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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-09
(45)【発行日】2024-09-18
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20240910BHJP
H01F 27/32 20060101ALI20240910BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F27/32 101
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2022578103
(86)(22)【出願日】2021-12-07
(86)【国際出願番号】 JP2021044983
(87)【国際公開番号】W WO2022163141
(87)【国際公開日】2022-08-04
【審査請求日】2023-05-12
(31)【優先権主張番号】P 2021014489
(32)【優先日】2021-02-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】星野 悠太
【審査官】右田 勝則
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－０９８３７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３１７７４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－３０２１２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０３６０５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／１３４３７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２０／２４１１２２（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １７／００ －２１／１２
Ｈ０１Ｆ ２７／００
Ｈ０１Ｇ ４／００
Ｈ０１Ｇ １３／００ －１７／００
Ｈ０１Ｃ ７／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｕ元素を含むセラミックの素体と、前記素体の表面の少なくとも一部を覆う、ガラスを含む絶縁膜と、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物と、を備え、前記Ｃｕ偏析物は、前記素体と前記絶縁膜との界面において、前記素体と前記絶縁膜とに接している、電子部品。
【請求項2】
前記Ｃｕ偏析物の形状が、前記Ｃｕ偏析物の一部が前記素体側に突出する楔状である、請求項１に記載の電子部品。【請求項3】
前記Ｃｕ偏析物の、前記素体と前記絶縁膜との界面が延びる方向における長さをＬａ、これに直交する方向における長さをＬｂとしたときに、前記Ｃｕ偏析物の形状が、前記長さＬｂに対する前記長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］が３以下となる粒状である、請求項１に記載の電子部品。【請求項4】
前記Ｃｕ偏析物の直上に接する前記絶縁膜の厚さは、０．５μｍ未満である、請求項２又は３に記載の電子部品。【請求項5】
前記Ｃｕ偏析物の、前記素体と前記絶縁膜との界面が延びる方向における長さをＬａ、これに直交する方向における長さをＬｂとしたときに、前記Ｃｕ偏析物の形状が、前記長さＬｂに対する前記長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］が３を超える層状である、請求項１に記載の電子部品。【請求項6】
前記Ｃｕ偏析物の直上に接する前記絶縁膜の厚さは、０．５μｍ以上である請求項５に記載の電子部品。【請求項7】
前記素体と前記絶縁膜の界面には、前記Ｃｕ偏析物が複数存在している、請求項１～６のいずれか１項に記載の電子部品。【請求項8】
前記素体の直上に接する前記絶縁膜の厚さが、前記Ｃｕ偏析物の直上に接する前記絶縁膜の厚さよりも厚い、請求項１～７のいずれか１項に記載の電子部品。【請求項9】
前記素体の表面は、複数の前記絶縁膜によって覆われている、請求項１～８のいずれか１項に記載の電子部品。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
フェライト焼結体からなる素体の表面に、ガラスを含む絶縁膜を形成した積層コイル部品が知られている。
【0003】
特許文献１には、フェライト焼結体からなる素体と、素体内に併置されている複数の内部導体が電気的に接続されて構成されたコイルとを備え、素体の表面がガラスを含む絶縁層で覆われた積層コイル部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１７－２０４５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１に記載された積層コイル部品においては、素体と絶縁層（絶縁膜）との密着性が低く、密着性を向上させる余地があった。
【0006】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、素体と絶縁膜との密着性が高い電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の電子部品の一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミックの素体と、上記素体の表面の少なくとも一部を覆う、ガラスを含む絶縁膜と、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物と、を備え、上記Ｃｕ偏析物は、上記素体と上記絶縁膜との界面において、上記素体と上記絶縁膜とに接している。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、素体と絶縁膜との密着性が高い電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
【0011】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第二実施形態以降では、第一実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【0012】
以下に示す図面は模式的なものであり、その寸法や縦横比の縮尺などは実際の製品とは異なる場合がある。
【0013】
本発明の電子部品の一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミックの素体と、上記素体の表面の少なくとも一部を覆う、ガラスを含む絶縁膜と、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物と、を備え、上記Ｃｕ偏析物は、上記素体と上記絶縁膜との界面において、上記素体と上記絶縁膜とに接している。
【0014】
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す斜視図である。
図１に示す電子部品１は、素体１０と、素体１０の表面の一部を覆う絶縁膜２０とを備える。
素体１０は、長さ方向Ｌに対向する第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂと、長さ方向Ｌに直交する幅方向Ｗに対向する第１側面１０ｃ及び第２側面１０ｄと、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに直交する厚さ方向Ｔに対向する上面１０ｅ及び底面１０ｆと、を有する略直方体形状である。
絶縁膜２０は、素体１０の第２側面１０ｄの全部と、第１端面１０ａ、第２端面１０ｂ、上面１０ｅ及び底面１０ｆの一部を覆う絶縁膜２０ａと、素体１０の第１側面１０ｃの全部と、第１端面１０ａ、第２端面１０ｂ、上面１０ｅ及び底面１０ｆの一部を覆う絶縁膜２０ｂを備える。
素体１０の上面１０ｅ及び底面１０ｆにおいて、絶縁膜２０ａと絶縁膜２０ｂは一部が重なって設けられている。
なお、素体の表面を覆う絶縁膜の数は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。例えば、後述する導体層が素体の表面に露出している部分を除いて、素体の表面の全てが１つまたは複数の絶縁膜で覆われていてもよい。
図１に示す電子部品１は、素体１０と、素体１０の表面の一部を覆う絶縁膜２０とを備える。
素体１０は、長さ方向Ｌに対向する第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂと、長さ方向Ｌに直交する幅方向Ｗに対向する第１側面１０ｃ及び第２側面１０ｄと、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに直交する厚さ方向Ｔに対向する上面１０ｅ及び底面１０ｆと、を有する略直方体形状である。
絶縁膜２０は、素体１０の第２側面１０ｄの全部と、第１端面１０ａ、第２端面１０ｂ、上面１０ｅ及び底面１０ｆの一部を覆う絶縁膜２０ａと、素体１０の第１側面１０ｃの全部と、第１端面１０ａ、第２端面１０ｂ、上面１０ｅ及び底面１０ｆの一部を覆う絶縁膜２０ｂを備える。
素体１０の上面１０ｅ及び底面１０ｆにおいて、絶縁膜２０ａと絶縁膜２０ｂは一部が重なって設けられている。
なお、素体の表面を覆う絶縁膜の数は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。例えば、後述する導体層が素体の表面に露出している部分を除いて、素体の表面の全てが１つまたは複数の絶縁膜で覆われていてもよい。
【0015】
素体１０の表面には、外部電極５０が設けられている。
外部電極５０は、素体１０の第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂをそれぞれ覆うように設けられている。素体１０の第１端面１０ａを覆う外部電極５０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。また、素体１０の第２端面１０ｂを覆う外部電極５０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。
素体１０の表面の一部は絶縁膜２０（２０ａ、２０ｂ）によって覆われており、素体１０の表面のうち絶縁膜２０で覆われていない部分は、外部電極５０によって覆われている。従って、素体１０の表面は露出していない。ただし、素体の表面の一部が絶縁膜及び外部電極に覆われておらず、露出していてもよい。
外部電極５０は、素体１０の第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂをそれぞれ覆うように設けられている。素体１０の第１端面１０ａを覆う外部電極５０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。また、素体１０の第２端面１０ｂを覆う外部電極５０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。
素体１０の表面の一部は絶縁膜２０（２０ａ、２０ｂ）によって覆われており、素体１０の表面のうち絶縁膜２０で覆われていない部分は、外部電極５０によって覆われている。従って、素体１０の表面は露出していない。ただし、素体の表面の一部が絶縁膜及び外部電極に覆われておらず、露出していてもよい。
【0016】
図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ線断面図である。
図２に示すように、素体１０は、内部に導体層４０を有している。導体層４０は、素体１０の第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂに露出しており、外部電極５０と電気的に接続されている。また、導体層４０は全体としてコイルを形成している。導体層４０により形成されたコイルのコイル軸は、長さ方向Ｌに平行である。
図２に示すように、素体１０は、内部に導体層４０を有している。導体層４０は、素体１０の第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂに露出しており、外部電極５０と電気的に接続されている。また、導体層４０は全体としてコイルを形成している。導体層４０により形成されたコイルのコイル軸は、長さ方向Ｌに平行である。
【0017】
図３は、本発明の実施形態に係る電子部品の別の一例を模式的に示す斜視図である。
図３に示す電子部品２は、素体１１と、素体１１の表面の一部を覆う絶縁膜２０とを備える。素体１１の形状は、巻線４３が巻回された柱状の巻芯部６０と、巻芯部６０の長さ方向Ｌの両端部にそれぞれ接続された鍔部６１を有するバーベル形状である。巻線４３は素体１１の巻芯部６０に巻回されている。
図３に示す電子部品２は、素体１１と、素体１１の表面の一部を覆う絶縁膜２０とを備える。素体１１の形状は、巻線４３が巻回された柱状の巻芯部６０と、巻芯部６０の長さ方向Ｌの両端部にそれぞれ接続された鍔部６１を有するバーベル形状である。巻線４３は素体１１の巻芯部６０に巻回されている。
【0018】
図４は、図３におけるＩＶ－ＩＶ線断面図である。
図４に示すように、絶縁膜２０は、素体１１の鍔部６１の全部と、巻芯部６０の全部を覆っている。素体１１の表面の全てが絶縁膜２０で覆われているため、巻線４３は、素体１１と接触していない。なお、図示していないが、巻線４３の端部は外部電極５０に接続されている。
図３及び図４に示す電子部品２において、素体１１の全ての表面は絶縁膜２０に覆われており、巻線４３は、素体１１と接触していない。なお、素体の表面を覆う絶縁膜の数は特に限定されず、素体の表面が２個以上の絶縁膜により覆われていてもよい。
図４に示すように、絶縁膜２０は、素体１１の鍔部６１の全部と、巻芯部６０の全部を覆っている。素体１１の表面の全てが絶縁膜２０で覆われているため、巻線４３は、素体１１と接触していない。なお、図示していないが、巻線４３の端部は外部電極５０に接続されている。
図３及び図４に示す電子部品２において、素体１１の全ての表面は絶縁膜２０に覆われており、巻線４３は、素体１１と接触していない。なお、素体の表面を覆う絶縁膜の数は特に限定されず、素体の表面が２個以上の絶縁膜により覆われていてもよい。
【0019】
［素体］
本発明の電子部品の一実施形態において、素体は、Ｃｕ元素を含むセラミックである。
本発明の電子部品の一実施形態において、素体は、Ｃｕ元素を含むセラミックである。
【0020】
Ｃｕ元素を含むセラミックとしては、例えば、フェライト、アルミナ、チタン酸バリウム、Ｚｎ系セラミック等の公知のセラミックにＣｕ元素を含有させたもの等が挙げられる。
Ｃｕ元素を含むセラミックは、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加剤を含んでいてもよい。
Ｃｕ元素を含むセラミックは、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加剤を含んでいてもよい。
【0021】
素体におけるＣｕ元素の含有量は、６ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
なお、素体におけるＣｕ元素の含有量には、素体の表面に偏析するＣｕ偏析物を構成するＣｕ元素を考慮から除外するものとする。
素体におけるＣｕ元素の含有量は、研磨により素体の表面から１０μｍ以上素体の内側に入った断面を露出させ、φ１μｍ以上のスポット径で波長分散型蛍光Ｘ線（ＷＤ－ＸＲＦ）測定することで、偏析の影響を排除した値として測定することができる。なお、測定箇所によるばらつきをさらに低減するために、５個程度のサンプルでＷＤ－ＸＲＦ測定を行ってもよい。
なお、素体におけるＣｕ元素の含有量には、素体の表面に偏析するＣｕ偏析物を構成するＣｕ元素を考慮から除外するものとする。
素体におけるＣｕ元素の含有量は、研磨により素体の表面から１０μｍ以上素体の内側に入った断面を露出させ、φ１μｍ以上のスポット径で波長分散型蛍光Ｘ線（ＷＤ－ＸＲＦ）測定することで、偏析の影響を排除した値として測定することができる。なお、測定箇所によるばらつきをさらに低減するために、５個程度のサンプルでＷＤ－ＸＲＦ測定を行ってもよい。
【0022】
素体におけるＦｅ元素の含有量は、Ｆｅ２Ｏ３換算で４０ｍｏｌ％以上、４９．５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【0023】
素体におけるＮｉ／Ｚｎモル比は特に限定されないが、１．８以上、２．８以下であることが好ましい。
【0024】
素体の形状は、特に限定されないが、例えば、立方体形状、直方体形状、バーベル形状、Ｈ形状、Ｉ形状、環状形状等が挙げられる。
素体の外形寸法については特に限定されないが、より小型であるほど、素体と絶縁膜との接触面積が小さくなるため、素体と絶縁膜の密着性を向上させにくくなるという問題が顕著となる。
例えば、素体の外形寸法は、長さ５．７ｍｍ以下×幅５．０ｍｍ以下×高さ５．０ｍｍ以下であることが好ましく、長さ１．６ｍｍ以下×幅０．８ｍｍ以下×高さ０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
素体の外形寸法については特に限定されないが、より小型であるほど、素体と絶縁膜との接触面積が小さくなるため、素体と絶縁膜の密着性を向上させにくくなるという問題が顕著となる。
例えば、素体の外形寸法は、長さ５．７ｍｍ以下×幅５．０ｍｍ以下×高さ５．０ｍｍ以下であることが好ましく、長さ１．６ｍｍ以下×幅０．８ｍｍ以下×高さ０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
【0025】
素体は、内部に導体層を有していてもよい。
素体の内部に形成された導体層は、コイル、コンデンサ、抵抗、サーミスタ等の受動素子を形成していてもよい。受動素子は、素体の内部に複数形成されていてもよい。
素体内に形成された受動素子の向きは任意である。従って、素体内に形成されたコイルのコイル軸は、電子部品の実装面に対して水平であってもよいし、垂直であってもよい。また、素体内に形成されたコイルの数は１つであってもよく、複数であってもよい。
素体内にコイルが形成されている場合の本発明の電子部品の例としては、積層コイル部品が挙げられるが、導体層が形成する受動素子の種類によって、積層コンデンサ部品、積層抵抗部品、積層サーミスタ部品等であってもよい。
素体の内部に形成された導体層は、コイル、コンデンサ、抵抗、サーミスタ等の受動素子を形成していてもよい。受動素子は、素体の内部に複数形成されていてもよい。
素体内に形成された受動素子の向きは任意である。従って、素体内に形成されたコイルのコイル軸は、電子部品の実装面に対して水平であってもよいし、垂直であってもよい。また、素体内に形成されたコイルの数は１つであってもよく、複数であってもよい。
素体内にコイルが形成されている場合の本発明の電子部品の例としては、積層コイル部品が挙げられるが、導体層が形成する受動素子の種類によって、積層コンデンサ部品、積層抵抗部品、積層サーミスタ部品等であってもよい。
【0026】
素体は、内部に導体層を有していなくてもよい。
この場合、素体は、周囲に巻線を巻きつけて、巻線コアとして使用することもできる。
素体の周囲に巻線が巻きつけられている場合の本発明の電子部品の例としては、巻線コイル部品が挙げられる。素体の周囲に巻線を巻きつけることで構成されるコイルの数は、１つであってもよく、複数であってもよい。
この場合、素体は、周囲に巻線を巻きつけて、巻線コアとして使用することもできる。
素体の周囲に巻線が巻きつけられている場合の本発明の電子部品の例としては、巻線コイル部品が挙げられる。素体の周囲に巻線を巻きつけることで構成されるコイルの数は、１つであってもよく、複数であってもよい。
【0027】
［絶縁膜］
本発明の電子部品の一実施形態において、絶縁膜は、素体の表面の少なくとも一部を覆っている。
本発明の電子部品の一実施形態において、絶縁膜は、素体の表面の少なくとも一部を覆っている。
【0028】
絶縁膜は、ガラスを含んでいる。
絶縁膜を構成するガラスとしては、Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ－Ｃａ－Ａｌ系ガラス等を使用することができる。これらの他にも、Ｎａ－Ｓｉ系ガラス、Ｋ－Ｓｉ系ガラス、Ｌｉ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ金属系ガラス、Ｍｇ－Ｓｉ系ガラス、Ｃａ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｓｉ系ガラス、Ｓｒ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ土類金属系ガラス、Ｔｉ－Ｓｉ系ガラス、Ｚｒ－Ｓｉ系ガラス、Ａｌ－Ｓｉ系ガラス等を使用することもできる。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
絶縁膜を構成するガラスとしては、Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ－Ｃａ－Ａｌ系ガラス等を使用することができる。これらの他にも、Ｎａ－Ｓｉ系ガラス、Ｋ－Ｓｉ系ガラス、Ｌｉ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ金属系ガラス、Ｍｇ－Ｓｉ系ガラス、Ｃａ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｓｉ系ガラス、Ｓｒ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ土類金属系ガラス、Ｔｉ－Ｓｉ系ガラス、Ｚｒ－Ｓｉ系ガラス、Ａｌ－Ｓｉ系ガラス等を使用することもできる。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
【0029】
絶縁膜に占めるガラスの重量割合は、特に限定されないが、９０重量％以上であることが好ましい。
【0030】
絶縁膜の厚さは特に限定されないが、０．００５μｍ以上、１０．０００μｍ以下であることが好ましく、０．０３０μｍ以上、１．５００μｍ以下であることがさらに好ましい。なお、絶縁膜の厚さを１０μｍ以下とすることで、電子部品の特性に与える影響を大きく低減できる。
絶縁膜の厚さは、絶縁膜を厚さ方向に切断した断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより測定することができる。
絶縁膜の厚さは、絶縁膜を厚さ方向に切断した断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより測定することができる。
【0031】
絶縁膜は、ガラスの他に、顔料、シリコーン系難燃剤、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などの表面処理剤、帯電防止剤等を含有していてもよい。
【0032】
［Ｃｕ偏析物］
本発明の電子部品の一実施形態において、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物は、素体と絶縁膜との界面において、素体と絶縁膜とに接している。
本発明の電子部品の一実施形態において、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物は、素体と絶縁膜との界面において、素体と絶縁膜とに接している。
【0033】
素体と絶縁膜との界面に、Ｃｕ偏析物が存在していることにより、素体と絶縁膜との密着性が高まる。
Ｃｕ偏析物は、素体上のどこに存在していてもよいが、素体のセラミックの粒界上に存在していたほうが好ましい。素体のセラミックの粒界は、素体の表面で凹形状となっているため、Ｃｕ偏析物が当該凹形状となる粒界上に存在することで、アンカー効果が発生し、Ｃｕ偏析物と素体の密着性がより向上する。
Ｃｕ偏析物は、素体上のどこに存在していてもよいが、素体のセラミックの粒界上に存在していたほうが好ましい。素体のセラミックの粒界は、素体の表面で凹形状となっているため、Ｃｕ偏析物が当該凹形状となる粒界上に存在することで、アンカー効果が発生し、Ｃｕ偏析物と素体の密着性がより向上する。
【0034】
Ｃｕ偏析物の組成は特に限定されないが、少なくともＣｕ元素を含んでいればよく、例えば、Ｃｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ等が挙げられる。また、Ｃｕ偏析物は、ガラスを含んでいてもよい。
【0035】
素体と絶縁膜との界面には、複数個のＣｕ偏析物が存在していてもよい。素体と絶縁膜との界面に複数個のＣｕ偏析物が存在していると、素体と絶縁膜との密着性をより高めることができる。
【0036】
素体と絶縁膜との界面にＣｕ偏析物が存在しているかどうかは、電子部品を切断した切断面において、素体と絶縁膜との界面を走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＳＥＭ－ＥＤＸ）で観察することにより確認することができる。
ＳＥＭ－ＥＤＸにより得られた素体と絶縁膜との界面近傍の元素マッピング画像から、Ｃｕ元素の濃度分布を確認することによって、素体と絶縁膜との界面近傍に存在するＣｕ偏析物の形状を特定することができる。
素体がフェライトの場合、素体はＦｅ元素が主成分となり、Ｃｕ偏析物はＣｕ元素が主成分となり、絶縁膜はＳｉ元素が主成分となる。従って、元素マッピング画像において、Ｆｅ元素、Ｃｕ元素及びＳｉ元素の濃度を比較することにより、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及び絶縁膜を区別することができる。
また、素体がフェライト以外のセラミックの場合には、セラミックの主成分の元素と、Ｃｕ元素と、Ｓｉ元素の濃度を比較することで、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及び絶縁膜を区別することができる。例えば、素体がアルミナの場合にはＡｌ元素を、素体がコンデンサ用のチタン酸バリウムである場合にはＴｉ元素又はＢａ元素を、素体がサーミスタ用のＺｎ系セラミックである場合にはＺｎ元素を、それぞれセラミックの主成分とすればよい。
ＳＥＭ－ＥＤＸにより得られた素体と絶縁膜との界面近傍の元素マッピング画像から、Ｃｕ元素の濃度分布を確認することによって、素体と絶縁膜との界面近傍に存在するＣｕ偏析物の形状を特定することができる。
素体がフェライトの場合、素体はＦｅ元素が主成分となり、Ｃｕ偏析物はＣｕ元素が主成分となり、絶縁膜はＳｉ元素が主成分となる。従って、元素マッピング画像において、Ｆｅ元素、Ｃｕ元素及びＳｉ元素の濃度を比較することにより、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及び絶縁膜を区別することができる。
また、素体がフェライト以外のセラミックの場合には、セラミックの主成分の元素と、Ｃｕ元素と、Ｓｉ元素の濃度を比較することで、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及び絶縁膜を区別することができる。例えば、素体がアルミナの場合にはＡｌ元素を、素体がコンデンサ用のチタン酸バリウムである場合にはＴｉ元素又はＢａ元素を、素体がサーミスタ用のＺｎ系セラミックである場合にはＺｎ元素を、それぞれセラミックの主成分とすればよい。
【0037】
Ｃｕ偏析物の形状は特に限定されないが、粒状、楔状、層状であってもよい。
Ｃｕ偏析物の形状は、アスペクト比の値、及び、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかの判定により決定することができる。
Ｃｕ偏析物のアスペクト比は、素体と絶縁膜との界面が延びる方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬａ、これに直交する方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬｂとしたときに、長さＬｂに対する長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］（以下、アスペクト比ともいう）で表される。なお、長さＬｂは、Ｃｕ偏析物の、素体に最も近い地点と、素体から最も遠い地点とを認定した上で、該地点を通り、かつ、素体と絶縁膜との界面が延びる方向に平行な線分をそれぞれ仮定した際の、２つの線分間の距離に相当する。
Ｃｕ偏析物の形状は、アスペクト比の値、及び、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかの判定により決定することができる。
Ｃｕ偏析物のアスペクト比は、素体と絶縁膜との界面が延びる方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬａ、これに直交する方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬｂとしたときに、長さＬｂに対する長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］（以下、アスペクト比ともいう）で表される。なお、長さＬｂは、Ｃｕ偏析物の、素体に最も近い地点と、素体から最も遠い地点とを認定した上で、該地点を通り、かつ、素体と絶縁膜との界面が延びる方向に平行な線分をそれぞれ仮定した際の、２つの線分間の距離に相当する。
【0038】
Ｃｕ偏析物の形状が、素体側に突出する形状である場合、Ｃｕ偏析物のアスペクト比に関係なく、楔状とする。
Ｃｕ偏析物の形状が楔状でない場合、上記アスペクト比が３以下となる形状が、粒状であり、上記アスペクト比が３を超える形状が、層状である。
Ｃｕ偏析物の形状が楔形である場合、素体側に突出する部分を除くＣｕ偏析物の形状は、粒状であってもよく、層状であってもよい。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体と絶縁膜との界面の一部分のみに存在しており、素体と絶縁膜の界面全体を覆うものではない。
Ｃｕ偏析物の形状が楔状でない場合、上記アスペクト比が３以下となる形状が、粒状であり、上記アスペクト比が３を超える形状が、層状である。
Ｃｕ偏析物の形状が楔形である場合、素体側に突出する部分を除くＣｕ偏析物の形状は、粒状であってもよく、層状であってもよい。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体と絶縁膜との界面の一部分のみに存在しており、素体と絶縁膜の界面全体を覆うものではない。
【0039】
図５は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体と絶縁膜との界面の状態の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示すように、素体１０と絶縁膜２０の界面には、Ｃｕ偏析物３０（３１、３２）が存在しており、素体１０と絶縁膜２０とに接している。Ｃｕ偏析物３０が存在しない部分における絶縁膜２０の厚さ（素体１０の直上に接する絶縁膜２０の厚さ）は、両矢印Ｔ０で示される長さである。なお、絶縁膜２０の厚さＴ０は、場所ごとに異なっていてもよい。
図５では、１つの絶縁膜２０と素体１０との界面に、Ｃｕ偏析物が複数存在しているといえる。
図５に示すように、素体１０と絶縁膜２０の界面には、Ｃｕ偏析物３０（３１、３２）が存在しており、素体１０と絶縁膜２０とに接している。Ｃｕ偏析物３０が存在しない部分における絶縁膜２０の厚さ（素体１０の直上に接する絶縁膜２０の厚さ）は、両矢印Ｔ０で示される長さである。なお、絶縁膜２０の厚さＴ０は、場所ごとに異なっていてもよい。
図５では、１つの絶縁膜２０と素体１０との界面に、Ｃｕ偏析物が複数存在しているといえる。
【0040】
素体１０と絶縁膜２０との界面が延びる方向（以下、横方向ともいう）における、Ｃｕ偏析物３１の長さは、両矢印Ｌａ１で示される長さである。また、横方向に直交する方向（以下、縦方向ともいう）におけるＣｕ偏析物３１の長さは、両矢印Ｌｂ１で示される長さである。Ｃｕ偏析物３１のアスペクト比［Ｌａ１／Ｌｂ１］は約１．４である。従って、Ｃｕ偏析物３１の形状は、粒状である。
Ｃｕ偏析物３１の厚さは、両矢印Ｌｂ１で示される長さであり、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、両矢印Ｔ１で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３１は、素体１０側に突出していない形状である。図５では、Ｃｕ偏析物３１の厚さＬｂ１とＣｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ１の合計が、絶縁膜２０の厚さＴ０と一致する。
また、絶縁膜２０の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ１よりも厚い。絶縁膜２０の厚さＴ０が、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ１よりも厚いと、Ｃｕ偏析物が存在することにより生じる絶縁膜の表面の凹凸が小さくなり、絶縁膜の表面の平滑性が向上する。
Ｃｕ偏析物３１の厚さは、両矢印Ｌｂ１で示される長さであり、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、両矢印Ｔ１で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３１は、素体１０側に突出していない形状である。図５では、Ｃｕ偏析物３１の厚さＬｂ１とＣｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ１の合計が、絶縁膜２０の厚さＴ０と一致する。
また、絶縁膜２０の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ１よりも厚い。絶縁膜２０の厚さＴ０が、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ１よりも厚いと、Ｃｕ偏析物が存在することにより生じる絶縁膜の表面の凹凸が小さくなり、絶縁膜の表面の平滑性が向上する。
【0041】
Ｃｕ偏析物３２は、素体１０側に突出する突出部３２ａを有している。従って、Ｃｕ偏析物３２の形状は、アスペクト比とは無関係に、楔状であるといえる。
なお、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかどうかは、素体の表面のうちＣｕ偏析物が存在していない部分の素体表面の形状から、Ｃｕ偏析物が存在している部分にＣｕ偏析物が存在しなかった場合の素体表面の形状を推定し、推定された素体表面よりも内側（素体側）にＣｕ偏析物が位置している場合に、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているとみなす。
Ｃｕ偏析物は、素体側ではなく絶縁膜側に突出していてもよい。ただし、素体側ではなく絶縁膜側のみに突出したＣｕ偏析物は、アスペクト比によって、粒状又は層状のいずれの形状に該当するか判断する。
なお、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかどうかは、素体の表面のうちＣｕ偏析物が存在していない部分の素体表面の形状から、Ｃｕ偏析物が存在している部分にＣｕ偏析物が存在しなかった場合の素体表面の形状を推定し、推定された素体表面よりも内側（素体側）にＣｕ偏析物が位置している場合に、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているとみなす。
Ｃｕ偏析物は、素体側ではなく絶縁膜側に突出していてもよい。ただし、素体側ではなく絶縁膜側のみに突出したＣｕ偏析物は、アスペクト比によって、粒状又は層状のいずれの形状に該当するか判断する。
【0042】
図６は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体と絶縁膜との界面の状態の別の一例を模式的に示す断面図である。
Ｃｕ偏析物３３の横方向の長さは両矢印Ｌａ３で示される長さであり、縦方向の長さは両矢印Ｌｂ３で示される長さである。アスペクト比［Ｌａ３／Ｌｂ３］は約１０である。従って、Ｃｕ偏析物３３の形状は、層状である。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体と絶縁膜との界面の一部分のみに存在しており、素体と絶縁膜との界面全体を覆うものではない。
Ｃｕ偏析物３３の厚さは、両矢印Ｌｂ３で示される長さであり、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、両矢印Ｔ３で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３３は、素体１０側に突出していない形状である。図６では、Ｃｕ偏析物３３の厚さＬｂ３とＣｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ３の合計が、絶縁膜２０の厚さＴ０と一致する。
また、絶縁膜２０の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ３よりも厚い。
Ｃｕ偏析物３３の横方向の長さは両矢印Ｌａ３で示される長さであり、縦方向の長さは両矢印Ｌｂ３で示される長さである。アスペクト比［Ｌａ３／Ｌｂ３］は約１０である。従って、Ｃｕ偏析物３３の形状は、層状である。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体と絶縁膜との界面の一部分のみに存在しており、素体と絶縁膜との界面全体を覆うものではない。
Ｃｕ偏析物３３の厚さは、両矢印Ｌｂ３で示される長さであり、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、両矢印Ｔ３で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３３は、素体１０側に突出していない形状である。図６では、Ｃｕ偏析物３３の厚さＬｂ３とＣｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ３の合計が、絶縁膜２０の厚さＴ０と一致する。
また、絶縁膜２０の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さＴ３よりも厚い。
【0043】
Ｃｕ偏析物の形状は、Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さと関連がある。
Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さが０．５μｍ未満の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、粒状または楔状となりやすい。
一方、Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さが０．５μｍ以上の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、層状となりやすい。
なお、Ｃｕ偏析物の形状を特定するにあたっては、Ｃｕ偏析物が絶縁膜を構成するガラスと混合している部分もＣｕ偏析物の一部とみなす。従って、Ｃｕ偏析物が絶縁膜を構成するガラスと混合している部分も含めて、１つのＣｕ偏析物として形状を特定する。Ｃｕ偏析物と絶縁膜との境界は、ＳＥＭ－ＥＤＸによってＳｉ元素及びＣｕ元素の元素マッピングを行うことにより確認することができる。
Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さが０．５μｍ未満の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、粒状または楔状となりやすい。
一方、Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さが０．５μｍ以上の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、層状となりやすい。
なお、Ｃｕ偏析物の形状を特定するにあたっては、Ｃｕ偏析物が絶縁膜を構成するガラスと混合している部分もＣｕ偏析物の一部とみなす。従って、Ｃｕ偏析物が絶縁膜を構成するガラスと混合している部分も含めて、１つのＣｕ偏析物として形状を特定する。Ｃｕ偏析物と絶縁膜との境界は、ＳＥＭ－ＥＤＸによってＳｉ元素及びＣｕ元素の元素マッピングを行うことにより確認することができる。
【0044】
Ｃｕ偏析物の形状及びアスペクト比、並びに、Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さは、ＳＥＭ－ＥＤＸにより測定することができる。
Ｃｕ偏析物の形状及びアスペクト比は、個々のＣｕ偏析物ごとに決定される。Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さは、Ｃｕ偏析物及び絶縁膜が一視野中に収まるように撮影されたＳＥＭ－ＥＤＸ画像より、個々のＣｕ偏析物ごとの、Ｃｕ偏析物の上面の一点からその縦方向直上にある絶縁膜の天面の一点までの長さの最小値とする。Ｃｕ偏析物が存在しない部分における絶縁膜の厚さは、３箇所で測定された、素体の表面から絶縁膜の天面までの長さの平均値とする。上記の３箇所は、目視において、素体の表面から絶縁膜の天面までの長さが最も長くなる地点、最も短くなる地点、及び、これらの中間の長さとなる地点を選択する。
Ｃｕ偏析物の形状及びアスペクト比は、個々のＣｕ偏析物ごとに決定される。Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さは、Ｃｕ偏析物及び絶縁膜が一視野中に収まるように撮影されたＳＥＭ－ＥＤＸ画像より、個々のＣｕ偏析物ごとの、Ｃｕ偏析物の上面の一点からその縦方向直上にある絶縁膜の天面の一点までの長さの最小値とする。Ｃｕ偏析物が存在しない部分における絶縁膜の厚さは、３箇所で測定された、素体の表面から絶縁膜の天面までの長さの平均値とする。上記の３箇所は、目視において、素体の表面から絶縁膜の天面までの長さが最も長くなる地点、最も短くなる地点、及び、これらの中間の長さとなる地点を選択する。
【0045】
素体の表面は、複数の絶縁膜により覆われていてもよい。図１及び図２に示した素体１０及び図３及び図４に示した素体１１はいずれも、複数の絶縁膜で覆われている例である。
複数の絶縁膜は、組成が異なっていてもよく、同じであってもよい。
複数の絶縁膜は、組成が異なっていてもよく、同じであってもよい。
【0046】
素体の表面が複数の絶縁膜で覆われている場合、各絶縁膜と素体との界面には、それぞれＣｕ偏析物が存在していてもよい。また、Ｃｕ偏析物の一部は、絶縁膜により覆われていなくてもよい。このようなＣｕ偏析物は、素体の表面に露出している状態となる。
【0047】
絶縁膜は、素体の表面に点在していてもよい。
絶縁膜が素体の表面に点在している場合の例を、図７を用いて説明する。
図７は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体と絶縁膜との界面の状態のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示す素体１０の表面には、２つの絶縁膜２０ａ、２０ｂが設けられている。絶縁膜２０ａ、２０ｂと素体１０との界面には、それぞれ、Ｃｕ偏析物３４ａ、３４ｂが存在している。
素体１０の表面には絶縁膜２０によって覆われていない部分が存在し、この部分は素体１０の表面が露出している。Ｃｕ偏析物３４ｃは素体１０の表面が絶縁膜２０によって覆われていない部分に存在する。従って、Ｃｕ偏析物３４ｃは素体１０の表面に露出している。
絶縁膜が素体の表面に点在している場合の例を、図７を用いて説明する。
図７は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体と絶縁膜との界面の状態のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示す素体１０の表面には、２つの絶縁膜２０ａ、２０ｂが設けられている。絶縁膜２０ａ、２０ｂと素体１０との界面には、それぞれ、Ｃｕ偏析物３４ａ、３４ｂが存在している。
素体１０の表面には絶縁膜２０によって覆われていない部分が存在し、この部分は素体１０の表面が露出している。Ｃｕ偏析物３４ｃは素体１０の表面が絶縁膜２０によって覆われていない部分に存在する。従って、Ｃｕ偏析物３４ｃは素体１０の表面に露出している。
【0048】
本発明の電子部品を構成する素体の表面には、Ｃｕ偏析物が存在しているため、めっき成長が起こりやすい。Ｃｕ偏析物を絶縁膜により覆うことで、Ｃｕ偏析物によるめっき成長の促進を阻害して、素体の表面の意図しない領域におけるめっき成長を抑制することができる。
上記の観点から、めっきを行う外部電極の周辺に、Ｃｕ偏析物を覆う絶縁膜が形成されていることが好ましい。めっきを行う外部電極の周囲に絶縁膜が形成されていると、絶縁膜が形成されている領域におけるめっきの形成を抑制することができる。
上記の観点から、めっきを行う外部電極の周辺に、Ｃｕ偏析物を覆う絶縁膜が形成されていることが好ましい。めっきを行う外部電極の周囲に絶縁膜が形成されていると、絶縁膜が形成されている領域におけるめっきの形成を抑制することができる。
【0049】
［外部電極］
本発明の電子部品の一実施形態は、外部電極を有するが、その形態は特に限定されない。
外部電極としては、例えば、下地電極層とその表面に形成された被覆層の組み合わせや、金属板、リード端子等が挙げられる。下地電極層は、ガラスと導体とを含むガラスペーストを素体の表面に塗布し、焼き付けることで形成された電極であってもよく、スパッタやめっきにより素体の表面に直接形成された電極であってもよい。
本発明の電子部品の一実施形態は、外部電極を有するが、その形態は特に限定されない。
外部電極としては、例えば、下地電極層とその表面に形成された被覆層の組み合わせや、金属板、リード端子等が挙げられる。下地電極層は、ガラスと導体とを含むガラスペーストを素体の表面に塗布し、焼き付けることで形成された電極であってもよく、スパッタやめっきにより素体の表面に直接形成された電極であってもよい。
【0050】
下地電極層に含まれるガラスとしては、絶縁膜を構成するガラスと同様のものを好適に用いることができる。
下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有していることが好ましい。
導体部は、導体として、Ｎｉ元素、Ｓｎ元素、Ｐｄ元素、Ａｕ元素、Ａｇ元素、Ｐｔ元素、Ｂｉ元素、Ｃｕ元素及びＺｎ元素からなる群から選択され少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。また、これらの元素を含む導電性粒子を含むことが好ましい。
導体部は、導体としてＡｇ元素を含むことが好ましい。Ａｇ元素は導電性が高い。また、導体としてＡｇ元素を含む下地電極層は、形成が容易である。
下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有していることが好ましい。
導体部は、導体として、Ｎｉ元素、Ｓｎ元素、Ｐｄ元素、Ａｕ元素、Ａｇ元素、Ｐｔ元素、Ｂｉ元素、Ｃｕ元素及びＺｎ元素からなる群から選択され少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。また、これらの元素を含む導電性粒子を含むことが好ましい。
導体部は、導体としてＡｇ元素を含むことが好ましい。Ａｇ元素は導電性が高い。また、導体としてＡｇ元素を含む下地電極層は、形成が容易である。
【0051】
導電性粒子の平均粒子径は特に限定されないが、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
【0052】
下地電極層に占める導電性粒子の重量割合は、特に限定されないが、７１重量％以上、９８重量％以下であることが好ましい。
【0053】
下地電極層に占めるガラスの重量割合は、２重量％以上、１５重量％以下であることが好ましい。
下地電極層に占めるガラスの重量割合が１５重量％以下であると、下地電極層の抵抗値が大きくなりすぎない。また下地電極層に占めるガラスの重量割合が２重量％以上であると、下地電極層の緻密性を高くすることができ、めっき液及び湿気が下地電極層の内部へ侵入すること、及び、めっき液及び湿気が下地電極層を通じて素体内に侵入することを防止することができる。
下地電極層に占めるガラスの重量割合が１５重量％以下であると、下地電極層の抵抗値が大きくなりすぎない。また下地電極層に占めるガラスの重量割合が２重量％以上であると、下地電極層の緻密性を高くすることができ、めっき液及び湿気が下地電極層の内部へ侵入すること、及び、めっき液及び湿気が下地電極層を通じて素体内に侵入することを防止することができる。
【0054】
被覆層は、例えば、下地電極層の表面に設けられためっき層であることが好ましい。
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。めっき層は、１層であってもよく、２層以上あってもよい。めっき層としては、下地電極層の上に設けられたＮｉめっき層とＳｎめっき層とを有する層であることがより好ましい。Ｎｉめっき層によって素体中への水の浸入を防ぎ、Ｓｎめっき層によって、電子部品の実装性を向上させることができる。
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。めっき層は、１層であってもよく、２層以上あってもよい。めっき層としては、下地電極層の上に設けられたＮｉめっき層とＳｎめっき層とを有する層であることがより好ましい。Ｎｉめっき層によって素体中への水の浸入を防ぎ、Ｓｎめっき層によって、電子部品の実装性を向上させることができる。
【0055】
素体と下地電極層との界面（好ましくは、素体とガラス部との界面）には、Ｃｕ偏析物が存在していてもよい。
素体と下地電極層との界面にＣｕ偏析物が存在していることにより、素体と下地電極層との密着性が高まる。
素体と下地電極層との界面にＣｕ偏析物が存在していることにより、素体と下地電極層との密着性が高まる。
【0056】
本実施形態の電子部品は、素体と絶縁膜との密着性に優れている。本実施形態の電子部品は積層コイル部品や巻線コイル部品に限られず、Ｃｕ元素を含むセラミックが素体として用いられるものであればよい。
【0057】
［電子部品の製造方法］
（第一実施形態）
本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形したセラミックシートを準備するセラミックシート準備工程と、セラミックシートにビアホール及びコイルパターンとなる導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、セラミックシートを積層した積層体を得る積層体準備工程と、積層体を焼成してセラミックの素体を得る焼成工程と、素体の表面にガラスを含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを含む。
（第一実施形態）
本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形したセラミックシートを準備するセラミックシート準備工程と、セラミックシートにビアホール及びコイルパターンとなる導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、セラミックシートを積層した積層体を得る積層体準備工程と、積層体を焼成してセラミックの素体を得る焼成工程と、素体の表面にガラスを含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを含む。
【0058】
［セラミックシート準備工程］
セラミックシート準備工程では、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形する。
セラミック原料としてフェライト原料を使用する場合、粉末状のフェライト原料は、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及び、ＮｉＯを所定の比率になるように秤量して湿式で混合した後、粉砕、乾燥及び仮焼成することによって得ることができる。
セラミックシート準備工程では、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形する。
セラミック原料としてフェライト原料を使用する場合、粉末状のフェライト原料は、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及び、ＮｉＯを所定の比率になるように秤量して湿式で混合した後、粉砕、乾燥及び仮焼成することによって得ることができる。
【0059】
続いて、セラミック原料と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、等を混合した後、粉砕することにより、セラミックスラリーを作製する。次に、セラミックスラリーをドクターブレード法等で所定の厚みのシート状に成形した後、所定の形状に打ち抜くことにより、セラミックシートを作製する。
【0060】
セラミック原料中のＣｕ元素の含有量は、６ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
セラミック原料中のＣｕ元素の含有量が多いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
セラミック原料中のＣｕ元素の含有量が多いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
【0061】
セラミックシートに含まれる有機バインダの含有量は、２５重量％以上、３５重量％以下であることが好ましい。
セラミックシートに含まれる有機バインダは炭素を含むため、焼成時に雰囲気中の酸素と結合して酸素濃度を低下させる。そのため、有機バインダの含有量が多いほど、焼成工程において酸素濃度が低くなりやすく、その結果、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすくなる。
セラミックシートに含まれる有機バインダは炭素を含むため、焼成時に雰囲気中の酸素と結合して酸素濃度を低下させる。そのため、有機バインダの含有量が多いほど、焼成工程において酸素濃度が低くなりやすく、その結果、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすくなる。
【0062】
セラミックシートの厚さは特に限定されないが、１５μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。
【0063】
［導体パターン形成工程］
導体パターン形成工程では、Ａｇペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷法等で各セラミックシートに塗工することにより、導体パターンを形成する。ビア導体となる導体パターンを形成する際には、セラミックシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことによりビアホールを予め形成しておき、そのビアホールに導電性ペーストを充填する。
導体パターン形成工程では、Ａｇペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷法等で各セラミックシートに塗工することにより、導体パターンを形成する。ビア導体となる導体パターンを形成する際には、セラミックシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことによりビアホールを予め形成しておき、そのビアホールに導電性ペーストを充填する。
【0064】
［積層体準備工程］
セラミックシートを積層したあと、温間等方圧プレス（ＷＩＰ）処理等で圧着することにより、積層体を作製する。
セラミックシートの積層数は特に限定されないが、３０層以上、１００層以下であることが好ましい。
セラミックシートを積層したあと、温間等方圧プレス（ＷＩＰ）処理等で圧着することにより、積層体を作製する。
セラミックシートの積層数は特に限定されないが、３０層以上、１００層以下であることが好ましい。
【0065】
［焼成工程］
焼成工程では、積層体を焼成して素体を得る。
焼成条件は、素体の表面に、Ｃｕ偏析物が析出する条件とする。
素体の表面にＣｕ偏析物が生じるかどうかは、セラミック原料の組成だけでなく、積層体に含まれる炭素量、焼成温度（最高温度）、昇温速度、焼成雰囲気、焼成炉の材質、等が影響する。これらの条件を適切に選択した場合に、素体の表面にＣｕ偏析物が析出する。
すなわち、焼成条件が適当でないと、たとえセラミック原料の組成が同じであっても、素体の表面にＣｕ偏析物が析出しない。
焼成工程では、積層体を焼成して素体を得る。
焼成条件は、素体の表面に、Ｃｕ偏析物が析出する条件とする。
素体の表面にＣｕ偏析物が生じるかどうかは、セラミック原料の組成だけでなく、積層体に含まれる炭素量、焼成温度（最高温度）、昇温速度、焼成雰囲気、焼成炉の材質、等が影響する。これらの条件を適切に選択した場合に、素体の表面にＣｕ偏析物が析出する。
すなわち、焼成条件が適当でないと、たとえセラミック原料の組成が同じであっても、素体の表面にＣｕ偏析物が析出しない。
【0066】
焼成工程における焼成温度（最高温度）は、１０００℃以上、１３００℃以下であることが好ましい。
焼成工程における焼成温度（最高温度）が１０００℃以上であると、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
焼成工程における焼成温度（最高温度）が１０００℃以上であると、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
【0067】
焼成工程における酸素濃度は、１５体積％以下であることが好ましく、５体積％以下であることがより好ましい。焼成雰囲気における酸素含有量が１５体積％以下であると、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
焼成工程におけるバランスガスは、窒素又はアルゴンが好ましい。
焼成工程におけるバランスガスは、窒素又はアルゴンが好ましい。
【0068】
焼成工程における昇温速度は、１０℃／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
焼成温度まで到達するまでの時間が短いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
焼成温度まで到達するまでの時間が短いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
【0069】
焼成工程において積層体を焼成する焼成炉を構成する炉材は、アルミナとケイ素の混合物等の、密度の高い材料であることが好ましい。
焼成炉を構成する炉材が密度の高い材料で構成されていると、Ｃｕ偏析物が生じやすい。
焼成炉を構成する炉材が密度の高い材料で構成されていると、Ｃｕ偏析物が生じやすい。
【0070】
［絶縁膜形成工程］
絶縁膜形成工程では、焼成工程により得られた素体の表面に、ガラスを含む絶縁膜を形成する。
絶縁膜形成工程では、焼成工程により得られた素体の表面に、ガラスを含む絶縁膜を形成する。
【0071】
絶縁膜は、ガラスを含むペースト（以下、ガラスペーストという）を、素体の表面に塗布し、焼成（焼き付け）することで形成することができる。
ガラスペーストにはガラスの他に、樹脂及び分散媒が含まれていてもよい。
ガラスペーストにはガラスの他に、樹脂及び分散媒が含まれていてもよい。
【0072】
ガラスとしては、Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ－Ｃａ－Ａｌ系ガラス等を使用することができる。これらの他にも、Ｎａ－Ｓｉ系ガラス、Ｋ－Ｓｉ系ガラス、Ｌｉ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ金属系ガラス、Ｍｇ－Ｓｉ系ガラス、Ｃａ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｓｉ系ガラス、Ｓｒ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ土類金属系ガラス、Ｔｉ－Ｓｉ系ガラス、Ｚｒ－Ｓｉ系ガラス、Ａｌ－Ｓｉ系ガラス等を使用することもできる。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
【0073】
ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径は特に限定されないが、０．０１μｍ以上、４．００μｍ以下であることが好ましい。
【0074】
ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径が大きいほど、焼き付け時のガラスペーストの流動性が低く、絶縁膜の厚さが厚くなりやすい。そのため、層状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
一方、ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径が小さいほど、焼き付け時のガラスペーストの流動性が高く、絶縁膜の厚さが薄くなりやすい。そのため、粒状または楔状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
一方、ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径が小さいほど、焼き付け時のガラスペーストの流動性が高く、絶縁膜の厚さが薄くなりやすい。そのため、粒状または楔状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
【0075】
素体の表面に塗布されたガラスペーストを乾燥させる。乾燥条件は特に限定されないが、１５０℃で３０分ほど加熱すればよい。
素体の表面にガラスペーストを複数回塗布する場合には、ガラスペーストの塗布と乾燥を、繰り返すことが好ましい。また、ガラスペーストの塗布と乾燥に加えて、後述する焼き付けを１セットとして、これを１セット以上繰り返す方法によっても、絶縁膜を形成することができる。
素体の表面にガラスペーストを複数回塗布する場合には、ガラスペーストの塗布と乾燥を、繰り返すことが好ましい。また、ガラスペーストの塗布と乾燥に加えて、後述する焼き付けを１セットとして、これを１セット以上繰り返す方法によっても、絶縁膜を形成することができる。
【0076】
絶縁膜を形成する際の温度（焼き付け温度）は、特に限定されないが、７５０℃以上、９００℃以下であることが好ましい。
焼き付け温度が７５０℃以上、９００℃以下であると、素体の表面にさらにＣｕ偏析物が生じやすい。また、Ｃｕ偏析物と絶縁膜に含まれるガラスとが混合物を形成しやすくなり、素体と絶縁膜との密着性を向上させることができる。
また焼き付けは、非酸化性雰囲気中で行うことが好ましい。
焼き付けを非酸化性雰囲気中、８２５℃以上で行うことにより、素体の表面におけるＣｕの偏析を促すことができる。そのため、素体と絶縁膜との密着性をさらに向上させることができる。
焼き付け温度が７５０℃以上、９００℃以下であると、素体の表面にさらにＣｕ偏析物が生じやすい。また、Ｃｕ偏析物と絶縁膜に含まれるガラスとが混合物を形成しやすくなり、素体と絶縁膜との密着性を向上させることができる。
また焼き付けは、非酸化性雰囲気中で行うことが好ましい。
焼き付けを非酸化性雰囲気中、８２５℃以上で行うことにより、素体の表面におけるＣｕの偏析を促すことができる。そのため、素体と絶縁膜との密着性をさらに向上させることができる。
【0077】
素体の表面に絶縁膜を形成する方法は、上記のガラスペーストを塗布し焼成する方法に限られず、例えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スプレー法、ディップ法、ディップスピンコート法、ゾルゲル法等が挙げられ、これらを２種以上組み合わせてもよい。
【0078】
素体を製造する方法は、上述したシート積層工法以外の方法であってもよい。
シート積層工法以外の方法としては、例えば、印刷積層方法（ビルドアップ法）が挙げられる。また、シート表面に配線やビアを形成する方法には、上述した方法のほかに、フォトリソグラフィを用いる方法を用いることもできる。
なお、上記工程に続いて、素体の表面に外部電極を形成する外部電極形成工程を行ってもよい。
シート積層工法以外の方法としては、例えば、印刷積層方法（ビルドアップ法）が挙げられる。また、シート表面に配線やビアを形成する方法には、上述した方法のほかに、フォトリソグラフィを用いる方法を用いることもできる。
なお、上記工程に続いて、素体の表面に外部電極を形成する外部電極形成工程を行ってもよい。
【0079】
［外部電極形成工程］
外部電極形成工程では、素体の表面に外部電極を形成する。
外部電極形成工程としては、例えば、素体の表面にＮｉめっき及びＳｎめっきをこの順で行って、Ｎｉ／Ｓｎめっき層を形成する方法が挙げられる。
外部電極形成工程では、素体の表面に外部電極を形成する。
外部電極形成工程としては、例えば、素体の表面にＮｉめっき及びＳｎめっきをこの順で行って、Ｎｉ／Ｓｎめっき層を形成する方法が挙げられる。
【0080】
外部電極形成工程では、めっき層を形成する工程の前に、ガラス及び導電性粒子を含むガラスペーストを素体の表面に塗布し、焼成（焼き付け）することで下地電極層を形成し、この層の表面に被覆層となるＮｉ／Ｓｎめっき層を形成してもよい。
【0081】
【0082】
（第二実施形態）
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料を成形してセラミックの素体を準備する素体準備工程と、素体の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつけるコイル形成工程と、を含む。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料を成形してセラミックの素体を準備する素体準備工程と、素体の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつけるコイル形成工程と、を含む。
【0083】
［素体準備工程］
素体準備工程において用いられるセラミック原料としては、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態において用いられるセラミック原料と同様のものを好適に用いることができる。
素体準備工程において用いられるセラミック原料としては、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態において用いられるセラミック原料と同様のものを好適に用いることができる。
【0084】
セラミック原料を所定の形状に成形する方法としては、従来公知の粉末の成形方法を用いることができる。このとき、セラミック原料には、必要に応じて、樹脂やバインダ等を添加してもよい。セラミック原料を成形して得られる成形体を焼成することで、素体となる。このとき、素体の表面にＣｕ偏析物が生じる条件で成形体を焼成する。
上記方法で得られる素体は、内部に導体層を含まない素体である。
上記方法で得られる素体は、内部に導体層を含まない素体である。
【0085】
［絶縁膜形成工程］
絶縁膜形成工程では、焼成工程により得られた素体の表面に絶縁膜を形成する。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態における絶縁膜形成工程は、本発明の電子部品の第一実施形態における絶縁膜形成工程と同様である。
絶縁膜形成工程では、焼成工程により得られた素体の表面に絶縁膜を形成する。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態における絶縁膜形成工程は、本発明の電子部品の第一実施形態における絶縁膜形成工程と同様である。
【0086】
［コイル形成工程］
コイル形成工程では、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつける。
巻線の巻数（ターン数）及び巻線の直径は、電子部品に求められる特定に応じて適宜変更すればよい。
コイル形成工程では、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつける。
巻線の巻数（ターン数）及び巻線の直径は、電子部品に求められる特定に応じて適宜変更すればよい。
【0087】
上記工程により、本発明の実施形態に係る電子部品が製造される。
なお、本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態では、素体の表面に外部電極を形成する外部電極形成工程を行ってもよい。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態における外部電極形成工程は、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態における外部電極形成工程と同様である。
この場合、外部電極形成工程は、コイル形成工程よりも前に行い、コイル形成工程において、コイルとなる巻線の両端を外部電極と接続すればよい。
コイルとなる巻線と外部電極との接続方法は特に限定されないが、例えば、熱圧着により接合する方法が挙げられる。
なお、本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態では、素体の表面に外部電極を形成する外部電極形成工程を行ってもよい。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態における外部電極形成工程は、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態における外部電極形成工程と同様である。
この場合、外部電極形成工程は、コイル形成工程よりも前に行い、コイル形成工程において、コイルとなる巻線の両端を外部電極と接続すればよい。
コイルとなる巻線と外部電極との接続方法は特に限定されないが、例えば、熱圧着により接合する方法が挙げられる。
【0088】
【実施例】
【0089】
以下、本発明の電子部品の一実施形態をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【0090】
（実施例１）
［素体準備工程］
Ｆｅ量を一定とし、Ｎｉ／Ｚｎモル比が２．３となるように、かつ、Ｃｕ含有量が８ｍｏｌ％、となるように調製したフェライト原料を、巻線部と鍔部とを有するバーベル形状に成形して成形体を得た。
［素体準備工程］
Ｆｅ量を一定とし、Ｎｉ／Ｚｎモル比が２．３となるように、かつ、Ｃｕ含有量が８ｍｏｌ％、となるように調製したフェライト原料を、巻線部と鍔部とを有するバーベル形状に成形して成形体を得た。
【0091】
成形体を１１００℃で１時間焼成することによりセラミックの素体を得た。
焼成時の雰囲気は、常圧、酸素分圧１０体積％とした。
得られた素体の形状は、図１及び図２に示すように、長さ方向に対向する第１端面及び第２端面、幅方向に対向する第１側面及び第２側面、並びに、厚さ方向に対向する上面及び底面を備える略直方体形状であった。
焼成時の雰囲気は、常圧、酸素分圧１０体積％とした。
得られた素体の形状は、図１及び図２に示すように、長さ方向に対向する第１端面及び第２端面、幅方向に対向する第１側面及び第２側面、並びに、厚さ方向に対向する上面及び底面を備える略直方体形状であった。
【0092】
［絶縁膜形成工程］
ガラスフリット（ホウケイ酸ガラス）と溶媒（テルピネオール）とを混合したガラスペーストを調製し、素体の第１側面を下に向けてガラスペーストに素体の幅方向の半分の位置まで浸漬させた後、１５０℃で３０分乾燥させた。その後、素体の向きを上下逆となるように変更し、素体の第２側面を下に向けてガラスペーストに素体の幅方向の半分の位置まで浸漬させた後、１５０℃で３０分乾燥させた。最後に、６５０℃で１０分間焼き付けを行い、絶縁膜を形成して、実施例１に係る電子部品を製造した。なお、焼き付けは高温とするほど、Ｃｕ偏析物の偏析量が生じやすいため、７５０℃以上が好ましく、８５０℃以上にすることにより、Ｃｕ偏析物の流動性自体も向上する。
実施例１に係る電子部品を構成する素体の表面には、図１と同様に、素体の第１側面の全部に加えて素体の第１端面、第２端面、上面及び底面の一部を覆う絶縁膜と、素体の第２側面の全部に加えて素体の第１端面、第２端面、上面及び底面の一部を覆う絶縁膜とが形成されていた。
ガラスフリット（ホウケイ酸ガラス）と溶媒（テルピネオール）とを混合したガラスペーストを調製し、素体の第１側面を下に向けてガラスペーストに素体の幅方向の半分の位置まで浸漬させた後、１５０℃で３０分乾燥させた。その後、素体の向きを上下逆となるように変更し、素体の第２側面を下に向けてガラスペーストに素体の幅方向の半分の位置まで浸漬させた後、１５０℃で３０分乾燥させた。最後に、６５０℃で１０分間焼き付けを行い、絶縁膜を形成して、実施例１に係る電子部品を製造した。なお、焼き付けは高温とするほど、Ｃｕ偏析物の偏析量が生じやすいため、７５０℃以上が好ましく、８５０℃以上にすることにより、Ｃｕ偏析物の流動性自体も向上する。
実施例１に係る電子部品を構成する素体の表面には、図１と同様に、素体の第１側面の全部に加えて素体の第１端面、第２端面、上面及び底面の一部を覆う絶縁膜と、素体の第２側面の全部に加えて素体の第１端面、第２端面、上面及び底面の一部を覆う絶縁膜とが形成されていた。
【0093】
（実施例２、比較例１～３）
フェライト原料中のＦｅ量及びＮｉ／Ｚｎモル比を変えずに、Ｃｕ含有量を６ｍｏｌ％、４ｍｏｌ％、１ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、実施例２及び比較例１～３に係る電子部品を製造した。各実施例及び比較例の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
フェライト原料中のＦｅ量及びＮｉ／Ｚｎモル比を変えずに、Ｃｕ含有量を６ｍｏｌ％、４ｍｏｌ％、１ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、実施例２及び比較例１～３に係る電子部品を製造した。各実施例及び比較例の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
【0094】
（比較例４）
フェライト原料の組成を変えずに、成形体の焼成温度（最高温度）を９５０℃以下に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、比較例４に係る電子部品を製造した。比較例４の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
フェライト原料の組成を変えずに、成形体の焼成温度（最高温度）を９５０℃以下に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、比較例４に係る電子部品を製造した。比較例４の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
【0095】
［素体のＣｕ含有量の測定］
前述したＷＤ－ＸＲＦによって素体のＣｕ元素の含有量を測定したところ、いずれも、フェライト原料におけるＣｕ元素の含有量と同じであった。
前述したＷＤ－ＸＲＦによって素体のＣｕ元素の含有量を測定したところ、いずれも、フェライト原料におけるＣｕ元素の含有量と同じであった。
【0096】
［ＳＥＭ－ＥＤＸによる観察］
実施例２に係る電子部品について、素体と絶縁膜の界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸにより３箇所で観察し、Ｃｕの元素マッピングを行った。結果を図８、図９及び図１０に示す。
なお、実施例１及び比較例１～４に係る電子部品についても、素体と絶縁膜の界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸで観察したところ、実施例１に係る電子部品については、素体と絶縁膜との界面において、素体と絶縁膜とに接しているＣｕ偏析物が確認できたが、比較例１～４に係る電子部品については、いずれも、Ｃｕ偏析物を確認できなかった。
実施例２に係る電子部品について、素体と絶縁膜の界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸにより３箇所で観察し、Ｃｕの元素マッピングを行った。結果を図８、図９及び図１０に示す。
なお、実施例１及び比較例１～４に係る電子部品についても、素体と絶縁膜の界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸで観察したところ、実施例１に係る電子部品については、素体と絶縁膜との界面において、素体と絶縁膜とに接しているＣｕ偏析物が確認できたが、比較例１～４に係る電子部品については、いずれも、Ｃｕ偏析物を確認できなかった。
【0097】
図８は、実施例２に係る電子部品の、素体と絶縁膜との界面のＣｕの元素マッピング画像である。
図８の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０と絶縁膜２０との界面に、Ｃｕ元素の濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３１）が存在していることを確認した。Ｃｕ偏析物３１のアスペクト比は、２．０であった。従って、図８に示すＳＥＭ－ＥＤＸ元素マッピング画像には、粒状のＣｕ偏析物３１が存在していることを確認した。なお、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、０．０３μｍであった。
図８の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０と絶縁膜２０との界面に、Ｃｕ元素の濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３１）が存在していることを確認した。Ｃｕ偏析物３１のアスペクト比は、２．０であった。従って、図８に示すＳＥＭ－ＥＤＸ元素マッピング画像には、粒状のＣｕ偏析物３１が存在していることを確認した。なお、Ｃｕ偏析物３１の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、０．０３μｍであった。
【0098】
図９は、実施例２に係る電子部品の、素体と絶縁膜との界面のＣｕの元素マッピング画像である。図９におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置は、図８におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置とは異なる位置である。
図９の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０と絶縁膜２０との界面に、Ｃｕ元素の濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３２）が存在していることを確認した。Ｃｕ偏析物３２は素体１０側に突出している。従って、図９に示すＳＥＭ－ＥＤＸ元素マッピング画像には、楔状のＣｕ偏析物３２が存在していることを確認した。なお、Ｃｕ偏析物３２の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、０．１３μｍであった。
図９の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０と絶縁膜２０との界面に、Ｃｕ元素の濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３２）が存在していることを確認した。Ｃｕ偏析物３２は素体１０側に突出している。従って、図９に示すＳＥＭ－ＥＤＸ元素マッピング画像には、楔状のＣｕ偏析物３２が存在していることを確認した。なお、Ｃｕ偏析物３２の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、０．１３μｍであった。
【0099】
図１０は、実施例２に係る電子部品の、素体と絶縁膜との界面のＣｕの元素マッピング画像である。図１０におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置は、図８におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置及び図９におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置とは異なる位置である。
図１０の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０と絶縁膜２０との界面に、層状のＣｕ偏析物３３が存在していることを確認した。なお、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、０．５μｍであった。
また、図８、図９及び図１０の結果より、同一の電子部品において、絶縁膜と素体との界面に、形状が異なる複数のＣｕ偏析物が存在していることを確認した。
図１０の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０と絶縁膜２０との界面に、層状のＣｕ偏析物３３が存在していることを確認した。なお、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する絶縁膜２０の厚さは、０．５μｍであった。
また、図８、図９及び図１０の結果より、同一の電子部品において、絶縁膜と素体との界面に、形状が異なる複数のＣｕ偏析物が存在していることを確認した。
【0100】
［耐荷重の測定（スクラッチ試験）］
超薄膜スクラッチ試験機（ＣＳＲ５０００ 株式会社レスカ製）を用いて、ダイヤモンド製圧子（先端Ｒ：５μｍ）を所定の荷重で各素体の絶縁膜に押し付けた状態で１５０μｍ移動させた際の絶縁膜の剥がれの有無を確認した。荷重は５ｍＮから６０ｍＮまで５ｍＮ刻みで増加させた。剥がれが生じなかった最も高い荷重を耐荷重として表１に示す。なお、耐荷重が４０ｍＮ以上であれば、素体と絶縁膜との密着性が充分に高いと判断できる。
超薄膜スクラッチ試験機（ＣＳＲ５０００ 株式会社レスカ製）を用いて、ダイヤモンド製圧子（先端Ｒ：５μｍ）を所定の荷重で各素体の絶縁膜に押し付けた状態で１５０μｍ移動させた際の絶縁膜の剥がれの有無を確認した。荷重は５ｍＮから６０ｍＮまで５ｍＮ刻みで増加させた。剥がれが生じなかった最も高い荷重を耐荷重として表１に示す。なお、耐荷重が４０ｍＮ以上であれば、素体と絶縁膜との密着性が充分に高いと判断できる。
【0101】
【表1】
【0102】
表１の結果より、本発明の実施形態に係る電子部品は、素体と絶縁膜の密着性が高いことを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0103】
本発明の実施形態に係る電子部品は、インダクタ、アンテナ、ノイズフィルタ、電波吸収体、コンデンサと組み合わせたＬＣフィルタ、巻線コア等の部品として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【0104】
１、２ 電子部品
１０、１１ 素体
１０ａ 素体の第１端面
１０ｂ 素体の第２端面
１０ｃ 素体の第１側面
１０ｄ 素体の第２側面
１０ｅ 素体の上面
１０ｆ 素体の底面
２０、２０ａ、２０ｂ 絶縁膜
３０、３１、３２、３３、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ Ｃｕ偏析物
３２ａ Ｃｕ偏析物が素体側に突出している突出部
４０ 導体層
４３ 巻線
５０ 外部電極
６０ 巻芯部
６１ 鍔部
Ｌ 長さ方向
Ｌａ１、Ｌａ３ Ｃｕ偏析物の横方向の長さ
Ｌｂ１、Ｌｂ３ Ｃｕ偏析物の縦方向の長さ
Ｔ 厚さ方向
Ｔ０ 絶縁膜の厚さ
Ｔ１、Ｔ３ Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さ
Ｗ 幅方向
１０、１１ 素体
１０ａ 素体の第１端面
１０ｂ 素体の第２端面
１０ｃ 素体の第１側面
１０ｄ 素体の第２側面
１０ｅ 素体の上面
１０ｆ 素体の底面
２０、２０ａ、２０ｂ 絶縁膜
３０、３１、３２、３３、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ Ｃｕ偏析物
３２ａ Ｃｕ偏析物が素体側に突出している突出部
４０ 導体層
４３ 巻線
５０ 外部電極
６０ 巻芯部
６１ 鍔部
Ｌ 長さ方向
Ｌａ１、Ｌａ３ Ｃｕ偏析物の横方向の長さ
Ｌｂ１、Ｌｂ３ Ｃｕ偏析物の縦方向の長さ
Ｔ 厚さ方向
Ｔ０ 絶縁膜の厚さ
Ｔ１、Ｔ３ Ｃｕ偏析物の直上に接する絶縁膜の厚さ
Ｗ 幅方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】