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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-04
(45)【発行日】2024-01-15
(54)【発明の名称】半導体レーザ装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/0232 20210101AFI20240105BHJP
H01S 5/02208 20210101ALI20240105BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20240105BHJP
【ＦＩ】
H01S5/0232
H01S5/02208
H01S5/042 612
【請求項の数】
21
(21)【出願番号】P 2019181316
(22)【出願日】2019-10-01
(65)【公開番号】P2021057515
(43)【公開日】2021-04-08
【審査請求日】2022-08-31
(73)【特許権者】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100086380
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 稔
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】田尻 浩之
(72)【発明者】
【氏名】田中 良宜
(72)【発明者】
【氏名】内海 秀之
(72)【発明者】
【氏名】木村 大志
【審査官】右田 昌士
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１１－１３４７９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６２－１５０７９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６３－１３６６８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－１８６６６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－１３５５１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００６／０９５８３４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１５－０１９０６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０５９９３０７５（ＵＳ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０４７３３９９９（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１６５１１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１２９２１８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｓ ５／００ － ５／５０
Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と、厚さ方向において前記第１面と反対側を向く第２面と、を備えた半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子と電気的に接続された１以上のリードと、
前記半導体レーザ素子から出射される光を透過させ、前記半導体レーザ素子の前記第１面の少なくとも一部を覆い、前記リードの少なくとも一部を覆い且つ少なくとも一部を露出させる樹脂と、
を備え、
前記半導体レーザ素子の前記第２面は、前記樹脂から露出しており、
前記樹脂は、第３面、第４面、第５面および第６面を有し、
前記第３面および前記第４面は、前記厚さ方向と直角である第２方向において互いに反対側に位置し、
前記第５面は、前記第３面の前記厚さ方向における前記第２面が位置する側に繋がっており、且つ前記厚さ方向と直角である第１方向一方側に延びており、
前記第６面は、前記第４面の前記厚さ方向における前記第２面が位置する側に繋がっており、且つ前記厚さ方向と直角である第１方向他方側に延びている、半導体レーザ装置。
【請求項2】
前記第３面が前記厚さ方向となす角度は、前記第４面が前記厚さ方向となす角度よりも小さい、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項3】
前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子の前記厚さ方向から見た平面視において互いに異なる方向を向く４辺としての第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を少なくとも備え、前記半導体レーザ素子の前記第１辺は、前記厚さ方向と直角である第１方向に延びており、
前記半導体レーザ素子の前記第２辺は、前記厚さ方向および前記第１方向と直角である第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と反対側を向き、
前記半導体レーザ素子の前記第３辺は、前記第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と前記半導体レーザ素子の前記第２辺との間に位置し且つ前記第２方向に延びており、
前記半導体レーザ素子の前記第４辺は、前記第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と前記半導体レーザ素子の前記第２辺との間に位置し且つ前記第１方向において前記半導体レーザ素子の前記第３辺と反対側を向き、
前記樹脂は、前記平面視において互いに異なる方向を向く４辺としての第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を少なくとも備え、
出射される光が最も強い前記半導体レーザ素子の前記第１辺は、平面視において前記樹脂の前記第１辺と対向している、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項4】
前記半導体レーザ素子の前記第１面には、第１電極と第２電極とが形成されている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項5】
前記半導体レーザ素子は、前記第１方向視において前記リードと重なっている、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項6】
前記１以上のリードは、前記平面視において前記半導体レーザ素子の前記第３辺と対向する第１リードを備えている、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項7】
前記１以上のリードは、前記平面視において前記半導体レーザ素子の前記第４辺と対向する第２リードを備えている、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項8】
前記半導体レーザ素子の前記第１電極は、第１ワイヤにより前記第１リードと接続されている、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項9】
前記第１ワイヤは、前記第１方向に延びている、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
【請求項10】
前記半導体レーザ素子の前記第１電極は、第１ワイヤにより前記第１リードと接続されている、請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項11】
前記第１ワイヤは、前記第１方向に延びている、請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
【請求項12】
前記半導体レーザ素子の前記第２電極は、第２ワイヤにより前記第２リードと接続されている、請求項１１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項13】
前記第２ワイヤは、前記第１方向において前記第１ワイヤとは反対側に延びている、請求項１２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項14】
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１方向視において重なっている、請求項４ないし１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項15】
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第２方向視において重なっている、請求項４ないし１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項16】
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１方向視において重なっており、前記第１ワイヤと前記第２ワイヤとは前記第１方向視において重なっている、請求項１３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項17】
前記半導体レーザ素子の前記第２面側に、第１絶縁膜が設けられており、前記第１絶縁膜は、前記樹脂から露出している、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項18】
前記第１リードは、前記第５面から露出する部分を有する、請求項６ないし１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項19】
前記第１リードは、前記第６面から露出する部分を有する、請求項１８に記載の半導体レーザ装置。
【請求項20】
前記第２リードは、前記第５面から露出する部分を有する、請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項21】
前記第２リードは、前記第６面から露出する部分を有する、請求項２０に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体レーザ素子を光源として備えた半導体レーザ装置が広く提案されている。特許文献１には、従来の半導体レーザ装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子が搭載された基板と、半導体レーザ素子を囲むケースと、ケースを塞ぐ透光カバーとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１５－１２２３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体レーザ装置は、電子機器等に搭載される場合、より小型であることが好ましい。
【0005】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によって提供される半導体レーザ装置は、第１面と、厚さ方向において前記第１面と反対側を向く第２面と、を備えた半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子と電気的に接続された１以上のリードと、前記半導体レーザ素子から出射される光を透過させ、前記半導体レーザ素子の前記第１面の少なくとも一部を覆い、前記リードの少なくとも一部を覆い且つ少なくとも一部を露出させる樹脂と、を備える。
【発明の効果】
【0007】
本開示の半導体レーザ装置によれば、小型化を図ることができる。
【0008】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図2】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図3】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。
【図4】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。
【図9】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図11】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図13】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。
【図15】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図16】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図17】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図18】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図20】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す断面図である。
【図21】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す断面図である。
【図22】本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す断面図である。
【図23】本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図24】本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。
【図26】本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。
【図27】本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。
【図29】本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図30】本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の他の例を示す要部平面図である。
【図31】本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図35】本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す断面図である。
【図36】本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す断面図である。
【図37】本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図40】本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す平面図である。
【図41】本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図43】本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図45】本開示の第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図47】本開示の第８実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図50】本開示の第８実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す平面図である。
【図51】本開示の第９実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図53】本開示の第９実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【0011】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0012】
＜第１実施形態＞
図１～図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１は、複数のリード１、半導体レーザ素子２、複数のワイヤ３、第１絶縁膜４１および樹脂６を備えている。
図１～図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１は、複数のリード１、半導体レーザ素子２、複数のワイヤ３、第１絶縁膜４１および樹脂６を備えている。
【0013】
図１は、半導体レーザ装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体レーザ装置Ａ１を示す平面図である。図３は、半導体レーザ装置Ａ１を示す正面図である。図４は、半導体レーザ装置Ａ１を示す側面図である。図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、半導体レーザ装置Ａ１の半導体レーザ素子を示す要部拡大断面図である。なお、ｘ方向は、本開示の第１方向に相当し、ｙ方向は、本開示の第２方向に相当し、ｚ方向は、本開示の厚さ方向に相当する。また、ｚ方向から見た場合の状態を、平面視と称する場合がある。
【0014】
複数のリード１は、本実施形態においては、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂを含む。なお、本開示におけるリード１の個数は特に限定されず、１以上であればよい。第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの材質は特に限定されず、たとえばＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ等の金属からなる。また、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの表面の一部または全体には、めっき層が設けられていてもよい。めっき層としては、たとえばＡｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｎ等の金属からなる単層または複層のめっき層が挙げられる。第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの寸法は特に限定されず、図示された例においては、ｚ方向寸法（厚さ）がたとえば５０μｍ程度である。
【0015】
第１リード１Ａは、本実施形態においては、第１面１１Ａ、第２面１２Ａ、第１辺１３Ａ、第２辺１４Ａ、第３辺１５Ａ、第４辺１６Ａ、延出部１１１Ａ、延出部１１２Ａおよび延出部１１３Ａを有する。
【0016】
第１面１１Ａは、ｚ方向一方側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面１２Ａは、第１面１１Ａとは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第１面１１Ａおよび第２面１２Ａの形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に長く延びる形状である。
【0017】
第１辺１３Ａ、第２辺１４Ａ、第３辺１５Ａおよび第４辺１６Ａは、平面視において互いに異なる方向を向く。平面視において第１辺１３Ａ、第２辺１４Ａ、第３辺１５Ａおよび第４辺１６Ａを構成する具体的部位は、たとえば、第１面１１Ａの外端縁が挙げられる。本実施形態においては、第１辺１３Ａ、第２辺１４Ａ、第３辺１５Ａおよび第４辺１６Ａは、第１面１１Ａの外端縁および当該外端縁に繋がり且つｚ方向沿った面によって構成されている。以降の説明においては、第１辺１３Ａ、第２辺１４Ａ、第３辺１５Ａおよび第４辺１６Ａは、それらを構成する面の説明を兼ねている。他の変形例や実施形態においても、特に説明する場合を除き、同様である。
【0018】
第１辺１３Ａは、ｘ方向に延びており、ｙ方向一方側に位置している。第２辺１４Ａは、ｙ方向において第１辺１３Ａと反対側の他方側を向き、ｘ方向に延びている。第３辺１５Ａは、ｙ方向において第１辺１３Ａと第２辺１４Ａとの間に位置し且つｙ方向に延びている。第４辺１６Ａは、ｙ方向において第１辺１３Ａと第２辺１４Ａとの間に位置し且つｘ方向において第３辺１５Ａと反対側を向き、ｙ方向に延びている。
【0019】
延出部１１１Ａは、第１辺１３Ａからｙ方向一方側に延出する部位である。延出部１１１Ａは、第１面１１Ａの一部を有している。また、延出部１１１Ａは、第２面１２Ａよりもｚ方向一方側（第１面１１Ａが向く側）に位置している。
【0020】
延出部１１２Ａは、第２辺１４Ａからｙ方向他方側に延出する部位である。延出部１１２Ａは、第１面１１Ａの一部を有している。また、延出部１１２Ａは、第２面１２Ａよりもｚ方向一方側（第１面１１Ａが向く側）に位置している。
【0021】
延出部１１３Ａは、第３辺１５Ａからｘ方向他方側に延出する部位である。延出部１１３Ａは、第１面１１Ａの一部を有している。また、延出部１１３Ａは、第２面１２Ａよりもｚ方向一方側（第１面１１Ａが向く側）に位置している。
【0022】
第２リード１Ｂは、第１リード１Ａに対して、ｘ方向一方側に離間して配置されている。第２リード１Ｂは、ｘ方向視において第１リード１Ａと重なる。第２リード１Ｂは、本実施形態においては、第１面１１Ｂ、第２面１２Ｂ、第１辺１３Ｂ、第２辺１４Ｂ、第３辺１５Ｂ、第４辺１６Ｂ、延出部１１１Ｂ、延出部１１２Ｂおよび延出部１１３Ｂを有する。
【0023】
第１面１１Ｂは、ｚ方向一方側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面１２Ｂは、第１面１１Ｂとは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第１面１１Ｂおよび第２面１２Ｂの形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に長く延びる形状である。
【0024】
第１辺１３Ｂ、第２辺１４Ｂ、第３辺１５Ｂおよび第４辺１６Ｂは、平面視において互いに異なる方向を向く。平面視において第１辺１３Ｂ、第２辺１４Ｂ、第３辺１５Ｂおよび第４辺１６Ｂを構成する具体的部位は、たとえば、第１面１１Ｂの外端縁が挙げられる。本実施形態においては、第１辺１３Ｂ、第２辺１４Ｂ、第３辺１５Ｂおよび第４辺１６Ｂは、第１面１１Ｂの外端縁および当該外端縁に繋がり且つｚ方向沿った面によって構成されている。以降の説明においては、第１辺１３Ｂ、第２辺１４Ｂ、第３辺１５Ｂおよび第４辺１６Ｂは、それらを構成する面の説明を兼ねている。他の変形例や実施形態においても、特に説明する場合を除き、同様である。
【0025】
第１辺１３Ｂは、ｘ方向に延びており、ｙ方向一方側に位置している。第２辺１４Ｂは、ｙ方向において第１辺１３Ｂと反対側の他方側を向き、ｘ方向に延びている。第３辺１５Ｂは、ｙ方向において第１辺１３Ｂと第２辺１４Ｂとの間に位置し且つｙ方向に延びている。第４辺１６Ｂは、ｙ方向において第１辺１３Ｂと第２辺１４Ｂとの間に位置し且つｘ方向において第３辺１５Ｂと反対側を向き、ｙ方向に延びている。
【0026】
延出部１１１Ｂは、第１辺１３Ｂからｙ方向一方側に延出する部位である。延出部１１１Ｂは、第１面１１Ｂの一部を有している。また、延出部１１１Ｂは、第２面１２Ｂよりもｚ方向一方側（第１面１１Ｂが向く側）に位置している。
【0027】
延出部１１２Ｂは、第２辺１４Ｂからｙ方向他方側に延出する部位である。延出部１１２Ｂは、第１面１１Ｂの一部を有している。また、延出部１１２Ｂは、第２面１２Ｂよりもｚ方向一方側（第１面１１Ｂが向く側）に位置している。
【0028】
延出部１１３Ｂは、第３辺１５Ｂからｘ方向一方側に延出する部位である。延出部１１３Ｂは、第１面１１Ｂの一部を有している。また、延出部１１３Ｂは、第２面１２Ｂよりもｚ方向一方側（第１面１１Ｂが向く側）に位置している。
【0029】
半導体レーザ素子２は、半導体レーザ装置Ａ１の光源であり、本実施形態においては、平面視において第１リード１Ａと第２リード１Ｂとの間に配置されている。半導体レーザ素子２は、ｘ方向視において第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂと重なる。
【0030】
半導体レーザ素子２の具体的構成は特に限定されず、本実施形態においては、半導体レーザ素子２は、基板２０１、半導体層２０２、第１面２１、第２面２２、第１辺２３、第２辺２４、第３辺２５、第４辺２６、第１電極２７および第２電極２８を有する。
【0031】
基板２０１は、半導体レーザ素子２の土台となる部材であり、たとえばｎ－ＧａＡｓからなる。基板２０１の厚さは特に限定されず、たとえば９０μｍ程度であり、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂよりも厚い。ｘ方向視において、基板２０１は、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂに対してｚ方向一方側に突出している。
【0032】
半導体層２０２は、基板２０１のｚ方向一方側に形成されており、複数の半導体からなる層が積層されたものである。半導体層２０２からは、ｙ方向一方側にレーザ光Ｌが出射される。半導体層２０２の厚さは特に限定されず、たとえば１０μｍ程度である。また、本実施形態においては、半導体層２０２は、基板２０１のｘ方向他方側部分（第１リード１Ａ側の部分）に配置されている。半導体層２０２は、ｘ方向視において第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂよりもｚ方向一方側に位置している。
【0033】
第１面２１は、ｚ方向一方側を向く面である。図示された例においては、第１面２１は、基板２０１および半導体層２０２によって構成された部位を含む。第２面２２は、ｚ方向において第１面２１とは反対側を向く面であり、図示された例においては、基板２０１によって構成されている。
【0034】
第１辺２３、第２辺２４、第３辺２５および第４辺２６は、平面視において互いに異なる方向を向く。平面視において第１辺２３、第２辺２４、第３辺２５および第４辺２６を構成する具体的部位は、たとえば、第１面２１の外端縁が挙げられる。本実施形態においては、第１辺２３、第２辺２４、第３辺２５および第４辺２６は、第１面２１の外端縁および当該外端縁に繋がり且つｚ方向沿った面によって構成されている。以降の説明においては、第１辺２３、第２辺２４、第３辺２５および第４辺２６は、それらを構成する面の説明を兼ねている。他の変形例や実施形態においても、特に説明する場合を除き、同様である。
【0035】
第１辺２３は、ｘ方向に延びており、ｙ方向一方側に位置している。第２辺２４は、ｙ方向において第１辺２３と反対側の他方側を向き、ｘ方向に延びている。第３辺２５は、ｙ方向において第１辺２３と第２辺２４との間に位置し且つｙ方向に延びている。第４辺２６は、ｙ方向において第１辺２３と第２辺２４との間に位置し且つｘ方向において第３辺２５と反対側を向き、ｙ方向に延びている。本実施形態においては、第１辺２３から出射されるレーザ光Ｌが最も強い光度を有する。
【0036】
第１電極２７は、第１面２１上に形成されている。図示された例においては、第１電極２７は、平面視において半導体層２０２のキャップ層２５０と重なっており、キャップ層２５０と導通している。
【0037】
第２電極２８は、第１面２１上に形成されている。図示された例においては、第２電極２８は、基板２０１上に配置されている。
【0038】
図示された例においては、第１電極２７および第２電極２８は、ｘ方向に離間して配置されている。第１電極２７および第２電極２８は、ｘ方向視において重なっている。また、第１電極２７おおび第２電極２８は、ｘ方向視において延出部１１３Ａおよび延出部１１３Ｂと重なっている。
【0039】
第１電極２７および第２電極２８の電気的極性は特に限定されず、図示された例においては、第１電極２７は、アノード電極であり、第２電極２８は、カソード電極である。
【0040】
第１ワイヤ３Ａは、第１面２１上に配置された第１電極２７と第１リード１Ａとに接続されている。第１ワイヤ３Ａの構成は特に限定されず、図示された例においては、ファーストボンディング部３１Ａ、セカンドボンディング部３２Ａおよび屈曲部３３Ａを有する。
【0041】
ファーストボンディング部３１Ａは、第１電極２７上に配置されている。セカンドボンディング部３２Ａは、第１リード１Ａの第１面１１Ａ上に配置されている。屈曲部３３Ａは、ファーストボンディング部３１Ａのｚ方向一方側に位置しており、第１ワイヤ３Ａの一部が屈曲形状とされた部位である。図示された例においては、第１ワイヤ３Ａは、ｘ方向に延びている。また、第１ワイヤ３Ａは、ｘ方向視において延出部１１３Ａと重なっている。
【0042】
第２ワイヤ３Ｂは、第１面２１上に配置された第２電極２８と第２リード１Ｂとに接続されている。第２ワイヤ３Ｂの構成は特に限定されず、図示された例においては、ファーストボンディング部３１Ｂ、セカンドボンディング部３２Ｂおよび屈曲部３３Ｂを有する。
【0043】
ファーストボンディング部３１Ｂは、第２電極２８上に配置されている。セカンドボンディング部３２Ｂは、第２リード１Ｂの第１面１１Ｂ上に配置されている。屈曲部３３Ｂは、ファーストボンディング部３１Ｂのｚ方向一方側に位置しており、第２ワイヤ３Ｂの一部が屈曲形状とされた部位である。図示された例においては、第２ワイヤ３Ｂは、ｘ方向に延びている。また、第２ワイヤ３Ｂは、ｘ方向視において第１ワイヤ３Ａと重なっている。第２ワイヤ３Ｂは、ｘ方向視において延出部１１３Ｂと重なっている。
【0044】
第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂの材質は特に限定されず、たとえばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等からなる。図示された例においては、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂは、Ａｕからなる。また、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂの本数は、図示された例の本数に限定されず、たとえば複数本であってもよい。
【0045】
第１絶縁膜４１は、半導体レーザ素子２の第２面２２上に配置されている。第１絶縁膜４１は、たとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料からなる。図示された例においては、第１絶縁膜４１は、平面視において半導体レーザ素子２よりも大きく、半導体レーザ素子２から延出している。第１絶縁膜４１のｚ方向他方側の面は、第１リード１Ａの第２面１２Ａおよび第２リード１Ｂの第２面１２Ｂと面一である。
【0046】
樹脂６は、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光Ｌを透過させる。樹脂６の材質は特に限定されず、たとえば透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等からなる。樹脂６は、半導体レーザ素子２の第１面２１の少なくとも一部を覆い、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの少なくとも一部ずつを覆い且つ少なくとも一部ずつを露出させる。本実施形態においては、樹脂６は、第１面２１、第１辺２３を構成する面、第２辺２４を構成する面、第３辺２５を構成する面および第４辺２６を構成する面を覆っている。
【0047】
樹脂６の形状は特に限定されず、本実施形態においては、第１面６１、第２面６２、第３面６３、第４面６４、第５面６５、第６面６６、第１辺６０１、第２辺６０２、第３辺６０３および第４辺６０４を有する。樹脂６は、第１リード１Ａのうち第１面１１Ａの一部、第１辺１３Ａを構成する面、第２辺１４Ａを構成する面、第３辺１５Ａを構成する面、第４辺１６Ａを構成する面、延出部１１１Ａの一部、延出部１１２Ａの一部および延出部１１３Ａの一部を覆っている。樹脂６は、第２リード１Ｂのうち第１面１１Ｂの一部、第１辺１３Ｂを構成する面、第２辺１４Ｂを構成する面、第３辺１５Ｂを構成する面、第４辺１６Ｂを構成する面、延出部１１１Ｂの一部、延出部１１２Ｂの一部および延出部１１３Ｂの一部を覆っている。樹脂６は、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂを覆っている。
【0048】
第１面６１は、ｚ方向一方側を向く面である。第２面６２は、ｚ方向において第１面６１とは反対側を向く面であり、図示された例においては、基板２０１によって構成されている。本実施形態においては、第１面６１は、平面視において第２面６２よりも小さい。第２面６２は、ｚ方向視において第１面６１からｙ方向両側に延出している。
【0049】
第３面６３は、第１面６１のｙ方向一方側端に繋がっており、第１面６１に対してｚ方向他方側に位置している。図７に示すように、第３面６３は、第２面６２よりもｚ方向一方側に位置している。図示された例においては、第３面６３は、ｚ方向に対して角度α１をなして傾いている。図示された例においては、半導体レーザ素子２から発せられたレーザ光Ｌは、第３面６３から出射される。
【0050】
第４面６４は、第１面６１のｙ方向他方側端に繋がっており、第１面６１に対してｚ方向他方側に位置している。図７に示すように、第４面６４は、第２面６２よりもｚ方向一方側に位置している。図示された例においては、第４面６４は、ｚ方向に対して角度α２をなして傾いている。角度α２は、角度α１よりも大きい。
【0051】
第５面６５は、第３面６３のｚ方向他方側端（図中下端）に繋がっており、ｙ方向一方側に延びている。図示された例においては、第５面６５は、ｚ方向に対して直角である平面である。図示された例においては、第１リード１Ａの第１面１１Ａおよび第２リード１Ｂの第１面１１Ｂの一部は、第５面６５と面一である状態で、樹脂６から露出している。
【0052】
第６面６６は、第４面６４のｚ方向他方側端（図中下端）に繋がっており、ｙ方向他方側に延びている。図示された例においては、第６面６６は、ｚ方向に対して直角である平面である。図示された例においては、第１リード１Ａの第１面１１Ａおよび第２リード１Ｂの第１面１１Ｂの一部は、第６面６６と面一である状態で、樹脂６から露出している。
【0053】
第１辺６０１、第２辺６０２、第３辺６０３および第４辺６０４は、平面視において互いに異なる方向を向く。平面視において第１辺６０１、第２辺６０２、第３辺６０３および第４辺６０４を構成する具体的部位は、たとえば、第１面６１、第５面６５および第６面６６の外端縁が挙げられる。本実施形態においては、第１辺６０１、第２辺６０２、第３辺６０３および第４辺６０４は、第１面６１、第５面６５および第６面６６の外端縁および当該外端縁に繋がり且つｚ方向沿った面によって構成されている。以降の説明においては、第１辺６０１、第２辺６０２、第３辺６０３および第４辺６０４は、それらを構成する面の説明を兼ねている。他の変形例や実施形態においても、特に説明する場合を除き、同様である。
【0054】
第１辺６０１は、ｘ方向に延びており、ｙ方向一方側に位置している。第２辺６０２は、ｙ方向において第１辺６０１と反対側の他方側を向き、ｘ方向に延びている。第３辺６０３は、ｙ方向において第１辺６０１と第２辺６０２との間に位置し且つｙ方向に延びている。第４辺６０４は、ｙ方向において第１辺６０１と第２辺６０２との間に位置し且つｘ方向において第３辺６０３と反対側を向き、ｙ方向に延びている。
【0055】
第１リード１Ａの第２面１２Ａ、第２リード１Ｂの第２面１２Ｂおよび第１絶縁膜４１のｚ方向他方側面は、第２面６２と面一の状態で樹脂６から露出している。
【0056】
延出部１１１Ａおよび延出部１１１Ｂのそれぞれの先端面は、第１辺６０１を構成する面と面一の状態で樹脂６から露出している。
【0057】
延出部１１２Ａおよび延出部１１２Ｂのそれぞれの先端面は、第２辺６０２を構成する面と面一の状態で樹脂６から露出している。
【0058】
延出部１１３Ａの先端面は、第３辺６０３を構成する面と面一の状態で樹脂６から露出している。延出部１１４Ａの先端面は、第４辺６０４を構成する面と面一の状態で樹脂６から露出している。
【0059】
【0060】
まず、図９および図１０に示すように、支持部材Ｓ１を用意する。支持部材Ｓ１は、平坦な表面を有する板状部材である。また、リードフレーム１０を用意する。リードフレーム１０は、複数個の半導体レーザ装置Ａ１を製造可能な複数の第１リード１Ａおよび複数の第２リード１Ｂが、フレーム１０１に支持されたものである。フレーム１０１は、たとえば複数の帯状部１０１ｘおよび複数の帯状部１０１ｙを含む。複数の帯状部１０１ｘは、それぞれがｘ方向に延びており、ｙ方向に互いに離間して配置されている。複数の帯状部１０１ｙは、それぞれがｙ方向に延びており、ｘ方向視においてに互いに離間して配置されている。複数の帯状部１０１ｘおよび複数の帯状部１０１ｙは、互いが交差する位置において連結されている。複数の第１リード１Ａの延出部１１１Ａ、延出部１１２Ａおよび延出部１１３Ａと複数の第２リード１Ｂの延出部１１１Ｂ、延出部１１２Ｂおよび延出部１１３Ｂとが、フレーム１０１に連結されている。
【0061】
リードフレーム１０は、支持部材Ｓ１によって支持される。リードフレーム１０の支持は、たとえば支持部材Ｓ１への接着等の手法によって適宜なされる。
【0062】
次いで、図１１～図１４に示すように、支持部材Ｓ１上に半導体レーザ素子２を配置する。半導体レーザ素子２は、第１リード１Ａと第２リード１Ｂとの間に配置される。本実施形態においては、半導体レーザ素子２は、第１絶縁膜４１を介して支持部材Ｓ１に配置される。これにより、第１リード１Ａの第２面１２Ａおよび第２リード１Ｂの第２面１２Ｂと第１絶縁膜４１のｚ方向下面とが面一となる。また、第１電極２７と第１リード１Ａとに第１ワイヤ３Ａを接続し、第２電極２８と第２リード１Ｂとに第２ワイヤ３Ｂを接続する。第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂの接続は、たとえばキャピラリが用いられる。
【0063】
次いで、図１５に示すように、支持部材Ｓ１、リードフレーム１０、複数の半導体レーザ素子２等を、金型Ｍ１および金型Ｍ２によって挟む。金型Ｍ２は、支持部材Ｓ１をｚ方向他方側から支持しており、たとえば平坦な面を有する。金型Ｍ１は、支持部材Ｓ１に対してｚ方向一方側に配置され、複数のキャビティＭ１１を有する。キャビティＭ１１は、たとえばｘ方向視においてに長く延びる凹部であり、複数の半導体レーザ素子２、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂを収容する空間を規定する。図示された例においては、キャビティＭ１１は、第１面Ｍ１１１および第２面Ｍ１１２を有する。第１面Ｍ１１１は、半導体レーザ素子２に対してｙ方向一方側に位置する面であり、ｚ方向に対して角度α１傾いている。第２面Ｍ１１２は、半導体レーザ素子２に対してｙ方向他方側に位置する面であり、ｚ方向に対して角度α２傾いている。金型Ｍ１のｚ方向下面は、第１リード１Ａの第１面１１Ａおよび第２リード１Ｂの第１面１１Ｂと当接する。
【0064】
次いで、図１６に示すように、金型Ｍ１と金型Ｍ２との間に、樹脂材料を注入し、これを硬化させる。これにより、図１７に示す樹脂６０が得られる。樹脂６０は、複数の樹脂６を含む中間部材である。本例においては、第１面Ｍ１１１によって規定された面が第３面６３となり、第２面Ｍ１１２によって規定された面が第４面６４となる。また、金型Ｍ１のｚ方向下面によって規定された面が、第５面６５および第６面６６となる。
【0065】
次いで、図１８および図１９に示すように、複数の切断線ＣＬｘおよび複数の切断線ＣＬｙに沿って、リードフレーム１０および樹脂６０を切断する。この切断は、リードフレーム１０および樹脂６０とともに支持部材Ｓ１を切断する手法であってもよいし、切断に先立ってリードフレーム１０および樹脂６０から支持部材Ｓ１を除去した後に切断する手法であってもよい。また、隣り合う半導体レーザ素子２に挟まれた２つの切断線ＣＬｘに沿った切断は、それぞれの切断線ＣＬｘに沿って２回の切断を行う手法でもよいし、２つの切断線ＣＬｘに挟まれた領域を一括して除去するように切断する手法であってもよい。同様に、また、隣り合う半導体レーザ素子２に挟まれた２つの切断線ＣＬｙに沿った切断は、それぞれの切断線ＣＬｙに沿って２回の切断を行う手法でもよいし、２つの切断線ＣＬｙに挟まれた領域を一括して除去するように切断する手法であってもよい。
【0066】
以上の工程を経ることにより、複数の半導体レーザ装置Ａ１が得られる。
【0067】
次に、半導体レーザ装置Ａ１の作用について説明する。
【0068】
本実施形態によれば、たとえば、半導体レーザ素子２を支持する基材と、半導体レーザ素子２への導通経路となる配線パターンと、を有する基板を備えていない。第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの体積は、前記基材の体積よりも小さくすることが可能である。したがって、半導体レーザ装置Ａ１の小型化を図ることができる。
【0069】
半導体レーザ素子２は、ｘ方向視において第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂと重なる。すなわち、半導体レーザ素子２と第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂとは、ｚ方向において離間しておらず、ｚ方向において占める領域が互いに重なる位置関係である。これにより、半導体レーザ装置Ａ１のｚ方向寸法を縮小することができる。
【0070】
基板２０１の厚さは、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの厚さよりも厚い。このため、図３および図７に示すように、半導体層２０２は、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂに対してｚ方向一方側（図中上側）に位置している。樹脂６の第３面６３は、第１リード１Ａの第１面１１Ａおよび第２リード１Ｂの第１面１１Ｂよりもｚ方向一方側に位置しており、ｙ方向視において半導体層２０２と重なる。これにより、半導体層２０２からのレーザ光Ｌを第３面６３から出射させることができる。図１５および図１６に示すように、第３面６３は、金型Ｍ１の第１面Ｍ１１１によって形成される。このため、第３面６３は、比較的平滑で表面粗さが顕著に小さい面に仕上げることが可能である。これは、レーザ光Ｌの出射効率を高めるのに適している。
【0071】
第３面６３の角度α１は、第４面６４の角度α２よりも小さい。これにより、半導体レーザ素子２からのレーザ光Ｌが、第３面６３によって不当に屈折されることを抑制することができる。また、半導体レーザ素子２からｙ方向他方側に微弱な光が出射される場合に、第４面６４が傾いていることによって、ｙ方向一方側へと反射されることを抑制することができる。
【0072】
第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂが、屈曲部３３Ａおよび屈曲部３３Ｂを有することにより、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂのｚ方向寸法を縮小することが可能である。これは、半導体レーザ装置Ａ１のｚ方向における小型化に有利である。
【0073】
【0074】
＜第１実施形態 第１変形例＞
図２０は、半導体レーザ装置Ａ１の第１変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１１は、第１絶縁膜４１を備えない点が、上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。半導体レーザ装置Ａ１１においては、半導体レーザ素子２の第２面２２が、樹脂６の第２面６２と面一である状態で、樹脂６から露出している。
図２０は、半導体レーザ装置Ａ１の第１変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１１は、第１絶縁膜４１を備えない点が、上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。半導体レーザ装置Ａ１１においては、半導体レーザ素子２の第２面２２が、樹脂６の第２面６２と面一である状態で、樹脂６から露出している。
【0075】
本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１と同様の効果を奏する。また、以降の実施形態において特段の説明がない場合、第１絶縁膜４１を備えた構成および第１絶縁膜４１を備えない構成のいずれかを適宜採用可能である。
【0076】
＜第１実施形態 第２変形例＞
図２１は、半導体レーザ装置Ａ１の第２変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１２は、樹脂６の構成が、上述した例と異なる。
図２１は、半導体レーザ装置Ａ１の第２変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１２は、樹脂６の構成が、上述した例と異なる。
【0077】
半導体レーザ装置Ａ１２においては、第３面６３がｚ方向となす角度である角度α１は、第４面６４がｚ方向となす角度である角度α２よりも大きく、たとえば、４５°である。このような第３面６３は、半導体レーザ素子２から進行してきたレーザ光Ｌを反射可能であり、ｚ方向他方側（図中下側）に向けて進行させることができる。
【0078】
なお、第３面６３によるレーザ光Ｌの反射は、樹脂６と空気との屈折率の差に起因する全反射であってもよい。あるいは、図示された例のように、第３面６３に反射膜６３１を設けることにより、レーザ光Ｌを反射する構成であってもよい。反射膜６３１の構成は特に限定されず、たとえば蒸着法によって形成されたＡｌからなる薄膜である。
【0079】
半導体レーザ装置Ａ１２によれば、レーザ光Ｌをｚ方向他方側（図中下側）に出射することができる。たとえば、半導体レーザ装置Ａ１２が実装される回路基板（図示略）のうち、平面視において第３面６３と重なる位置に貫通孔を設けておく。この貫通孔を通じてレーザ光Ｌを出射することができる。
【0080】
＜第１実施形態 第３変形例＞
図２２は、半導体レーザ装置Ａ１の第３変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１３においては、第１ワイヤ３Ａのファーストボンディング部３１Ａが、第１リード１Ａの第１面１１Ａ上に配置されており、セカンドボンディング部３２Ａが、半導体レーザ素子２の第１電極２７上に配置されている。また、第２ワイヤ３Ｂの３１Ｂが、第２リード１Ｂの第１面１１Ｂ上に配置されており、セカンドボンディング部３２Ｂが半導体レーザ素子２の第２電極２８上に配置されている。
図２２は、半導体レーザ装置Ａ１の第３変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１３においては、第１ワイヤ３Ａのファーストボンディング部３１Ａが、第１リード１Ａの第１面１１Ａ上に配置されており、セカンドボンディング部３２Ａが、半導体レーザ素子２の第１電極２７上に配置されている。また、第２ワイヤ３Ｂの３１Ｂが、第２リード１Ｂの第１面１１Ｂ上に配置されており、セカンドボンディング部３２Ｂが半導体レーザ素子２の第２電極２８上に配置されている。
【0081】
本変形例によれば、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂのｚ方向寸法をさらに縮小することが可能であり、半導体レーザ装置Ａ１３のｚ方向における小型化を図るのに有利である。
【0082】
＜第２実施形態＞
図２３は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図２４は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。図２５は、図２３のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。図２６は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。図２７本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。図２８は、図２３のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図２３は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図２４は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。図２５は、図２３のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。図２６は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。図２７本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。図２８は、図２３のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【0083】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ２は、主に樹脂６の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の樹脂６は、第１面６１、第２面６２、第１辺６０１、第２辺６０２、第３辺６０３および第４辺６０４を有しており、全体として直方体形状である。
【0084】
第１辺６０１は、第１面６１と第２面６２とを繋ぎ且つｚ方向に沿う平面によって構成されている。第２辺６０２は、第１面６１と第２面６２とを繋ぎ且つｚ方向に沿う平面によって構成されている。第３辺６０３は、第１面６１と第２面６２とを繋ぎ且つｚ方向に沿う平面によって構成されている。第４辺６０４は、第１面６１と第２面６２とを繋ぎ且つｚ方向に沿う平面によって構成されている。
【0085】
【0086】
図２６および図２７に示すように、第１辺６０１を構成する面の表面粗さは、第２辺６０２を構成する面の表面粗さよりも小さい。第１辺６０１を構成する面の表面粗さは、たとえばレーザ光Ｌを不当に散乱することなく通過させる程度である。また、第２辺６０２を構成する面の表面粗さは、半導体レーザ素子２の半導体層２０２からｙ方向他方側に進行する比較的微弱な光を、適度に散乱させることが可能な程度である。
【0087】
本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ２の小型化を図ることができる。また、本開示においては、半導体レーザ装置Ａ１のように樹脂６が第３面６３、第４面６４、第５面６５および第６面６６を有する構成と、半導体レーザ装置Ａ２のように樹脂６が第３面６３、第４面６４、第５面６５および第６面６６を有さない構成とを、適宜採用可能である。
【0088】
半導体レーザ装置Ａ２によれば、ｙ方向において小型化を図るのに有利である。また、第４面６４によって半導体レーザ素子２からの微弱な光を散乱させることにより、この微弱な光が誤ってｙ方向一方側に進行し、レーザ光Ｌの出射に対してノイズ光となることを抑制することができる。
【0089】
図２９は、半導体レーザ装置Ａ２の製造方法の一例を示す要部平面図である。本例においては、樹脂６０は、第１面６１および第２面６２を有する平坦で凹凸を有さない形状に形成されている。第１面６１は、樹脂６０の全面にわたって広がっている。リードフレーム１０および樹脂６０を、切断線ＣＬ１ｘ、切断線ＣＬ２ｘおよび切断線Ｃｌｙに沿って切断する。
【0090】
切断線ＣＬ１ｘは、半導体レーザ素子２のｙ方向一方側（レーザ光Ｌが出射される側）に位置している。切断線ＣＬ２ｘは、半導体レーザ素子２のｙ方向他方側に位置している。切断線ＣＬ１ｘに沿った切断は、たとえば切断に用いるダイシングブレードの進行速度を相対的に遅く設定する。一方、切断線ＣＬ２ｘに沿った切断は、たとえばダイシングブレードの進行速度を相対的に速く設定する。これにより、切断線ＣＬ１ｘに沿った切断によって形成される第１辺６０１を構成する面の表面粗さは、切断線ＣＬ２ｘに沿った切断によって形成される第２辺６０２を構成する面の表面粗さよりも小さくなる。
【0091】
図３０は、半導体レーザ装置Ａ２の製造方法の他の例を示す要部平面図である。本例においては、ｙ方向において隣り合う半導体レーザ素子２の配置が、上述した例と異なる。本例では、ｙ方向において隣り合う半導体レーザ素子２の第１辺２３同士が、互いに対向するように配置されている。２つの切断線ＣＬ１ｘは、ｙ方向において隣り合っている。本例においては、２つの切断線ＣＬ１ｘに挟まれたハッチング領域を一括して削除するように、たとえば、当該ハッチング領域のｙ方向寸法と厚さがほぼ同じであるダイシングブレードを用いた切断を行う。これにより、ｙ方向において隣り合って互いに対向する２つの第３面６３を形成することができる。
【0092】
＜第３実施形態＞
図３１は、本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図３３は、図３１のＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図３４は、図３１のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
図３１は、本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図３３は、図３１のＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図３４は、図３１のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【0093】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ３は、半導体レーザ素子２の構成が、上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、半導体層２０２は、基板２０１のｙ方向一方側部分に形成されている。第１電極２７と第２電極２８とは、ｙ方向に互いに離間してあ並べられている。第１ワイヤ３Ａと第２ワイヤ３Ｂとは、各々がｘ方向に延びており、ｙ方向に離間して配置されている。
【0094】
本実施形態によれば、半導体レーザ装置Ａ３のｘ方向寸法を縮小するのに有利である。
【0095】
＜第３実施形態 第１変形例＞
図３５は、半導体レーザ装置Ａ３の第１変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ３１においては、第２ワイヤ３Ｂのファーストボンディング部３１Ｂが、樹脂部３９によって覆われている。樹脂部３９は、半導体レーザ素子２からの光を反射しにくい、たとえば黒色等の樹脂からなる。樹脂部３９が設けられていることにより、半導体レーザ素子２からｙ方向他方側に微弱な光が発せられても、この光は、樹脂部３９によって吸収され、顕著に反射されることを抑制することができる。
図３５は、半導体レーザ装置Ａ３の第１変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ３１においては、第２ワイヤ３Ｂのファーストボンディング部３１Ｂが、樹脂部３９によって覆われている。樹脂部３９は、半導体レーザ素子２からの光を反射しにくい、たとえば黒色等の樹脂からなる。樹脂部３９が設けられていることにより、半導体レーザ素子２からｙ方向他方側に微弱な光が発せられても、この光は、樹脂部３９によって吸収され、顕著に反射されることを抑制することができる。
【0096】
＜第３実施形態 第２変形例＞
図３６は、半導体レーザ装置Ａ３の第２変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ３２においては、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂが、半導体レーザ素子２に対してｘ方向他方側に配置されている。第１リード１Ａと第２リード１Ｂとは、ｙ方向に互いに離間して並べられている。
図３６は、半導体レーザ装置Ａ３の第２変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ３２においては、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂが、半導体レーザ素子２に対してｘ方向他方側に配置されている。第１リード１Ａと第２リード１Ｂとは、ｙ方向に互いに離間して並べられている。
【0097】
第１リード１Ａは、延出部１１１Ａおよび延出部１１３Ｂを有する。第２リード１Ｂは、延出部１１２Ｂおよび延出部１１３Ｂを有する。延出部１１１Ａの先端は、第１辺６０１と面一の状態で樹脂６から露出している。延出部１１２Ｂの先端は第２辺６０２と面一の状態で樹脂６から露出している。延出部１１３Ａおよび延出部１１３Ｂの先端は、第３辺６０３と面一の状態で樹脂６から露出している。
【0098】
第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂは、それぞれがｘ方向に延びており、ｙ方向に離間して配置されている。本変形例においては、セカンドボンディング部３２Ａおよびセカンドボンディング部３２Ｂは、ファーストボンディング部３１Ａおよびファーストボンディング部３１Ｂに対してｘ方向他方側に配置されている。
【0099】
本変形例によれば、半導体レーザ装置Ａ３２のｘ方向寸法を縮小するのに有利である。
【0100】
＜第４実施形態＞
図３７は、本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図３８は、図３７のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図３９は、図３７のＸＸＸＩＸ－ＸＸＸＩＸ線に沿う断面図である。
図３７は、本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図３８は、図３７のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図３９は、図３７のＸＸＸＩＸ－ＸＸＸＩＸ線に沿う断面図である。
【0101】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ４は、半導体レーザ素子２の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の半導体レーザ素子２は、２つの半導体層２０２，２０３を有している。２つの半導体層２０２，２０３は、基板２０１上においてｘ方向に互いに離間して配置されている。また、半導体レーザ素子２は、第１電極２７、第２電極２８および第３電極２９を有する。第１電極２７は、ｘ方向他方側（図３７における図中左側）の半導体層２０２上に配置されている。第３電極２９は、ｘ方向一方側（図中右側）の半導体層２０３上に配置されている。第２電極２８は、第１電極２７と第３電極２９との間において、基板２０１上に配置されている。
【0102】
半導体レーザ装置Ａ４は、第１ワイヤ３Ａ、第２ワイヤ３Ｂおよび第３ワイヤ３Ｃを有する。第１ワイヤ３Ａは、第１電極２７と第１リード１Ａの第１面１１Ａとに接続されている。第２ワイヤ３Ｂは、第２電極２８と第２リード１Ｂの第１面１１Ｂとに接続されている。第３ワイヤ３Ｃは、第３電極２９と第１リード１Ａの第１面１１Ａとに接続されている。第３ワイヤ３Ｃは、ファーストボンディング部３１Ｃ、セカンドボンディング部３２Ｃおよび屈曲部３３Ｃを有する。ファーストボンディング部３１Ｃは、第３電極２９上に配置されている。セカンドボンディング部３２Ａは、第１リード１Ａの第１面１１Ａ上に配置されている。屈曲部３３Ｃは、ファーストボンディング部３１Ｃのｚ方向一方側に位置しており、第３ワイヤ３Ｃの一部が屈曲形状とされた部位である。
【0103】
第１ワイヤ３Ａ、第２ワイヤ３Ｂおよび第３ワイヤ３Ｃは、各々がｘ方向に延びている図示された例においては、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂは、ｘ方向視において重なっている。第３ワイヤ３Ｃは、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂに対してｙ方向他方側に位置している。第３ワイヤ３Ｃは、ｙ方向視において第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂと重なっている。
【0104】
本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ４の小型化を図ることができる。また、２つの半導体層２０２，２０３からレーザ光Ｌ１およびレーザ光Ｌ２を発することにより、高輝度化を図ることができる。
【0105】
＜第４実施形態＞
図４０は、半導体レーザ装置Ａ４の第１変形例を示す平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ４１は、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃを有する。第１リード１Ａおよび第３リード１Ｃと第２リード１Ｂとは、半導体レーザ素子２を挟んでｘ方向に離間して配置されている。第１リード１Ａと第３リード１Ｃとは、ｙ方向に離間して並べられている。
図４０は、半導体レーザ装置Ａ４の第１変形例を示す平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ４１は、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃを有する。第１リード１Ａおよび第３リード１Ｃと第２リード１Ｂとは、半導体レーザ素子２を挟んでｘ方向に離間して配置されている。第１リード１Ａと第３リード１Ｃとは、ｙ方向に離間して並べられている。
【0106】
第３リード１Ｃは、本実施形態においては、第１面１１Ｃ、第２面１２Ｃ（図示略）、第１辺１３Ｃ、第２辺１４Ｃ、第３辺１５Ｃ、第４辺１６Ｃ、延出部１１２Ｃおよび延出部１１３Ｃを有する。
【0107】
第１面１１Ｃは、ｚ方向一方側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面１２Ｃは、第１面１１Ｃとは反対側のｚ方向他方側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。
【0108】
第１辺１３Ｃ、第２辺１４Ｃ、第３辺１５Ｃおよび第４辺１６Ｃは、平面視において互いに異なる方向を向く。平面視において第１辺１３Ｃ、第２辺１４Ｃ、第３辺１５Ｃおよび第４辺１６Ｃを構成する具体的部位は、たとえば、第１面１１Ｃの外端縁が挙げられる。本実施形態においては、第１辺１３Ｃ、第２辺１４Ｃ、第３辺１５Ｃおよび第４辺１６Ｃは、第１面１１Ｃの外端縁および当該外端縁に繋がり且つｚ方向沿った面によって構成されている。以降の説明においては、第１辺１３Ｃ、第２辺１４Ｃ、第３辺１５Ｃおよび第４辺１６Ｃは、それらを構成する面の説明を兼ねている。他の変形例や実施形態においても、特に説明する場合を除き、同様である。
【0109】
第１辺１３Ｃは、ｘ方向に延びており、ｙ方向一方側に位置している。第２辺１４Ｃは、ｙ方向において第１辺１３Ｃと反対側の他方側を向き、ｘ方向に延びている。第３辺１５Ｃは、ｙ方向において第１辺１３Ｃと第２辺１４Ｃとの間に位置し且つｙ方向に延びている。第４辺１６Ｃは、ｙ方向において第１辺１３Ｃと第２辺１４Ｃとの間に位置し且つｘ方向において第３辺１５Ｃと反対側を向き、ｙ方向に延びている。
【0110】
延出部１１２Ｃは、第２辺１４Ｃからｙ方向他方側に延出する部位である。延出部１１２Ｃは、第１面１１Ｃの一部を有している。また、延出部１１２Ｃは、第２面１２Ｃよりもｚ方向一方側（第１面１１Ｃが向く側）に位置している。
【0111】
延出部１１３Ｃは、第３辺１５Ｃからｘ方向他方側に延出する部位である。延出部１１３Ｃは、第１面１１Ｃの一部を有している。また、延出部１１３Ｃは、第２面１２Ｃよりもｚ方向一方側（第１面１１Ｃが向く側）に位置している。
【0112】
第１ワイヤ３Ａは、第１電極２７と第１リード１Ａの第１面１１Ａとに接続されている。第２ワイヤ３Ｂは、第１電極２７と第２リード１Ｂの第１面１１Ｂとに接続されている。第３ワイヤ３Ｃは、第３電極２９と第３リード１Ｃの第１面１１Ｃとに接続されている。
【0113】
本実施形態によれば、第１電極２７と第３電極２９とは、第１リード１Ａと第３リード１Ｃとに各別に接続されている。これにより、半導体層２０２と半導体層２０３とを、それぞれ個別に発光させることが可能である。
【0114】
【0115】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ５においては、半導体レーザ素子２が第２リード１Ｂ上に配置されている。
【0116】
第２リード１Ｂは、第１リード１Ａに対してｙ方向一方側に離間して配置されている。第２リード１Ｂは、延出部１１１Ｂ、延出部１１３Ｂおよび延出部１１４Ｂを有する。延出部１１１Ｂは、第１辺１３Ｂからｙ方向一方側に延出している。延出部１１３Ｂは、第３辺１５Ｂからｘ方向他方側に延出している。延出部１１４Ｂは、第４辺１６Ｂからｘ方向一方側に延出している。
【0117】
第１電極２７は、半導体層２０２によって構成された第１面２１上に配置されている。第２電極２８は、第２面２２上に配置されている。第２電極２８と第２リード１Ｂの第１面１１Ｂとは、第１導電部２９１によって導通接合されている。第１導電部２９１は、たとえばはんだやＡｇペーストが固化したものである。
【0118】
半導体レーザ装置Ａ４は、第１ワイヤ３Ａを備える。第１ワイヤ３Ａは、第１電極２７と第１リード１Ａの第１面１１Ａとに接続されている。
【0119】
本実施形態によれば、半導体レーザ装置Ａ５のｘ方向寸法およびｙ方向寸法を縮小するのに有利である。
【0120】
【0121】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ６は、半導体レーザ装置Ａ５の半導体レーザ素子２と同様の構成の半導体レーザ素子２を有する。本実施形態においては、半導体レーザ素子２の第２電極２８が、第２面６２と面一の状態で樹脂６から露出している。第１ワイヤ３Ａは、半導体レーザ装置Ａ５と同様に、第１電極２７と第１リード１Ａの第１面１１Ａとに接続されている。
【0122】
本実施形態によれば、たとえば半導体レーザ装置Ａ５と比べてｚ方向寸法をさらに縮小することができる。
【0123】
【0124】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ７においては、半導体レーザ素子２の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の半導体レーザ素子２は、半導体層２０２が、基板２０１のｚ方向他方側において、ｙ方向一方側部分に配置されている。第１面２１は、基板２０１によって構成されており、第２面２２は、基板２０１および半導体層２０２によって構成されている。
【0125】
第１電極２７は、第２面２２のうち半導体層２０２によって構成された部分に配置されており、第２電極２８は、第２面２２のうち基板２０１によって構成された部分に配置されている。
【0126】
第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂは、ｙ方向に互いに離間して並んでいる。半導体レーザ素子２は、平面視において第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂに重なっており、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂに跨るように配置されている。第１電極２７は、第１リード１Ａの第１面１１Ａに対向しており、第１導電部２９１によって第１リード１Ａに導通接合されている。第２電極２８は、第２リード１Ｂの第１面１１Ｂに対向しており、第２導電部２９２によって第２リード１Ｂに導通接合されている。
【0127】
本実施形態によれば、第１ワイヤ３Ａおよび第２ワイヤ３Ｂ等を備えないことにより、半導体レーザ装置Ａ７のｚ方向寸法をさらに縮小することができる。
【0128】
＜第８実施形態＞
図４７は、本開示の第８実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図４８は、図４７のＸＬＶＩＩＩ－ＸＬＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図４９は、図４７のＸＬＩＸ－ＸＬＩＸ線に沿う断面図である。
図４７は、本開示の第８実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。図４８は、図４７のＸＬＶＩＩＩ－ＸＬＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図４９は、図４７のＸＬＩＸ－ＸＬＩＸ線に沿う断面図である。
【0129】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ８は、たとえば半導体レーザ装置Ａ２と同様に半導体レーザ素子２のｘ方向両側に第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂが離間して配置されている。
【0130】
本実施形態の第１リード１Ａは、第１面１１Ａ、第２面１２Ａ、第１辺１３Ａ、第２辺１４Ａ、第３辺１５Ａ、第４辺１６Ａおよび第３面１７Ａを有する。第１面１１Ａは、平面視において第２面１２Ａよりもｘ方向寸法が小さい。第１面１１Ａのｘ方向他方側端と第２面１２Ａのｘ方向他方側端とは、平面視において略一致している。第１面１１Ａは、６１と面一となるように樹脂６から露出している。第２面１２Ａは、第２面６２と面一となるように樹脂６から露出している。第３辺１５Ａは、樹脂６から露出している。
【0131】
第３面１７Ａは、ｚ方向において第１面１１Ａと第２面１２Ａとの間に位置している。図示された例においては、第３面１７Ａは、第１面１１Ａと第２面１２Ａとに繋がっている。また、図示された例においては、第３面１７Ａは、第１辺１３Ａを構成する面と第２辺１４Ａを構成する面とに繋がっている。図４８に示すように、第３面１７Ａは、ｙ方向視において曲線をなす形状である。第３面１７Ａのうち第２面１２Ａ側の部分は、凸曲面をなしており、第１面１１Ａ側の部分は、凹曲面をなしている。第１ワイヤ３Ａは、第３面１７Ａのうち、たとえばｚ方向一方側を向く部分に接続されている。
【0132】
本実施形態の第２リード１Ｂは、第１面１１Ｂ、第２面１２Ｂ、第１辺１３Ｂ、第２辺１４Ｂ、第３辺１５Ｂ、第４辺１６Ｂおよび第３面１７Ｂを有する。第１面１１Ｂは、平面視において第２面１２Ｂよりもｘ方向寸法が小さい。第１面１１Ｂのｘ方向一方側端と第２面１２Ｂのｘ方向一方側端とは、平面視において略一致している。第１面１１Ｂは、６１と面一となるように樹脂６から露出している。第２面１２Ｂは、第２面６２と面一となるように樹脂６から露出している。第３辺１５Ｂは、樹脂６から露出している。
【0133】
第３面１７Ｂは、ｚ方向において第１面１１Ｂと第２面１２Ｂとの間に位置している。図示された例においては、第３面１７Ｂは、第１面１１Ｂと第２面１２Ｂとに繋がっている。また、図示された例においては、第３面１７Ｂは、第１辺１３Ｂを構成する面と第２辺１４Ｂを構成する面とに繋がっている。図４８に示すように、第３面１７Ｂは、ｙ方向視において曲線をなす形状である。第３面１７Ｂのうち第２面１２Ｂ側の部分は、凸曲面をなしており、第１面１１Ｂ側の部分は、凹曲面をなしている。第２ワイヤ３Ｂは、第３面１７Ｂのうち、たとえばｚ方向一方側を向く部分に接続されている。
【0134】
本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ８の小型化を図ることができる。また、第１面１１Ａおよび第１面１１Ｂと第２面１２Ａおよび第２面１２Ｂとが、樹脂６からｚ方向両側に露出している。これにより、半導体レーザ装置Ａ８は、たとえば第１面１１Ａおよび第１面１１Ｂを用いた実装姿勢と、第２面１２Ａおよび第２面１２Ｂを用いた実装姿勢との、２つの実装姿勢を任意に選択することが可能である。
【0135】
＜第８実施形態 第１変形例＞
図５０は、半導体レーザ装置Ａ８の第１変形例を示す平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ８１においては、第１リード１Ａが、第４面１８Ａを有する。第４面１８Ａは、第２面１２Ａおよび第３辺１５Ａを構成する面に繋がっており、ｙ方向視において凹曲面をなしている。第２リード１Ｂは、第４面１８Ｂを有する。第４面１８Ｂは、第２面１２Ｂおよび第３辺１５Ａに繋がっており、ｙ方向視において凹曲面をなしている。
図５０は、半導体レーザ装置Ａ８の第１変形例を示す平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ８１においては、第１リード１Ａが、第４面１８Ａを有する。第４面１８Ａは、第２面１２Ａおよび第３辺１５Ａを構成する面に繋がっており、ｙ方向視において凹曲面をなしている。第２リード１Ｂは、第４面１８Ｂを有する。第４面１８Ｂは、第２面１２Ｂおよび第３辺１５Ａに繋がっており、ｙ方向視において凹曲面をなしている。
【0136】
本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ８１の小型化を図ることができる。また、図示された例とは異なり、第４面１８Ａ，１８Ｂにめっき層を設けること等により、第４面１８Ａ，１８Ｂを実装電極として形成してもよい。この場合、半導体レーザ装置Ａ８１を縦置きに実装することができる。本変形例から理解されるように、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂの具体的な形状等は適宜設定可能である。
【0137】
【0138】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａ９は、第１リード１Ａ、複数の第５リード１Ｅ、半導体レーザ素子２、第１ワイヤ３Ａ、第２ワイヤ３Ｂ、複数の第５ワイヤ３Ｅ、制御素子７１および樹脂６を備える。
【0139】
第１リード１Ａは、たとえば平面視において矩形状である。複数の第５リード１Ｅは、各々がたとえば平面視において矩形状であり、ｙ方向に並べられている。複数の第５リード１Ｅは、第１リード１Ａに対してｘ方向他方側に配置されている。
【0140】
半導体レーザ素子２および制御素子７１は、第１リード１Ａ上に配置されている。半導体レーザ素子２は、制御素子７１に対してｘ方向一方側に配置されている。半導体レーザ素子２は、第１面２１上に第１電極２７および第２電極２８が配置されている。
【0141】
制御素子７１は、たとえば半導体レーザ素子２の発光制御機能を有する集積回路素子である。制御素子７１は、たとえば複数のパッド７１１を有する。複数のパッド７１１は、ｙ方向に沿った２列に配置されている。
【0142】
第１ワイヤ３Ａは、第１電極２７とパッド７１１とに接続されている。第２ワイヤ３Ｂは、第２電極２８とパッド７１１に接続されている。複数の第５ワイヤ３Ｅは、複数の７１１と複数の第５リード１Ｅとに各別に接続されている。
【0143】
樹脂６は、半導体レーザ素子２からのレーザ光Ｌと透過させる材質からなり、半導体レーザ素子２および制御素子７１と、第１リード１Ａおよび複数の第５リード１Ｅの一部ずつとを覆っている。
【0144】
本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ９の小型化を図ることができる。また、半導体レーザ素子２の発光制御を行う制御素子７１を備えることにより、半導体レーザ装置Ａ９が実装される回路基板（図示略）において、半導体レーザ素子２と制御素子７１とを接続するための配線パターンを設けることが不要である。これにより、当該回路基板の小型化を図ることができる。
【0145】
＜第９実施形態 第１変形例＞
図５３は、半導体レーザ装置Ａ９の第１変形例を示す平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ９１は、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat No-Leads）タイプのパッケージ構造であり、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂ、複数の第３リード１Ｃ、複数の第４リード１Ｄ、複数の第５リード１Ｅおよび第６リード１Ｆ、半導体レーザ素子２、第１ワイヤ３Ａ、第２ワイヤ３Ｂ、複数の第４ワイヤ３Ｄおよび樹脂６を備える。
図５３は、半導体レーザ装置Ａ９の第１変形例を示す平面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ９１は、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat No-Leads）タイプのパッケージ構造であり、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂ、複数の第３リード１Ｃ、複数の第４リード１Ｄ、複数の第５リード１Ｅおよび第６リード１Ｆ、半導体レーザ素子２、第１ワイヤ３Ａ、第２ワイヤ３Ｂ、複数の第４ワイヤ３Ｄおよび樹脂６を備える。
【0146】
第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂは、たとえばｘ方向に概ね沿って延びる帯状であり、ｙ方向に互いに離間して並べられている。複数の第３リード１Ｃは、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂとともにｙ方向に互いに離間して並べられている。
【0147】
複数の第４リード１Ｄは、ｘ方向に沿って２列に並べられたものと、第１リード１Ａおよび第２リード１Ｂとは、ｘ方向における反対側において、ｙ方向に並べられたものとを含む。
【0148】
複数の第５リード１Ｅは、半導体レーザ装置Ａ９１の四隅に配置されている。第６リード１Ｆは、複数の第４リード１Ｄに囲まれた領域に配置されている。第６リード１Ｆと複数の第５リード１Ｅとは、互いに連結されている。
【0149】
半導体レーザ素子２は、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび複数の第３リード１Ｃに跨って配置されている。半導体レーザ素子２の第１面２１には、第１電極２７および第２電極２８が配置されている。第１電極２７は、第１ワイヤ３Ａによって第１リード１Ａに接続されている。第２電極２８は、第２ワイヤ３Ｂによって第２リード１Ｂに接続されている。
【0150】
制御素子７１は、第６リード１Ｆ上に配置されている。制御素子７１は、複数のパッド７１１を有する。複数のパッド７１１は、複数の第４ワイヤ３Ｄによって複数の第４リード１Ｄに各別に接続されている。
【0151】
本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ９１の小型化を図ることができる。
【0152】
本開示に係る半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0153】
〔付記１〕
第１面と、厚さ方向において前記第１面と反対側を向く第２面と、を備えた半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子と電気的に接続された１以上のリードと、
前記半導体レーザ素子から出射される光を透過させ、前記半導体レーザ素子の前記第１面の少なくとも一部を覆い、前記リードの少なくとも一部を覆い且つ少なくとも一部を露出させる樹脂と、
を備える、半導体レーザ装置。
〔付記２〕
前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子の前記厚さ方向から見た平面視において互いに異なる方向を向く４辺としての第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を少なくとも備え、
前記半導体レーザ素子の前記第１辺は、前記厚さ方向と直角である第１方向に延びており、
前記半導体レーザ素子の前記第２辺は、前記厚さ方向および前記第１方向と直角である第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と反対側を向き、
前記半導体レーザ素子の前記第３辺は、前記第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と前記半導体レーザ素子の前記第２辺との間に位置し且つ前記第２方向に延びており、
前記半導体レーザ素子の前記第４辺は、前記第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と前記半導体レーザ素子の前記第２辺との間に位置し且つ前記第１方向において前記半導体レーザ素子の前記第３辺と反対側を向き、
前記樹脂は、前記平面視において互いに異なる方向を向く４辺としての第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を少なくとも備え、
出射される光が最も強い前記半導体レーザ素子の前記第１辺は、平面視において前記樹脂の前記第１辺と対向している、付記１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記３〕
前記半導体レーザ素子の前記第１面には、第１電極と第２電極とが形成されている、付記２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記４〕
前記半導体レーザ素子は、前記第１方向視において前記リードと重なっている、付記３に記載の半導体レーザ装置。
〔付記５〕
前記１以上のリードは、前記平面視において前記半導体レーザ素子の前記第３辺と対向する第１リードを備えている、付記４に記載の半導体レーザ装置。
〔付記６〕
前記１以上のリードは、前記平面視において前記半導体レーザ素子の前記第４辺と対向する第２リードを備えている、付記５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記７〕
前記半導体レーザ素子の前記第１電極は、第１ワイヤにより前記第１リードと接続されている、付記５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記８〕
前記第１ワイヤは、前記第１方向に延びている、付記７に記載の半導体レーザ装置。
〔付記９〕
前記半導体レーザ素子の前記第１電極は、第１ワイヤにより前記第１リードと接続されている、付記６に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１０〕
前記第１ワイヤは、前記第１方向に延びている、付記９に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１１〕
前記半導体レーザ素子の前記第２電極は、第２ワイヤにより前記第２リードと接続されている、付記１０に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１２〕
前記第２ワイヤは、前記第１方向において前記第１ワイヤとは反対側に延びている、付記１１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１３〕
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１方向視において重なっている、付記３ないし１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１４〕
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第２方向視において重なっている、付記３ないし１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１５〕
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１方向視において重なっており、前記第１ワイヤと前記第２ワイヤとは前記第１方向視において重なっている、付記１２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１６〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面側に、第１絶縁膜が設けられており、
前記第１絶縁膜は、前記樹脂から露出している、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１７〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面は、前記樹脂から露出している、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１８〕
前記１以上のリードは、第１リードと、前記第１リードと離間する第２リードとを含み、
前記半導体レーザ素子は、少なくとも前記第２リード上に配置されている、付記２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１９〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面は、前記第２リードと対向し且つ第１導電部によって前記第２リードに接合されている、付記１８に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２０〕
前記第１リードは、前記平面視において前記第２辺と対向している、付記１８または１９に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２１〕
前記半導体レーザ素子の前記第１面には、第１電極が形成されており、
前記第１電極と前記第１リードとは、第１ワイヤにより接続されている、付記１８ないし２０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記２２〕
前記第１ワイヤは、前記平面視において、前記半導体レーザ素子の前記第２辺と交差している、付記２１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２３〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面には、第２電極が形成されている、付記１８ないし２２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記２４〕
前記半導体レーザ素子は、前記第１リードおよび前記第２リード上に跨って配置されている、付記１８に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２５〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面には、第１電極および第２電極が形成されおり、
前記第１電極は、前記第１リードと対向し且つ第１導電部によって前記第１リードに接合されており、
前記第２電極は、前記第２リードと対向し且つ第２導電部によって前記第２リードに接合されている、付記２４に記載の半導体レーザ装置。
第１面と、厚さ方向において前記第１面と反対側を向く第２面と、を備えた半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子と電気的に接続された１以上のリードと、
前記半導体レーザ素子から出射される光を透過させ、前記半導体レーザ素子の前記第１面の少なくとも一部を覆い、前記リードの少なくとも一部を覆い且つ少なくとも一部を露出させる樹脂と、
を備える、半導体レーザ装置。
〔付記２〕
前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子の前記厚さ方向から見た平面視において互いに異なる方向を向く４辺としての第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を少なくとも備え、
前記半導体レーザ素子の前記第１辺は、前記厚さ方向と直角である第１方向に延びており、
前記半導体レーザ素子の前記第２辺は、前記厚さ方向および前記第１方向と直角である第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と反対側を向き、
前記半導体レーザ素子の前記第３辺は、前記第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と前記半導体レーザ素子の前記第２辺との間に位置し且つ前記第２方向に延びており、
前記半導体レーザ素子の前記第４辺は、前記第２方向において前記半導体レーザ素子の前記第１辺と前記半導体レーザ素子の前記第２辺との間に位置し且つ前記第１方向において前記半導体レーザ素子の前記第３辺と反対側を向き、
前記樹脂は、前記平面視において互いに異なる方向を向く４辺としての第１辺、第２辺、第３辺および第４辺を少なくとも備え、
出射される光が最も強い前記半導体レーザ素子の前記第１辺は、平面視において前記樹脂の前記第１辺と対向している、付記１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記３〕
前記半導体レーザ素子の前記第１面には、第１電極と第２電極とが形成されている、付記２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記４〕
前記半導体レーザ素子は、前記第１方向視において前記リードと重なっている、付記３に記載の半導体レーザ装置。
〔付記５〕
前記１以上のリードは、前記平面視において前記半導体レーザ素子の前記第３辺と対向する第１リードを備えている、付記４に記載の半導体レーザ装置。
〔付記６〕
前記１以上のリードは、前記平面視において前記半導体レーザ素子の前記第４辺と対向する第２リードを備えている、付記５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記７〕
前記半導体レーザ素子の前記第１電極は、第１ワイヤにより前記第１リードと接続されている、付記５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記８〕
前記第１ワイヤは、前記第１方向に延びている、付記７に記載の半導体レーザ装置。
〔付記９〕
前記半導体レーザ素子の前記第１電極は、第１ワイヤにより前記第１リードと接続されている、付記６に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１０〕
前記第１ワイヤは、前記第１方向に延びている、付記９に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１１〕
前記半導体レーザ素子の前記第２電極は、第２ワイヤにより前記第２リードと接続されている、付記１０に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１２〕
前記第２ワイヤは、前記第１方向において前記第１ワイヤとは反対側に延びている、付記１１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１３〕
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１方向視において重なっている、付記３ないし１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１４〕
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第２方向視において重なっている、付記３ないし１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１５〕
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１方向視において重なっており、前記第１ワイヤと前記第２ワイヤとは前記第１方向視において重なっている、付記１２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１６〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面側に、第１絶縁膜が設けられており、
前記第１絶縁膜は、前記樹脂から露出している、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１７〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面は、前記樹脂から露出している、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１８〕
前記１以上のリードは、第１リードと、前記第１リードと離間する第２リードとを含み、
前記半導体レーザ素子は、少なくとも前記第２リード上に配置されている、付記２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１９〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面は、前記第２リードと対向し且つ第１導電部によって前記第２リードに接合されている、付記１８に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２０〕
前記第１リードは、前記平面視において前記第２辺と対向している、付記１８または１９に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２１〕
前記半導体レーザ素子の前記第１面には、第１電極が形成されており、
前記第１電極と前記第１リードとは、第１ワイヤにより接続されている、付記１８ないし２０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記２２〕
前記第１ワイヤは、前記平面視において、前記半導体レーザ素子の前記第２辺と交差している、付記２１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２３〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面には、第２電極が形成されている、付記１８ないし２２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記２４〕
前記半導体レーザ素子は、前記第１リードおよび前記第２リード上に跨って配置されている、付記１８に記載の半導体レーザ装置。
〔付記２５〕
前記半導体レーザ素子の前記第２面には、第１電極および第２電極が形成されおり、
前記第１電極は、前記第１リードと対向し且つ第１導電部によって前記第１リードに接合されており、
前記第２電極は、前記第２リードと対向し且つ第２導電部によって前記第２リードに接合されている、付記２４に記載の半導体レーザ装置。
【符号の説明】
【0154】
Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ２，Ａ３，Ａ３１，Ａ３２，Ａ４，Ａ４１，Ａ５，Ａ６，Ａ７，Ａ８，Ａ８１，Ａ９，Ａ９１：半導体レーザ装置
１ ：リード
１Ａ ：第１リード
１Ｂ ：第２リード
１Ｃ ：第３リード
１Ｄ ：第４リード
１Ｅ ：第５リード
１Ｆ ：第６リード
２ ：半導体レーザ素子
３ ：ワイヤ
３Ａ ：第１ワイヤ
３Ｂ ：第２ワイヤ
３Ｃ ：第３ワイヤ
３Ｄ ：第４ワイヤ
３Ｅ ：第５ワイヤ
１０ ：リードフレーム
１１Ａ ：第１面
１１Ｂ ：第１面
１１Ｃ ：第１面
１２Ａ ：第２面
１２Ｂ ：第２面
１２Ｃ ：第２面
１３Ａ ：第１辺
１３Ｂ ：第１辺
１３Ｃ ：第１辺
１４Ａ ：第２辺
１４Ｂ ：第２辺
１４Ｃ ：第２辺
１５Ａ ：第３辺
１５Ｂ ：第３辺
１５Ｃ ：第３辺
１６Ａ ：第４辺
１６Ｂ ：第４辺
１６Ｃ ：第４辺
１７Ａ ：第３面
１７Ｂ ：第３面
１８Ａ ：第４面
１８Ｂ ：第４面
２１ ：第１面
２２ ：第２面
２３ ：第１辺
２４ ：第２辺
２５ ：第３辺
２６ ：第４辺
２７ ：第１電極
２８ ：第２電極
２９ ：第３電極
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ：ファーストボンディング部
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ：セカンドボンディング部
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ：屈曲部
３９ ：樹脂部
４１ ：第１絶縁膜
６１ ：第１面
６２ ：第２面
６３ ：第３面
６４ ：第４面
６５ ：第５面
６６ ：第６面
７１ ：制御素子
１０１ ：フレーム
１０１ｘ ：帯状部
１０１ｙ ：帯状部
１１１Ａ ：延出部
１１１Ｂ ：延出部
１１２Ａ ：延出部
１１２Ｂ ：延出部
１１２Ｃ ：延出部
１１３Ａ ：延出部
１１３Ｂ ：延出部
１１３Ｃ ：延出部
１１４Ａ ：延出部
１１４Ｂ ：延出部
２０１ ：基板
２０２，２０３ ：半導体層
２１０ ：第１層
２９１ ：第１導電部
２９２ ：第２導電部
６０１ ：第１辺
６０２ ：第２辺
６０３ ：第３辺
６０４ ：第４辺
６３１ ：反射膜
７１１ ：パッド
ＣＬ１ｘ，ＣＬ２ｘ，ＣＬｘ，ＣＬｙ，Ｃｌｙ：切断線
Ｌ，Ｌ１，Ｌ２：レーザ光
Ｍ１ ：金型
Ｍ１１ ：キャビティ
Ｍ１１１ ：第１面
Ｍ１１２ ：第２面
Ｍ２ ：金型
Ｓ１ ：支持部材
α１，α２：角度
１ ：リード
１Ａ ：第１リード
１Ｂ ：第２リード
１Ｃ ：第３リード
１Ｄ ：第４リード
１Ｅ ：第５リード
１Ｆ ：第６リード
２ ：半導体レーザ素子
３ ：ワイヤ
３Ａ ：第１ワイヤ
３Ｂ ：第２ワイヤ
３Ｃ ：第３ワイヤ
３Ｄ ：第４ワイヤ
３Ｅ ：第５ワイヤ
１０ ：リードフレーム
１１Ａ ：第１面
１１Ｂ ：第１面
１１Ｃ ：第１面
１２Ａ ：第２面
１２Ｂ ：第２面
１２Ｃ ：第２面
１３Ａ ：第１辺
１３Ｂ ：第１辺
１３Ｃ ：第１辺
１４Ａ ：第２辺
１４Ｂ ：第２辺
１４Ｃ ：第２辺
１５Ａ ：第３辺
１５Ｂ ：第３辺
１５Ｃ ：第３辺
１６Ａ ：第４辺
１６Ｂ ：第４辺
１６Ｃ ：第４辺
１７Ａ ：第３面
１７Ｂ ：第３面
１８Ａ ：第４面
１８Ｂ ：第４面
２１ ：第１面
２２ ：第２面
２３ ：第１辺
２４ ：第２辺
２５ ：第３辺
２６ ：第４辺
２７ ：第１電極
２８ ：第２電極
２９ ：第３電極
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ：ファーストボンディング部
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ：セカンドボンディング部
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ：屈曲部
３９ ：樹脂部
４１ ：第１絶縁膜
６１ ：第１面
６２ ：第２面
６３ ：第３面
６４ ：第４面
６５ ：第５面
６６ ：第６面
７１ ：制御素子
１０１ ：フレーム
１０１ｘ ：帯状部
１０１ｙ ：帯状部
１１１Ａ ：延出部
１１１Ｂ ：延出部
１１２Ａ ：延出部
１１２Ｂ ：延出部
１１２Ｃ ：延出部
１１３Ａ ：延出部
１１３Ｂ ：延出部
１１３Ｃ ：延出部
１１４Ａ ：延出部
１１４Ｂ ：延出部
２０１ ：基板
２０２，２０３ ：半導体層
２１０ ：第１層
２９１ ：第１導電部
２９２ ：第２導電部
６０１ ：第１辺
６０２ ：第２辺
６０３ ：第３辺
６０４ ：第４辺
６３１ ：反射膜
７１１ ：パッド
ＣＬ１ｘ，ＣＬ２ｘ，ＣＬｘ，ＣＬｙ，Ｃｌｙ：切断線
Ｌ，Ｌ１，Ｌ２：レーザ光
Ｍ１ ：金型
Ｍ１１ ：キャビティ
Ｍ１１１ ：第１面
Ｍ１１２ ：第２面
Ｍ２ ：金型
Ｓ１ ：支持部材
α１，α２：角度
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】