特許 7499876 シャワーヘッドを有する事前洗浄チャンバ上側シールド

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-06

(45)【発行日】2024-06-14

(54)【発明の名称】シャワーヘッドを有する事前洗浄チャンバ上側シールド

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240607BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022563895

(86)(22)【出願日】2021-04-19

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-05-31

(86)【国際出願番号】 US2021027957

(87)【国際公開番号】W WO2021216445

(87)【国際公開日】2021-10-28

【審査請求日】2022-12-16

(31)【優先権主張番号】16/855,559

(32)【優先日】2020-04-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】バブ， サラト

(72)【発明者】

【氏名】ジュプディ， アナンクリシュナ

(72)【発明者】

【氏名】オウ， ユエ シェン

(72)【発明者】

【氏名】ウェイ， ジュンチー

(72)【発明者】

【氏名】ボー， ケルビン タイ ミン

(72)【発明者】

【氏名】チャン， カン

(72)【発明者】

【氏名】和田 優一

【審査官】長谷川 直也

(56)【参考文献】

【文献】特表２００６－５０１６０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２５１０９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０３８８７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００９／０１８８６２５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００７－２４２７７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００９－５１２１８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２９０７７７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

プロセスチャンバの中で使用するためのプロセスキットであって、
上面に中央凹部が配設されている上部プレートと、
前記上部プレートの外側部分から前記中央凹部まで延びるチャネルと、
前記上部プレートを通って前記中央凹部の底面から前記上部プレートの下面まで配設された複数の穴と、
前記上部プレートに結合され、前記上部プレート内にプレナムを画定するために前記中央凹部の周囲に沿ってシールを形成するように構成されたカバープレートと、
前記上部プレートの前記下面から下方に延び、前記複数の穴を囲む管状本体であって、前記管状本体が、さらに、基板支持体を囲むように構成され、ガス流路が、前記複数の穴を通って前記チャネルから前記プレナムまで、および前記管状本体内の空間の中に延びる、管状本体と
を備え、
前記上部プレートの前記上面が、前記中央凹部の前記周囲に沿って前記シールを形成するように構成されたＯリングを収容するための第１の環状凹部を含み、前記上部プレートが、前記第１の環状凹部の半径方向外側にあり、前記上部プレートをアダプタに取り付けるように構成された複数の取付孔を含む、または
前記チャネルが前記上部プレートの前記下面から前記中央凹部まで延びる、
のうちの少なくとも一方である、
プロセスキット。

【請求項2】

前記上部プレートの前記上面が、前記上部プレートと前記カバープレートとの間にＲＦガスケットを収容するための第２の環状凹部を含む、請求項１に記載のプロセスキット。

【請求項3】

前記チャネルが前記上部プレートの外側側壁から前記プレナムまで水平方向に延びる、請求項１に記載のプロセスキット。

【請求項4】

前記上部プレートの外径が前記管状本体の外径よりも大きい、請求項１に記載のプロセスキット。

【請求項5】

前記複数の穴が０．０１インチ～０．１インチの直径を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項6】

前記プロセスキットがアルミニウムから製造された、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項7】

前記複数の穴が複数の同心円に沿って配列された、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項8】

前記カバープレートが円形ディスクである、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項9】

前記基板支持体を囲むように構成された環状リングと、
前記環状リングの上面から延びる環状リップと
をさらに備え、前記環状リングが、前記環状リングを通って延び、前記環状リングに沿って一定の間隔で配設された複数のリングスロットを含み、前記環状リップが、前記環状リップに沿って一定の間隔で配設された前記環状リップを通って延びる複数のリップスロットを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項10】

前記上部プレートが、前記上部プレートをプロセスチャンバ構成要素に取り付けるように構成された複数の取付孔を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項11】

前記複数の穴が２００個から３５０個の穴を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項12】

前記管状本体がいかなる貫通孔も含まない、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキット。

【請求項13】

内部空間を画定し、ポンプポートを有するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体の側壁に配設されたアダプタと、
前記内部空間中に配設された基板支持体と、
管状本体が前記基板支持体の周りに配設された、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセスキットと、
前記ポンプポートに結合され、前記管状本体と前記基板支持体との間の間隙を通って前記内部空間から粒子を除去するように構成されたポンプと
を備える、プロセスチャンバ。

【請求項14】

前記基板支持体を囲むように構成された環状リングと、前記環状リングの上面から延びる環状リップとを備える下側シールドをさらに備え、前記環状リングが複数のリングスロットを含み、前記環状リップが複数のリップスロットを含む、請求項１３に記載のプロセスチャンバ。

【請求項15】

前記基板支持体が、静電チャックを有するペデスタルを備える、請求項１３に記載のプロセスチャンバ。

【請求項16】

前記静電チャックが、前記静電チャックを通って延び、前記静電チャックの上面にプロセスガスを流すように構成されたガスチャネルを含む、請求項１５に記載のプロセスチャンバ。

【請求項17】

上側シールドが、前記上側シールドの上面に配設された中央凹部と、上部プレートに結合され、前記プレナムを画定するために前記中央凹部をカバーするように構成されたカバープレートとを有する上部プレートを含む、請求項１３に記載のプロセスチャンバ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、一般に、基板処理機器に関し、より詳細には、基板処理機器内で使用するためのプロセスキットに関する。

【背景技術】

【0002】

事前洗浄プロセスを実行するように構成されたプロセスチャンバが知られている。たとえば、そのようなチャンバは、基板上に１つまたは複数のバリア層、たとえば、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などを堆積するために、物理的気相堆積（ＰＶＤ）の前に基板の金属接点パッド上の自然酸化物を除去し、他の材料を除去するように構成される。事前洗浄チャンバは、一般に、金属接点パッド上の自然酸化物と他の材料とを除去するために（ＲＦプラズマによって誘導される）イオン衝撃を使用する。たとえば、事前洗浄プロセスは、基板から自然酸化物と材料とをエッチングすることができる。事前洗浄プロセスは、基板上の集積回路のパフォーマンスと電力消費とを向上させ、接着を促進するために、基板上の金属接点間の接触抵抗を下げるように構成される。

【0003】

プラズマ洗浄プロセスを実行するために、集積回路を備える基板がプラズマチャンバ中に配置され、ポンプがチャンバから空気の大部分を除去する。アルゴンなど、注入されたガスをプラズマ状態に励起するために、注入されたガスに電磁気エネルギー（たとえば、高周波）が印加される。プラズマは、基板の表面を衝撃するイオンを解放して基板から汚染物質および／または材料を除去する。汚染物質および／または基板材料の原子または分子が基板からエッチングされ、大部分はチャンバから排出される。しかしながら、汚染物質および／またはエッチングされた材料の一部はチャンバの表面上に堆積され得る。プロセスキットは、一般に、チャンバの表面上への汚染物質および／またはエッチングされた材料の堆積を低減するかまたは防ぐために使用される。しかしながら、プロセスキットは、プラズマチャンバへのプロセスガスの均一な流れを与えることを妨害し得る。

【0004】

したがって、発明者らは改善されたプロセスキットの実施形態を提供した。

【発明の概要】

【0005】

本明細書では、プロセスチャンバ中で使用するためのプロセスキットの実施形態が与えられる。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ中で使用するためのプロセスキットは、上面に中央凹部が配設されている上部プレートと、上部プレートの外側部分から中央凹部まで延びるチャネルと、上部プレートを通って凹部の底面から上部プレートの下面まで配設された複数の穴と、カバーされた凹部が上部プレート内でプレナムを形成するように、上部プレートに結合され、中央凹部の周囲に沿ってシールを形成するように構成されたカバープレートと、上部プレートの下面から下方に延び、複数の穴を囲む管状本体であって、管状本体が、さらに、基板支持体を囲むように構成され、ガス流路が、複数の穴を通ってチャネルからプレナムまで、および管状本体内の空間中に延びる、管状本体とを含む。

【0006】

いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ中で使用するためのプロセスキットは、上面に中央凹部が配設されている上部プレートと、上部プレートの外側部分から中央凹部まで延びるチャネルと、上部プレートを通って中央凹部の底面から上部プレートの下面まで配設された複数の穴とを含み、複数の穴は複数の同心円に沿って配置され、管状本体は、上部プレートの下面から下方に延び、複数の穴を囲み、管状本体は、さらに、基板支持体を囲むように構成され、管状本体の側壁はいかなる貫通孔も含まず、ガス流路は複数の穴を通ってチャネルから中央凹部まで、および管状本体内の空間中に延びる。

【0007】

いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ中で使用するためのプロセスキットは、基板支持体を囲むように構成された管状本体と、管状本体の上側端部に結合された上部プレートとを含み、上部プレートは、皿穴と、皿穴中に配設され、上部プレートを通って延びる中央開口とを含み、上部プレートは上側部分と下側部分とを含み、上側部分は下側部分の半径方向外側に延び、下側部分の外表面は管状本体の外表面と同一平面上にある。

【0008】

いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、内部空間を画定し、ポンプポートを有するチャンバ本体と、チャンバ本体の側壁に配設されたアダプタと、内部空間中に配設された基板支持体と、その中のプレナム、上側シールドの外側部分からプレナムまで延びるチャネル、上側シールドを通ってプレナムから上側シールドの下面まで配設された複数の穴、および下面から下方に延びる管状本体を有する上側シールドであって、管状本体が基板支持体の周りに配設された、上側シールドと、ポンプポートに結合され、管状本体と基板支持体との間の間隙を通って内部空間から粒子を除去するように構成されたポンプとを含む。

【0009】

他のおよびさらなる本開示の実施形態について以下で説明する。

【0010】

上記で手短に要約し、以下でより詳細に説明する本開示の実施形態は、添付の図面に示されている本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付の図面は、本開示の一般的な実施形態のみを示し、したがって、本開示は他の等しく効果的な実施形態が可能であり得るので、範囲を限定とするものと考えられるべきでない。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、プロセスチャンバの概略側面図を示す図である。

【図2A】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、上側シールドの上部等角断面図を示す図である。

【図2B】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、図２Ａの上側シールドの拡大図を示す図である。

【図3】本開示の少なくともいくつかの実施形態による、プロセスキットの等角断面図を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

理解を促進するために、図に共通である同等の要素を指定するために、可能な場合、同等の参照番号が使用されている。図は、一定の縮尺で描かれておらず、明快のために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる具陳なしに他の実施形態に有利に組み込まれ得る。

【0013】

本明細書では、プロセスチャンバ中で使用するためのプロセスキットの実施形態が提供される。プロセスチャンバは、基板に任意の好適なプロセスを実行するように構成され得る。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、エッチングプロセス、堆積プロセス、または事前洗浄プロセスを実行するように構成される。プロセスチャンバは、基板を支持するための基板支持体を含む。プロセスチャンバの内部空間から粒子を除去するためにポンプがプロセスチャンバに結合され得る。プロセスキットは、基板支持体の周りに配設され、有利には、チャンバ構成要素を不要な材料から保護するように構成され、上側シールドと基板支持体との間の処理空間に１つまたは複数のプロセスガスを与えるためのシャワーヘッドとして働くように構成された上側シールドを含む。プロセスキットはまた、プロセスキットを通る流れの高い伝導性を与えるように構成される。

【0014】

図１は、本開示の少なくともいくつかの実施形態による、プロセスキットを有するプロセスチャンバ（たとえば、プラズマ処理チャンバ）の概略側面図を示す。いくつかの実施形態では、プラズマ処理チャンバは事前洗浄処理チャンバである。しかしながら、異なるプロセスのために構成された他のタイプのプロセスチャンバも、本明細書で説明するプロセスキットの実施形態を使用することができるか、またはそれらの実施形態と共に使用するために変更され得る。

【0015】

チャンバ１００は、基板処理中に内部空間１２０内で大気圧よりも低い圧力を維持するように好適に適応された真空チャンバである。いくつかの実施形態では、チャンバ１００は約１．０ｍＴｏｒｒ～約２５．０ｍＴｏｒｒの圧力を維持することができる。チャンバ１００は、内部空間１２０の上側半分中に位置する処理空間１１９を囲むリッド１０４によってカバーされたチャンバ本体１０６を含む。いくつかの実施形態では、チャンバ本体１０６とリッド１０４との間のチャンバ本体１０６の側壁にアダプタ１８０が載っている。チャンバ本体１０６およびアダプタ１８０は、アルミニウムなど、金属から製造され得る。チャンバ本体１０６は結合を介して接地１１５に接地され得る。

【0016】

たとえば半導体ウエハなどの基板１２２、または静電的に保持され得る他のそのような基板を支持し、保持するために、基板支持体１２４が内部空間１２０内に配設される。基板支持体１２４は、一般に、ペデスタル１３６と、ペデスタル１３６を支持するための中空支持シャフト１１２とを備え得る。ペデスタル１３６は、その中に埋め込まれた１つまたは複数のチャック電極を有する静電チャック１５０を含む。いくつかの実施形態では、静電チャック１５０は誘電体プレートを備える。中空支持シャフト１１２は、静電チャック１５０に、たとえば、裏面ガス、プロセスガス、流体、冷却剤、電力などを与えるための導管を与える。いくつかの実施形態では、基板支持体１２４は、基板１２２のエッジにおけるプロセス均一性を向上させるために、静電チャック１５０の周りに配設されたエッジリング１８７を含む。いくつかの実施形態では、エッジリング１８７はアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）から製造される。基板１２２を内部空間１２０中におよび内部空間１２０から移送することを促進するために、スリットバルブ１３４がチャンバ本体１０６に結合され得る。

【0017】

いくつかの実施形態では、中空支持シャフト１１２は、上方の処理位置と下方の移送位置との間で静電チャック１５０の垂直方向の動きを与える、アクチュエータまたはモーターなど、リフト機構１１３に結合される。チャンバ１００内からの真空の損失を低減するかまたは防ぎながら静電チャック１５０の上下運動を可能にするフレキシブルなシールを与えるために、ベローズアセンブリ１１０が中空支持シャフト１１２の周りに配設され、静電チャック１５０とチャンバ１００の底面１２６との間に結合される。ベローズアセンブリ１１０はまた、Ｏリング１６５と接触している下側ベローズフランジ１６４、または、チャンバ真空の損失を防ぐのを助けるために底面１２６に接触する他の好適な密封要素を含む。

【0018】

基板リフト１３０は、基板１２２が静電チャック１５０上に配置されるかまたは静電チャック１５０から取り外され得るように、基板リフト１３０を上げ下げするための第２のリフト機構１３２に結合されたシャフト１１１に接続されたプラットフォーム１０８上に取り付けられたリフトピン１０９を含むことができる。静電チャック１５０は、リフトピン１０９を受けるためのスルーホールを含み得る。基板リフト１３０の上下運動中にチャンバ真空を維持するフレキシブルなシールを与えるために、ベローズアセンブリ１３１が基板リフト１３０と底面１２６との間に結合される。

【0019】

中空支持シャフト１１２は、静電チャック１５０に裏面ガス供給源１４１とチャッキング電源１４０とＲＦ電源１９０とを結合するための導管を与える。いくつかの実施形態では、チャッキング電源１４０は、基板１２２を保持するために導管１５４を介して静電チャック１５０にＤＣ電力を与える。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源１９０によって供給されるＲＦエネルギーは約１０ＭＨｚ以上の周波数を有し得る。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源１９０は約１３．５６ＭＨｚの周波数を有し得る。

【0020】

いくつかの実施形態では、裏面ガス供給源１４１は、チャンバ本体１０６の外側に配設され、静電チャック１５０にガスを供給する。いくつかの実施形態では、静電チャック１５０は、静電チャック１５０の下面から静電チャック１５０の上面１５２まで延びるガスチャネル１３８を含む。ガスチャネル１３８は、伝熱媒体として働くために静電チャック１５０の上面１５２に、窒素（Ｎ）、アルゴン（Ａｒ）、またはヘリウム（Ｈｅ）など、裏面ガスを与えるように構成される。ガスチャネル１３８は、使用中に基板１２２の温度および／または温度プロファイルを制御するためにガス導管１４２を介して裏面ガス供給源１４１と流体連結している。たとえば、裏面ガス供給源１４１は、使用中に基板１２２を冷却するためにガスを供給することができる。

【0021】

チャンバ１００は、そのような構成要素とエッチングされた材料と他の汚染物質との間の不要な反応を防ぐために、様々なチャンバ構成要素に外接するプロセスキットを含む。プロセスキットは上側シールド１１７を含む。上側シールド１１７は、アルミニウムなど、金属から製造され得る。いくつかの実施形態では、上側シールド１１７はアダプタ１８０またはチャンバ本体１０６の側壁に載っている。チャンバ１００はまた、その中に配設された基板を処理するためのチャンバ１００に１つまたは複数のプロセスガスを供給し得るプロセスガス供給源１１８に結合され、プロセスガス供給源１１８と流体連結している。上側シールド１１７は、プロセスガス供給源１１８から処理空間１１９まで流れを導くためのガス流路を含む。いくつかの実施形態では、ガス流路は、アダプタ１８０を通ってプロセスガス供給源１１８から上側シールド１１７まで延びる。いくつかの実施形態では、ガス流路は、アダプタ１８０を通って延びることなしにプロセスガス供給源１１８から上側シールド１１７まで延びる。いくつかの実施形態では、プロセスガス供給源１１８はアルゴン（Ａｒ）ガスを与える。

【0022】

上側シールド１１７は、その中にプレナム１６２と、上側シールド１１７の外側部分からプレナム１６３まで延びるチャネル１６６とを含む。上側シールド１１７は、プレナム１６２から上側シールド１１７の下面１７０まで複数の穴１６９を含む。いくつかの実施形態では、上側シールド１１７は、下面１７０から下方に延び、基板支持体１２４の周りに配設された管状本体を含む。

【0023】

いくつかの実施形態では、プロセスキットは、基板支持体１２４に外接する下側シールド１０５を含む。いくつかの実施形態では、下側シールド１０５はペデスタル１３６の接地部分に結合される。いくつかの実施形態では、下側シールド１０５は、アルミニウムなどの金属から製造される。いくつかの実施形態では、下側シールド１０５は、基板支持体１２４を囲む環状リング１８２と、環状リング１８２から上方に延びる環状リップ１８４とを備える。いくつかの実施形態では、環状リップ１８４は環状リング１８２から実質的に垂直に延びる。いくつかの実施形態では、接地している下側シールド１０５に上側シールド１１７を有利に接地させるために、１つまたは複数の金属ストラップ（図示せず）が上側シールド１１７と下側シールド１０５との間に配設される。

【0024】

環状リング１８２は、環状リング２４６を通って延びる複数のリングスロット１８６を含む。いくつかの実施形態では、複数のリングスロット１８６は環状リング１８２に沿って一定の間隔で配設される。いくつかの実施形態では、複数のリングスロット１８６は、複数の第１のリングスロットと、複数の第１のリングスロットの半径方向外側に配設された複数の第２のリングスロットとを含む。いくつかの実施形態では、環状リップ１８４は、環状リップ１８４を通って延びる複数のリップスロット１８８を含む。いくつかの実施形態では、複数のリップスロット１８８は環状リップ１８４に沿って一定の間隔で配設される。いくつかの実施形態では、複数のリップスロット１８８は複数の列を含み、複数のリップスロット１８８は複数の列の各々に沿って配置される。たとえば、複数のリップスロット１８８は、環状リング１８２に近接する下側列と、環状リップ１８４の上面に近接する上側列と、上側列と下側列との間に配設された中央列とを含み得る。

【0025】

複数のリングスロット１８６および複数のリップスロット１８８は、有利には、スロットを通るプラズマ漏れを最小にしながら、それを通して伝導性の向上を可能にするようにサイズ決定される。したがって、複数のリングスロット１８６は、内部空間１２０中の圧力と、内部空間１２０中の温度と、たとえばＲＦ電源１９０を介してチャンバ１００に与えられるＲＦ電力の周波数とに基づいてサイズ決定される。ポンプポート１２８は、下側シールド１０５の複数のリングスロット１８６と複数のリップスロット１８８とを通した内部空間１２０からの粒子の除去を容易にするように構成される。

【0026】

チャンバ１００は、チャンバ１００を排気するために使用されるスロットルバルブ（図示せず）とポンプ（図示せず）とを含む真空システム１１４に結合され、真空システム１１４と流体連結している。いくつかの実施形態では、真空システム１１４は、チャンバ本体１０６の底面１２６上に配設されたポンプポート１２８に結合される。ポンプポート１２８は、上側シールド１１７と基板支持体１２４との間の間隙を通した内部空間１２０からの粒子の除去を容易にする。チャンバ１００の内側の圧力は、スロットルバルブおよび／または真空ポンプを調整することによって調整され得る。いくつかの実施形態では、ポンプは約１９００リットル毎秒～約３０００リットル毎秒の流量を有する。

【0027】

動作中に、たとえば、１つまたは複数のプロセスを実行するために内部空間１２０中にプラズマ１０２が生成され得る。プラズマ１０２は、プロセスガスに点火してプラズマ１０２を生成するために、プラズマ電源（たとえば、ＲＦ電源１９０）からの電力を、静電チャック１５０を介してプロセスガスに結合することによって生成され得る。ＲＦ電源１９０はまた、プラズマからのイオンを基板１２２の方に引きつけるように構成される。上側シールド１１７は、使用中にプラズマ１０２を閉じ込めるように構成される。

【0028】

図２Ａは、本開示の少なくともいくつかの実施形態による、上側シールド１１７の等角断面図を示す。上側シールド１１７は、一般に、上部プレート２１０と、上部プレート２１０の下面２０４から下方に延びる管状本体２２０とを含む。いくつかの実施形態では、上側シールド１１７は上部プレート２１０と管状本体２２０との間の界面における半径を含む。管状本体２２０は、基板支持体１２４を囲むように構成された内面２１２を有する。管状本体２２０の内面２１２および上部プレート２１０の下面２０４は処理空間１１９を少なくとも部分的に画定する。いくつかの実施形態では、管状本体２２０の側壁はいかなる貫通孔も含まない。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は形状が円形である。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は、管状本体２２０の外径よりも大きい外径を有する。いくつかの実施形態では、管状本体２２０は上部プレート２１０から真っ直ぐ下方に延びる。いくつかの実施形態では、環状リップ１８４が管状本体２２０の周りに配設されるように、管状本体２２０の外径は環状リップ１８４の内径よりも小さい。いくつかの実施形態では、管状本体２２０の内径は約１５．０インチ～約１９．０インチである。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０の外径は約２２．０インチ～約２５．０インチである。

【0029】

いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は、その上面２０８に配設された中央凹部２０６を含む。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は、上部プレート２１０の外側部分２１４から中央凹部２０６まで延びるチャネル１６６を含む。いくつかの実施形態では、チャネル１６６は上部プレート２１０の外側側壁２１６から延びる。いくつかの実施形態では、チャネル１６６は外側側壁２１６から中央凹部２０６まで水平方向に延びる。いくつかの実施形態では、ガス流路がプロセスガス供給源１１８から外側側壁２１６にあるチャネル１６６まで中央凹部２０６まで延びる。いくつかの実施形態では、第２のチャネル２３８が上部プレート２１０の下面２０４からチャネル１６６まで延び、チャネル１１６は上部プレート２１０の外側側壁２１６において差し込まれる。第２のチャネル２３８は、プロセスガスをプロセスガス供給源１１８からアダプタ１８０を通して第２のチャネル２３８中に流すように構成されたアダプタ１８０中のチャネルに流体結合される。

【0030】

上部プレート２１０は、中央凹部２０６の底面２２２から上部プレートの下面２０４まで延びる複数の穴１６８を含む。管状本体２２０は、ガスが複数の穴１６８を通って管状本体２２０内の空間中に流れる際に、プロセスガス供給源１１８からのプロセスガスを閉じ込めるために、複数の穴１６８を囲む。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０の上面２０８は、Ｏリング３１０を収容するために中央凹部２０６の半径方向外側に配設された第１の環状凹部２２４を含む。いくつかの実施形態では、上面２０８は、ＲＦガスケット３２０を収容するために中央凹部２０６の半径方向外側に第２の環状凹部２３４を含む。いくつかの実施形態では、第２の環状凹部２３４は第１の環状凹部２２４の半径方向外側に配設される。

【0031】

いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は、上部プレート２１０をアダプタ１８０またはチャンバ本体１０６に取り付けるように構成された複数の取付孔２２８を含む。いくつかの実施形態では、複数の取付孔２２８は第１の環状凹部２２４の半径方向外側に配設される。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は、上部プレート２１０をリッド１０４に取り付けるように構成された複数のリッド取付孔２３０を含む。いくつかの実施形態では、複数のリッド取付孔２３０は複数の取付孔２２８の半径方向内側に配設される。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０は、上部プレート２１０にカバープレート３０２（図３参照）を取り付けるように構成された複数のカバープレート穴２３２を含む。

【0032】

図２Ｂは、本開示の少なくともいくつかの実施形態による、図２Ａの上側シールド１１７の拡大図２５０を示す。いくつかの実施形態では、複数の穴１６８は複数の同心円に沿って配置される。いくつかの実施形態では、複数の穴１６８は３つの同心円に沿って配置される。いくつかの実施形態では、半径方向最も内側の同心円２５５は、約３．０インチ～約５．０インチの直径を有する。いくつかの実施形態では、半径方向最も外側の同心円２６０は、約１０．０インチ～約１３．０インチの直径を有する。いくつかの実施形態では、複数の穴１６８の各々は同様の直径を有する。いくつかの実施形態では、複数の穴１６８は約０．０１インチ～約０．１インチの直径を有する。いくつかの実施形態では、複数の穴は約２００個から約３５０個までの穴を含む。

【0033】

図３は、本開示の少なくともいくつかの実施形態による、プロセスキットの等角図を示す。いくつかの実施形態では、カバーされた凹部が上部プレート２１０内にプレナム１６２を形成するように、中央凹部２０６の周囲に沿ってシールを形成するために、カバープレート３０２が上部プレート２１０に結合される。いくつかの実施形態では、中央凹部２０６の周囲に沿ってシールを形成するために、Ｏリング３１０が第１の環状凹部２２４中に配設される。いくつかの実施形態では、ＲＦガスケット３２０は、上部プレート２１０とカバープレート３０２との間の電気的接続を維持するために第２の環状凹部２３４中に配設される。カバープレート３０２は、金属、たとえば、アルミニウムから製造され得る。カバープレート３０２は円形ディスクであり得る。いくつかの実施形態では、カバープレート３０２は、カバープレート３０２を上部プレート２１０に結合することを容易にするために上部プレート２１０の複数のカバープレート穴２３２と整合させられた複数の取付孔３０８を含む。いくつかの実施形態では、上部プレート２１０の外側側壁２１６は、チャネル１６６にガスラインを結合することを容易にするためにスロット３０６を含む。いくつかの実施形態では、スロット３０６は、外側側壁２１６においてチャネル１６６を密封するためのプラグを収容し、第２のチャネル２３８からのプロセスガス流をプレナム１６２へのチャネル１６６内に導き得る。

【0034】

上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の他のおよびさらなる実施形態は、本開示の基本範囲から逸脱することなく考案され得る。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】