特許 7420225 恒温槽型圧電発振器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-15

(45)【発行日】2024-01-23

(54)【発明の名称】恒温槽型圧電発振器

(51)【国際特許分類】

   H03B 5/32 20060101AFI20240116BHJP

【ＦＩ】

H03B5/32 H

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2022511657

(86)(22)【出願日】2021-02-22

(86)【国際出願番号】 JP2021006579

(87)【国際公開番号】W WO2021199790

(87)【国際公開日】2021-10-07

【審査請求日】2022-03-28

(31)【優先権主張番号】P 2020060353

(32)【優先日】2020-03-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000149734

【氏名又は名称】株式会社大真空

(74)【代理人】

【識別番号】110000947

【氏名又は名称】弁理士法人あーく事務所

(72)【発明者】

【氏名】飯塚 実

(72)【発明者】

【氏名】古城 琢也

(72)【発明者】

【氏名】森本 賢周

【審査官】石田 昌敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－１８３２２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１３９０５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／０６８８３９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００９－３０２７０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０７９３４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１３０８６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０２８５４６０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－０１２８７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第２００９－００４４３７１（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｂ ５／３０－ ５／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電振動子、発振器ＩＣ、および発熱体を有するコア部を備えた恒温槽型圧電発振器であって、
前記コア部は、コア基板を介してパッケージに支持され、前記パッケージの内部に密閉状態で封入されており、
前記コア部は、前記発振器ＩＣ、前記圧電振動子、および前記発熱体が上側から順に積層された積層構造になっており、
前記発熱体の下面が、前記コア基板の上面に接着剤によって接合されていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。

【請求項2】

請求項１に記載の恒温槽型圧電発振器において、
前記パッケージには、上方が開口された凹部が形成されており、
前記コア部は、前記コア基板によって前記パッケージの内部に宙吊りされた状態で支持されていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。

【請求項3】

請求項２に記載の恒温槽型圧電発振器において、
前記パッケージの内部には、対向する一対の段差部が形成されており、
前記コア基板は、前記一対の段差部間に架け渡されるように配置されており、
前記コア部は、前記一対の段差部間の空間に収容されるように配置されていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。

【請求項4】

請求項３に記載の恒温槽型圧電発振器において、
前記コア基板は、ポリイミド系の導電性接着剤を介して前記段差部に固定されていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。

【請求項5】

請求項１～４のいずれか１つに記載の恒温槽型圧電発振器において、
前記圧電振動子が、ガラスまたは水晶からなる第１、第２封止部材と、水晶からなり両主面に励振電極が形成された振動部を有する圧電振動板とを備え、前記第１封止部材と前記第２封止部材とが、前記圧電振動板を介して積層して接合され、内部に配された前記圧電振動板の前記振動部が気密封止される構成になっていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、恒温槽型圧電発振器に関する。

【背景技術】

【0002】

水晶振動子等の圧電振動子は、固有の周波数温度特性に基づいて、温度に応じて振動周波数が変化する。そこで、圧電振動子の周囲の温度を一定に保つために、恒温槽内に圧電振動子を封入した恒温槽型圧電発振器（Ｏｖｅｎ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｘｔａｌ（ｃｒｙｓｔａｌ） Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：以下、「ＯＣＸＯ」とも言う。）が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第６３７６６８１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したようなＯＣＸＯでは、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の両方を高精度に行う必要がある。従来では、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の制御の両方を単一のＩＣ（例えばＯＣＸＯ－ＩＣ）によって行っていた。このため、そのような高価なＩＣを搭載する必要があり、ＯＣＸＯの製造コストが増大することが懸念される。

【0005】

本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の制御のそれぞれを高精度に行いつつ、コストダウンを図ることが可能な恒温槽型圧電発振器を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、圧電振動子、発振器ＩＣ、および発熱体を有するコア部を備えた恒温槽型圧電発振器であって、前記コア部は、コア基板を介してパッケージに支持され、前記パッケージの内部に密閉状態で封入されており、前記コア部は、前記発振器ＩＣ、前記圧電振動子、および前記発熱体が上側から順に積層された積層構造になっており、前記発熱体の下面が、前記コア基板の上面に接着剤によって接合されていることを特徴とする。ここで、発熱体としては、ヒータＩＣまたは／および薄膜ヒータであってもよい。すなわち、コア部にヒータＩＣおよび薄膜ヒータを設けてもよいし、コア部にヒータＩＣのみを設けてもよいし、あるいは、コア部に薄膜ヒータのみを設けてもよい。コア部にヒータＩＣのみを設ける場合、ヒータＩＣとしては、発熱体（熱源）と、発熱体の温度制御用の制御回路（電流制御用の回路）と、発熱体の温度を検出するための温度センサとが一体になった構成のものを用いることが好ましい。一方、コア部に薄膜ヒータのみを設ける場合、薄膜ヒータの温度調整用のＩＣをコア部とは別体で設けることが好ましい。

【0007】

上記構成によれば、パッケージ内にコア部を封入することによって、外部の温度が変化しても、コア部の圧電振動子の温度変化をできるだけ抑制することができる。これにより、ＯＣＸＯによる温度調整を狭い温度範囲で行えばよくなり、温度調整に必要な部品が簡素なもので済み、コストダウンを図ることができる。また、発熱体の温度制御を主に行うＩＣ（例えばヒータＩＣ）と、圧電振動子の圧電振動の制御を主に行う発振器ＩＣとを併用することによって、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の制御のそれぞれを高精度に行うことができ、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の制御の両方を行うことが可能なＩＣ（例えばＯＣＸＯ－ＩＣ）を用いた場合に比べて、大幅なコストダウンを図ることができる。

【0008】

上記構成において、前記パッケージには、上方が開口された凹部が形成されており、前記コア部は、前記コア基板によって前記パッケージの内部に宙吊りされた状態で支持されていることが好ましい。

【0009】

上記構成によれば、コア基板によってコア部をパッケージに支持することにより、ＯＣＸＯの低背化を図ることができる。これにより、ＯＣＸＯの熱容量を小さくすることができ、ＯＣＸＯによる高精度な温度調整を行うことが可能になる。

【0010】

上記構成において、前記パッケージの内部には、対向する一対の段差部が形成されており、前記コア基板は、前記一対の段差部間に架け渡されるように配置されており、前記コア部は、前記一対の段差部間の空間に収容されるように配置されていることが好ましい。

【0011】

上記構成によれば、パッケージの段差部を利用することで、パッケージへのコア基板の固定を容易に行うことができる。また、パッケージの内部の一対の段差部間の空間にコア部を収容することによって、ＯＣＸＯのさらなる低背化を図ることができる。これにより、ＯＣＸＯの熱容量を小さくすることができ、ＯＣＸＯによる高精度な温度調整を行うことが可能になる。

【0012】

上記構成において、前記コア基板は、ポリイミド系の導電性接着剤を介して前記段差部に固定されていることが好ましい。

【0013】

ここで、パッケージは、封止や、エージング、経年変化等により、熱ダメージや、経時ダメージを受けることになる。このため、導電性接着剤として、耐熱性の低い樹脂系接着剤を用いた場合、分解、軟化等によりパッケージ内にガスが発生し、ＯＣＸＯの高精度の温度調整が妨げられる可能性がある。そこで、上記構成では、導電性接着剤として、熱伝導率が低く、耐熱性が高いポリイミド系接着剤を用いることによって、そのような不具合が発生することを抑制するようにしている。

【0014】

上記構成において、前記圧電振動子が、ガラスまたは水晶からなる第１、第２封止部材と、水晶からなり両主面に励振電極が形成された振動部を有する圧電振動板とを備え、前記第１封止部材と前記第２封止部材とが、前記圧電振動板を介して積層して接合され、内部に配された前記圧電振動板の前記振動部が気密封止される構成になっていることが好ましい。

【0015】

上記構成によれば、圧電振動子として、上述のような低背化が可能なサンドイッチ構造のものを用いることで、コア部の低背化および小型化を図ることができる。これにより、コア部の熱容量を小さくすることができ、ＯＣＸＯによる高精度な温度調整を行うことが可能になる。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、パッケージ内にコア部を封入することによって、外部の温度が変化しても、コア部の圧電振動子の温度変化をできるだけ抑制することができる。これにより、ＯＣＸＯによる温度調整を狭い温度範囲で行えばよくなり、温度調整に必要な部品が簡素なもので済み、コストダウンを図ることができる。また、発熱体の温度制御を主に行うＩＣと、圧電振動子の圧電振動の制御を主に行う発振器ＩＣとを併用することによって、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の制御のそれぞれを高精度に行うことができ、発熱体の温度制御および圧電振動子の圧電振動の制御の両方を行うことが可能なＩＣ（例えばＯＣＸＯ－ＩＣ）を用いた場合に比べて、大幅なコストダウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、本実施の形態にかかるＯＣＸＯの概略構成を示す断面図である。

【図2】図２は、図１のＯＣＸＯのコア部の概略構成を示す断面図である。

【図3】図３は、図２のコア部を示す平面図である。

【図4】図４は、図２のコア部の水晶発振器の各構成を模式的に示した概略構成図である。

【図5】図５は、図４の水晶発振器の第１封止部材の第１主面側の概略平面図である。

【図6】図６は、図４の水晶発振器の第１封止部材の第２主面側の概略平面図である。

【図7】図７は、図４の水晶発振器の水晶振動板の第１主面側の概略平面図である。

【図8】図８は、図４の水晶発振器の水晶振動板の第２主面側の概略平面図である。

【図9】図９は、図４の水晶発振器の第２封止部材の第１主面側の概略平面図である。

【図10】図１０は、図４の水晶発振器の第２封止部材の第２主面側の概略平面図である。

【図11】図１１は、変形例にかかるＯＣＸＯの概略構成を示す断面図である。

【図12】図１２は、図１１のＯＣＸＯのコア部およびコア基板の概略構成を示す断面図である。

【図13】図１３は、図１２のコア部およびコア基板を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

【0019】

本実施の形態にかかるＯＣＸＯ１は、図１に示すように、セラミック製等で略直方体のパッケージ（筐体）２の内部にコア部５が配置され、リッド３によって気密封止された構造とされている。パッケージ２には、上方が開口された凹部２ａが形成されており、凹部２ａの内部にコア部５が気密状態で封入されている。凹部２ａを囲う周壁部２ｂの上面には、リッド３が封止材８によって固定されており、パッケージ２の内部が密封状態になっている。封止材８としては、例えばＡｕ－Ｓｕ合金や、はんだ等の金属系封止材が好適に用いられるが、低融点ガラス等の封止材を用いてもよい。パッケージ２の内部空間は、真空、または低圧の窒素やアルゴン等の熱伝導率が低い雰囲気であることが好ましい。

【0020】

パッケージ２の周壁部２ｂの内壁面には、接続端子（図示省略）の並びに沿った段差部２ｃが形成されており、段差部２ｃに形成された接続端子に、板状のインターポーザ（コア基板）４を介してコア部５が接続されている。詳細には、段差部２ｃの段差面上に形成された接続端子が、導電性接着剤７を介してインターポーザ４の上面（図１では下側の面）４ａに形成された接続端子に接続されている。また、コア部５の底面（図１では上側の面）５ａに形成された外部端子（図示省略）が、導電性接着剤６を介してインターポーザ４の上面４ａに形成された接続端子に接続されている。コア部５の底面５ａの外部端子は、コア部５の底面５ａのうち、後述する金属配線５４ａが形成されていない領域に形成されている。導電性接着剤６，７としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が用いられる。

【0021】

インターポーザ４は、パッケージ２の対向する一対の段差部２ｃ，２ｃ間に架け渡されるように配置されており、コア部５は、一対の段差部２ｃ，２ｃの間の空間に収容されるように配置されている。コア部５の頂面（図１では下側の面）５ｂと、パッケージ２の凹部２ａの底面２ｄとの間には、隙間が設けられている。このように、コア部５は、図２に示す状態から上下反転された状態でインターポーザ４に固定されており、さらに、このコア部５が、インターポーザ４によってパッケージ２の内部に宙吊りされた状態で支持されている。

【0022】

次に、コア部５について、図２、図３を参照して説明する。図２では、コア部５の底面５ａが下側に配置され、コア部５の頂面５ｂが上側に配置された状態（図１に対し、上下反転された状態）を図示している。

【0023】

コア部５は、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、ヒータＩＣ５２、チップコンデンサ（バイパスコンデンサ）５３ａ～５３ｃなど、ＯＣＸＯ１で使用される各種電子部品をパッケージングしたものであり、水晶基板５４上でこれらの部品が封止樹脂５７によって封止されている。コア部５は、特に、温度特性の大きい水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、ヒータＩＣ５２等の温度調整を行うことで、ＯＣＸＯ１の発振周波数を安定させるように構成されている。なお、コア部５の各種電子部品を封止樹脂５７によって封止することが好ましいが、封止雰囲気によっては封止樹脂による封止を行わない構成としてもよい。例えば封止雰囲気が不活性ガスである場合、封止樹脂による封止は行わず、ＯＣＸＯ１で使用される各種電子部品を覆うようにカバーを装着して熱対流の影響を緩和するようにしてもよい。

【0024】

水晶振動子５０および発振器ＩＣ５１によって、水晶発振器１００が構成される。発振器ＩＣ５１は、複数の金属バンプ５１ａを介して水晶振動子５０上に搭載されている。発振器ＩＣ５１によって水晶振動子５０の圧電振動を制御することにより、ＯＣＸＯ１の発振周波数が制御される。ヒータＩＣ５２は、コア部５の温度調整を行うＩＣであり、コア部５に使用される薄膜ヒータ（ヒータ基板）５６ａ，５６ｂへの電流を制御する。ヒータＩＣ５２は、複数の金属バンプ５２ａを介して水晶基板５４上に搭載されている。

【0025】

コア部５は、対向する上下２枚の水晶基板５４，５５を有し、水晶基板５４，５５のそれぞれに金属配線５４ａ，５５ａを形成して、これらを薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂとして用いている。薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂは、基材となる水晶基板５４，５５の表面に抵抗膜である金属配線５４ａ，５５ａが蒸着された構成になっている。水晶基板５４，５５のうち、金属配線５４ａ，５５ａが形成された領域が、温度調整用の薄膜ヒータ（ヒータ基板）５６ａ，５６ｂとして機能する。

【0026】

なお、図３では、上側の水晶基板５５および金属配線５５ａの図示を省略し、上下の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの発熱領域を破線枠にて示している。また、図２では、水晶基板５４を２枚の水晶板５４ｂ，５４ｃを用いた積層基板としており、水晶基板５４の２枚の水晶板５４ｂ，５４ｃの間には、主にヒータＩＣ５２に電気的に接続される内部配線５４ｄが挿入されている。内部配線５４ｄは、水晶基板５４の底面側に形成された外部端子（図示省略）に電気的に接続され、さらに上述したインターポーザ４、パッケージ２等を介して、外部に電気的に接続される。ただし、これに限定されるものでなく、水晶基板５４は１枚の水晶板を用いた単層基板であってもよい。なお、上下の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの形状および発熱領域が若干異なっているが、上下の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂを同一形状とし、同一の発熱領域が得られるようにしてもよい。

【0027】

コア部５は、上下２枚の水晶基板５４，５５の間に、温度特性の大きい水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２が配置された構成になっている。詳細には、コア部５は、温度調整用の上下２枚の薄膜ヒータ（ヒータ基板）５６ａ，５６ｂの間に、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２が挟まれた構成になっている。言い換えれば、下側の水晶基板５４に形成される薄膜ヒータ５６ａと上側の水晶基板５５に形成される薄膜ヒータ５６ｂとの間に、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２が配置されている。下側の薄膜ヒータ５６ａが、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２の下方を覆うように配置され、上側の薄膜ヒータ５６ｂが、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２の上方を覆うように配置されている。ここで、「覆う」とは、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２の大部分（もしくは全部分）が、平面視で水晶基板５４，５５と重畳しているという意味であり、一部分（例えば数％～２、３０％の部分）のみが水晶基板５４，５５と重複している場合を含まない。

【0028】

また、チップコンデンサ５３ａ～５３ｃのうち、２つのチップコンデンサ５３ｂ，５３ｃが、上下２枚の薄膜ヒータ（ヒータ基板）５６ａ，５６ｂの間に挟まれている。サイズが比較的小さい２つのチップコンデンサ５３ｂ，５３ｃは、下側の水晶基板５４上に搭載されており、チップコンデンサ５３ｂ，５３ｃの上面に、上側の水晶基板５５が接触して設けられている。一方、サイズが最も大きいチップコンデンサ５３ａは、下側の水晶基板５４上に搭載されているが、上側の水晶基板５５には覆われていない。

【0029】

水晶振動子５０の種類は特に限定されるものではないが、デバイスを薄型化しやすい、サンドイッチ構造のデバイスを好適に使用できる。サンドイッチ構造のデバイスは、ガラスや水晶からなる第１、第２封止部材と、例えば水晶からなり両主面に励振電極が形成された振動部を有する圧電振動板とから構成され、第１封止部材と第２封止部材とが、圧電振動板を介して積層して接合され、内部に配された圧電振動板の振動部が気密封止される構成になっているデバイスである。

【0030】

このようなサンドイッチ構造の水晶振動子５０を有する水晶発振器１００について、図４～図１０を参照して説明する。

【0031】

水晶発振器１００は、図４に示すように、水晶振動板（圧電振動板）１０、第１封止部材２０、第２封止部材３０、および発振器ＩＣ５１を備えて構成されている。この水晶発振器１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージが構成される。すなわち、水晶発振器１００においては、水晶振動板１０の両主面のそれぞれに第１封止部材２０および第２封止部材３０が接合されることでパッケージの内部空間（キャビティ）が形成され、この内部空間に振動部１１（図７，８参照）が気密封止される。

【0032】

水晶発振器１００は、例えば、１．０×０．８ｍｍのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージでは、キャスタレーションを形成せずに、スルーホールを用いて電極の導通を図っている。第１封止部材２０上に搭載される発振器ＩＣ５１は、水晶振動板１０とともに発振回路を構成する１チップ集積回路素子である。また、水晶発振器１００は、上述した水晶基板５４上に、例えば半田等を介して搭載される。

【0033】

水晶振動板１０は、図７，８に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）が平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。水晶振動板１０として、厚みすべり振動を行うＡＴカット水晶板が用いられている。図７，８に示す水晶振動板１０では、水晶振動板１０の両主面１０１，１０２が、ＸＺ´平面とされている。このＸＺ´平面において、水晶振動板１０の短手方向（短辺方向）に平行な方向がＸ軸方向とされ、水晶振動板１０の長手方向（長辺方向）に平行な方向がＺ´軸方向とされている。

【0034】

水晶振動板１０の両主面１０１，１０２には、一対の励振電極（第１励振電極１１１，第２励振電極１１２）が形成されている。水晶振動板１０は、略矩形に形成された振動部１１と、この振動部１１の外周を取り囲む外枠部１２と、振動部１１と外枠部１２とを連結することで振動部１１を保持する保持部１３とを有している。すなわち、水晶振動板１０は、振動部１１、外枠部１２および保持部１３が一体的に設けられた構成となっている。保持部１３は、振動部１１の＋Ｘ方向かつ－Ｚ´方向に位置する１つの角部のみから、－Ｚ´方向に向けて外枠部１２まで延びている（突出している）。振動部１１と外枠部１２との間には、貫通部（スリット）１１ａが形成されており、振動部１１と外枠部１２とが、１つの保持部１３のみによって接続されている。

【0035】

第１励振電極１１１は振動部１１の第１主面１０１側に設けられ、第２励振電極１１２は振動部１１の第２主面１０２側に設けられている。第１励振電極１１１，第２励振電極１１２には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線（第１引出配線１１３，第２引出配線１１４）が接続されている。第１引出配線１１３は、第１励振電極１１１から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１４に繋がっている。第２引出配線１１４は、第２励振電極１１２から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１５に繋がっている。

【0036】

水晶振動板１０の両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）には、水晶振動板１０を第１封止部材２０および第２封止部材３０に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。第１主面１０１の振動側封止部としては振動側第１接合パターン１２１が形成されており、第２主面１０２の振動側封止部としては振動側第２接合パターン１２２が形成されている。振動側第１接合パターン１２１および振動側第２接合パターン１２２は、外枠部１２に設けられており、平面視で環状に形成されている。

【0037】

また、水晶振動板１０には、図７，８に示すように、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通する５つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第１スルーホール１６１は、外枠部１２の４隅（角部）の領域にそれぞれ設けられている。第２スルーホール１６２は、外枠部１２であって、振動部１１のＺ´軸方向の一方側（図７，８では、－Ｚ´方向側）に設けられている。第１スルーホール１６１の周囲には、それぞれ接続用接合パターン１２３が形成されている。また、第２スルーホール１６２の周囲には、第１主面１０１側では接続用接合パターン１２４が、第２主面１０２側では接続用接合パターン１５が形成されている。

【0038】

第１スルーホール１６１および第２スルーホール１６２には、第１主面１０１と第２主面１０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第１スルーホール１６１および第２スルーホール１６２それぞれの中央部分は、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。

【0039】

次に、第１封止部材２０は、図５，６に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第１封止部材２０の第２主面２０２（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第１封止部材２０は振動部を有するものではないが、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用いることで、水晶振動板１０と第１封止部材２０の熱膨張率を同じにすることができ、水晶発振器１００における熱変形を抑制することができる。また、第１封止部材２０におけるＸ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとされている。

【0040】

第１封止部材２０の第１主面２０１には、図５に示すように、発振回路素子である発振器ＩＣ５１を搭載する搭載パッドを含む６つの電極パターン２２が形成されている。発振器ＩＣ５１は、金属バンプ（例えばＡｕバンプなど）５１ａ（図４参照）を用いて電極パターン２２に、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接合される。

【0041】

第１封止部材２０には、図５，６に示すように、６つの電極パターン２２のそれぞれと接続され、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通する６つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第３スルーホール２１１が、第１封止部材２０の４隅（角部）の領域に設けられている。第４，第５スルーホール２１２，２１３は、図５，６の＋Ｚ´方向および－Ｚ´方向にそれぞれ設けられている。

【0042】

第３スルーホール２１１および第４，第５スルーホール２１２，２１３には、第１主面２０１と第２主面２０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第３スルーホール２１１および第４，第５スルーホール２１２，２１３それぞれの中央部分は、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。

【0043】

第１封止部材２０の第２主面２０２には、水晶振動板１０に接合するための封止側第１封止部としての封止側第１接合パターン２４が形成されている。封止側第１接合パターン２４は、平面視で環状に形成されている。

【0044】

また、第１封止部材２０の第２主面２０２では、第３スルーホール２１１の周囲に接続用接合パターン２５がそれぞれ形成されている。第４スルーホール２１２の周囲には接続用接合パターン２６１が、第５スルーホール２１３の周囲には接続用接合パターン２６２が形成されている。さらに、接続用接合パターン２６１に対して第１封止部材２０の長軸方向の反対側（－Ｚ´方向側）には接続用接合パターン２６３が形成されており、接続用接合パターン２６１と接続用接合パターン２６３とは配線パターン２７によって接続されている。

【0045】

次に、第２封止部材３０は、図９，１０に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第２封止部材３０の第１主面３０１（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第２封止部材３０においても、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用い、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとすることが望ましい。

【0046】

この第２封止部材３０の第１主面３０１には、水晶振動板１０に接合するための封止側第２封止部としての封止側第２接合パターン３１が形成されている。封止側第２接合パターン３１は、平面視で環状に形成されている。

【0047】

第２封止部材３０の第２主面３０２には、上述した水晶基板５４に、例えば半田等を介して電気的に接続する４つの外部電極端子３２が設けられている。外部電極端子３２は、第２封止部材３０の第２主面３０２の４隅（隅部）にそれぞれ位置する。外部電極端子３２は、水晶基板５４の底面側に形成された外部端子（図示省略）に電気的に接続され、さらに上述したインターポーザ４、パッケージ２等を介して、外部に電気的に接続される。

【0048】

第２封止部材３０には、図９，１０に示すように、第１主面３０１と第２主面３０２との間を貫通する４つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第６スルーホール３３は、第２封止部材３０の４隅（角部）の領域に設けられている。第６スルーホール３３には、第１主面３０１と第２主面３０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、第６スルーホール３３それぞれの内壁面に沿って形成されている。このように第６スルーホール３３の内壁面に形成された貫通電極によって、第１主面３０１に形成された電極と、第２主面３０２に形成された外部電極端子３２とが導通されている。また、第６スルーホール３３それぞれの中央部分は、第１主面３０１と第２主面３０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となっている。また、第２封止部材３０の第１主面３０１では、第６スルーホール３３の周囲には、それぞれ接続用接合パターン３４が形成されている。

【0049】

上記の水晶振動板１０、第１封止部材２０、および第２封止部材３０を含む水晶発振器１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが振動側第１接合パターン１２１および封止側第１接合パターン２４を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが振動側第２接合パターン１２２および封止側第２接合パターン３１を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図４に示すサンドイッチ構造のパッケージが製造される。これにより、パッケージの内部空間、つまり、振動部１１の収容空間が気密封止される。

【0050】

この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶発振器１００では、第１励振電極１１１、第２励振電極１１２、発振器ＩＣ５１および外部電極端子３２の電気的導通が得られるようになっている。

【0051】

具体的には、第１励振電極１１１は、第１引出配線１１３、配線パターン２７、第４スルーホール２１２および電極パターン２２を順に経由して、発振器ＩＣ５１に接続される。第２励振電極１１２は、第２引出配線１１４、第２スルーホール１６２、第５スルーホール２１３および電極パターン２２を順に経由して、発振器ＩＣ５１に接続される。また、発振器ＩＣ５１は、電極パターン２２、第３スルーホール２１１、第１スルーホール１６１および第６スルーホール３３を順に経由して、外部電極端子３２に接続される。

【0052】

水晶発振器１００において、各種接合パターンは、複数の層が水晶板上に積層されてなり、その最下層側からＴｉ（チタン）層とＡｕ（金）層とが蒸着形成されているものとすることが好ましい。また、水晶発振器１００に形成される他の配線や電極も、接合パターンと同一の構成とすれば、接合パターンや配線および電極を同時にパターニングでき、好ましい。

【0053】

上述のように構成された水晶発振器１００では、水晶振動板１０の振動部１１を気密封止する封止部（シールパス）１１５，１１６は、平面視で、環状に形成されている。シールパス１１５は、上述した振動側第１接合パターン１２１および封止側第１接合パターン２４の拡散接合によって形成され、シールパス１１５の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。同様に、シールパス１１６は、上述した振動側第２接合パターン１２２および封止側第２接合パターン３１の拡散接合によって形成され、シールパス１１６の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。

【0054】

上述したように、本実施の形態では、コア部５は、インターポーザ４を介してパッケージ２に支持され、パッケージ２の内部に密閉状態で封入されている構成になっている。そして、ヒータＩＣ５２を通じて、薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂに供給する電流を制御することによって、上下の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂに挟まれる空間（温調空間）の温度調整することができる。

【0055】

本実施の形態によれば、上下の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂに挟まれる温調空間において、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２を高精度に（均一な温度で）温度調整することができる。また、パッケージ２内にコア部５を封入することによって、外部の温度が変化しても、コア部５の水晶振動子５０の温度変化をできるだけ抑制することができる。これにより、ＯＣＸＯ１による温度調整を狭い温度範囲で行えばよくなり、温度調整に必要な部品が簡素なもので済み、コストダウンを図ることができる。また、薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの温度制御を主に行うヒータＩＣ５２と、水晶振動子５０の圧電振動の制御を主に行う発振器ＩＣ５１とを併用することによって、薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの温度制御および水晶振動子５０の圧電振動の制御のそれぞれを高精度に行うことができ、薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの温度制御および水晶振動子５０の圧電振動の制御の両方を行うことが可能なＩＣ（例えばＯＣＸＯ－ＩＣ）を用いた場合に比べて、大幅なコストダウンを図ることができる。

【0056】

本実施の形態では、パッケージ２には、上方が開口された凹部２ａが形成されており、コア部５が、インターポーザ４によってパッケージ２の内部に宙吊りされた状態で支持されている。このように、インターポーザ４によってコア部５をパッケージ２に支持することにより、ＯＣＸＯ１の低背化を図ることができる。これにより、ＯＣＸＯ１の熱容量を小さくすることができ、ＯＣＸＯ１による高精度な温度調整を行うことが可能になる。

【0057】

より詳細には、パッケージ２の内部には、対向する一対の段差部２ｃ，２ｃが形成されており、インターポーザ４が、一対の段差部２ｃ，２ｃ間に架け渡されるように配置されており、コア部５が、一対の段差部２ｃ，２ｃ間の空間に収容されるように配置されている。このように、パッケージ２の段差部２ｃを利用することで、パッケージ２へのインターポーザ４の固定を容易に行うことができる。また、パッケージ２の内部の一対の段差部２ｃ，２ｃ間の空間にコア部５を収容することによって、ＯＣＸＯ１のさらなる低背化を図ることができる。これにより、ＯＣＸＯ１の熱容量を小さくすることができ、ＯＣＸＯ１による高精度な温度調整を行うことが可能になる。

【0058】

ここで、パッケージ２は、封止や、エージング、経年変化等により、熱ダメージや、経時ダメージを受けることになる。このため、導電性接着剤６，７として、耐熱性の低い樹脂系接着剤を用いた場合、分解、軟化等によりパッケージ２内にガスが発生し、ＯＣＸＯ１の高精度の温度調整が妨げられる可能性がある。そこで、本実施の形態では、導電性接着剤６，７として、熱伝導率が低く、耐熱性が高いポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤を用いることによって、そのような不具合が発生することを抑制するようにしている。

【0059】

さらに、本実施の形態では、圧電振動子として、上述のような振動部１１が内部に気密封止された低背化が可能なサンドイッチ構造の水晶振動子５０が用いられているので、コア部５の低背化および小型化をよりいっそう図ることができる。これにより、コア部５の熱容量を小さくすることができ、ＯＣＸＯ１による高精度な温度調整を行うことが可能になる。水晶振動子５０の厚みは、例えば０．１２ｍｍであり、従来の水晶振動子に比べて非常に薄くなっている。これにより、従来のＯＣＸＯに比べて、コア部５の熱容量を非常に小さくすることができ、そのようなコア部５を備えたＯＣＸＯ１のヒータ発熱量を抑えることができ、低消費電力化に寄与することができる。しかも、コア部５の温度追従性を向上させることができ、ＯＣＸＯ１の安定性を向上させることができる。また、サンドイッチ構造の水晶振動子５０では、上述したように、接着剤を用いずに振動部１１が気密封止されるので、接着剤から発生したアウトガスによる熱対流の悪影響を抑制することができる。つまり、接着剤を用いた場合は、振動部１１を気密封止する空間内で、接着剤から発生したアウトガスが循環することによって熱対流が発生し、振動部１１の精度良い温度制御が妨げられる可能性がある。しかし、３枚重ね構造の水晶振動子５０では、そのようなアウトガスが発生しないため、振動部１１の精度良い温度制御が可能になる。

【0060】

また、サンドイッチ構造の水晶振動子５０において、上述したシールパス１１５，１１６、および接続用接合パターン同士の接合によって形成された接合材は、薄膜金属層によって構成されるので、水晶振動子５０における上下方向（積層方向）の熱伝導が良好になり、水晶振動子５０の温度を迅速に均一化させることができる。シールパス１１５，１１６等の場合、薄膜金属層の厚みが、１．００μｍ以下（具体的には、本実施の形態のＡｕ－Ａｕ接合では、０．１５μｍ～１．００μｍ）になっており、Ｓｎを用いた従来の金属ペースト封止材（例えば、５μｍ～２０μｍ）よりも非常に薄くなっている。これにより、水晶振動子５０における上下方向（積層方向）の熱伝導性を向上させることができる。また、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが複数の接合領域で接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが複数の接合領域で接合されるため、水晶振動子５０における上下方向（積層方向）の熱伝導がより良好になる。

【0061】

本実施の形態では、水晶振動板１０の振動部１１と外枠部１２との間には、貫通部１１ａが形成されており、振動部１１と外枠部１２とが、１つの保持部１３のみによって接続されている。保持部１３は、振動部１１の＋Ｘ方向かつ－Ｚ´方向に位置する１つの角部のみから、－Ｚ´方向に向けて外枠部１２まで延びている。このように、振動部１１の外周端部のうち、圧電振動の変位が比較的小さい角部に保持部１３が設けられているので、保持部１３を角部以外の部分（辺の中央部）に設けた場合に比べて、保持部１３を介して圧電振動が外枠部１２に漏れることを抑制することができ、より効率的に振動部１１を圧電振動させることができる。また、保持部１３を２つ以上設けた場合に比べて、振動部１１に作用する応力を低減することができ、そのような応力に起因する圧電振動の周波数シフトを低減して圧電振動の安定性を向上させることができる。

【0062】

本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

【0063】

上記実施の形態では、圧電振動子として、サンドイッチ構造の水晶振動子５０を用いたが、これに限らず、それ以外の構造を有する圧電振動子を用いてもよい。また、金属バンプを用いたＦＣＢ法により発振器ＩＣ５１およびヒータＩＣ５２の搭載を行ったが、これに限らず、ワイヤボンディングにより発振器ＩＣ５１や、ヒータＩＣ５２の搭載を行ってもよい。

【0064】

上記実施の形態では、ヒータ基板として薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂを用いたが、これに限らず、それ以外の構造のヒータによってコア部５の温度調整を行ってもよい。ヒータの設置数についても特に限定されない。しかし、コア部５の低背化および小型化を図る観点からは、ヒータ基板として薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂを用いることが好ましい。なお、コア部５の内部に配置されるヒータＩＣ５２の発熱量も比較的大きいため、ヒータＩＣ５２もコア部５の温度調整用の熱源として利用することが可能である。

【0065】

また、上記実施の形態では、コア部５を、上下２枚の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの間に、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、ヒータＩＣ５２、およびチップコンデンサ５３ｂ，５３ｃが挟まれた構成とした。しかし、ＯＣＸＯ１で使用される各種電子部品をパッケージングしたものであればよく、これ以外の構造のコア部５をパッケージの内部に密閉状態で封入してもよい。なお、チップコンデンサ５３ａ～５３ｃの温度特性は、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、ヒータＩＣ５２等よりも小さいため、チップコンデンサ５３ａ～５３ｃを上下の薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂの間に全て配置する必要はなく、その配置数についても特に限定されない。

【0066】

以上では、コア部５が、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、ヒータ基板、ヒータＩＣ５２、および複数のコンデンサを有する構成であったが、コア部５を、水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、およびヒータＩＣ５２を有する構成としてもよい。例えば、図１１～図１３に示すように、コア部５は、発振器ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータＩＣ５２が上側から順に積層された３層構造（積層構造）の構成になっており、ヒータＩＣ５２の下面がインターポーザ４の上面に接合されている。この構成によれば、ヒータＩＣ５２に加えて、発振器ＩＣ５１も発熱体として機能するため、水晶振動子５０の上下にそれぞれ発熱体が存在することになり、水晶振動子５０を上下からバランス良く加熱することができる。

【0067】

このように、コア部５の構成部品としては、少なくとも水晶振動子５０、発振器ＩＣ５１、およびヒータＩＣ５２を有していればよい。ヒータ基板は、ヒータＩＣ５２を熱源として用いることによって省略することが可能である。具体的には、ヒータＩＣ５２として、発熱体（熱源）と、発熱体の温度制御用の制御回路（電流制御用の回路）と、発熱体の温度を検出するための温度センサとが一体になった構成のものを用いることが好ましい。また、複数のコンデンサは、コア部５とは別体の部材として設けることが可能である。複数のコンデンサは、パッケージ２の内部のコア部５と同一の空間に収容してもよいし、あるいはコア部５とは異なる空間に収容してもよい。

【0068】

ここで、図１１～図１３に示すＯＣＸＯ１Ａについて説明する。この変形例にかかるＯＣＸＯ１Ａでは、コア部５は、発振器ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータＩＣ５２が上側から順に積層された３層構造（積層構造）の構成になっている。このようなコア部５が、パッケージ２の内部に配置され、リッド３によって気密封止されている。

【0069】

詳細には、パッケージ２の周壁部２ｂの内壁面には、接続端子（図示省略）の並びに沿った段差部２ｃが形成されており、段差部２ｃに形成された接続端子に、板状のインターポーザ（コア基板）４を介してコア部５が接続されている。インターポーザ４は、パッケージ２の対向する一対の段差部２ｃ，２ｃ間に架け渡されるように配置されており、一対の段差部２ｃ，２ｃの間であってインターポーザ４の下側の部分には、空間２ｄが形成されている。そして、段差部２ｃの段差面上に形成された接続端子が、導電性接着剤７を介してインターポーザ４の下面４ｂに形成された接続端子（図示省略）に接続されている。また、コア部５の各構成部材に形成された外部端子（図示省略）が、ワイヤ６ａ，６ｂを介してインターポーザ４の上面４ａに形成された接続端子４ｃにワイヤボンディングにより接続されている。導電性接着剤７としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が用いられる。

【0070】

図１２、図１３では、コア部５がインターポーザ４上に搭載された状態を図示している。コア部５の発振器ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータＩＣ５２は、平面視におけるそれぞれの面積が、上方に向かって漸次小さくなっている。なお、コア部５の各種電子部品は封止樹脂によって封止されていないが、封止雰囲気によっては封止樹脂による封止を行うようにしてもよい。水晶振動子５０および発振器ＩＣ５１によって水晶発振器１００が構成されるが、水晶発振器１００は上記実施の形態と同様の構成になっている（図４～図１０参照）。

【0071】

水晶振動子５０および発振器ＩＣ５１の互いの対向面の間には、非導電性接着剤（アンダーフィル）５３が介在されており、非導電性接着剤５３によって水晶振動子５０および発振器ＩＣ５１の互いの対向面が固定されている。この場合、水晶振動子５０の上面（第１封止部材２０の第１主面２０１）と、発振器ＩＣ５１の下面とが、非導電性接着剤５３を介して接合される。非導電性接着剤５３としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が用いられる。また、水晶振動子５０の上面に形成された外部端子（図５に示す電極パターン２２）が、ワイヤ６ａを介してインターポーザ４の上面４ａに形成された接続端子４ｃにワイヤボンディングにより接続されている。

【0072】

発振器ＩＣ５１は、平面視における面積が水晶振動子５０よりも小さくなっており、発振器ＩＣ５１の全体が、平面視で水晶振動子５０の範囲内に位置している。発振器ＩＣ５１の下面の全体が、水晶振動子５０の上面（第１封止部材２０の第１主面２０１）に接合されている。

【0073】

ヒータＩＣ５２は、例えば発熱体（熱源）と、発熱体の温度制御用の制御回路（電流制御用の回路）と、発熱体の温度を検出するための温度センサとが一体になった構成とされている。ヒータＩＣ５２によってコア部５の温度制御を行うことにより、コア部５の温度が略一定の温度に維持され、ＯＣＸＯ１Ａの発振周波数の安定化が図られている。

【0074】

水晶振動子５０およびヒータＩＣ５２の互いの対向面の間には、非導電性接着剤５４が介在されており、非導電性接着剤５４によって水晶振動子５０およびヒータＩＣ５２の互いの対向面が固定されている。この場合、水晶振動子５０の下面（第２封止部材３０の第２主面３０２）と、ヒータＩＣ５２の上面とが、非導電性接着剤５４を介して接合される。非導電性接着剤５４としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が用いられる。ヒータＩＣ５２の上面に形成された外部端子（図示省略）が、ワイヤ６ｂを介してインターポーザ４の上面４ａに形成された接続端子４ｃにワイヤボンディングにより接続されている。

【0075】

水晶振動子５０は、平面視における面積がヒータＩＣ５２よりも小さくなっており、水晶振動子５０の全体が、平面視でヒータＩＣ５２の範囲内に位置している。水晶振動子５０の下面（第２封止部材３０の第２主面３０２）の全体が、ヒータＩＣ５２の上面に接合されている。

【0076】

ヒータＩＣ５２およびインターポーザ４の互いの対向面の間には、導電性接着剤５５が介在されており、導電性接着剤５５によってヒータＩＣ５２およびインターポーザ４の互いの対向面が固定されている。この場合、ヒータＩＣ５２の下面と、インターポーザ４の上面４ａとが、導電性接着剤５５を介して接合される。これにより、ヒータＩＣ５２が導電性接着剤５５およびインターポーザ４を介してグランド接続されるようになっている。導電性接着剤５５としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が用いられる。なお、例えばワイヤ等を介してヒータＩＣ５２がグランド接続される場合には、導電性接着剤の代わりに、上述した非導電性接着剤５３，５４と同様の非導電性接着剤を用いてもよい。

【0077】

インターポーザ４の上面４ａには、上述したように、多数の接続端子４ｃが形成されている。また、コア基板４の上面４ａには、複数（図１３では２つ）のチップコンデンサ（バイパスコンデンサ）４ｄが配置されている。なお、チップコンデンサ４ｄのサイズや数については特に限定されない。

【0078】

以上では、コア部５にヒータＩＣ５２および薄膜ヒータ５６ａ，５６ｂを設けた場合（図１～図３参照）と、コア部５にヒータＩＣ５２のみを設けた場合（図１１～図１３参照）について説明したが、コア部５に薄膜ヒータのみを設ける構成としてもよい。すなわち、コア部５に設けられる発熱体は、ヒータＩＣまたは／および薄膜ヒータであってもよい。コア部５に薄膜ヒータのみを設ける場合、薄膜ヒータの温度調整用のＩＣをコア部５とは別体で設けることが好ましい。

【0079】

また、コア部５を搭載したインターポーザ（コア基板）４が、パッケージ２の段差部２ｃの上面ではなく、凹部２ａの内底面に接着剤を介して接合され、ヒータＩＣ５２および水晶振動子５０の各々から、段差部２ｃの上面の接続端子に直接、ワイヤボンディングされている構成としてもよい。この構成により、段差部２ｃの上面にインターポーザ４を介してコア部５を支持する構成よりも低背化を図ることができる。

【0080】

この出願は、２０２０年３月３０日に日本で出願された特願２０２０－０６０３５３号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。

【産業上の利用可能性】

【0081】

本発明は、圧電振動子、発振器ＩＣ、およびヒータＩＣを有するコア部を備えた恒温槽型圧電発振器に利用可能である。

【符号の説明】

【0082】

１ 恒温槽型圧電発振器
２ パッケージ
４ インターポーザ（コア基板）
５ コア部
５０ 水晶振動子（圧電振動子）
５１ 発振器ＩＣ
５２ ヒータＩＣ
１００ 水晶発振器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】