(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-25
(45)【発行日】2024-04-02
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20240326BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20240326BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 Z
H01L21/302 101G
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2020183579
(22)【出願日】2020-11-02
(65)【公開番号】P2022073539
(43)【公開日】2022-05-17
【審査請求日】2023-06-20
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】赤西 勇哉
(72)【発明者】
【氏名】西原 一樹
(72)【発明者】
【氏名】鰍場 真樹
【審査官】佐藤 靖史
(56)【参考文献】
【文献】特開平０３－１７４７２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－１０６３１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６１－００４８７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１６１１４６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に対してドライ処理を行う基板処理装置であって、前記基板に対してドライ処理を行う処理空間を形成する複数のチャンバと、
前記複数のチャンバにそれぞれ接続された複数の個別排出管と、
前記複数の個別排出管に接続された共通排出管と、
前記共通排出管に介装された排気ポンプと、
前記複数の個別排出管にそれぞれ介装され、前記複数の個別排出管の流路に繋がる内部空間を有し、前記内部空間の体積を調整する複数のコンダクタンス調整部と、
予め取得された、前記複数のチャンバの処理状態の組み合わせを示す全体処理状態ごとに、前記複数のチャンバの各々と前記排気ポンプとの間のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを記憶する記憶媒体と、
前記基板に対する処理手順を規定した処理レシピに基づいて、前記複数のチャンバの前記全体処理状態を特定し、特定された前記全体処理状態と、前記コンダクタンスデータとに基づいて、前記コンダクタンスの差が低減するように、前記コンダクタンス調整部を制御する制御部と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理状態は、前記基板に対するドライ処理を実行する実行状態と、前記基板が搬入されていない待機状態とを含む、基板処理装置。
【請求項3】
請求項２に記載の基板処理装置であって、前記複数のチャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記実行状態は、
前記ガス供給部が前記ガスとして不活性ガスを供給する調圧状態と、
前記ガス供給部が前記ガスとして、前記基板と作用する処理ガス、および、前記不活性ガスを供給する実処理状態とを含む、基板処理装置。
【請求項4】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、前記コンダクタンスを測定するコンダクタンス検出部を備え、
前記制御部は、前記コンダクタンス検出部によって測定された前記コンダクタンスを用いて、前記記憶媒体の前記コンダクタンスデータを更新する、基板処理装置。
【請求項5】
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、前記コンダクタンスデータは、前記排気ポンプを作動させたときの前記チャンバ内の圧力に関する情報を、前記コンダクタンスとして含む、基板処理装置。
【請求項6】
請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、
底部と、
前記底部の周縁に立設される側壁と、
前記底部に対して近接および離間する方向に変位し、前記底部および前記側壁とともに前記内部空間を形成する可動部材と
前記可動部材を変位させて、前記内部空間の体積を調整する駆動機構と
を含む、基板処理装置。
【請求項7】
請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、
互いに並列に接続された複数の並列管と、
前記複数の並列管にそれぞれ介装された複数のバルブと
を含む、基板処理装置。
【請求項8】
請求項７に記載の基板処理装置であって、前記複数の並列管の断面積は互いに相違する、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、複数の処理部において真空でドライ処理を行う基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、複数の処理部を共通の排気機構で一括して圧力制御することにより、各処理部の圧力を一括的に制御する。
【0003】
また特許文献２には、複数の処理部で減圧乾燥を行う基板処理装置が開示されている。特許文献２でも、複数の処理部を共通の排気機構で圧力制御することにより、各処理部の圧力を一括的に制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１８－５６４４２号公報
【文献】特開２０１６－１６１１４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、複数の処理ユニットのチャンバ内の圧力を共通の排気ポンプで調整する場合、排気ポンプと各チャンバとの間の配管のコンダクタンスの差に起因して、チャンバ内の圧力がばらつく可能性があった。チャンバ内の圧力のばらつきが大きくなると、チャンバ間の処理ばらつきが大きくなる。
【0006】
そこで、本願は、チャンバ間の処理ばらつきを低減できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
基板処理装置の第１の態様は、基板に対してドライ処理を行う基板処理装置であって、前記基板に対してドライ処理を行う処理空間を形成する複数のチャンバと、前記複数のチャンバにそれぞれ接続された複数の個別排出管と、前記複数の個別排出管に接続された共通排出管と、前記共通排出管に介装された排気ポンプと、前記複数の個別排出管にそれぞれ介装され、前記複数の個別排出管の流路に繋がる内部空間を有し、前記内部空間の体積を調整する複数のコンダクタンス調整部と、予め取得された、前記複数のチャンバの処理状態の組み合わせを示す全体処理状態ごとに、前記複数のチャンバの各々と前記排気ポンプとの間のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを記憶する記憶媒体と、前記基板に対する処理手順を規定した処理レシピに基づいて、前記複数のチャンバの前記全体処理状態を特定し、特定された前記全体処理状態と、前記コンダクタンスデータとに基づいて、前記コンダクタンスの差が低減するように、前記コンダクタンス調整部を制御する制御部とを備える。
【0008】
基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記処理状態は、前記基板に対するドライ処理を実行する実行状態と、前記基板が搬入されていない待機状態とを含む。
【0009】
基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のチャンバ内にガスを供給するガス供給部と、前記実行状態は、前記ガス供給部が前記ガスとして不活性ガスを供給する調圧状態と、前記ガス供給部が前記ガスとして、前記基板と作用する処理ガス、および、前記不活性ガスを供給する実処理状態とを含む。
【0010】
基板処理装置の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記コンダクタンスを測定するコンダクタンス検出部を備え、前記制御部は、前記コンダクタンス検出部によって測定された前記コンダクタンスを用いて、前記記憶媒体の前記コンダクタンスデータを更新する。
【0011】
基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記コンダクタンスデータは、前記排気ポンプを作動させたときの前記チャンバ内の圧力に関する情報を、前記コンダクタンスとして含む。
【0012】
基板処理装置の第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、底部と、前記底部の周縁に立設される側壁と、前記底部に対して近接および離間する方向に変位し、前記底部および前記側壁とともに前記内部空間を形成する可動部材と前記可動部材を変位させて、前記内部空間の体積を調整する駆動機構とを含む。
【0013】
基板処理装置の第７の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、互いに並列に接続された複数の並列管と、前記複数の並列管にそれぞれ介装された複数のバルブとを含む。
【0014】
基板処理装置の第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の並列管の断面積は互いに相違する。
【発明の効果】
【0015】
基板処理装置の第１および第２の態様によれば、全体処理状態に応じてコンダクタンスの差が低減するように、コンダクタンス調整部を制御する。よって、チャンバ間の処理ばらつきを低減させることができる。
【0016】
基板処理装置の第３の態様によれば、処理状態をより細かく分類しているので、処理のばらつきをさらに低減させることができる。
【0017】
基板処理装置の第４の態様によれば、経時変化によるコンダクタンスのばらつきも低減させることができる。
【0018】
基板処理装置の第５の態様によれば、コンダクタンスを簡単に得ることができる。例えば圧力センサにより、圧力を測定できる。
【0019】
基板処理装置の第６の態様によれば、コンダクタンスを細かく調整できる。
【0020】
基板処理装置の第７の態様によれば、簡単な構造でコンダクタンスを調整できる。
【0021】
基板処理装置の第８の態様によれば、並列管の断面積が互いに同じ場合に比べて、コンダクタンスをより多くの階調で調整できる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側断面図である。
【図2】コンダクタンス調整部の構成の一例を概略的に示す側断面図である。
【図3】制御部の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。
【図4】基板処理装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
【図5】チャンバ内の圧力の時間変化の一例を模式的に示すグラフである。
【図6】コンダクタンスの取得処理の一例を示すフローチャートである。
【図7】コンダクタンスの取得処理の一例を示すフローチャートである。
【図8】基板処理の一例を示すフローチャートである。
【図9】基板処理装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
【図10】コンダクタンス調整部の構成の一例を概略的に示す側断面図である。
【図11】コンダクタンス調整部の構成の一例を概略的に示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。
【0024】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【0025】
また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
【0026】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
【0027】
＜第１の実施の形態＞
＜基板処理装置の概要＞
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す側面図である。基板処理装置１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１００は基板Ｗに対してドライ処理を行う。基板Ｗは例えば半導体基板であってもよく、その他の基板であってもよい。基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスプレイ用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板または太陽電池用基板であってもよい。
＜基板処理装置の概要＞
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す側面図である。基板処理装置１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１００は基板Ｗに対してドライ処理を行う。基板Ｗは例えば半導体基板であってもよく、その他の基板であってもよい。基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスプレイ用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板または太陽電池用基板であってもよい。
【0028】
図１に示すように、基板処理装置１００は複数の処理ユニット２０とガス排出部４０と制御部８０とを含んでいる。
【0029】
図１の例では、複数の処理ユニット２０として、３つの処理ユニット２０Ａ、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃが設けられている。なお、処理ユニット２０の数は特に制限されず、適宜に変更し得る。
【0030】
各処理ユニット２０は、基板Ｗに対して１枚ずつドライ処理を行う枚葉式のドライ処理ユニットである。各処理ユニット２０はチャンバ２１と基板保持部２２とを含む。チャンバ２１は中空形状を有しており、チャンバ２１の内部空間は、基板Ｗに対するドライ処理を行うための処理空間となる。言い換えれば、チャンバ２１は処理空間を形成する。チャンバ２１は例えば真空チャンバである。
【0031】
基板保持部２２はチャンバ２１内に設けられ、基板Ｗを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの上面が水平面に平行な姿勢をいう。なお、基板保持部２２は基板Ｗを載置する載置台を含んでいてもよい。この場合、基板Ｗは載置台によって支持される。
【0032】
ガス排出部４０は各処理ユニット２０のチャンバ２１内のガスを吸引して、当該ガスを外部に排出する。これにより、チャンバ２１内の圧力を低下させることができる。ガス排出部４０はチャンバ２１からのガスの排気流量を調整する機能を有しており、排気流量を調整することでチャンバ２１内の圧力を調整することができる。チャンバ２１内の圧力は例えば数Ｐａ（例えば５Ｐａ）程度に制御される。
【0033】
図１の例では、基板処理装置１００にはガス供給部６０も設けられている。ガス供給部６０は各処理ユニット２０のチャンバ２１内に種々のガスを供給する。当該ガスは、処理ガスおよび不活性ガスを含む。処理ガスは、基板Ｗに作用するガスである。例えば、基板Ｗのエッチング対象膜をエッチングする場合、処理ガスとしてはエッチングガスを採用できる。不活性ガスは基板Ｗと反応しにくいガスであり、例えば、アルゴンガスなどの希ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれかを採用できる。この不活性ガスはキャリアガスとも呼ばれ得る。
【0034】
＜処理ユニット２０の具体例＞
図１の例では、処理ユニット２０はヒータ２３および整流板２４をさらに含んでいる。ヒータ２３はチャンバ２１内に設けられている。ヒータ２３は制御部８０によって制御され、基板保持部２２によって保持された基板Ｗを加熱する。ヒータ２３は例えば電熱線を含んだ電気抵抗式のヒータでもよく、あるいは、基板Ｗに加熱用の光（例えば赤外線）を照射する光源を含んだ光学式のヒータであってもよい。図１の例では、ヒータ２３は基板保持部２２に内蔵されている。ヒータ２３は基板Ｗの温度が処理に適した温度範囲内となるように、基板Ｗを加熱する。
図１の例では、処理ユニット２０はヒータ２３および整流板２４をさらに含んでいる。ヒータ２３はチャンバ２１内に設けられている。ヒータ２３は制御部８０によって制御され、基板保持部２２によって保持された基板Ｗを加熱する。ヒータ２３は例えば電熱線を含んだ電気抵抗式のヒータでもよく、あるいは、基板Ｗに加熱用の光（例えば赤外線）を照射する光源を含んだ光学式のヒータであってもよい。図１の例では、ヒータ２３は基板保持部２２に内蔵されている。ヒータ２３は基板Ｗの温度が処理に適した温度範囲内となるように、基板Ｗを加熱する。
【0035】
整流板２４はチャンバ２１内において、基板保持部２２よりもガスの供給側（ここでは上側）に設けられる。整流板２４は、ガス供給部６０によってチャンバ２１内に供給されたガスを整流する。整流板２４は例えば板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。図１の例では、整流板２４の周縁部がチャンバ２１の内周面に連結されている。整流板２４には、厚み方向に整流板２４を貫通する複数の貫通孔２４ａが形成される。複数の貫通孔２４ａは平面視において２次元的に分散して配列され、例えばマトリクス状に配列される。チャンバ２１内に供給されたガスは複数の貫通孔２４ａを通過することで整流される。整流されたガスは、基板保持部２２によって保持された基板Ｗの上面に供給される。これにより、当該ガスに含まれた処理ガスが基板Ｗの上面に作用する。
【0036】
例えば処理ガスがエッチングガスを含む場合、基板Ｗの上面のエッチング対象膜がエッチングガスによってエッチングされる。具体的な一例として、処理ガスとしてフッ化水素ガスおよび水蒸気の両方を採用してもよい。この場合、基板Ｗの上面に形成されたシリコン酸化膜を処理ガスによってエッチングすることができる。
【0037】
＜ガス供給部６０＞
ガス供給部６０は複数のガス給気系統６１を含んでいる。複数のガス給気系統６１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられている。図１の例では、３つの処理ユニット２０が設けられているので、３つのガス給気系統６１が設けられる。各ガス給気系統６１はガス供給管６２を含んでおり、ガス供給管６２の下流口は、対応するチャンバ２１の内部空間において開口している。図１の例では、ガス供給管６２はチャンバ２１の天井部に接続される。ガス供給部６０は、各ガス供給管６２を通じて種々のガスを各チャンバ２１内に供給することができる。ガス供給管６２を通じてチャンバ２１内に流出したガスは整流板２４を経由して基板Ｗの上面に向かって流れる。
ガス供給部６０は複数のガス給気系統６１を含んでいる。複数のガス給気系統６１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられている。図１の例では、３つの処理ユニット２０が設けられているので、３つのガス給気系統６１が設けられる。各ガス給気系統６１はガス供給管６２を含んでおり、ガス供給管６２の下流口は、対応するチャンバ２１の内部空間において開口している。図１の例では、ガス供給管６２はチャンバ２１の天井部に接続される。ガス供給部６０は、各ガス供給管６２を通じて種々のガスを各チャンバ２１内に供給することができる。ガス供給管６２を通じてチャンバ２１内に流出したガスは整流板２４を経由して基板Ｗの上面に向かって流れる。
【0038】
図１の例では、各ガス供給管６２は処理ガス管６２１とキャリアガス管６２２と共通管６２３とを含んでいる。共通管６２３の下流端はガス供給管６２の下流端であり、チャンバ２１に接続される。共通管６２３の上流端は処理ガス管６２１の下流端およびキャリアガス管６２２の下流端に共通して接続される。処理ガス管６２１の上流端は不図示の処理ガス供給源に接続され、キャリアガス管６２２の上流端は不図示のキャリアガス供給源に接続される。
【0039】
処理ガス管６２１にはバルブ６３１が介装されている。バルブ６３１は制御部８０によって制御される。バルブ６３１が開くことにより、処理ガス供給源からの処理ガスが処理ガス管６２１および共通管６２３を通じてチャンバ２１内に供給される。バルブ６３１が閉じることにより、チャンバ２１への処理ガスの供給が停止する。
【0040】
キャリアガス管６２２にはバルブ６３２が介装されている。バルブ６３２は制御部８０によって制御される。バルブ６３２が開くことにより、キャリアガス供給源からのキャリアガスがキャリアガス管６２２および共通管６２３を通じてチャンバ２１内に供給される。バルブ６３２が閉じることにより、チャンバ２１へのキャリアガスの供給が停止する。
【0041】
図１の例では、処理ガス管６２１には流量調整部６４１が介装されている。流量調整部６４１は制御部８０によって制御される。流量調整部６４１は、処理ガス管６２１を流れる処理ガスの流量を調整する。流量調整部６４１は例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。
【0042】
図１の例では、キャリアガス管６２２には流量調整部６４２が介装されている。流量調整部６４２は制御部８０によって制御される。流量調整部６４２は、キャリアガス管６２２を流れるキャリアガスの流量を調整する。流量調整部６４２は例えばマスフローコントローラである。
【0043】
＜ガス排出部４０＞
ガス排出部４０は複数の個別排出管４１と共通排出管４２と排気ポンプ４３と複数のコンダクタンス調整部４４とを含んでいる。
ガス排出部４０は複数の個別排出管４１と共通排出管４２と排気ポンプ４３と複数のコンダクタンス調整部４４とを含んでいる。
【0044】
複数の個別排出管４１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられている。図１の例では、３つの処理ユニット２０が設けられているので、３つの個別排出管４１が設けられる。各個別排出管４１の上流口は、対応するチャンバ２１の内部空間において開口する。図１の例では、個別排出管４１はチャンバ２１の底部に接続される。各個別排出管４１の下流端は共通排出管４２に接続される。
【0045】
共通排出管４２には、排気ポンプ４３が設けられている。排気ポンプ４３はいわゆる真空ポンプである。排気ポンプ４３は制御部８０によって制御され、共通排出管４２内のガスを吸引する。これにより、各チャンバ２１内のガスが各個別排出管４１および共通排出管４２を通じて排気ポンプ４３に吸引される。
【0046】
このような構成では、単一の排気ポンプ４３によって複数のチャンバ２１内のガスを排気することができる。よって、製造コストを低減させることができ、ガス排出部４０の構成を簡易化させることができる。
【0047】
その一方で、チャンバ２１内の圧力は、各チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスに応じてばらつき得る。このコンダクタンスのばらつきについては後に詳述する。チャンバ２１内の圧力が複数のチャンバ２１の間でばらつくと、各処理ユニット２０による処理にもばらつきが生じ得る。
【0048】
そこで、図１の例では、複数のコンダクタンス調整部４４が設けられている。複数のコンダクタンス調整部４４は複数の個別排出管４１に対応して設けられる。図１の例では、３つの個別排出管４１が設けられているので、３つのコンダクタンス調整部４４が設けられる。各コンダクタンス調整部４４は、対応する個別排出管４１に介装されており、個別排出管４１の内部空間（流路）に繋がる可変の内部空間を有している。このコンダクタンス調整部４４の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成する。
【0049】
図２は、コンダクタンス調整部４４の構成の一例を概略的に示す側断面図である。コンダクタンス調整部４４は筐体４５と可動部材４６と駆動機構４７とを含んでいる。図２の例では、筐体４５は底部４５１および側壁４５２を含んでいる。底部４５１は例えば板状の形状を有しており、側壁４５２は底部４５１の周縁部の全周に立設される。可動部材４６は例えば板状の形状を有しており、その周縁が側壁４５２の内周面の全周に密着しており、筐体４５と可動部材４６とによって密閉空間を形成している。当該密閉空間がコンダクタンス調整部４４の内部空間に相当する。可動部材４６は当該内部空間の体積が可変となるように変位可能に設けられている。
【0050】
可動部材４６の変位は駆動機構４７によって制御される。例えば可動部材４６は連結部材４６１を介して駆動機構４７に連結される。駆動機構４７は例えばリニアモータ、ボールねじ機構またはエアシリンダを含む。駆動機構４７は可動部材４６を変位させることにより、コンダクタンス調整部４４の内部空間の体積を調整する。図２の例では、可動部材４６は底部４５１に近接および離間する方向に移動することができる。可動部材４６が底部４５１に近づくことにより、コンダクタンス調整部４４の内部空間の体積を低減させることができ、可動部材４６が底部４５１から遠ざかることにより、当該内部空間の体積を増加させることができる。駆動機構４７は制御部８０によって制御される。
【0051】
図２の例では、筐体４５の側壁４５２のうち互いに向かい合う壁部が個別排出管４１に接続されている。より具体的には、個別排出管４１のうちコンダクタンス調整部４４よりも上流側の配管の下流端、および、コンダクタンス調整部４４よりも下流側の配管の上流端が、側壁４５２に接続される。コンダクタンス調整部４４の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成するので、コンダクタンス調整部４４が内部空間の体積を調整することにより、個別排出管４１のコンダクタンスを調整することができる。
【0052】
例えば、可動部材４６が底部４５１に近づくことにより、コンダクタンス調整部４４における流路の断面積を低減させることができる。つまり、コンダクタンスを低下させることができる。可動部材４６が底部４５１から遠ざかることにより、コンダクタンス調整部４４における流路の断面積を増加させることができる。つまり、コンダクタンスを高めることができる。
【0053】
このようなコンダクタンス調整部４４によれば、可動部材４６の変位量を実質的に連続的に調整できるので、コンダクタンスを細かく調整することができる。
【0054】
以下では、処理ユニット２０Ａに接続される個別排出管４１に介装されたコンダクタンス調整部４４をコンダクタンス調整部４４Ａとも呼ぶことがある。同様に、処理ユニット２０Ｂ，２０Ｃに対応して設けられたコンダクタンス調整部４４を、それぞれ、コンダクタンス調整部４４Ｂ，４４Ｃとも呼ぶことがある。
【0055】
図１の例では、ガス排出部４０はヒータ４４１を含んでいる。ヒータ４４１は制御部８０によって制御され、コンダクタンス調整部４４を加熱する。ヒータ４４１はコンダクタンス調整部４４の外周面に設けられてもよく、コンダクタンス調整部４４に内蔵されてもよい。ヒータ４４１は例えば電気抵抗式のヒータであってもよく、光学式のヒータであってもよい。コンダクタンス調整部４４が加熱されることにより、コンダクタンス調整部４４の内壁へのガスの付着を抑制することができる。
【0056】
＜制御部＞
図３は、制御部８０の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部８０は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置８１および記憶媒体８２を有していてもよい。データ処理装置８１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体８２は非一時的な記憶媒体８２１（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体８２２（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体８２１には、例えば制御部８０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置８１がこのプログラムを実行することにより、制御部８０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部８０が実行する処理の一部または全部が、論理回路などのハードウェア回路によって実行されてもよい。
図３は、制御部８０の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部８０は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置８１および記憶媒体８２を有していてもよい。データ処理装置８１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体８２は非一時的な記憶媒体８２１（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体８２２（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体８２１には、例えば制御部８０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置８１がこのプログラムを実行することにより、制御部８０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部８０が実行する処理の一部または全部が、論理回路などのハードウェア回路によって実行されてもよい。
【0057】
制御部８０は基板処理装置１００内の各種の構成要素を制御して、各処理ユニット２０に基板Ｗに対してドライ処理を行わせることができる。具体的には、ヒータ２３を制御して基板Ｗの温度を制御し、ガス排出部４０を制御してチャンバ２１内の圧力を低下させ、ガス供給部６０を制御してチャンバ２１内に処理ガスおよびキャリアガスを供給させる。これにより、処理ガスが基板Ｗに対して作用し、基板Ｗに対するドライ処理が行われる。
【0058】
制御部８０には、基板Ｗに対する処理手順を示した処理レシピ情報が入力される。処理レシピ情報は、例えばより上流の装置から制御部８０に送信されてもよく、作業員が、不図示の入力デバイスを用いて処理レシピ情報を制御部８０に入力してもよい。入力デバイスは、例えば、マウス、キーボードおよびタッチパネルなどのデバイスを含む。
【0059】
制御部８０は、入力された処理レシピ情報に基づいて基板処理装置１００を制御して、複数の処理ユニット２０に基板Ｗを１枚ずつ順に処理させる。具体的には、制御部８０は不図示の基板搬送部に対して各処理ユニット２０へ順に基板Ｗを搬入させ、ガス排出部４０にチャンバ２１内の圧力を低下させた減圧状態で、ガス供給部６０に処理ガスおよび不活性ガスをチャンバ２１内へ供給させる。これにより、チャンバ２１内において処理ガスが基板Ｗに作用し、基板Ｗに対するドライ処理が行われる。
【0060】
図４は、基板処理装置１００の動作の一例を示すタイミングチャートである。図４では、簡単のために、３枚の基板Ｗを処理する場合の一例が示されている。図４の例では、処理ユニット２０Ａ、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃがそれぞれ１枚の基板Ｗに対してドライ処理を行う。図４では、各処理ユニット２０の処理状態（チャンバ２１の処理状態）として、ドライ処理の実行状態と待機状態とがそれぞれ「実行」および「待機」で示されている。待機状態は、チャンバ２１に基板Ｗが搬入されていない状態を含む。
【0061】
図４の例では、まず時刻ｔ１において基板Ｗが処理ユニット２０Ａに搬入される。処理ユニット２０Ａは、基板Ｗの搬入後に速やかに基板Ｗに対するドライ処理を開始する。図４の例では、時刻ｔ１よりも後の時刻ｔ２において、基板Ｗが処理ユニット２０Ｂに搬入される。処理ユニット２０Ｂは、基板Ｗの搬入後に速やかに基板Ｗに対するドライ処理を開始する。図４の例では、時刻ｔ２よりも後の時刻ｔ３において、基板Ｗが処理ユニット２０Ｃに搬入される。処理ユニット２０Ｃは、基板Ｗの搬入後に速やかに基板Ｗに対するドライ処理を開始する。
【0062】
図４の例では、時刻ｔ３よりも後の時刻ｔ４において、処理ユニット２０Ａがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ａから搬出される。また、時刻ｔ４よりも後の時刻ｔ５において、処理ユニット２０Ｂがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｂから搬出される。また、時刻ｔ５よりも後の時刻ｔ６において、処理ユニット２０Ｃがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｃから搬出される。
【0063】
なお、上述の例では、処理ユニット２０Ａから処理ユニット２０Ｃの全てが基板Ｗに対するドライ処理を行っているが、いくつかの処理ユニット２０が稼働しない場合もある。具体的な一例として、異常が生じた処理ユニット２０は基板Ｗの処理に用いられない。
【0064】
＜配管のコンダクタンスのばらつき＞
次に、各チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスのばらつきについて説明する。
次に、各チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスのばらつきについて説明する。
【0065】
個別排出管４１の形状は互いに相違し得る。例えば、個別排出管４１の長さは互いに相違し得る。よって、チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスは、複数のチャンバ２１の間で互いに相違し得る。つまり、配管のコンダクタンスは複数のチャンバ２１の間でばらつく。
【0066】
しかも図１の例では、複数の処理ユニット２０は鉛直方向において並んで配置されている。つまり、処理ユニット２０が鉛直方向において多段に積層される。このような配置によれば、チャンバ２１の高さ位置は互いに相違し、個別排出管４１の上流端の高さ位置も互いに相違する。このように配管の高さが相違すると、配管のコンダクタンスのばらつきはより大きくなる。
【0067】
また、個別排出管４１および共通排出管４２を流れるガスの圧力分布は、処理ユニット２０の処理状態に応じても変化する。例えば図４を参照して、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間Ｔ１において、処理ユニット２０Ａのみがドライ処理を実行する。よって、処理ユニット２０Ａのチャンバ２１のみにガスが供給される。また処理ユニット２０Ａのチャンバ２１からガスが排出される。つまり、期間Ｔ１において処理ユニット２０Ａが稼働している。
【0068】
一方、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃは期間Ｔ１において稼働しない。つまり、期間Ｔ１においては、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１にはガスが供給されない。処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１からのガスの排出は期間Ｔ１において行われてもよく、行われなくてもよい。ここでは一例としてガスの排出を行わないものと仮定する。各チャンバ２１からのガスの排出および停止の切り替えは、例えば、コンダクタンス調整部４４によって実現されてもよく、あるいは、各個別排出管４１に別途のバルブを設け、当該バルブの開閉の切り替えによって実現されてもよい。
【0069】
図４の例では、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間Ｔ２では、処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｂがドライ処理を実行し、処理ユニット２０Ｃはドライ処理を実行しない。
【0070】
ここで、ドライ処理の実行状態および待機状態をそれぞれ「１」および「０」で表現しつつ、処理ユニット２０Ａから処理ユニット２０Ｃの処理状態をこの順で並べて記載すると、期間Ｔ１における全処理ユニット２０の処理状態の組み合わせを（１００）で表すことができる。なお以下では、全処理ユニット２０の処理状態の組み合わせを全体処理状態とも呼ぶ。図４の例では、期間Ｔ２の全体処理状態は（１１０）であり、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間Ｔ３の全体処理状態は（１１１）であり、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間Ｔ４の全体処理状態は（０１１）であり、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間Ｔ５の全体処理状態は（００１）である。
【0071】
以上のように、処理ユニット２０の全体処理状態は期間Ｔ１～Ｔ５の間で相違し、その全体処理状態に応じてガスの給排気も相違する。よって、処理ユニット２０の全体処理状態の変化に伴って、個別排出管４１および共通排出管４２内のガスの圧力分布が変化し、配管のコンダクタンスが変化する。
【0072】
図４の例では、３つの処理ユニット２０の全てが基板Ｗを処理する場合が示されているものの、例えば異常等の諸要因により処理ユニット２０Ｂが稼働しない場合もある。この場合、処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｃが稼働し、処理ユニット２０Ｂが稼働しない場合もある。つまり、全体処理状態が（１０１）となることもあり得る。
【0073】
以上のように、配管のコンダクタンスは、個別排出管４１の形状および処理ユニット２０の処理状態等の諸要因に応じて変化する。以下では、まず、配管形状の相違によるコンダクタンスのばらつきを低減させる実施例について説明した後に、処理状態によるコンダクタンスのばらつきをも低減させる実施例について説明する。
【0074】
＜配管形状の相違によるコンダクタンスのばらつき＞
本実施の形態では、配管のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを、処理ユニット２０ごとに、予め実験またはシミュレーションによって取得する（コンダクタンス取得処理）。ここでは一例として実験によりコンダクタンスデータを取得するものとする。
本実施の形態では、配管のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを、処理ユニット２０ごとに、予め実験またはシミュレーションによって取得する（コンダクタンス取得処理）。ここでは一例として実験によりコンダクタンスデータを取得するものとする。
【0075】
当該実験は、排気ポンプ４３に吸引動作を行わせて処理ユニット２０からガスを排出させることで行われる。排気ポンプ４３が吸引動作を開始すると、チャンバ２１内の圧力は時間の経過とともに低下する。この圧力値の時間に対する変化はコンダクタンスの差に応じて処理ユニット２０Ａ～２０Ｃの間で相違する。
【0076】
図５は、チャンバ２１内の圧力の時間変化（圧力カーブとも呼ぶ）の一例を模式的に示すグラフである。図５は、コンダクタンスが高いときの圧力カーブを実線の曲線で示しており、コンダクタンスが低いときの圧力カーブを破線の曲線で示している。
【0077】
図５から理解できる通り、コンダクタンスが高いほど圧力の低下速度は高い。つまり、コンダクタンスが高いほど、圧力が収束値に収束するまでの時間は短い。なお以下では、圧力の収束値を到達真空度とも呼ぶ。この到達真空度はコンダクタンスが高いほど低い。
【0078】
以上のように、排気ポンプ４３を作動させたときのチャンバ２１内の圧力に関する情報は、配管のコンダクタンスに相関しており、コンダクタンスの高低を示す指標となる。例えば、圧力カーブを、コンダクタンスを示す指標として採用することができる。より具体的な例として、圧力の到達真空度、圧力の低下速度および圧力が到達真空度に収束するまでの時間の少なくともいずれか一つを当該指標に採用できる。圧力の低下速度としては、例えばガスの排気開始時点を基準として、同じタイミングでの瞬時値を採用してもよく、あるいは、同じ期間における低下速度の統計値（例えば平均値および最大値）を採用してもよい。
【0079】
図１の例では、各処理ユニット２０に対応するコンダクタンスを検出するためのコンダクタンス検出部２５の一例として、圧力センサ２５１が設けられている。圧力センサ２５１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられる。各圧力センサ２５１は、対応するチャンバ２１内の圧力を測定し、その測定値を示す圧力情報を制御部８０に出力する。
【0080】
以上のように、排気ポンプ４３を作動させた状態で圧力センサ２５１が圧力を測定することによって、コンダクタンス値を得ることができる。そこで、例えば基板処理装置１００の据え付け時に、作業員は、コンダクタンス値を取得する取得処理を基板処理装置１００に行わせる。具体的には、作業員は入力デバイスに取得処理の指示を入力し、制御部８０は当該指示に応じて、コンダクタンス値の取得処理を行う。
【0081】
図６は、コンダクタンス値の取得処理の一例を示すフローチャートである。まず、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ａのチャンバ２１のみからガスを排出する（ステップＳ２１）。つまり、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１からはガスを排出しない。そして、コンダクタンス検出部２５が処理ユニット２０Ａに対応するコンダクタンスを測定する（ステップＳ２２）。具体的には、圧力センサ２５１が処理ユニット２０Ａのチャンバ２１内の圧力を測定し、制御部８０に出力する。制御部８０は当該圧力に関する情報（例えば到達真空度）を処理ユニット２０Ａに対応するコンダクタンス値として把握する。
【0082】
次に、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１のみからガスを排出する（ステップＳ２３）。つまり、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１からはガスを排出しない。そして、コンダクタンス検出部２５が処理ユニット２０Ｂに対応するコンダクタンスを測定する（ステップＳ２４）。具体的には、圧力センサ２５１が処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１内の圧力を測定し、制御部８０に出力する。制御部８０は当該圧力に関する情報（例えば到達真空度）を処理ユニット２０Ｂに対応するコンダクタンス値として把握する。
【0083】
次に、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１のみからガスを排出する（ステップＳ２５）。つまり、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１からはガスを排出しない。そして、コンダクタンス検出部２５が処理ユニット２０Ｃに対応するコンダクタンスを測定する（ステップＳ２６）。具体的には、圧力センサ２５１が処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１内の圧力を測定し、制御部８０に出力する。制御部８０は当該圧力に関する情報（例えば到達真空度）を処理ユニット２０Ｃに対応するコンダクタンス値として把握する。
【0084】
制御部８０は各コンダクタンス値をコンダクタンスデータとして記憶媒体８２１に記憶させる。これにより、記憶媒体８２１には、個別排出管４１の配管形状に応じたコンダクタンスのばらつきを反映したコンダクタンスデータが記憶される。このコンダクタンスデータには、チャンバ２１内の圧力に関する情報がコンダクタンス値として含まれることとなる。
【0085】
制御部８０はコンダクタンス値のばらつきが小さくなるように、コンダクタンス調整部４４のコンダクタンス制御量を求める。ここでいうコンダクタンス制御量とは、コンダクタンス調整部４４の可動部材４６の位置（または変位量）を示す制御量である。コンダクタンス値とコンダクタンス制御量との関係は例えば実験またはシミュレーションにより予め設定される。
【0086】
制御部８０は当該コンダクタンス制御量に基づいて、コンダクタンス調整部４４を制御する。これにより、個別排出管４１の形状的な相違に起因したコンダクタンスのばらつきを低減させることができる。
【0087】
制御部８０はコンダクタンス調整部４４をコンダクタンス制御量に基づいて制御した上で、処理レシピに基づいて基板処理装置１００を制御する。これにより、コンダクタンスのばらつきを低減させた状態で、基板処理装置１００が基板Ｗを順次に処理する。したがって、基板Ｗに対する処理ユニット２０間の処理ばらつきを低減させることができる。特に図１のように処理ユニット２０が鉛直方向において並んでいる場合には、配管形状に起因したコンダクタンスのばらつきが非常に大きくなるので、コンダクタンス調整部４４による調整は特に有益である。
【0088】
＜処理状態によるコンダクタンスのばらつき＞
次に、全体処理状態の変化によるコンダクタンスの変化も考慮した実施例について述べる。コンダクタンスは上述のように全体処理状態によって変動するので、その全体処理状態に応じたコンダクタンスを把握するために、事前のコンダクタンス値の取得処理において、全体処理状態に応じたコンダクタンスデータを取得する。
次に、全体処理状態の変化によるコンダクタンスの変化も考慮した実施例について述べる。コンダクタンスは上述のように全体処理状態によって変動するので、その全体処理状態に応じたコンダクタンスを把握するために、事前のコンダクタンス値の取得処理において、全体処理状態に応じたコンダクタンスデータを取得する。
【0089】
図７は、コンダクタンス値の取得処理の一例を示すフローチャートである。この取得処理も例えば基板処理装置１００の据え付け時に行われる。まず、制御部８０は全体処理状態を一つ選択する（ステップＳ１１）。
【0090】
次に制御部８０は、選択された全体処理状態で基板処理装置１００を制御しつつ、その全体処理状態でのコンダクタンス値をコンダクタンス検出部２５によって取得する（ステップＳ１２）。初期的には、例えば（１００）を全体処理状態として採用する。これにより、制御部８０は全体処理状態（１００）における各処理ユニット２０に対応するコンダクタンス値を取得することができる。
【0091】
なお、取得処理では実際に基板Ｗを処理する必要はない。つまり、基板Ｗの搬出入を行わなくてもよい。また、取得処理では、ガスの給排気の状態が各全体処理状態とある程度同様であればよいので、必ずしも処理ガスおよびキャリアガスの両方を供給する必要はなく、いずれか一方のみでもよい。
【0092】
次に制御部８０は、全ての全体処理状態でのコンダクタンス値を取得したか否かを判断する（ステップＳ１３）。全ての全体処理状態でのコンダクタンス値を未だ取得していないときには、制御部８０はステップＳ１１にて別の全体処理状態を選択し、ステップＳ１２，Ｓ１３を順に実行する。全ての全体処理状態でのコンダクタンス値を取得したときには、制御部８０は全体処理状態ごと、かつ、処理ユニット２０ごとのコンダクタンス値を含むコンダクタンスデータを非一時的な記憶媒体８２１に記憶させる。
【0093】
下表は、図７の取得処理によって取得されたコンダクタンスデータを示す表である。
【0094】
【表1】
【0095】
表１には、コンダクタンス値ＰＡ１～ＰＡ４，ＰＢ１～ＰＢ４，ＰＣ１～ＰＣ４が示されている。例えば、コンダクタンス値ＰＡ１は、処理状態（１００）における処理ユニット２０Ａについてのコンダクタンスを示すデータであり、例えば、到達真空度である。
【0096】
＜基板処理装置の動作＞
図８は、基板処理の一例を示すフローチャートであり、基板処理装置１００の動作を、コンダクタンス調整部４４の制御を中心に説明するためのフローチャートである。まず、制御部８０は処理レシピに基づいて、各期間の全処理ユニット２０の処理状態を特定する（ステップＳ１）。つまり、制御部８０は処理状態のタイムスケジュールを特定する。図４の例に即して説明すると、制御部８０は期間Ｔ１～Ｔ５における全体処理状態を処理レシピに基づいて、それぞれ（１００）、（１１０）、（１１１）、（０１１）および（００１）と特定する。
図８は、基板処理の一例を示すフローチャートであり、基板処理装置１００の動作を、コンダクタンス調整部４４の制御を中心に説明するためのフローチャートである。まず、制御部８０は処理レシピに基づいて、各期間の全処理ユニット２０の処理状態を特定する（ステップＳ１）。つまり、制御部８０は処理状態のタイムスケジュールを特定する。図４の例に即して説明すると、制御部８０は期間Ｔ１～Ｔ５における全体処理状態を処理レシピに基づいて、それぞれ（１００）、（１１０）、（１１１）、（０１１）および（００１）と特定する。
【0097】
次に、制御部８０は、ステップＳ１において特定した各期間の全体処理状態と、記憶媒体８２１に記憶されたコンダクタンスデータとに基づいて、コンダクタンスのばらつきが低減するように、各期間におけるコンダクタンス調整部４４を制御する。例えば、制御部８０は各期間におけるコンダクタンス制御量をコンダクタンスデータに基づいて求める。ここでいうコンダクタンス制御量とは、コンダクタンス調整部４４の可動部材４６の位置（または変位量）を示す制御量である。
【0098】
期間Ｔ１における処理状態は（１００）であるので、制御部８０は期間Ｔ１におけるコンダクタンス調整部４４Ａのコンダクタンス制御量を、コンダクタンス値ＰＡ１に基づいて求める。同様に、期間Ｔ２における処理状態は（１１０）であるので、制御部８０は、期間Ｔ２におけるコンダクタンス調整部４４Ａ，４４Ｂのコンダクタンス制御量を、それぞれ、コンダクタンス値ＰＡ２，ＰＢ２に基づいて求める。同様にして、制御部８０は、期間Ｔ３におけるコンダクタンス調整部４４Ａ～４４Ｃのコンダクタンス制御量を、それぞれ、コンダクタンス値ＰＡ４～ＰＣ４に基づいて求め、期間Ｔ４におけるコンダクタンス調整部４４Ｂ，４４Ｃのコンダクタンス制御量を、それぞれ、コンダクタンス値ＰＢ３，ＰＣ２に基づいて求め、期間Ｔ５におけるコンダクタンス調整部４４Ｃのコンダクタンス制御量を、コンダクタンス値ＰＣ３に基づいて求める。各コンダクタンス値とコンダクタンス制御量との関係は予め実験またはシミュレーションにより設定されてもよい。
【0099】
次に、制御部８０は、ステップＳ１で特定したタイムスケジュールおよびステップＳ２で求めたコンダクタンス制御量に基づいて、基板Ｗを各処理ユニット２０に順次に搬送させつつ、各処理ユニット２０に基板Ｗに対するドライ処理を行わせる（ステップＳ３）。これにより、制御部８０は期間Ｔ１において、コンダクタンス値ＰＡ１に基づいたコンダクタンス制御量でコンダクタンス調整部４４Ａを制御しつつ、処理ユニット２０Ａにドライ処理を行わせる。また制御部８０は期間Ｔ２において、コンダクタンス値ＰＡ２，ＰＢ２に基づいた制御量でコンダクタンス調整部４４Ａ，４４Ｂをそれぞれ制御しつつ、処理ユニット２０Ａ，２０Ｂにドライ処理を行わせる。以下、同様にして、制御部８０は期間Ｔ３～Ｔ５についてコンダクタンス調整部４４を制御しつつ、各処理ユニット２０にドライ処理を行わせる。
【0100】
以上のように、制御部８０はフィードフォワード制御により、処理ユニット２０の全体処理状態に応じてコンダクタンス調整部４４を制御している。これにより、各期間Ｔ１～Ｔ５において、コンダクタンスのばらつきを全体処理状態に応じて適切に低減させることができる。したがって、チャンバ２１内の圧力の処理ユニット２０間のばらつきをさらに低減させることができ、基板Ｗに対する処理ユニット２０間の処理ばらつきもさらに低減させることができる。
【0101】
＜コンダクタンスデータの更新＞
各処理ユニット２０に対する配管のコンダクタンスは経時的に変化し得る。例えば排気ポンプ４３の排気能力が経時的に劣化したり、あるいは、ドライ処理により生じる各排出配管の経時変化(反応生成物の堆積等)などの諸要因によって、コンダクタンスは変動し得る。
各処理ユニット２０に対する配管のコンダクタンスは経時的に変化し得る。例えば排気ポンプ４３の排気能力が経時的に劣化したり、あるいは、ドライ処理により生じる各排出配管の経時変化(反応生成物の堆積等)などの諸要因によって、コンダクタンスは変動し得る。
【0102】
そこで、制御部８０はコンダクタンスデータの取得処理（図６または図７）を例えば所定時間ごとに行うことで、記憶媒体８２１に格納されたコンダクタンスデータを更新してもよい。つまり、制御部８０は最新の取得処理によって測定されたコンダクタンス値を用いて、記憶媒体８２１のコンダクタンスデータを更新してもよい。これによれば、経時変化に対応した最新のコンダクタンスデータを得ることができる。よって、制御部８０が最新のコンダクタンスデータを用いてコンダクタンス調整部４４を制御することができ、経時変化によるコンダクタンスのばらつきも低減させることができる。よって、経時変化が生じても、処理ユニット２０の間の処理ばらつきを適切に低減させることができる。
【0103】
しかも上述の例では、コンダクタンス値として、圧力に関する情報を採用している。これによれば、圧力センサ２５１によって圧力を測定できるので、コンダクタンス値を簡単に得ることができる。
【0104】
＜第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、各処理ユニット２０の処理状態をドライ処理の実行状態と待機状態との２つで表現した。第２の実施の形態では、ドライ処理の具体的な手順に応じて実行状態をさらに細分化する。
第１の実施の形態では、各処理ユニット２０の処理状態をドライ処理の実行状態と待機状態との２つで表現した。第２の実施の形態では、ドライ処理の具体的な手順に応じて実行状態をさらに細分化する。
【0105】
ここで、ドライ処理の具体的な手順の一例について述べる。まず、処理ユニット２０のチャンバ２１内に基板Ｗが搬入される（搬入工程）。続いて、ガス排出部４０はチャンバ２１からガスを排出する（高真空工程）。高真空工程では、ガス供給部６０によるガスの供給が行われず、チャンバ２１内の圧力がベース圧力まで減圧される。これにより、チャンバ２１内のガスの大部分が排出され、チャンバ２１内の雰囲気の清浄度を向上させることができる。なお、基板Ｗの搬入はチャンバ２１内の圧力がベース圧力となった状態で行われてもよい。
【0106】
次に、ガス供給部６０はキャリアガスを含むガスをチャンバ２１内に供給する（調圧工程）。調圧工程では、チャンバ２１内の圧力がドライ処理に適した処理圧力となるように調整される。次に、ガス供給部６０はキャリアガスに加えて処理ガスもチャンバ２１内に供給する（実処理工程）。実処理工程では、チャンバ２１内の圧力が処理圧力となるように調整されつつ、処理ガスによって基板Ｗに対する実質的な処理が行われる。
【0107】
基板Ｗに対する処理が十分に行われると、ガス供給部６０はキャリアガスおよび処理ガスの供給を停止してドライ処理を終了させる。これにより、チャンバ２１内の圧力が再びベース圧力まで低下する。その後、処理済みの基板Ｗが基板搬送部によってチャンバ２１内から搬出される（搬出工程）。
【0108】
以上のように、ドライ処理において、チャンバ２１内の圧力は、一旦、キャリアガスによって調整され、その後、処理ガスが追加的に供給される。そこで、第２の実施の形態では、ドライ処理の実行状態を、キャリアガスのみが供給される調圧状態と、キャリアガスおよび処理ガスの両方が供給される実処理状態とに分けて考える。
【0109】
図９は、基板処理装置１００のタイミングチャートの一例を示す図である。図９では、チャンバ２１内の圧力の時間変化の一例も模式的に示されている。また、図９では、各処理ユニット２０の処理状態として、実処理状態、調圧状態および待機状態がそれぞれ「実処理」、「調圧」および「待機」で示されている。
【0110】
図９の例では、時刻ｔ１において、処理ユニット２０Ａに基板Ｗが搬入される。ここでは、基板Ｗの搬入はチャンバ２１内の圧力がベース圧力となった状態で行われる。処理ユニット２０Ａは基板Ｗの搬入後に速やかに調圧工程を開始する。処理ユニット２０Ａのチャンバ２１内の圧力が処理圧力に調整されると、時刻ｔ１１において、処理ユニット２０Ａは実処理工程を開始する。
【0111】
図９の例では、時刻ｔ１１の後の時刻ｔ２において、処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１に基板Ｗが搬入される。処理ユニット２０Ｂは基板Ｗの搬入後に速やかに調圧工程を開始する。処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１内の圧力が処理圧力に調整されると、時刻ｔ２１において、処理ユニット２０Ｂは実処理工程を開始する。
【0112】
図９の例では、時刻ｔ２１の後の時刻ｔ３において、処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１に基板Ｗが搬入される。処理ユニット２０Ｃは、基板Ｗの搬入後に速やかに調圧工程を開始する。処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１内の圧力が処理圧力に調整されると、時刻ｔ３１において、処理ユニット２０Ｃは実処理工程を開始する。
【0113】
図９の例では、時刻ｔ３１の後の時刻ｔ４において処理ユニット２０Ａがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ａのチャンバ２１から搬出される。また、時刻ｔ４よりも後の時刻ｔ５において、処理ユニット２０Ｂがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１から搬出される。また、時刻ｔ５よりも後の時刻ｔ６において、処理ユニット２０Ｃがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１から搬出される。
【0114】
図９の例では、処理ユニット２０の全体処理状態が３つの数字の並びで示されている。ここでは、実処理状態、調圧状態および待機状態がそれぞれ「２」、「１」、「０」で表現されている。例えば図９では、時刻ｔ１から時刻ｔ１１までの期間における全体処理状態は（１００）である。
【0115】
図９の例では、全体処理状態として（１００）、（２００）、（２１０）、（２２０）、（２２１）、（２２２）、（０２２）および（００２）が示されている。しかしながら、各工程のタイミングは処理レシピに応じて変化するので、全体処理状態のタイムスケジュールは図８に限らない。つまり、処理レシピによっては、図９に示された数字列以外の数字列も登場し得る。例えば、処理ユニット２０Ｂへ基板Ｗが搬入される時刻ｔ２が時刻ｔ１１よりも早まれば、時刻ｔ２から時刻ｔ１１までの期間の全体処理状態は（１１０）となる。
【0116】
全体処理状態の総組み合わせ数は、次のように算出される。すなわち、処理ユニット２０の数（ここでは３）を指数とした処理状態の数（ここでは３）の累乗から１（全てが待機状態である組）を引くことで、総組み合わせ数が算出される。上述の例では、総組み合わせ数は２６通りである。
【0117】
第２の実施の形態では、２６通りの組み合わせの各々において、各処理ユニット２０についてのコンダクタンスを予め取得し、当該コンダクタンスをコンダクタンスデータとして記憶媒体８２１に予め記憶しておく。コンダクタンスデータの取得処理の一例は図７のフローチャートと同様である。ただし、選択される全体処理状態は２６通りある。これにより、処理ユニット２０Ａに対するコンダクタンス値が２６通りの全体処理状態ごとに取得され、処理ユニット２０Ｂに対するコンダクタンス値が２６通りの全体処理状態ごとに取得され、処理ユニット２０Ｃに対するコンダクタンス値が２６通りの全体処理状態ごとに取得される。そして、これらのコンダクタンス値を含むコンダクタンスデータが記憶媒体８２１に記憶される。
【0118】
第２の実施の形態における基板処理装置１００の動作の一例も図８のフローチャートに示す通りである。まず、制御部８０は、処理レシピに基づいて、各期間の処理ユニット２０の全体処理状態を特定する（ステップＳ１）。つまり、制御部８０は全体処理状態のタイムスケジュールを特定する。図９の例に即して説明すると、制御部８０は各期間における全体処理状態を処理レシピに基づいて、それぞれ（１００）、（２００）、（２１０）、（２２０）、（２２１）、（２２２）、（０２２）および（００２）と特定する。
【0119】
次に、制御部８０は、ステップＳ１において特定した各期間の全体処理状態と、記憶媒体８２１に記憶されたコンダクタンスデータとに基づいて、各期間においてコンダクタンスのばらつきが低減するように、各期間におけるコンダクタンス調整部４４のコンダクタンス制御量を求める。コンダクタンス制御量の求め方は第１の実施の形態と同様である。ここでは一例として、時刻ｔ２から時刻ｔ２１までの期間に着目して説明しておく。当該期間おける全体処理状態は（２１０）である。よって、制御部８０は、記憶媒体８２１に記憶されたコンダクタンスデータから、（２１０）の全体処理状態における処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｂのコンダクタンス値を特定し、当該コンダクタンス値に基づいてそれぞれ、コンダクタンス調整部４４Ａおよびコンダクタンス調整部４４Ｂのコンダクタンス制御量を求める。
【0120】
次に、制御部８０は、ステップＳ１で特定したタイムスケジュールおよびステップＳ２で求めたコンダクタンス制御量に基づいて、基板Ｗを各処理ユニット２０に順次に搬送させつつ、各処理ユニット２０に基板Ｗに対するドライ処理を行わせる（ステップＳ３）。
【0121】
これにより、各期間において、各処理ユニット２０についての配管のコンダクタンスのばらつきを低減させることができる。第２の実施の形態では、処理状態をより細かく分類しているので、配管のコンダクタンスのばらつきをさらに低減させることができる。したがって、圧力の処理ユニット２０間のばらつきをさらに低減させることができ、基板Ｗに対する処理ユニット２０間の処理ばらつきをさらに低減させることができる。
【0122】
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１００は第１または第２の実施の形態と同様である。第３の実施の形態では、コンダクタンス調整部４４の具体的な構成の他の例について述べる。
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１００は第１または第２の実施の形態と同様である。第３の実施の形態では、コンダクタンス調整部４４の具体的な構成の他の例について述べる。
【0123】
図１０は、コンダクタンス調整部４４の構成の他の一例を概略的に示す図である。図１０の例では、コンダクタンス調整部４４はベローズ４８１と駆動機構４８２とを含む。ベローズ４８１は蛇腹状の筒状形状を有しており、伸縮自在である。具体的には、ベローズ４８１は筒状の中心軸に沿う方向において、伸縮自在である。ベローズ４８１は個別排出管４１に介装されており、ベローズ４８１の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成する。ベローズ４８１はその伸縮方向の両端が個別排出管４１に接続される。
【0124】
駆動機構４８２は制御部８０によって制御され、ベローズ４８１の伸縮方向の長さを調整する。駆動機構４８２は例えばベローズ４８１の両端に連結され、その両端の間の間隔（つまり、ベローズ４８１の伸縮方向の長さ）を調整する。駆動機構４８２は例えばボールねじ機構またはリニアモータを含む。駆動機構４８２はベローズ４８１を収縮させることにより、個別排出管４１の全体の長さ（配管長）を短くすることができる。つまり、コンダクタンスを高めることができる。駆動機構４８２がベローズ４８１を伸長させることにより、個別排出管４１の配管長を長くすることができる。つまり、コンダクタンスを低めることができる。
【0125】
図１１は、コンダクタンス調整部４４の構成の他の一例を概略的に示す図である。図１１の例では、コンダクタンス調整部４４は複数の並列管４９１と複数のバルブ４９２とを含む。複数の並列管４９１は互いに並列に接続され、個別排出管４１に介装される。図１０の例では、複数の並列管４９１として４つの並列管４９１ａ～４９１ｄが設けられる。各並列管４９１の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成する。複数の並列管４９１の断面積は互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。なお、並列管４９１にオリフィスが介装される場合、そのオリフィスの開口面積（開口径）が複数の並列管４９１の間で異なっていてもよい。この構造でも、並列管４９１の断面積が互いに相違するといえる。
【0126】
複数のバルブ４９２は複数の並列管４９１に対応して設けられる。図１１の例では、４つの並列管４９１が設けられているので、４つのバルブ４９２が設けられている。各バルブ４９２は、対応する並列管４９１に介装される。バルブ４９２は制御部８０によって制御され、並列管４９１の流路の開閉を切り替える。バルブ４９２は例えばエア作動弁である。
【0127】
複数のバルブ４９２の開閉状態が個別に切り替えられることにより、個別排出管４１の流路となる並列管４９１の総断面積を調整することができる。ここで、複数の並列管４９１の断面積が互いに異なる場合について述べる。並列管４９１ａ～４９１ｄの断面積はこの順で大きいものとする。つまり、並列管４９１ａの断面積が最も大きい。
【0128】
ここでは、４つのバルブ４９２のいずれか一つのみを開くものとする。例えば並列管４９１ａに介装されたバルブ４９２のみを開くと、他のバルブ４９２を開く場合に比べて、個別排出管４１のコンダクタンスを最も高くすることができる。また、並列管４９１ｂに介装されたバルブ４９２のみを開くと、コンダクタンスをその次に高くすることができ、並列管４９１ｃに介装されたバルブ４９２のみを開くと、コンダクタンスをその次に高くすることができ、並列管４９１ｄに介装されたバルブ４９２のみを開くと、コンダクタンスを最も低くすることができる。このように断面積の異なる４つの並列管４９１が設けられていれば、少なくとも４段階でコンダクタンスを調整することができる。
【0129】
複数のバルブ４９２を同時に開いてもよい。この場合、４つのバルブ４９２の開閉状態の組み合わせに応じて、より多くの階調でコンダクタンスを調整することができる。またコンダクタンスの調整可能範囲を広くすることもできる。
【0130】
また、このようなコンダクタンス調整部４４によれば、簡単な構造でコンダクタンスを調整できる。
【0131】
＜変形例＞
第１の実施の形態では、処理ユニット２０の処理状態として２つの状態（実行状態および待機状態）を採用し、第２の実施の形態では、３つの状態（調圧状態、実処理状態および待機状態）を採用した。しかるに、処理状態はこれらの状態に限らない。要するに、個別排出管４１の圧力分布が他の処理状態と異なり得る状態を処理状態の一つとして採用すればよい。例えば、実処理工程において、チャンバ２１内の圧力を時間ともに変化させる場合、処理状態として、圧力が低い第１値に調整された低圧処理状態と、圧力がより高い第２値に調整された高圧処理状態とを採用してもよい。
第１の実施の形態では、処理ユニット２０の処理状態として２つの状態（実行状態および待機状態）を採用し、第２の実施の形態では、３つの状態（調圧状態、実処理状態および待機状態）を採用した。しかるに、処理状態はこれらの状態に限らない。要するに、個別排出管４１の圧力分布が他の処理状態と異なり得る状態を処理状態の一つとして採用すればよい。例えば、実処理工程において、チャンバ２１内の圧力を時間ともに変化させる場合、処理状態として、圧力が低い第１値に調整された低圧処理状態と、圧力がより高い第２値に調整された高圧処理状態とを採用してもよい。
【0132】
また、コンダクタンス調整部４４は互いに同じ構造を有していることが望ましいものの、異なる構造を有していてもよい。
【0133】
また、個別排出管４１には不図示の圧力調整部が介装され得る。当該圧力調整部は制御部８０によって制御され、個別排出管４１内のガスの圧力を調整する。圧力調整部は、例えばオートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）であってもよい。この圧力調整部はガスの圧力が指示値に近づくように圧力を調整することができる。よって、チャンバ２１内の圧力を調整することができる。ここで、コンダクタンス調整部４４が設けられていない場合を考慮する。この場合、チャンバ２１内の圧力の処理ユニット２０間のばらつきを低減させるためには、圧力調整部がその開度を大きく調整させる必要がある。よって、圧力が所定の処理圧力となるまでの応答時間が長くなり得る。また、開度の調整可能範囲の広い圧力調整部を採用する必要がある。
【0134】
これに対して、本実施の形態によれば、コンダクタンス調整部４４がコンダクタンスのばらつきを低減させることができる。よって、各圧力調整部はより小さい開度の調整量で圧力を処理圧力に調整することができる。したがって、より短時間で圧力を処理圧力に調整することができ、また、調整可能範囲の狭い圧力調整部を採用することもできる。
【0135】
また上述の例では、基板処理装置１００は、ドライ処理を行う処理ユニット２０を含んでいるものの、ウェット処理を行う処理ユニット（ウェット処理ユニット）が混在していてもよい。ウェット処理ユニットは、例えば基板Ｗに対する洗浄処理を行う。処理ユニット２０とウェット処理ユニットとの間で基板Ｗを搬送することにより、ドライ処理の前もしくは後に基板Ｗを洗浄することがきる。
【0136】
以上のように、基板処理装置１００は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において、例示であって、この基板処理装置１００がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【0137】
１００ 基板処理装置
２１ チャンバ
２２ 基板保持部
２５ コンダクタンス検出部
２８１ 記憶媒体
４１ 個別排出管
４２ 共通排出管
４３ 排気ポンプ
４４ コンダクタンス調整部
４５１ 底部
４５２ 側壁
４６ 可動部材
４７ 駆動機構
４９１ 並列管
４９２ バルブ
６０ ガス供給部
８０ 制御部
Ｗ 基板
２１ チャンバ
２２ 基板保持部
２５ コンダクタンス検出部
２８１ 記憶媒体
４１ 個別排出管
４２ 共通排出管
４３ 排気ポンプ
４４ コンダクタンス調整部
４５１ 底部
４５２ 側壁
４６ 可動部材
４７ 駆動機構
４９１ 並列管
４９２ バルブ
６０ ガス供給部
８０ 制御部
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】