１に示すように、表示領域ＤＡの端子部ＴＳと反対側の隅部ＳＰ１でアール形状を形成したときに、アール形状の隅部ＳＰ１における非表示部である額縁領域ＮＡの幅を狭くするために、発光制御回路を、隅部ＳＰ１の近傍に配置せず、表示領域ＤＡのＹ方向に延伸する辺に沿って発光制御回路３１ａとして配置する。この場合、発光制御線ＥＭを発光制御回路３１ａに接続するために第１下層金属層４ｍａ又は第２下層金属層４ｍｂを引き回した長い引き回し配線Ｃ３・Ｃ４が電蝕を起こし易い。
【0095】
実施形態２では、引き回し配線Ｃ３・Ｃ４の発光制御回路３１ａと反対側の先端に対応する位置に電蝕対応コンタクトホールＣＨ１を設け、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１から発光制御回路３１ａ側に離れた位置に接続確保コンタクトホールＣＨ２を設けたので、電蝕対応コンタクトホールＣＨ１が電蝕を起こした場合でも、接続確保コンタクトホールＣＨ２の存在により、発光制御線ＥＭと引き回し配線Ｃ３・Ｃ４との間の電気的接続を確保することができる。
【0096】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【0097】
２ 表示装置
４ 薄膜トランジスタ層
４ｍａ 第１下層金属層（第１配線）
４ｍｂ 第２下層金属層（第２配線）
４ｍｃ 第１上層金属層（第３配線）
４ｍｄ 第２上層金属層（第４配線）
５ 発光素子層
１２ 可撓性基板（基板）
１５ 半導体層
１８ 無機絶縁膜（第１層間絶縁膜）
１９ 無機絶縁膜（第２層間絶縁膜）
３１ａ 発光制御回路（第１ドライバ、制御回路）
３１ｂ 発光制御回路（第２ドライバ、制御回路）
３２ 走査制御回路（第２ドライバ、制御回路）
Ｃ１、Ｃ２ 引き回し配線（中央部引き回し配線、隅部引き回し配線）
Ｃ３、Ｃ４ 引き回し配線
Ｃ５ 接続配線
ＣＨ１ 電蝕対応コンタクトホール（コンタクトホール、第２コンタクトホール）
ＣＨ２ 接続確保コンタクトホール（コンタクトホール、第２コンタクトホール）
ＣＨ３ コンタクトホール（第１コンタクトホール）
ＣＰ 中央部
ＳＰ 隅部
ＳＰ１ 隅部
ＧＬ（ｎ） 走査制御線（制御線）
ＥＭ（ｎ） 発光制御線（制御線）
ＤＬ（ｍ） データ信号線
ＴＭｂ 端子
ＴＳ 端子部
ＤＡ 表示領域
ＮＡ 額縁領域
ＲＡ 引き回し領域
Ｄ１ 第１距離
Ｄ２ 第２距離
Ｄ３ 第３距離
４ 薄膜トランジスタ層
４ｍａ 第１下層金属層（第１配線）
４ｍｂ 第２下層金属層（第２配線）
４ｍｃ 第１上層金属層（第３配線）
４ｍｄ 第２上層金属層（第４配線）
５ 発光素子層
１２ 可撓性基板（基板）
１５ 半導体層
１８ 無機絶縁膜（第１層間絶縁膜）
１９ 無機絶縁膜（第２層間絶縁膜）
３１ａ 発光制御回路（第１ドライバ、制御回路）
３１ｂ 発光制御回路（第２ドライバ、制御回路）
３２ 走査制御回路（第２ドライバ、制御回路）
Ｃ１、Ｃ２ 引き回し配線（中央部引き回し配線、隅部引き回し配線）
Ｃ３、Ｃ４ 引き回し配線
Ｃ５ 接続配線
ＣＨ１ 電蝕対応コンタクトホール（コンタクトホール、第２コンタクトホール）
ＣＨ２ 接続確保コンタクトホール（コンタクトホール、第２コンタクトホール）
ＣＨ３ コンタクトホール（第１コンタクトホール）
ＣＰ 中央部
ＳＰ 隅部
ＳＰ１ 隅部
ＧＬ（ｎ） 走査制御線（制御線）
ＥＭ（ｎ） 発光制御線（制御線）
ＤＬ（ｍ） データ信号線
ＴＭｂ 端子
ＴＳ 端子部
ＤＡ 表示領域
ＮＡ 額縁領域
ＲＡ 引き回し領域
Ｄ１ 第１距離
Ｄ２ 第２距離
Ｄ３ 第３距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】