特許 7348760 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-12

(45)【発行日】2023-09-21

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/338 20060101AFI20230913BHJP

   H01L 29/778 20060101ALI20230913BHJP

   H01L 29/812 20060101ALI20230913BHJP

   H01L 29/06 20060101ALI20230913BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20230913BHJP

   H01L 29/78 20060101ALI20230913BHJP

   H01L 29/41 20060101ALI20230913BHJP

【ＦＩ】

H01L29/80 H

H01L29/06 301F

H01L29/78 301B

H01L29/44 Y

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2019121898

(22)【出願日】2019-06-28

(65)【公開番号】P2021009887

(43)【公開日】2021-01-28

【審査請求日】2022-03-14

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(73)【特許権者】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】新留 彩

(72)【発明者】

【氏名】蔵口 雅彦

【審査官】鈴木 聡一郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０８７７４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１５７００８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２６４４５４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－２３１１２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１５８１４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２１／３３８

Ｈ０１Ｌ ２９／０６

Ｈ０１Ｌ ２９／４１

Ｈ０１Ｌ ２９／７７８

Ｈ０１Ｌ ２９／７８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１電極と、
第２電極と、
第３電極であって、前記第１電極から前記第２電極への第１方向における前記第３電極の位置は、前記第１方向における前記第１電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある、前記第３電極と、
前記第１電極と電気的に接続された第１導電部材であって、前記第１方向における前記第１導電部材の位置は、前記第１方向における前記第３電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある、前記第１導電部材と、
Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１半導体層であって、前記第１半導体層は、第１部分領域、第２部分領域、第３部分領域、第４部分領域及び第５部分領域を含み、前記第１部分領域から前記第１電極への第２方向は、前記第１方向と交差し、前記第２部分領域から前記第２電極への方向は、前記第２方向に沿い、前記第３部分領域から前記第３電極への方向は、前記第２方向に沿い、前記第４部分領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３部分領域との間にあり、前記第５部分領域は、前記第１方向において前記第３部分領域と前記第２部分領域との間にある、前記第１半導体層と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２＜１、ｘ１＜ｘ２）を含む第２半導体層であって、前記第２半導体層は、第１半導体領域及び第２半導体領域を含み、前記第４部分領域から前記第１半導体領域への方向は前記第２方向に沿い、前記第５部分領域から前記第２半導体領域への方向は前記第２方向に沿う、前記第２半導体層と、
第１絶縁領域、第２絶縁領域、第３絶縁領域、第４絶縁領域及び第５絶縁領域を含む絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第３部分領域と前記第３電極との間にあり、前記第２絶縁領域は、前記第２方向において前記第５部分領域と前記第１導電部材との間にある、前記絶縁部材と、
を備え、
前記第３電極は、第１部分、第２部分及び第３部分を含み、前記第１部分から前記第２部分への方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿い、前記第１部分は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第３部分との間にあり、
前記第１電極は、第１導電領域、第２導電領域、第３導電領域及び第４導電領域を含み、前記第１導電領域から前記第１部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第３導電領域から前記第３部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第２導電領域から前記第２部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第１導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第３導電領域との間にあり、前記第２導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第４導電領域との間にあり、
前記第３絶縁領域は、前記第１方向において、前記第３導電領域と前記第３部分との間にあり、
前記第４絶縁領域は、前記第１方向において、前記第３部分と前記第１導電部材との間にあり、
前記第５絶縁領域は、前記第１方向において、前記第４導電領域と前記第１導電部材との間にあり、前記第４導電領域及び前記第１導電部材と接する、半導体装置。

【請求項2】

前記絶縁部材は、第６絶縁領域をさらに含み、
前記第６絶縁領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と、前記第３導電領域の一部と、の間にあり、
前記第６絶縁領域は、前記第１方向において、前記第１導電領域と前記第１部分との間にある、請求項１記載の半導体装置。

【請求項3】

前記絶縁部材は、第７絶縁領域をさらに含み、
前記第７絶縁領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と、前記第４導電領域の一部と、の間にあり、
前記第７絶縁領域は、前記第１方向において、前記第２導電領域と前記第２部分との間にある、請求項２記載の半導体装置。

【請求項4】

第１電極と、
第２電極と、
第３電極であって、前記第１電極から前記第２電極への第１方向における前記第３電極の位置は、前記第１方向における前記第１電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある、前記第３電極と、
前記第１電極と電気的に接続された第１導電部材であって、前記第１方向における前記第１導電部材の位置は、前記第１方向における前記第３電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある、前記第１導電部材と、
Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１半導体層であって、前記第１半導体層は、第１部分領域、第２部分領域、第３部分領域、第４部分領域及び第５部分領域を含み、前記第１部分領域から前記第１電極への第２方向は、前記第１方向と交差し、前記第２部分領域から前記第２電極への方向は、前記第２方向に沿い、前記第３部分領域から前記第３電極への方向は、前記第２方向に沿い、前記第４部分領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３部分領域との間にあり、前記第５部分領域は、前記第１方向において前記第３部分領域と前記第２部分領域との間にある、前記第１半導体層と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２＜１、ｘ１＜ｘ２）を含む第２半導体層であって、前記第２半導体層は、第１半導体領域及び第２半導体領域を含み、前記第４部分領域から前記第１半導体領域への方向は前記第２方向に沿い、前記第５部分領域から前記第２半導体領域への方向は前記第２方向に沿う、前記第２半導体層と、
第１絶縁領域、第２絶縁領域、第３絶縁領域、第４絶縁領域及び第５絶縁領域を含む絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第３部分領域と前記第３電極との間にあり、前記第２絶縁領域は、前記第２方向において前記第５部分領域と前記第１導電部材との間にある、前記絶縁部材と、
を備え、
前記第３電極は、第１部分、第２部分及び第３部分を含み、前記第１部分から前記第２部分への方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿い、前記第１部分は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第３部分との間にあり、
前記第１電極は、第１導電領域、第２導電領域及び第３導電領域を含み、前記第１導電領域から前記第１部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第２導電領域から前記第２部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第２導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第３導電領域との間にあり、
前記第３部分は、前記第１方向において、前記第３絶縁領域と前記第１導電部材との間にあり、
前記第４絶縁領域は、前記第１方向において、前記第３部分と前記第１導電部材との間にあり、
前記第５絶縁領域は、前記第１方向において、前記第３導電領域と前記第１導電部材との間にあり、前記第３導電領域及び前記第１導電部材と接する、半導体装置。

【請求項5】

複数の前記第３部分が設けられ、
前記第５絶縁領域は、前記第３方向において、前記複数の前記第３部分の１つと、前記複数の前記第３部分の別の１つとの間にある、請求項１～４のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項6】

複数の前記第５絶縁領域が設けられ、
前記第３部分は、前記第３方向において、前記複数の前記第５絶縁領域の１つと、前記複数の前記第５絶縁領域の別の１つとの間にある、請求項１～４のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項7】

前記第１電極と電気的に接続された第２導電部材をさらに備え、
前記第３電極は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第２導電部材との間にあり、
前記絶縁部材の一部は、前記第２方向において、前記第３電極と前記第２導電部材との間にある、請求項１～６のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第１電極と電気的に接続された第２導電部材及び第３導電部材をさらに備え、
前記第１電極は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第２導電部材との間にあり、
前記第１導電部材は、前記第２方向において、前記第２絶縁領域と前記第３導電部材との間にあり、
前記第１方向における前記第３電極の前記位置は、前記第１方向における前記第２導電部材の位置と、前記第１方向における前記第３導電部材の位置との間にある、請求項１～６のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項9】

前記第３電極と電気的に接続された第４導電部材をさらに備え、
前記第４導電部材は、前記第１方向において、前記第２導電部材と前記第３導電部材との間にある、請求項８記載の半導体装置。

【請求項10】

前記第３部分は、前記第２方向において、前記第１部分と、前記第４導電部材の一部と、の間にあり、
前記第５絶縁領域は、前記第２方向において、前記第２部分と、前記第４導電部材の別の一部と、の間にある、請求項９記載の半導体装置。

【請求項11】

前記第３電極と電気的に接続された第５導電部材をさらに備え、
前記第３部分は、前記第２方向において、前記第１部分と、前記第５導電部材の一部との間にあり、
前記第５絶縁領域は、前記第２方向において、前記第２部分と、前記第５導電部材の別の一部と、の間にある、請求項１～６のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項12】

前記第３導電領域と前記第１導電部材との間の前記第１方向における距離は、前記第４導電領域と前記第１導電部材との間の前記第１方向における距離よりも長い、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項13】

前記第３電極は、第５部分をさらに含み、
前記第１電極は、第５導電領域及び第６導電領域をさらに含み、
前記第２部分は、前記第３方向において、前記第１部分と前記第５部分との間にあり、
前記第２導電領域は、前記第３方向において、前記第１導電領域と前記第５導電領域との間にあり、
前記第５導電領域から前記第５部分への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第５導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と、前記第６導電領域の一部との間にあり、
前記第５部分の少なくとも一部は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と、前記第６導電領域の別の一部と、の間にある、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項14】

前記第６導電領域は、前記第１導電部材と接続された、請求項１３記載の半導体装置。

【請求項15】

第１電極と、
第２電極と、
第３電極であって、前記第１電極から前記第２電極への第１方向における前記第３電極の位置は、前記第１方向における前記第１電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある、前記第３電極と、
Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１半導体層であって、前記第１半導体層は、第１部分領域、第２部分領域、第３部分領域、第４部分領域及び第５部分領域を含み、前記第１部分領域から前記第１電極への第２方向は、前記第１方向と交差し、前記第２部分領域から前記第２電極への方向は、前記第２方向に沿い、前記第３部分領域から前記第３電極への方向は、前記第２方向に沿い、前記第４部分領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３部分領域との間にあり、前記第５部分領域は、前記第１方向において前記第３部分領域と前記第２部分領域との間にある、前記第１半導体層と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２＜１、ｘ１＜ｘ２）を含む第２半導体層であって、前記第２半導体層は、第１半導体領域及び第２半導体領域を含み、前記第４部分領域から前記第１半導体領域への方向は前記第２方向に沿い、前記第５部分領域から前記第２半導体領域への方向は前記第２方向に沿う、前記第２半導体層と、
第１絶縁領域を含む絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第３部分領域と前記第３電極との間にある、前記絶縁部材と、
を備え、
前記第３電極は、第１部分、第２部分、第３部分及び第４部分を含み、前記第１部分から前記第２部分への方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿い、前記第１部分は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第３部分との間にあり、前記第２部分は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第４部分との間にあり、
前記第１電極は、第１導電領域、第２導電領域、第３導電領域及び第４導電領域を含み、前記第１導電領域から前記第１部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第２導電領域から前記第２部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第１導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第３導電領域との間にあり、前記第２導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第４導電領域との間にあり、前記第３導電領域から前記第３部分への方向は、前記第１方向に沿い、前記第４導電領域から前記第４部分への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第３導電領域は、前記第３部分の側の第１端部を含み、
前記第４導電領域は、前記第４部分の側の第２端部を含み、
前記第３部分は、前記第３導電領域の側の第３端部を含み、
前記第４部分は、前記第４導電領域の側の第４端部を含み、
前記第２端部の前記第１方向に沿う位置は、前記第１端部の前記第１方向に沿う位置と、前記第３端部の前記第１方向に沿う位置と、の間にあり、
前記第３端部の前記第１方向に沿う前記位置は、前記第２端部の前記第１方向に沿う前記位置と、前記第４端部の前記第１方向に沿う位置と、の間にある、半導体装置。

【請求項16】

前記第４導電領域と前記第４部分との間の前記第１方向に沿う距離は、前記第２導電領域と前記第２部分との間の前記第１方向に沿う距離よりも長い、請求項１５記載の半導体装置。

【請求項17】

前記第３導電領域と前記第３部分との間の前記第１方向に沿う距離は、前記第２導電領域と前記第２部分との間の前記第１方向に沿う距離よりも長い、請求項１５記載の半導体装置。

【請求項18】

前記第１導電領域と前記第１部分との間の前記第１方向に沿う距離は、前記第２導電領域と前記第２部分との間の前記第１方向に沿う距離よりも長い、請求項１５記載の半導体装置。

【請求項19】

前記第１電極と電気的に接続された第１導電部材をさらに備え、
前記第３部分は、前記第１方向において、前記第３導電領域と、前記第１導電部材の一部と、の間にあり、
前記第４部分は、前記第１方向において、前記第４導電領域と、前記第１導電部材の別の一部と、の間にある、請求項１５～１８のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項20】

前記第２半導体層は、第３半導体領域をさらに含み、
前記第３半導体領域は、前記第２方向において、前記第３部分領域と前記第１絶縁領域との間にある、請求項１～１９のいずれか１つに記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば窒化物半導体を用いたトランジスタなどの半導体装置がある。半導体装置において、特性の向上が望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１２－２３１１２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、特性の向上が可能な半導体装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１電極、第２電極、第３電極、第１導電部材、第１半導体層、第２半導体層及び絶縁部材を含む。前記第１電極から前記第２電極への第１方向における前記第３電極の位置は、前記第１方向における前記第１電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある。前記第１導電部材は、前記第１電極と電気的に接続される。前記第１方向における前記第１導電部材の位置は、前記第１方向における前記第３電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある。前記第１半導体層は、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む。前記第１半導体層は、第１部分領域、第２部分領域、第３部分領域、第４部分領域及び第５部分領域を含む。前記第１部分領域から前記第１電極への第２方向は、前記第１方向と交差する。前記第２部分領域から前記第２電極への方向は、前記第２方向に沿う。前記第３部分領域から前記第３電極への方向は、前記第２方向に沿う。前記第４部分領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３部分領域との間にある。前記第５部分領域は、前記第１方向において前記第３部分領域と前記第２部分領域との間にある。前記第２半導体層は、Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２＜１、ｘ１＜ｘ２）を含む。前記第２半導体層は、第１半導体領域及び第２半導体領域を含む。前記第４部分領域から前記第１半導体領域への方向は前記第２方向に沿う。前記第５部分領域から前記第２半導体領域への方向は前記第２方向に沿う。前記絶縁部材は、第１絶縁領域、第２絶縁領域、第３絶縁領域、第４絶縁領域及び第５絶縁領域を含む。前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第３部分領域と前記第３電極との間にある。前記第２絶縁領域は、前記第２方向において前記第５部分領域と前記第１導電部材との間にある。前記第３電極は、第１部分、第２部分及び第３部分を含む。前記第１部分から前記第２部分への方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う。前記第１部分は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第３部分との間にある。前記第１電極は、第１導電領域、第２導電領域、第３導電領域及び第４導電領域を含む。前記第１導電領域から前記第１部分への方向は、第１方向に沿う。前記第３導電領域から前記第３部分への方向は、前記第１方向に沿う。前記第２導電領域から前記第２部分への方向は、前記第１方向に沿う。前記第１導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第３導電領域との間にある。前記第２導電領域は、前記第２方向において、前記第１部分領域と前記第４導電領域との間にある。前記第３絶縁領域は、前記第１方向において、前記第３導電領域と前記第３部分との間にある。前記第４絶縁領域は、前記第１方向において、前記第３部分と前記第１導電部材との間にある。前記第５絶縁領域は、前記第１方向において、前記第４導電領域と前記第１導電部材との間にあり、前記第４導電領域及び前記第１導電部材と接する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１（ａ）～図１（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図2】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。

【図3】図３（ａ）～図３（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図5】図５（ａ）～図５（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図6】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図7】図７（ａ）～図７（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。

【図8】図８（ａ）～図８（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。

【図9】図９（ａ）～図９（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図10】図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図11】図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図12】図１２（ａ）～図１２（ｄ）は、第３実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１（ａ）～図１（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１（ａ）は、図１（ｃ）及び図１（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ｃ）及び図１（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図１（ｄ）は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0009】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。

【0010】

第１電極５１から第２電極５２への方向を第１方向とする。第１方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

【0011】

第１方向（Ｘ軸方向）における第３電極５３の位置は、第１方向における第１電極５１の位置と、第１方向における第２電極５２の位置と、の間にある。

【0012】

第１導電部材６１は、第１電極５１と電気的に接続される。この例では、第１導電部材６１は、配線６１Ｌにより、第１電極５１と電気的に接続される（図１（ａ）参照）。配線６１Ｌは、任意の位置に設けられて良い。

【0013】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、第１方向（Ｘ軸方向）における第１導電部材６１の位置は、第１方向における第３電極５３の位置と、第１方向における第２電極５２の位置と、の間にある。

【0014】

第１半導体層１０は、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む。第１半導体層１０は、例えば、ＧａＮを含む。第１半導体層１０におけるＡｌの組成比ｘ１は、例えば、０以上０．２以下である。第１半導体層１０は、例えば、窒化物半導体を含む。

【0015】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、第１半導体層１０は、第１部分領域１１、第２部分領域１２、第３部分領域１３、第４部分領域１４及び第５部分領域１５を含む。第１部分領域１１から第２部分領域１２への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。第１部分領域１１から第１電極５１への第２方向は、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する。第２方向は、例えば、Ｚ軸方向である。以下では、第２方向をＺ軸方向とする。第２部分領域１２から第２電極５２への方向は、第２方向に沿う。第３部分領域１３から第３電極５３への方向は、第２方向に沿う。第４部分領域１４は、第１方向（Ｘ軸方向）において第１部分領域１１と第３部分領域１３との間にある。第５部分領域１５は、第１方向（Ｘ軸方向）において第３部分領域１３と第２部分領域１２との間にある。

【0016】

第２半導体層２０は、Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２＜１、ｘ１＜ｘ２）を含む。第２半導体層２０は、例えば、ＡｌＧａＮを含む。第２半導体層２０におけるＡｌの組成比ｘ２は、例えば、０．１を超え１未満である。第２半導体層２０におけるＡｌの組成比ｘ２は、例えば、０．１を超え０．５以下でも良い。第２半導体層２０は、例えば、窒化物半導体を含む。

【0017】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、第２半導体層２０は、第１半導体領域２１及び第２半導体領域２２を含む。第４部分領域１４から第１半導体領域２１への方向は、第２方向（例えばＺ軸方向）に沿う。第５部分領域１５から第２半導体領域２２への方向は、第２方向に沿う。この例では、第２半導体層２０は、第３半導体領域２３をさらに含む。第３部分領域１３から第３半導体領域２３への方向は、Ｚ軸方向に沿う。

【0018】

絶縁部材４０は、第１絶縁領域４１、第２絶縁領域４２、第３絶縁領域４３、第４絶縁領域４４及び第５絶縁領域４５を含む。第１絶縁領域４１は、第２方向（例えばＺ軸方向）において第３部分領域１３と第３電極５３との間にある。第３半導体領域２３は、第２方向（Ｚ軸方向）において、第３部分領域１３と第１絶縁領域４１との間にある。第２絶縁領域４２は、第２方向（Ｚ軸方向）において第５部分領域１５と第１導電部材６１との間にある。第３絶縁領域４３、第４絶縁領域４４及び第５絶縁領域４５については、後述する。

【0019】

第１電極５１は、例えば、ソース電極として機能する。第２電極５２は、例えば、ドレイン電極として機能する。第３電極５３は、例えば、ゲート電極として機能する。半導体装置１１０は、例えば、トランジスタである。第３電極５３に印加される電圧により、第１電極５１と第２電極５２との間に流れる電流を制御できる。

【0020】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、第１半導体層１０の第２半導体層２０に対向する部分に、キャリア領域１０Ｅが形成される。キャリア領域１０Ｅは、例えば、２次元電子ガスである。半導体装置１１０は、例えば、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）である。

【0021】

第１導電部材６１は、例えば、フィールドプレートとして機能する。第１導電部材６１により、電界の集中が抑制され、安定した特性が得られる。

【0022】

図１（ａ）、図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、第３電極５３は、第１部分５３ａ、第２部分５３ｂ及び第３部分５３ｃを含む。第１部分５３ａから第２部分５３ｂへの方向は、第３方向に沿う。第３方向は、第１方向及び第２方向を含む平面（Ｘ－Ｚ平面）と交差する。第３方向は、例えば、Ｙ軸方向である。以下では、第３方向をＹ軸方向とする。第１部分５３ａは、第２方向（Ｚ軸方向）において、第１絶縁領域４１と第３部分５３ｃとの間にある。

【0023】

図１（ｂ）、図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように第１電極５１は、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄを含む。図１（ｂ）に示すように、第１導電領域５１ａから第１部分５３ａへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。図１（ａ）に示すように、第３導電領域５１ｃから第３部分５３ｃへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。図１（ｃ）に示すように、第２導電領域５１ｂから第２部分５３ｂへの方向は、第１方向に沿う。

【0024】

図１（ｄ）に示すように、第１導電領域５１ａは、第２方向（Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と第３導電領域５１ｃとの間にある。図１（ｃ）に示すように、第２導電領域５１ｂは、第２方向において、第１部分領域１１と第４導電領域５１ｄとの間にある。

【0025】

第１電極５１において、第１導電領域５１ａ及び第２導電領域５１ｂは、第１部分領域１１とオーミック接触する。第１導電領域５１ａ及び第２導電領域５１ｂは、下層部分に対応する。第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄは、上層部分に対応する。

【0026】

第３電極５３において、第１部分５３ａ及び第２部分５３ｂは、下層部分に対応する。
第３部分５３ｃは、上層部分に対応する。この例では、第３部分５３ｃは、島状である。第３部分５３ｃにより、第３電極５３の抵抗が下がる。

【0027】

図１（ａ）及び図１（ｄ）に示すように、絶縁部材４０の第３絶縁領域４３は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第３導電領域５１ｃと第３部分５３ｃとの間にある。第４絶縁領域４４は、第１方向において、第３部分５３ｃと第１導電部材６１との間にある。

【0028】

第５絶縁領域４５は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第４導電領域５１ｄと第１導電部材６１との間にある。第５絶縁領域４５は、第４導電領域５１ｄ及び第１導電部材６１と接する。

【0029】

実施形態においては、第３部分５３ｃが設けられる。これにより、第３電極５３の抵抗を下げることができる。これにより、例えば、ゲート遅延が抑制される。例えば、良好なスイッチング特性が得られる。

【0030】

第３導電領域５１ｃと第３部分５３ｃとの間で電気的なショートが生じると、ソース電極とゲート電極が導通するため、適正な動作が得られない。実施形態においては、島状の第３部分５３ｃが設けられる。第３部分５３ｃと第３導電領域５１ｃとの間に第３絶縁領域４３が設けられ、第３部分５３ｃと第１導電部材６１との間に第４絶縁領域４４が設けられることで、安定した絶縁性が得られる。

【0031】

図１（ｃ）に示すように、第３部分５３ｃが設けられない部分（例えば第２部分５３ｂ）は、第１電極５１に近い。例えば、第２部分５３ｂと第２導電領域５１ｂとの間の距離を近づけることができる。例えば、ソース－ゲート間距離を短くすることができる。これにより、低いオン抵抗が得られる。

【0032】

実施形態によれば、特性の向上が可能な半導体装置を提供できる。

【0033】

図１（ａ）に示すように、第３導電領域５１ｃと第１導電部材６１との間の第１方向（Ｘ軸方向）における距離を距離ｄｘ１とする。第４導電領域５１ｄと第１導電部材６１との間の第１方向における距離を距離ｄｘ２とする。距離ｄｘ１は、距離ｄｘ２よりも長い。

【0034】

このように、第１電極５１の上層部分の第２電極５２の側の端は、凹凸状である。第３導電領域５１ｃは、凹部に対応し、第４導電領域５１ｄ、凸部に対応する。凹部である第３導電領域５１ｃに対応する部分に、第３電極５３の上層部分（第３部分５３ｃ）が設けられる。一方、凸部である第４導電領域５１ｄに対応する部分には、第３電極５３の上層部分は設けられない。これにより、第１電極５１の上層部分と、第３電極５３の上層部分と、の間におけるショートを抑制しつつ、第２導電領域５１ｂと第２部分５３ｂとの間の第１方向に沿う距離ｄ２２を短くすることができる。安定して、オン抵抗を低下し易くできる。

【0035】

図１（ｄ）に示すように、第３導電領域５１ｃと第３部分５３ｃとの間の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う距離を距離ｄ３３とする。例えば、距離ｄ３３は、第２導電領域５１ｂと第２部分５３ｂとの間の第１方向に沿う距離ｄ２２よりも長い。距離ｄ３３が長いことで、ショートを抑制し易くできる。

【0036】

第１導電領域５１ａと第１部分５３ａとの間の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う距離を距離ｄ１１とする。例えば、距離ｄ１１は、第２導電領域５１ｂと前記第２部分５３ｂとの間の前記第１方向に沿う距離よりも長い。距離ｄ１１が長いことにより、ショートを抑制し易くできる。

【0037】

この例では、第１電極５１の上層部分である第３導電領域５１ｃは、第１電極５１の下層部分である第１導電領域５１ａに沿った形状を有する。第３導電領域５１ｃが第１導電領域５１ａに沿う形状を有する場合に、第１導電領域５１ａと第１部分５３ａとの間の第１方向に沿う距離ｄ１１を、第２導電領域５１ｂと第２部分５３ｂとの間の第１方向に沿う距離ｄ２２よりも長くすることで、結果として、距離ｄ３３を長くできる。距離ｄ２２を短くしつつ、距離ｄ３３を長くできる。例えば、低いオン抵抗を得つつ、第１電極５１の低い抵抗が得やすい。

【0038】

図１（ｄ）に示すように、絶縁部材４０は、第６絶縁領域４６をさらに含んでも良い。第６絶縁領域４６は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と、第３導電領域５１ｃの一部と、の間にある。第６絶縁領域４６は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１導電領域５１ａと第１部分５３ａとの間にある。例えば、第６絶縁領域４６の一部の上に、第３導電領域５１ｃの一部がある。第３導電領域５１ｃのこの一部は、「庇」に対応する。第３導電領域５１ｃにおいて、このような「一部」を設けることで、第１電極５１の形成が容易になる。

【0039】

図１（ｃ）に示すように、絶縁部材４０は、第７絶縁領域４７をさらに含んでも良い。第７絶縁領域４７は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と、第４導電領域５１ｄの一部と、の間にある。第７絶縁領域４７は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第２導電領域５１ｂと第２部分５３ｂとの間にある。例えば、第７絶縁領域４７の一部の上に、第４導電領域５１ｄの一部がある。第４導電領域５１ｄのこの一部は、「庇」に対応する。第４導電領域５１ｄにおいて、このような「一部」を設けることで、第１電極５１の形成が容易になる。

【0040】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、絶縁部材４０は、第１層４０ａ、第２層４０ｂ、第３層４０ｃ及び第４層４０ｄを含む。第１半導体層１０の上に、第２半導体層２０がある。第２半導体層２０の上に第１層４０ａがある。第１層４０ａの上に第２層４０ｂがある。第２層４０ｂの上に第３層４０ｃがある。第３層４０ｃの上に第４層４０ｄがある。

【0041】

例えば、第１絶縁領域４１は、第１層４０ａに含まれる。例えば、第２絶縁領域４２、第６絶縁領域４６及び第７絶縁領域４７は、第２層４０ｂに含まれる。例えば、第３絶縁領域４３、第４絶縁領域４４及び第５絶縁領域４５は、第３層４０ｃに含まれる。

【0042】

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、半導体装置１１０は、第２導電部材６２を含んでも良い。第２導電部材６２は、第１電極５１と電気的に接続される（図１（ｃ）参照）。第３電極５３は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１絶縁領域４１と第２導電部材６２との間にある。図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、例えば、絶縁部材４０の一部４０ｐは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第３電極５３と第２導電部材６２との間にある。Ｚ軸方向において、第２導電部材６２は、絶縁部材４０の一部４０ｐと、第４層４０ｄと、の間にある。第４層４０ｄは、例えば、第２導電部材６２を保護する。第２導電部材６２は、例えば、フィールドプレートとして機能する。第２導電部材６２により、電界の集中が抑制される。例えば、安定した特性が得やすくなる。

【0043】

図１（ａ）に示すように、複数の第３部分５３ｃが設けられても良い。複数の第３部分５３ｃは、例えば、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。第５絶縁領域４５は、第３方向において、複数の第３部分５３ｃの１つと、複数の第３部分５３ｃの別の１つとの間にある。

【0044】

複数の第５絶縁領域４５が設けられても良い。第３部分５３ｃは、第３方向において、複数の第５絶縁領域４５の１つと、複数の第５絶縁領域４５の別の１つとの間にある。

【0045】

複数の第３部分５３ｃと、複数の第５絶縁領域４５と、が設けられても良い。第３部分５３ｃと及び第５絶縁領域４５が、Ｙ軸方向に沿って交互に並ぶ。

【0046】

複数の第３部分５３ｃの１つの第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う長さの、複数の第５絶縁領域４５の第３方向に沿う長さに対する比は、例えば、０．１以上１０以下である。これにより、良好なスイッチング特性が得易くなる。

【0047】

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。
これらの図は、第１電極５１、第２電極５２及び第３電極５３のＸ－Ｙ平面における形状の例を示す透視平面図である。これらの図において、絶縁部材４０は、省略されている。

【0048】

図２（ａ）に示す半導体装置１１０ａの例のように、第３電極５３の第３部分５３ｃのコーナー部は、曲線状（曲面状）でも良い。第１電極５１において、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄのそれぞれの凹凸形状のコーナー部は、曲線状（曲面状）でも良い。

【0049】

図２（ｂ）に示す半導体装置１１０ｂの例のように、第１電極５１において、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄのそれぞれの凹凸形状において、側部は、Ｘ軸方向に対して傾斜しても良い。

【0050】

図３（ａ）～図３（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図４は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）は、図３（ｃ）及び図３（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図３（ｂ）は、図３（ｃ）及び図３（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）及び図３（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図３（ｄ）は、図３（ａ）及び図３（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。図４は、図３（ｃ）及び図３（ｄ）のＥ１－Ｅ２線断面図である。

【0051】

図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、半導体装置１１１は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０に加えて、第２導電部材６２、第３導電部材６３及び第４導電部材６４を含む。半導体装置１１１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様である。以下、半導体装置１１１における、第２導電部材６２、第３導電部材６３及び第４導電部材６４の例について説明する。

【0052】

第２導電部材６２及び第３導電部材６３は、第１電極５１と電気的に接続される。図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、第２導電部材６２は、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄと接続される。例えば、第２導電部材６２は、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄと連続する。これにより、第２導電部材６２は、第１電極５１と電気的に接続される。

【0053】

図３（ｃ）、図３（ｄ）及び図４に示すように、第３導電部材６３は、配線６３Ｌを介して、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄと電気的に接続される。これにより、第３導電部材６３は、第１電極５１と電気的に接続される。第３導電部材６３は、例えば、フィールドプレートとして機能する。配線６３Ｌは、任意の位置に設けられて良い。

【0054】

図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、第１電極５１は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と第２導電部材６２との間にある。第２導電部材６２を設けることで、例えば、ソース電極の抵抗が低くできる。

【0055】

第１導電部材６１は、第２方向（Ｚ軸方向）において、第２絶縁領域４２と第３導電部材６３との間にある。第１方向（Ｘ軸方向）における第３電極５３の位置は、第１方向における第２導電部材６２の位置と、第１方向における第３導電部材６３との間にある。

【0056】

第４導電部材６４は、第３電極５３と電気的に接続される。この例では、図３（ｄ）に示すように、第４導電部材６４は、第３部分５３ｃと接続される。第４導電部材６４は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第２導電部材６２と第３導電部材６３との間にある。例えば、第４導電部材６４により、ゲート電極の抵抗が低くできる。

【0057】

図３（ｃ）に示すように、第５絶縁領域４５は、Ｚ軸方向において、第３電極５３の第２部分５３ｂと、第４導電部材６４との間にある。第４導電部材６４は、Ｙ軸方向に沿って、連続的に延びる。このような第４導電部材６４により、ゲート電極の抵抗をより低くすることができる。

【0058】

図３（ｄ）に示すように、第３部分５３ｃは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分５３ａと、第４導電部材６４の一部６４ｐと、の間にある。図３（ｃ）に示すように、第５絶縁領域４５は、第２方向において、第２部分５３ｂと、第４導電部材６４の別の一部６４ｑと、の間にある。

【0059】

図５（ａ）～図５（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５（ａ）は、図５（ｃ）及び図５（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図５（ｂ）は、図５（ｃ）及び図５（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）及び図５（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図５（ｄ）は、図５（ａ）及び図５（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。図６（ａ）は、図５（ｃ）及び図５（ｄ）のＥ１－Ｅ２線断面図である。図６（ｂ）は、図５（ｃ）及び図５（ｄ）のＦ１－Ｆ２線断面図である。

【0060】

図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示すように、半導体装置１１２は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０に加えて、第２導電部材６２、第５導電部材６５及び第６導電部材６６を含む。半導体装置１１２におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様である。以下、半導体装置１１２における、第２導電部材６２、第５導電部材６５及び第６導電部材６６の例について説明する。

【0061】

図５（ｄ）に示すように、第５導電部材６５は、第３電極５３と電気的に接続される。この例では、第５導電部材６５は、第３部分５３ｃと接続される。第３部分５３ｃは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分５３ａと、第５導電部材６５の一部６５ｐとの間にある。図５（ｃ）に示すように、第５絶縁領域４５は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第２部分５３ｂと、第５導電部材６５の別の一部６５ｑと、の間にある。第５導電部材６５は、例えば、ゲート電極のフィールドプレートとして機能しても良い。第５導電部材６５により、ゲート電極の抵抗をより低くすることができる。

【0062】

図５（ｄ）に示すように、Ｚ軸方向において、第３導電領域５１ｃは、第１導電領域５１ａと、第６導電部材６６と、の間にある。図５（ｃ）に示すように、Ｚ軸方向において、第４導電領域５１ｄは、第２導電領域５１ｂと、第６導電部材６６と、の間にある。第６導電部材６６により、ソース電極の抵抗を低くすることができる。

【0063】

図５（ｃ）、図５（ｄ）及び図６（ｂ）に示すように、第６導電部材６６から第５導電部材６５への方向は、Ｘ軸方向に沿う。第５導電部材６５は、Ｚ軸方向において、第３電極５３と第２導電部材６２との間にある。第６導電部材６６は、Ｚ軸方向において、第１電極５１と第２導電部材６２との間にある。図５（ｃ）、図５（ｄ）及び図６（ａ）に示すように、第２導電部材６２は、連続的な帯状である。Ｚ軸方向において、第１半導体層１０と第２導電部材６２との間に、第１電極５１、第３電極５３、第１導電部材６１、第５導電部材６５及び第６導電部材６６がある。

【0064】

半導体装置１１１及び１１２においても、第３導電領域５１ｃと第１導電部材６１との間の第１方向における距離ｄｘ１は、第４導電領域５１ｄと第１導電部材６１との間の第１方向における距離ｄｘ２よりも長い。第１電極５１の平面形状を凹凸状にすることで、第３部分５３ｃとの間のショートが抑制できる。距離ｄ２２を短くし易い。例えば、低いオン抵抗が得やすい。

【0065】

半導体装置１１１及び１１２においても、第５絶縁領域４５は、第３方向において、複数の第３部分５３ｃの１つと、複数の第３部分５３ｃの別の１つとの間にあっても良い。第３部分５３ｃは、第３方向において、複数の第５絶縁領域４５の１つと、複数の第５絶縁領域４５の別の１つとの間にあっても良い。第３部分５３ｃと及び第５絶縁領域４５が、Ｙ軸方向に沿って交互に並んでも良い。

【0066】

図７（ａ）～図７（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。 図７（ａ）は、透過平面図である。図７（ａ）においては、第１電極５１、第２電極５２及び第３電極５３の平面形状が模式的に示されている。図７（ａ）においては、絶縁部材４０は省略されている。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＧ１－Ｇ２線断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図７（ｄ）は、図７（ａ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0067】

図７（ｂ）、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、半導体装置１１３も、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。半導体装置１１３においては、第３電極５３は、第１部分５３ａ、第２部分５３ｂ、第３部分５３ｃ及び第４部分５３ｄに加えて、第５部分５３ｅを含む。第１電極５１は、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ、第３導電領域５１ｃ、第４導電領域５１ｄに加えて、第５導電領域５１ｅ及び第６導電領域５１ｆを含む。半導体装置１１３におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。以下、半導体装置１１３における、第３電極５３及び第１電極５１の例について説明する。

【0068】

図７（ａ）に示すように、第２部分５３ｂは、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）において、第１部分５３ａと第５部分５３ｅとの間にある。図７（ａ）に示すように、第２導電領域５１ｂは、第３方向において、第１導電領域５１ａと第５導電領域５１ｅとの間にある。第５導電領域５１ｅから第５部分５３ｅへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。

【0069】

図７（ｂ）に示すように、第５導電領域５１ｅは、第２方向（Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と、第６導電領域５１ｆの一部５１ｆａと、の間にある。

【0070】

図７（ｂ）に示すように、第５部分５３ｅの少なくとも一部は、第２方向（例えばＺ軸方向）において、第１絶縁領域４１と、第６導電領域５１ｆの別の一部５１ｆｂと、の間にある。

【0071】

第６導電領域５１ｆは、第１電極５１の上層部分である。半導体装置１１３においては、第１電極５１の上層部分の一部（第６導電領域５１ｆの一部５１ｆｂ）が、第３電極５３の一部（第５部分５３ｅ）の上にある。これにより、例えば、ソース電極の抵抗を低くできる。

【0072】

半導体装置１１３においても、島状の第３部分５３ｃが設けられる。第３電極５３の抵抗を低くできる。例えば、距離ｄ２２（図７（ｃ）参照）を短くし易い。例えば、低いオン抵抗が得やすくなる。

【0073】

図８（ａ）～図８（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。 図８（ａ）は、透過平面図である。図８（ａ）においては、第１電極５１、第２電極５２及び第３電極５３の平面形状が模式的に示されている。図８（ａ）においては、絶縁部材４０は省略されている。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＧ１－Ｇ２線断面図である。図８（ｃ）は、図８（ａ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図８（ｄ）は、図８（ａ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0074】

図８（ｂ）、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すように、半導体装置１１４も、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。半導体装置１１４においては、第３電極５３は、第１部分５３ａ、第２部分５３ｂ、第３部分５３ｃ及び第４部分５３ｄに加えて、第５部分５３ｅを含む。第１電極５１は、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ、第３導電領域５１ｃ、第４導電領域５１ｄに加えて、第５導電領域５１ｅ及び第６導電領域５１ｆを含む。半導体装置１１４におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。以下、半導体装置１１４における、第３電極５３及び第１電極５１の例について説明する。

【0075】

図８（ａ）に示すように、第２部分５３ｂは、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）において、第１部分５３ａと第５部分５３ｅとの間にある。第２導電領域５１ｂは、第３方向において、第１導電領域５１ａと第５導電領域５１ｅとの間にある。第５導電領域５１ｅから第５部分５３ｅへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。

【0076】

図８（ｂ）に示すように、第５導電領域５１ｅは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と、第６導電領域５１ｆの一部５１ｆａとの間にある。

【0077】

図８（ｂ）に示すように、第５部分５３ｅの少なくとも一部は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１絶縁領域４１と、第６導電領域５１ｆの別の一部５１ｆｂと、の間にある。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第６導電領域５１ｆは、第１導電部材６１と接続される。第６導電領域５１ｆは、配線６１Ｌとして機能する。

【0078】

第６導電領域５１ｆにより、ソース電極における抵抗を低くできる。第６導電領域５１ｆにより、第１導電部材６１が第１電極５１と接続されることで、第１導電部材６１がフィールドプレートと機能できる。例えば、電界の集中が抑制でき、安定した特性が得やすい。

【0079】

半導体装置１１４においても、島状の第３部分５３ｃが設けられる。第３電極５３の抵抗を低くできる。例えば、距離ｄ２２（図８（ｃ）参照）を短くし易い。例えば、低いオン抵抗が得やすくなる。

【0080】

図９（ａ）～図９（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図９（ａ）は、図９（ｃ）及び図９（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図９（ｂ）は、図９（ｃ）及び図９（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図９（ｃ）は、図９（ａ）及び図９（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図９（ｄ）は、図９（ａ）及び図９（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0081】

図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すように、実施形態に係る半導体装置１１５は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。図９（ｂ）に示すように、半導体装置１１５においては、第１電極５１の下層部分（第１導電領域５１ａ及び第２導電領域５１ｂ）のＸ軸方向における端の位置は実質的に直線状である。半導体装置１１５におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。以下、半導体装置１１５における、第１電極５１及び第３電極５３の例について説明する。

【0082】

半導体装置１１５においても、島状の第３部分５３ｃが設けられる。第３電極５３の抵抗を低くできる。例えば、距離ｄ２２（図９（ｃ）参照）を短くし易い。例えば、低いオン抵抗が得やすくなる。

【0083】

図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すように、絶縁部材４０は、第１絶縁領域４１、第２絶縁領域４２、第３絶縁領域４３、第４絶縁領域４４及び第５絶縁領域４５を含む。この例においても、第１絶縁領域４１は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第３部分領域１３と第３電極５３との間にある。第２絶縁領域４２は、第２方向において、第５部分領域１５と第１導電部材６１との間にある。

【0084】

図９（ａ）及び図９（ｄ）に示すように、第３部分５３ｃは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第３絶縁領域４３と第１導電部材６１との間にある。第４絶縁領域４４は、第１方向において、第３部分５３ｃと第１導電部材６１との間にある。第５絶縁領域４５は、第１方向において、第３導電領域５１ｃと第１導電部材６１との間にある。第５絶縁領域４５は、第３導電領域５１ｃ及び第１導電部材６１と接する。

【0085】

半導体装置１１５において、第１電極５１の下層部分（第１導電領域５１ａ及び第２導電領域５１ｂ）の形状は、上層部分（第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄ）の形状と異なっても良い。

【0086】

（第２実施形態）
図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１０（ａ）は、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図１０（ｄ）は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0087】

図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すように、実施形態に係る半導体装置１２０は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。半導体装置１２０においては、第３電極５３は、第１部分５３ａ、第２部分５３ｂ及び第３部分５３ｃを含む。第１電極５１は、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ及び第３導電領域５１ｃを含む。図１０（ａ）に示すように、この例では、第３部分５３ｃ及び第３導電領域５１ｃは、島状である。半導体装置１２０におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。以下、半導体装置１２０における、第１電極５１及び第３電極５３の例について説明する。

【0088】

図１０（ａ）に示すように、半導体装置１２０において、第１部分５３ａから第２部分５３ｂへの方向は、第３方向に沿う。第３方向は、第１方向（Ｘ軸方向）及び第２方向（例えばＺ軸方向）を含む平面と交差する。第３方向は、例えば、Ｙ軸方向である。

【0089】

図１０（ｄ）に示すように、第１部分５３ａは、第２方向（Ｚ軸方向）において、第１絶縁領域４１と第３部分５３ｃとの間にある。第３部分５３ｃは、第３電極５３の上層部分である。

【0090】

図１０（ｂ）及び図１０（ｄ）に示すように、第１導電領域５１ａから第１部分５３ａへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、第２導電領域５１ｂから第２部分５３ｂへの方向は、第１方向に沿う。図１０（ｃ）に示すように、第２導電領域５１ｂは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と第３導電領域５１ｃとの間にある。

【0091】

図１０（ａ）及び図１０（ｄ）に示すように、第３部分５３ｃは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第３絶縁領域４３と第１導電部材６１との間にある。第４絶縁領域４４は、第１方向において、第３部分５３ｃと第１導電部材６１との間にある。

【0092】

図１０（ａ）及び図１０（ｃ）に示すように、第５絶縁領域４５は、第１方向（Ｘ軸方向）において、第３導電領域５１ｃと第１導電部材６１との間にある。第５絶縁領域４５は、第３導電領域５１ｃ及び第１導電部材６１と接する。

【0093】

半導体装置１２０においては、例えば、島状の第３部分５３ｃ、及び、島状の第３導電領域５１ｃが設けられる。そして、Ｘ軸方向において、第３部分５３ｃは、第３導電領域５１ｃと重ならない。

【0094】

半導体装置１２０において、第３部分５３ｃにより、例えば、ゲート電極の抵抗を低くすることができる。第３導電領域５１ｃにより、例えば、ソース電極の抵抗を低くすることができる。

【0095】

Ｘ軸方向において、第３部分５３ｃは、第３導電領域５１ｃと重ならない。これにより、例えば、第１電極５１と第３電極５３との間の距離を短くできる。例えば、距離ｄ２２（図１０（ｃ）参照）を短くできる。これにより、低いオン抵抗が得られる。例えば、距離ｄ１１（図１０（ｄ）参照）を短くできる。これにより、低いオン抵抗が得られる。

【0096】

第２実施形態によれば、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。

【0097】

図１０（ａ）に示すように、半導体装置１２０において、複数の第３部分５３ｃが設けられても良い。複数の第３部分５３ｃは、例えば、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。第５絶縁領域４５は、第３方向において、複数の第３部分５３ｃの１つと、複数の第３部分５３ｃの別の１つとの間にある。第３部分５３ｃは、第３方向において、複数の第５絶縁領域４５の１つと、複数の第５絶縁領域４５の別の１つとの間にある。例えば、第３部分５３ｃと及び第５絶縁領域４５が、Ｙ軸方向に沿って交互に並ぶ。

【0098】

図１０（ａ）に示すように、半導体装置１２０において、複数の第３導電領域５１ｃが設けられても良い。複数の第３導電領域５１ｃは、例えば、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。第３絶縁領域４３は、第３方向において、複数の第３導電領域５１ｃの１つと、複数の第３導電領域５１ｃの別の１つとの間にある。第３導電領域５１ｃは、第３方向において、複数の第３絶縁領域４３の１つと、複数の第３絶縁領域４３の別の１つとの間にある。例えば、第３導電領域５１ｃと及び第３絶縁領域４３が、Ｙ軸方向に沿って交互に並ぶ。

【0099】

複数の第３部分５３ｃの１つの第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う長さの、複数の第３導電領域５１ｃの第３方向に沿う長さに対する比は、例えば、０．１以上１０以下である。これにより、良好なスイッチング特性が得易くなる。

【0100】

図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１１（ａ）は、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図１１（ｄ）は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0101】

図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すように、実施形態に係る半導体装置１２１も、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。半導体装置１２１においても、第３電極５３は、第１部分５３ａ、第２部分５３ｂ及び第３部分５３ｃを含む。第１電極５１は、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ及び第３導電領域５１ｃを含む。図１０（ａ）に示すように、半導体装置１２１において、複数の第３導電領域５１ｃが狭い幅の接続領域により接続されている。半導体装置１２１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１２と同様である。半導体装置１２１においても、例えば、ソース電極の抵抗を低くすることができる。例えば、低いオン抵抗が得られる。

【0102】

（第３実施形態）
図１２（ａ）～図１２（ｄ）は、第３実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１２（ａ）は、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）のＤ１－Ｄ２線断面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）のＣ１－Ｃ２線断面図である。図１２（ｃ）は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図１２（ｄ）は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）のＡ１－Ａ２線断面図である。

【0103】

図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すように、実施形態に係る半導体装置１３０は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び絶縁部材４０を含む。半導体装置１３０においては、第３電極５３の上層部分は、Ｙ軸方向に連続した帯状である。半導体装置１３０におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。以下、半導体装置１３０における、第３電極５３及び第１電極５１の例について説明する。

【0104】

図１２（ａ）～図１２（ｄ）に示すように、第３電極５３は、第１部分５３ａ、第２部分５３ｂ、第３部分５３ｃ及び第４部分５３ｄを含む。図１２（ｂ）に示すように、第１部分５３ａから第２部分５３ｂへの方向は、第３方向に沿う。第３方向は、第１方向（Ｘ軸方向）及び第２方向（例えば、Ｚ軸方向）を含む平面と交差する。第３方向は、例えば、Ｙ軸方向である。

【0105】

図１２（ｄ）に示すように、第１部分５３ａは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１絶縁領域４１と第３部分５３ｃとの間にある。図１２（ｃ）に示すように、第２部分５３ｂは、第２方向において、第１絶縁領域４１と第４部分５３ｄとの間にある。

【0106】

第１電極５１は、第１導電領域５１ａ、第２導電領域５１ｂ、第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄを含む。第１導電領域５１ａから第１部分５３ａへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。第２導電領域５１ｂから第２部分５３ｂへの方向は、第１方向に沿う。

【0107】

図１２（ｄ）に示すように、第１導電領域５１ａは、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１と第３導電領域５１ｃとの間にある。図１２（ｃ）に示すように、第２導電領域５１ｂは、第２方向において、第１部分領域１１と第４導電領域５１ｄとの間にある。

【0108】

図１２（ａ）及び図１２（ｄ）に示すように、第３導電領域５１ｃから第３部分５３ｃへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。図１２（ａ）及び図１２（ｃ）に示すように、第４導電領域５１ｄから第４部分５３ｄへの方向は、第１方向に沿う。

【0109】

図１２（ａ）に示すように、第３導電領域５１ｃは、第３部分５３ｃの側の第１端部ｅ１を含む。第４導電領域５１ｄは、第４部分５３ｄの側の第２端部ｅ２を含む。第３部分５３ｃは、第３導電領域５１ｃの側の第３端部ｅ３を含む。第４部分５３ｄは、第４導電領域５１ｄの側の第４端部ｅ４を含む。第２端部ｅ２の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う位置は、第１端部ｅ１の第１方向に沿う位置と、第３端部ｅ３の第１方向に沿う位置と、の間にある。第３端部ｅ３の第１方向に沿う位置は、第２端部ｅ２の第１方向に沿う位置と、第４端部ｅ４の第１方向に沿う位置と、の間にある。

【0110】

半導体装置１３０においては、第１電極５１において、上層部分の第３導電領域５１ｃ及び第４導電領域５１ｄは、凹凸状である。第３電極５３において、上層部分の第３部分５３ｃ及び第４部分５３ｄは、凹凸状である。第１電極５１の上層部分の凹部は、第３電極５３の上層部分の凸部に対応する。第１電極５１の上層部分の凸部は、第３電極５３の上層部分の凹部に対応する。

【0111】

第３電極５３の上層部分により、ゲート電極の抵抗を低くできる。第１電極５１の上層部分により、ソース電極の抵抗を低くできる。これらの上層部分の形状を上記のような凹凸形状にすることで、第１電極５１及び第３電極５３を近づけた場合において、良好な絶縁性が得やすい。第１電極５１と第３電極５３との間の距離を小さくできる。例えば距離ｄ２２（図１２（ｃ）参照）を小さくできる。例えば、低いオン抵抗が得やすい。第３実施形態によれば、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。

【0112】

図１２（ａ）に示すように、半導体装置１３０において、複数の第３部分５３ｃが設けられても良い。複数の第３部分５３ｃは、例えば、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。第４部分５３ｄは、第３方向において、複数の第３部分５３ｃの１つと、複数の第３部分５３ｃの別の１つとの間にある。第３部分５３ｃは、第３方向において、複数の第４部分５３ｄの１つと、複数の第４部分５３ｄの別の１つとの間にある。例えば、第３部分５３ｃと及び第４部分５３ｄが、Ｙ軸方向に沿って交互に並ぶ。

【0113】

複数の第３部分５３ｃの１つの第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う長さの、複数の第４部分５３ｄの第３方向に沿う長さに対する比は、例えば、０．１以上１０以下である。これにより、良好なスイッチング特性が得易くなる。

【0114】

図１２（ｃ）に示すように、第４導電領域５１ｄと第４部分５３ｄとの間の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う距離を距離ｄ４４とする。第２導電領域５１ｂと第２部分５３ｂとの間の第１方向に沿う距離を距離ｄ２２とする。例えば、距離ｄ４４は、距離ｄ２２よりも長い。短い距離ｄ２２により、例えば、低いオン抵抗が得られる。長い距離ｄ４４により、ショートが抑制できる。

【0115】

図１２（ｄ）に示すように、第３導電領域５１ｃと第３部分５３ｃとの間の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う距離を距離ｄ３３とする。距離ｄ３３は、第２導電領域５１ｂと第２部分５３ｂとの間の第１方向に沿う距離ｄ２２よりも長い。例えば低いオン抵抗が得られる。長い距離ｄ３３により、ショートが抑制できる。

【0116】

図１２（ｄ）に示すように、第１導電領域５１ａと第１部分５３ａとの間の第１方向に沿う距離を距離ｄ１１とする。距離ｄ１１は、距離ｄ２２よりも長くても良い。距離ｄ１１は、距離ｄ２２と同じでも、または、短くても良い。

【0117】

半導体装置１３０は、第１導電部材６１を含んでも良い。第１導電部材６１は、第１電極５１と電気的に接続される。図１２（ａ）に示すように、第１導電部材６１は、例えば、配線６１Ｌにより、第１電極５１と電気的に接続される。第３部分５３ｃは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第３導電領域５１ｃと、第１導電部材６１の一部と、の間にある。第４部分５３ｄは、第１方向において、第４導電領域５１ｄと、第１導電部材６１の別の一部と、の間にある。

【0118】

図１２（ａ）に示すように、例えば、第３導電領域５１ｃと第１導電部材６１との間の第１方向に沿う距離ｄｘ１は、第４導電領域５１ｄと第１導電部材６１との間の第１方向に沿う距離ｄｘ２よりも長い。

【0119】

図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すように、半導体装置１３０においても、第２半導体層２０は、第３半導体領域２３をさらに含んでも良い。第３半導体領域２３は、第２方向（Ｚ軸方向）において、第３部分領域１３と第１絶縁領域４１との間にある。

【0120】

第１～第３実施形態において、電極（第１電極５１、第２電極５２及び第３電極５３など）は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。電極（第３電極５３）は、例えば、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｎｉ、Ａｕ及びＭｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。導電部材（第１導電部材６１など）は、例えばＡｌ、Ｃｕ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。絶縁部材４０は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ及びＳｉＯＮよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。

【0121】

実施形態によれば、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。

【0122】

なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、Ｂ_ｘＩｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１－ｘ－ｙ－ｚ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。

【0123】

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

【0124】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれる半導体層、電極及び絶縁層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0125】

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0126】

その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0127】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0128】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0129】

１０…第１半導体層、 １０Ｅ…キャリア領域、 １１～１５…第１～第５部分領域、 ２０…第２半導体層、 ２１～２３…第１～第３半導体領域、 ４０…絶縁部材、 ４１～４５…第１～第５絶縁領域、 ４０ａ～４０ｄ…第１～第４層、 ４０ｐ…一部、 ４１～４７…第１～第７絶縁領域、 ４６ｐ、４６ｑ…一部、 ５１…第１電極、 ５１ａ～５１ｄ…第１～第４導電領域、 ５１ｆａ、５１ｆｂ…一部、 ５２…第２電極、 ５３…第３電極、 ５３ａ～５３ｅ…第１～第５部分、 ６１～６６…第１～６導電部材、 ６１Ｌ、６３Ｌ…配線、 ６５ｐ、６５ｑ…一部、 １１０、１１０ａ、１１０ｂ、１１１～１１５、１２０、１２１、１３０…半導体装置、 ｄ１１、ｄ２２、ｄ３３、ｄ４４、ｄｘ１、ｄｘ２…距離、 ｅ１～ｅ４…第１～第４端部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】