(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-05
(45)【発行日】2024-11-13
(54)【発明の名称】加工装置及び加工方法
(51)【国際特許分類】
B23K 26/352 20140101AFI20241106BHJP
B23K 26/364 20140101ALI20241106BHJP
B23K 26/067 20060101ALI20241106BHJP
【ＦＩ】
B23K26/352
B23K26/364
B23K26/067
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2023563375
(86)(22)【出願日】2021-11-24
(86)【国際出願番号】 JP2021042957
(87)【国際公開番号】W WO2023095198
(87)【国際公開日】2023-06-01
【審査請求日】2024-05-15
(73)【特許権者】
【識別番号】000004112
【氏名又は名称】株式会社ニコン
(74)【代理人】
【識別番号】100104765
【弁理士】
【氏名又は名称】江上 達夫
(72)【発明者】
【氏名】川辺 喜雄
(72)【発明者】
【氏名】小澤 稔彦
【審査官】山下 浩平
(56)【参考文献】
【文献】特表２０２１－５０９８６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－５１６２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０２０－５１８４５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／０８２３０９（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ２３Ｋ ２６／００ － ２６／７０
Ｈ０１Ｓ ３／００ － ３／０２，
３／０４ － ３／０９５９，
３／０９８ － ３／１０２，
３／１０５ － ３／１３１，
３／１３６ － ３／２１３，
３／２３ － ４／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に強度差、位相差及び偏光差のうち少なくとも一つの差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
【請求項2】
前記第２光学系は、前記少なくとも一つの差を変更して前記リブレットの形状を制御する請求項１に記載の加工装置。
【請求項3】
前記第２光学系は、前記少なくとも一つの差を調整して前記物体の表面に形成される前記干渉縞の暗部における最小フルエンスを、前記物体の表面を除去できるフルエンスに設定する請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項4】
前記物体は、各加工光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、各加工光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、前記第２関係における前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合は、前記第１関係における前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合よりも大きく、
前記第２光学系は、前記干渉縞の暗部に達する加工光の最小フルエンスが前記所定閾値以上となるように、前記少なくとも一つの差を設定する
請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項5】
前記干渉縞の明部での加工により前記リブレットの凹部を形成し、前記干渉縞の暗部での加工により前記リブレットの凸部を形成する
請求項４に記載の加工装置。
【請求項6】
前記物体は、前記第２光学系からの前記少なくとも二つの加工光によってアブレーション加工される請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項7】
前記第２光学系は、前記光源からの前記光を分岐して前記複数の加工光を生成し、前記第２光学系で生成された前記複数の加工光は、前記第１光学系に入射する
請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項8】
前記第２光学系は、前記光源からの前記光を分岐して前記複数の加工光を生成するときに、前記複数の加工光のうち前記少なくとも二つの加工光の間に与える強度差、位相差及び偏光差のうち少なくとも一つの差を変更する請求項７に記載の加工装置。
【請求項9】
前記第２光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの強度を調整可能な強度調整部材を備える請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項10】
前記強度調整部材は、前記少なくとも二つの加工光のうちの一つの強度の調整度合いを変更可能である請求項９に記載の加工装置。
【請求項11】
前記第２光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの位相を調整可能な位相調整部材を備える請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項12】
前記位相調整部材は、前記少なくとも二つの加工光のうちの一つの位相の調整度合いを変更可能である請求項１１に記載の加工装置。
【請求項13】
前記第２光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整可能な偏光調整部材を備える請求項１又は２に記載の加工装置。
【請求項14】
前記偏光調整部材は、前記少なくとも二つの加工光のうちの一つの偏光状態の調整度合いを変更可能である請求項１３に記載の加工装置。
【請求項15】
前記物体は、各加工光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、各加工光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、前記第２関係における前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合は、前記第１関係における前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合よりも大きく、
前記第２光学系は、前記干渉縞の暗部に達する加工光の最小フルエンスが前記所定閾値以上となるように、前記少なくとも一つの差を設定する
請求項３に記載の加工装置。
【請求項16】
前記干渉縞の明部での加工により前記リブレットの凹部を形成し、前記干渉縞の暗部での加工により前記リブレットの凸部を形成する
請求項１５に記載の加工装置。
【請求項17】
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工方法であって、前記光源からの前記光を分岐して複数の加工光を生成することと、
前記複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することと、
前記物体の表面に干渉縞を形成することと、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に強度差、位相差及び偏光差のうち少なくとも一つの差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整することと
を含む加工方法。
【請求項18】
前記調整することは、前記少なくとも一つの差を調整して前記物体の表面に形成される前記干渉縞の暗部における最小フルエンスを、前記物体の表面を除去できるフルエンスに設定することを含む請求項１７に記載の加工方法。
【請求項19】
前記物体は、各加工光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、各加工光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、前記第２関係における前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合は、前記第１関係における前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合よりも大きく、
前記調整することは、前記干渉縞の暗部に達する加工光の最小フルエンスが前記所定閾値以上となるように、前記少なくとも一つの差を設定することを含む
請求項１７又は１８に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、物体を加工する加工装置及び加工方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、航空機の機体等の物体の表面にリブレットが形成されるように、物体を加工可能な加工装置が記載されている。このような加工装置は、物体を適切に加工することが要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】米国特許第６，５４５，２４８号明細書
【発明の概要】
【0004】
第１の態様によれば、光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に強度差、位相差及び偏光差のうち少なくとも一つの差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系とを備える加工装置が提供される。
【0005】
第２の態様によれば、光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工方法であって、前記光源からの前記光を分岐して複数の加工光を生成することと、前記複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することと、前記物体の表面に干渉縞を形成することと、前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に強度差、位相差及び偏光差のうち少なくとも一つの差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整することとを含む加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照しながら、加工装置及び加工方法の実施形態について説明する。以下では、物体の一例であるワークＷを加工可能な加工システムＳＹＳを用いて、加工装置及び加工方法の実施形態を説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。
【0008】
また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、加工システムＳＹＳを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。ここで、Ｚ軸方向を重力方向としてもよい。また、ＸＹ平面を水平方向としてもよい。
【0009】
（１）加工システムＳＹＳの構造
初めに、図１及び図２を参照しながら、本実施形態の加工システムＳＹＳの構造について説明する。図１は、本実施形態の加工システムＳＹＳの構造を模式的に示す断面図である。図２は、本実施形態の加工システムＳＹＳのシステム構成を示すシステム構成図である。
初めに、図１及び図２を参照しながら、本実施形態の加工システムＳＹＳの構造について説明する。図１は、本実施形態の加工システムＳＹＳの構造を模式的に示す断面図である。図２は、本実施形態の加工システムＳＹＳのシステム構成を示すシステム構成図である。
【0010】
【0011】
加工装置１は、制御装置３の制御下で、加工対象物（母材と称されてもよい）であるワークＷを加工可能である。ワークＷは、例えば、金属であってもよいし、合金（例えば、ジュラルミン等）であってもよいし、半導体（例えば、シリコン）であってもよいし、樹脂であってもよいし、ＣＦＲＰ（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃ）等の複合材料であってもよいし、塗料（一例として基材に塗布された塗料層）であってもよいし、ガラスであってもよいし、それ以外の任意の材料から構成される物体であってもよい。
【0012】
ワークＷの表面は、ワークＷとは異なる材質の膜でコーティングされていてもよい。この場合、ワークＷの表面にコーティングされた膜の表面が、加工装置１によって加工される面であってもよい。この場合であっても、加工装置１は、ワークＷを加工する（つまり、膜でコーティングされたワークＷを加工する）とみなしてもよい。
【0013】
加工装置１は、ワークＷを加工するために、ワークＷに対して加工光ＥＬを照射する。加工光ＥＬは、ワークＷに照射されることでワークＷを加工可能である限りは、どのような種類の光であってもよい。本実施形態では、加工光ＥＬがレーザ光である例を用いて説明を進めるが、加工光ＥＬは、レーザ光とは異なる種類の光であってもよい。更に、加工光ＥＬの波長は、ワークＷに照射されることでワークＷを加工可能である限りは、どのような波長であってもよい。例えば、加工光ＥＬは、可視光であってもよいし、不可視光（例えば、赤外光、紫外光及び極端紫外光等の少なくとも一つ）であってもよい。加工光ＥＬは、パルス光（例えば、発光時間がピコ秒以下のパルス光）を含む。但し、加工光ＥＬは、パルス光を含んでいなくてもよい。言い換えると、加工光ＥＬは、連続光であってもよい。
【0014】
加工光ＥＬは、加工光ＥＬを生成する加工光源２から、不図示の光伝搬部材（例えば、光ファイバ及びミラーの少なくとも一方）を介して加工装置１に供給される。加工装置１は、加工光源２から供給される加工光ＥＬを、ワークＷに照射する。上述したように加工光ＥＬがレーザ光である場合には、加工光源２は、レーザ光源（例えば、レーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体レーザ）を含んでいてもよい。レーザ光源は、ファイバ・レーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ及びエキシマレーザ等の少なくとも一つを含んでいてもよい。但し、加工光ＥＬがレーザ光でない場合には、加工光源２は、任意の光源（例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）及び放電ランプ等の少なくとも一つ）を含んでいてもよい。
【0015】
加工装置１は、ワークＷに加工光ＥＬを照射することでワークＷの一部を除去する除去加工を行ってもよい。例えば、加工装置１は、熱加工の原理を利用して、ワークＷの一部を除去する除去加工を行ってもよい。具体的には、ワークＷの表面に加工光ＥＬが照射されると、ワークＷのうち加工光ＥＬが照射された照射部分及びワークＷのうちの照射部分と近接する近接部分に、加工光ＥＬのエネルギーが伝達される。加工光ＥＬのエネルギーに起因した熱が伝達されると、加工光ＥＬのエネルギーに起因した熱によって、ワークＷの照射部分及び近接部分を構成する材料が溶融する。溶融した材料は、液滴となって飛散する。或いは、溶融した材料は、加工光ＥＬのエネルギーに起因した熱によって蒸発する。その結果、ワークＷの照射部分及び近接部分が除去される。尚、熱加工が行われる場合には、加工光ＥＬは、発光時間がミリ秒以上のパルス光又は連続光を含んでいてもよい。
【0016】
一方で、加工光ＥＬの特性によっては、加工装置１は、非熱加工（例えば、アブレーション加工）の原理を利用して、ワークＷの一部を除去する除去加工を行ってもよい。つまり、加工装置１は、ワークＷに対して非熱加工（例えば、アブレーション加工）を行ってもよい。例えば、光子密度（言い換えれば、フルエンス）が高い光が加工光ＥＬとして用いられると、ワークＷの照射部分及び近接部分を構成する材料は、瞬時に蒸発及び飛散する。つまり、ワークＷの照射部分及び近接部分を構成する材料は、ワークＷの熱拡散時間よりも十分に短い時間内に蒸発及び飛散する。この場合、ワークＷの照射部分及び近接部分を構成する材料は、イオン、原子、ラジカル、分子、クラスタ及び固体片のうちの少なくとも一つとして、ワークＷから放出されてもよい。尚、非熱加工が行われる場合には、加工光ＥＬは、発光時間がピコ秒以下（或いは、場合によっては、ナノ秒又はフェムト秒以下）のパルス光を含んでいてもよい。発光時間がピコ秒以下（或いは、場合によっては、ナノ秒又はフェムト秒以下）のパルス光が加工光ＥＬとして用いられる場合、ワークＷの照射部分及び近接部分を構成する材料は、溶融状態を経ずに昇華することもある。このため、加工光ＥＬのエネルギーに起因した熱によるワークＷへの影響を極力抑制しながら、ワークＷを加工可能となる。
【0017】
本実施形態では、加工装置１は、除去加工を行うことで、リブレット構造ＲＢをワークＷの表面に形成してもよい。リブレット構造ＲＢを形成する加工は、リブレット加工と称されてもよい。つまり、加工装置１は、ワークＷの表面にリブレット加工を行ってもよい。
【0018】
リブレット構造ＲＢは、ワークＷの表面の流体に対する抵抗（特に、摩擦抵抗及び乱流摩擦抵抗の少なくとも一方）を低減可能な凹凸構造を含んでいてもよい。このため、リブレット構造ＲＢは、流体中に設置される（言い換えれば、位置する）部材を有するワークＷに形成されてもよい。言い換えれば、リブレット構造ＲＢは、流体に対して相対的に移動する部材を有するワークＷに形成されてもよい。尚、ここでいう「流体」とは、ワークＷの表面に対して流れている媒質（例えば、気体及び液体の少なくとも一方）を意味する。例えば、媒質自体が静止している状況下でワークＷの表面が媒質に対して移動する場合には、この媒質を流体と称してもよい。尚、媒質が静止している状態は、所定の基準物（例えば、地表面）に対して媒質が移動していない状態を意味していてもよい。
【0019】
このようなワークＷの表面の流体に対する抵抗（特に、摩擦抵抗及び乱流摩擦抵抗の少なくとも一方）を低減可能な構造を含むリブレット構造ＲＢがワークＷに形成される場合には、ワークＷは、流体に対して相対的に移動しやすくなる。このため、流体に対するワークＷの移動を妨げる抵抗が低減されるがゆえに、省エネルギー化につながる。つまり、環境にやさしいワークＷの製造が可能となる。例えば、流体に対して相対的に移動するワークＷの一例として、動翼と称されてもよいタービンブレードがあげられる。タービンブレードにリブレット構造ＲＢが形成される場合には、タービンブレードの移動（典型的には、回転）を妨げる抵抗が低減されるがゆえに、タービンブレードを用いた装置（例えば、タービン）の省エネルギー化につながる。つまり、環境にやさしいタービンブレード（タービン）の製造が可能となる。
【0020】
尚、リブレット構造ＲＢは、タービンブレードとは異なるワークＷに形成されてもよい。リブレット構造ＲＢが形成されるワークＷの一例として、静翼と称されてもよいタービンベーン、ファン、インペラ、プロペラ及びポンプの少なくとも一つがあげられる。ファンは、送風機等に用いられ、気体の流れを形成する部材（典型的には、回転体）である。インペラは、例えば、ポンプに用いられる部材であって、ポンプが流体を送り出す（或いは、吸い出す）力を発生させるように回転可能な羽根車である。プロペラは、例えば、エンジン及びモータの少なくとも一方を含む原動機から出力される回転力を、飛行機及び船舶等の少なくとも一つを含む移動体の推進力に変換する部材（典型的には、回転体）である。リブレット構造ＲＢが形成されるワークＷの他の一例として、飛行機及び船舶等の少なくとも一つを含む移動体の筐体（例えば、機体又は船体）があげられる。
【0021】
ここで、図３（ａ）から図３（ｂ）を参照しながら、リブレット構造ＲＢについて説明する。図３（ａ）は、リブレット構造ＲＢを示す斜視図であり、図３（ｂ）は、リブレット構造ＲＢを示す断面図（図３（ａ）のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面図）であり、図３（ｃ）は、リブレット構造ＲＢを示す上面図である。
【0022】
図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、リブレット構造ＲＢは、ワークＷの表面に沿った第１の方向に沿って延びる凸状構造体８１が、ワークＷの表面に沿っており且つ第１の方向に交差する第２の方向に沿って複数配列された構造を含んでいてもよい。つまり、リブレット構造ＲＢは、それぞれが第１の方向に沿って延びるように形成される複数の凸状構造体８１が、第２の方向に沿って並んだ構造を含んでいてもよい。図３（ａ）から図３（ｃ）に示す例では、リブレット構造ＲＢは、Ｘ軸方向に沿って延びる凸状構造体８１が、Ｙ軸方向に沿って複数配列された構造を含んでいる。
【0023】
凸状構造体８１は、凸状構造体８１が延びる方向及び凸状構造体８１が配列される方向の双方に交差する方向に沿って突き出た構造体である。凸状構造体８１は、ワークＷの表面から突き出た構造体である。図３（ａ）から図３（ｃ）に示す例では、凸状構造体８１は、Ｚ軸方向に沿って突き出た構造体である。尚、凸状構造体８１は、ワークＷの表面に対して突起となる突起形状の構造を含んでいてもよい。凸状構造体８１は、ワークＷの表面に対して凸となる凸形状の構造を含んでいてもよい。凸状構造体８１は、ワークＷの表面に対して山となる山形状の構造を含んでいてもよい。
【0024】
隣り合う凸状構造体８１の間には、周囲と比較して窪んだ溝構造８２が形成される。このため、リブレット構造ＲＢは、ワークＷの表面に沿った第１の方向に沿って延びる溝構造８２が、ワークＷの表面に沿っており且つ第１の方向に交差する第２の方向に沿って複数配列された構造を含んでいてもよい。つまり、リブレット構造ＲＢは、それぞれが第１の方向に沿って延びるように形成される複数の溝構造８２が、第２の方向に沿って並んだ構造を含んでいてもよい。図３（ａ）から図３（ｃ）に示す例では、リブレット構造ＲＢは、Ｘ軸方向に沿って延びる溝構造８２が、Ｙ軸方向に沿って複数配列された構造を含んでいる。尚、溝構造８２は、溝状構造体と称されてもよい。
【0025】
尚、凸状構造体８１は、溝構造８２から突き出た構造であるとみなしてもよい。凸状構造体８１は、隣り合う二つの溝構造８２の間に、突起形状の構造、凸形状の構造及び山形状の構造の少なくとも一つを形成する構造であるとみなしてもよい。溝構造８２は、凸状構造体８１から窪んだ構造であるとみなしてもよい。溝構造８２は、隣り合う二つの凸状構造体８１の間に、溝形状の構造を形成する構造であるとみなしてもよい。尚、溝構造８２は、溝状構造体と称されてもよい。
【0026】
複数の凸状構造体８１の少なくとも一つの高さＨ＿ｒｂは、凸状構造体８１のピッチＰ＿ｒｂに応じて定まる高さに設定されていてもよい。例えば、複数の凸状構造体８１の少なくとも一つの高さＨ＿ｒｂは、凸状構造体８１のピッチＰ＿ｒｂ以下であってもよい。例えば、複数の凸状構造体８１の少なくとも一つの高さＨ＿ｒｂは、凸状構造体８１のピッチＰ＿ｒｂの半分以下であってもよい。一例として、凸状構造体８１のピッチＰ＿ｒｂは、５マイクロメートルより大きく且つ２００マイクロメートルよりも小さくてもよい。この場合、複数の凸状構造体８１の少なくとも一つの高さＨ＿ｒｂは、２．５マイクロメートルより大きく且つ１００マイクロメートルよりも小さくてもよい。
【0027】
【0028】
加工ヘッド１１は、加工光源２からの加工光ＥＬをワークＷに照射する。加工光ＥＬをワークＷに照射するために、加工ヘッド１１は、加工光学系１１１を備える。加工ヘッド１１は、加工光学系１１１を介して、加工光ＥＬをワークＷに照射する。
【0029】
本実施形態では、加工光学系１１１は、ワークＷの表面に干渉縞ＩＳを形成することで、ワークＷの表面にリブレット構造ＲＢを形成してもよい。具体的には、加工光学系１１１は、加工光源２からの加工光ＥＬを分岐することで生成される複数の加工光ＥＬ（図１に示す例では、二つの加工光ＥＬ）を、それぞれ異なる入射方向からワークＷに照射する。その結果、複数の加工光ＥＬが干渉することで、干渉光が発生する。この場合、加工光学系１１１は、実質的には、複数の加工光ＥＬが干渉することで発生する干渉光をワークＷに照射しているとみなしてもよい。その結果、ワークＷの表面には、干渉光に起因した干渉縞ＩＳが形成される。尚、以下の説明では、加工光源２が生成する加工光ＥＬを、“加工光ＥＬ０”と称し、且つ、加工光学系１１１がワークＷに照射する加工光ＥＬを、“加工光ＥＬ１”と称することで、両者を区別する。加工光学系１１１が加工光ＥＬ０を分岐することで生成される加工光ＥＬ１は、“分岐光”と称されてもよい。また、加工光学系１１１の詳細な構造については、図５等を参照しながら後に詳述するため、ここでの説明を省略する。
【0030】
干渉縞ＩＳの一例が図４に示されている。図４に示すように、干渉縞ＩＳは、明部ＩＬと暗部ＩＤとを有する縞であってもよい。明部ＩＬは、干渉縞ＩＳのうちのフルエンスが所定量よりも大きくなる（つまり、高くなる）部分を含んでいてもよい。明部ＩＬは、干渉縞ＩＳを形成する干渉光のうちのフルエンスが所定量よりも大きくなる光部分が照射される部分を含んでいてもよい。暗部ＩＤは、干渉縞ＩＳのうちのフルエンスが所定量よりも小さくなる（つまり、低くなる）部分を含んでいてもよい。暗部ＩＤは、干渉縞ＩＳを形成する干渉光のうちのフルエンスが所定量よりも小さくなる光部分が照射される部分を含んでいてもよい。また、明部ＩＬでのフルエンスは暗部ＩＤでのフルエンスより大きくてもよい。
【0031】
図４は更に、干渉縞ＩＳとリブレット構造ＲＢとの関係を示している。図４に示すように、明部ＩＬは、主として上述した溝構造８２を形成するために用いられてもよい。この場合、加工光学系１１１は、干渉縞ＩＳに含まれる明部ＩＬをワークＷの表面に形成してワークＷの一部を除去することで、ワークＷの表面に、リブレット構造ＲＢを構成する溝構造８２を形成してもよい。加工光学系１１１は、干渉光のうちの明部ＩＬを形成する光部分をワークＷの表面に照射してワークＷの一部を除去することで、ワークＷの表面に溝構造８２を形成してもよい。加工光学系１１１は、明部ＩＬに到達する加工光ＥＬ１を用いて（つまり、加工光ＥＬ１のうちの明部ＩＬに到達する光部分を用いて）ワークＷの一部を除去することで、ワークＷの表面に溝構造８２を形成してもよい。この場合、干渉縞ＩＳは、溝構造８２が延びる方向（図４に示す例では、Ｘ軸方向）に沿って延びる明部ＩＬが、溝構造８２が並ぶ方向（図４に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って複数配列された縞を含んでいてもよい。つまり、干渉縞ＩＳは、溝構造８２が延びる方向（図４に示す例では、Ｘ軸方向）に沿って延びる複数の明部ＩＬが、溝構造８２が並ぶ方向（図４に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って並ぶ縞を含んでいてもよい。
【0032】
図４に示すように、暗部ＩＤは、主として上述した凸状構造体８１を形成するために用いられてもよい。この場合、加工光学系１１１は、干渉縞ＩＳに含まれる暗部ＩＤをワークＷの表面に形成してワークＷの一部を除去する（或いは、場合によっては、ワークＷの一部を除去しない）ことで、ワークＷの表面に、リブレット構造ＲＢを構成する凸状構造体８１を形成してもよい。加工光学系１１１は、干渉光のうちの暗部ＩＤを形成する光部分をワークＷの表面に照射してワークＷの一部を除去することで、ワークＷの表面に凸状構造体８１を形成してもよい。加工光学系１１１は、暗部ＩＤに到達する加工光ＥＬ１を用いて（つまり、加工光ＥＬ１のうちの暗部ＩＤに到達する光部分を用いて）ワークＷの一部を除去することで、ワークＷの表面に凸状構造体８１を形成してもよい。この場合、干渉縞ＩＳは、凸状構造体８１が延びる方向（図４に示す例では、Ｘ軸方向）に沿って延びる暗部ＩＤが、凸状構造体８１が並ぶ方向（図４に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って複数配列された縞を含んでいてもよい。つまり、干渉縞ＩＳは、凸状構造体８１が延びる方向（図４に示す例では、Ｘ軸方向）に沿って延びる複数の暗部ＩＤが、凸状構造体８１が並ぶ方向（図４に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って並ぶ縞を含んでいてもよい。
【0033】
再び図１及び図２において、ヘッド駆動系１２は、制御装置３の制御下で、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の少なくとも一つに沿って加工ヘッド１１を移動させる。尚、ヘッド駆動系１２は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の少なくとも一つに加えて又は代えて、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って加工ヘッド１１を移動させてもよい。加工ヘッド１１が移動すると、ステージ１３（更には、ステージ１３に載置されたワークＷ）と加工ヘッド１１との位置関係が変わる。その結果、ワークＷ上で加工ヘッド１１が干渉縞ＩＳを形成する干渉領域ＩＡ（図４参照）とステージ１３及びワークＷとの位置関係が変わる。つまり、ワークＷ上で干渉領域ＩＡが移動する。
【0034】
ステージ１３上には、ワークＷが載置される。ステージ１３は、ステージ１３に載置されたワークＷを保持しなくてもよい。つまり、ステージ１３は、ステージ１３に載置されたワークＷに対して、当該ワークＷを保持するための保持力を加えなくてもよい。或いは、ステージ１３は、ステージ１３に載置されたワークＷを保持してもよい。つまり、ステージ１３は、ステージ１３に載置されたワークＷに対して、当該ワークＷを保持するための保持力を加えてもよい。例えば、ステージ１３は、ワークＷを真空吸着及び／又は静電吸着することで、ワークＷを保持してもよい。或いは、ワークＷを保持するための治具がワークＷを保持し、ステージ１３は、ワークＷを保持した治具を保持してもよい。
【0035】
ステージ駆動系１４は、制御装置３の制御下で、ステージ１３を移動させる。具体的には、ステージ駆動系１４は、加工ヘッド１１に対してステージ１３を移動させる。例えば、ステージ駆動系１４は、制御装置３の制御下で、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿ってステージ１３を移動させてもよい。尚、ステージ１３をθＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動させることは、ステージ１３（更には、ステージ１３に載置されたワークＷ）のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の少なくとも一つの廻りの姿勢を変更することと等価であるとみなしてもよい。或いは、ステージ１３をθＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動させることは、ステージ１３をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の少なくとも一つの廻りに回転（又は回転移動）させることと等価であるとみなしてもよい。
【0036】
ステージ１３が移動すると、ステージ１３（更には、ステージ１３に載置されたワークＷ）と加工ヘッド１１との位置関係が変わる。更には、ステージ１３及びワークＷと加工その結果、ワークＷ上で加工ヘッド１１が干渉縞ＩＳを形成する干渉領域ＩＡ（図４参照）とステージ１３及びワークＷとの位置関係が変わる。つまり、ワークＷ上で干渉領域ＩＡが移動する。
【0037】
制御装置３は、加工システムＳＹＳの動作を制御する。例えば、制御装置３は、ワークＷを加工するための加工制御情報を生成すると共に、生成した加工制御情報に従ってワークＷが加工されるように、加工制御情報に基づいて、加工装置１を制御してもよい。つまり、制御装置３は、ワークＷの加工を制御してもよい。
【0038】
制御装置３は、例えば、演算装置と記憶装置とを含んでいてもよい。演算装置は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ））の少なくとも一方を含んでいてもよい。制御装置３は、演算装置がコンピュータプログラムを実行することで、加工システムＳＹＳの動作を制御する装置として機能する。このコンピュータプログラムは、制御装置３が行うべき後述する動作を制御装置３（例えば、演算装置）に行わせる（つまり、実行させる）ためのコンピュータプログラムである。つまり、このコンピュータプログラムは、加工システムＳＹＳに後述する動作を行わせるように制御装置３を機能させるためのコンピュータプログラムである。演算装置が実行するコンピュータプログラムは、制御装置３が備える記憶装置（つまり、記録媒体）に記録されていてもよいし、制御装置３に内蔵された又は制御装置３に外付け可能な任意の記憶媒体（例えば、ハードディスクや半導体メモリ）に記録されていてもよい。或いは、演算装置は、実行するべきコンピュータプログラムを、ネットワークインタフェースを介して、制御装置３の外部の装置からダウンロードしてもよい。
【0039】
制御装置３は、加工システムＳＹＳの内部に設けられていなくてもよい。例えば、制御装置３は、加工システムＳＹＳ外にサーバ等として設けられていてもよい。この場合、制御装置３と加工システムＳＹＳとは、有線及び／又は無線のネットワーク（或いは、データバス及び／又は通信回線）で接続されていてもよい。有線のネットワークとして、例えばＩＥＥＥ１３９４、ＲＳ－２３２ｘ、ＲＳ－４２２、ＲＳ－４２３、ＲＳ－４８５及びＵＳＢの少なくとも一つに代表されるシリアルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、パラレルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、１０ＢＡＳＥ－Ｔ、１００ＢＡＳＥ－ＴＸ及び１０００ＢＡＳＥ－Ｔの少なくとも一つに代表されるイーサネット（登録商標）に準拠したインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、電波を用いたネットワークが用いられてもよい。電波を用いたネットワークの一例として、ＩＥＥＥ８０２．１ｘに準拠したネットワーク（例えば、無線ＬＡＮ及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）の少なくとも一方）があげられる。無線のネットワークとして、赤外線を用いたネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、光通信を用いたネットワークが用いられてもよい。この場合、制御装置３と加工システムＳＹＳとはネットワークを介して各種の情報の送受信が可能となるように構成されていてもよい。また、制御装置３は、ネットワークを介して加工システムＳＹＳにコマンドや制御パラメータ等の情報を送信可能であってもよい。加工システムＳＹＳは、制御装置３からのコマンドや制御パラメータ等の情報を、上記ネットワークを介して受信する受信装置を備えていてもよい。或いは、制御装置３が行う処理のうちの一部を行う第１制御装置が加工システムＳＹＳの内部に設けられている一方で、制御装置３が行う処理のうちの他の一部を行う第２制御装置が加工システムＳＹＳの外部に設けられていてもよい。
【0040】
制御装置３内には、演算装置がコンピュータプログラムを実行することで、機械学習によって構築可能な演算モデルが実装されてもよい。機械学習によって構築可能な演算モデルの一例として、例えば、ニューラルネットワークを含む演算モデル（いわゆる、人工知能（ＡＩ：Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ））があげられる。この場合、演算モデルの学習は、ニューラルネットワークのパラメータ（例えば、重み及びバイアスの少なくとも一つ）の学習を含んでいてもよい。制御装置３は、演算モデルを用いて、加工システムＳＹＳの動作を制御してもよい。つまり、加工システムＳＹＳの動作を制御する動作は、演算モデルを用いて加工システムＳＹＳの動作を制御する動作を含んでいてもよい。尚、制御装置３には、教師データを用いたオフラインでの機械学習により構築済みの演算モデルが実装されてもよい。また、制御装置３に実装された演算モデルは、制御装置３上においてオンラインでの機械学習によって更新されてもよい。或いは、制御装置３は、制御装置３に実装されている演算モデルに加えて又は代えて、制御装置３の外部の装置（つまり、加工システムＳＹＳの外部に設けられる装置）に実装された演算モデルを用いて、加工システムＳＹＳの動作を制御してもよい。
【0041】
尚、演算装置が実行するコンピュータプログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ－ＲＯＭ、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－ＲＷやフレキシブルディスク、ＭＯ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＡＭ、ＤＶＤ－Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ－ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ及びＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）等の光ディスク、磁気テープ等の磁気媒体、光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ、及び、その他プログラムを格納可能な任意の媒体の少なくとも一つが用いられてもよい。記録媒体には、コンピュータプログラムを記録可能な機器（例えば、コンピュータプログラムがソフトウェア及びファームウェア等の少なくとも一方の形態で実行可能な状態に実装された汎用機器又は専用機器）が含まれていてもよい。更に、コンピュータプログラムに含まれる各処理や機能は、制御装置３（つまり、コンピュータ）がコンピュータプログラムを実行することで制御装置３内に実現される論理的な処理ブロックによって実現されてもよいし、制御装置３が備える所定のゲートアレイ（ＦＰＧＡ、ＡＳＩＣ）等のハードウェアによって実現されてもよいし、論理的な処理ブロックとハードウェアの一部の要素を実現する部分的ハードウェアモジュールとが混在する形式で実現してもよい。
【0042】
（２）加工光学系１１１
（２－１）加工光学系１１１の概要
続いて、ワークＷの表面に干渉縞ＩＳを形成する加工光学系１１１について説明する。上述したように、加工光学系１１１は、複数の加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成する。例えば、加工光学系１１１は、二つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、三つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、四つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、五つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、六つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、七つ以上の（例えば、七つの、九つの、十一個の、十三個の、二十一個の又は二十三個の）加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。
（２－１）加工光学系１１１の概要
続いて、ワークＷの表面に干渉縞ＩＳを形成する加工光学系１１１について説明する。上述したように、加工光学系１１１は、複数の加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成する。例えば、加工光学系１１１は、二つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、三つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、四つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、五つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、六つの加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。例えば、加工光学系１１１は、七つ以上の（例えば、七つの、九つの、十一個の、十三個の、二十一個の又は二十三個の）加工光ＥＬ１をそれぞれ異なる入射方向からワークＷに照射することで、干渉縞ＩＳを形成してもよい。
【0043】
本実施形態では、加工光学系１１１は、複数の加工光ＥＬ１のうちの少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、光学特性に関する差分を与えてもよい。つまり、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の光学特性が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの光学特性を調整してもよい。加工光学系１１１は、ワークＷの表面での少なくとも二つの加工光ＥＬ１の光学特性が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの光学特性を調整してもよい。
【0044】
少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分が与えられる本実施形態では、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分が与えられない比較例と比較して、ワークＷの表面での干渉縞ＩＳを形成する干渉光のフルエンス分布が変わる。具体的には、図５（ａ）は、比較例における干渉光のフルエンス分布を示しており、図５（ｂ）は、本実施形態における干渉光のフルエンス分布を示している。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、比較例と比較して、干渉光の最小フルエンスが高くなる。尚、最小フルエンスは、干渉縞ＩＳの暗部ＩＤにおける干渉光のフルエンスの最小値であってもよい。最小フルエンスは、干渉縞ＩＳの暗部ＩＤに到達する加工光ＥＬ１のフルエンスの最小値であってもよい。このように本実施形態の最小フルエンスが比較例の最小フルエンスよりも大きくなる理由の一つとして、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えるという光学的効果が発生することがあげられる。つまり、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分（いわゆる、干渉縞ＩＳのフルエンス分布のＤＣ成分）を干渉光に与えている。加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えるフルエンス分布のコントラスト成分（つまり、干渉縞ＩＳの濃淡（明暗）に影響を与える成分）に影響を与えることなく、干渉縞ＩＳのフルエンス分布のＤＣ成分）を干渉光に与えている。
【0045】
逆に言えば、加工光学系１１１は、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。加工光学系１１１は、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方で最小フルエンスを増加させる光成分を干渉光に与えるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。また、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に与える光学特性に関する差分は、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えることが可能な適切な差分に設定されていてもよい。干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えることが可能な適切な差分は、加工光ＥＬ１の特性、干渉光の特性、ワークＷの特性及びリブレット構造ＲＢの特性の少なくとも一つに基づいて決定されていてもよい。干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えることが可能な差分は、干渉縞ＩＳを形成することでワークＷにリブレット構造ＲＢを形成する実験又はシミュレーションの結果に基づいて決定されていてもよい。
【0046】
図５（ａ）は更に、図５（ａ）に示すフルエンス分布を有する干渉光が形成する干渉縞ＩＳによって形成されるリブレット構造ＲＢの形状（特に、断面形状）を示している。図５（ｂ）は更に、図５（ｂ）に示すフルエンス分布を有する干渉光が形成する干渉縞ＩＳによって形成されるリブレット構造ＲＢの形状（特に、断面形状）を示している。図５（ａ）に示すように、比較例において形成されるリブレット構造ＲＢでは、凸状構造体８１の先端の形状が平坦な形状になる可能性がある。というのも、上述したように、比較例では、最小フルエンスが相対的に小さい。このため、図５（ａ）に示すように、比較例では、干渉縞ＩＳの暗部ＩＤの少なくとも一部のフルエンスが、ワークＷを加工可能な（つまり、ワークＷの一部を除去可能な）フルエンスの下限値ＴＨ＿ｌｏｗｅｓｔよりも小さくなってしまう可能性が相対的に高くなる。その結果、ワークＷのうちの干渉縞ＩＳの暗部ＩＤが形成される部分の少なくとも一部が加工されず、結果として、凸状構造体８１の先端の形状が平坦な形状になる可能性が相対的に高くなる。リブレット構造ＲＢの特性を考慮すると、凸状構造体８１の先端の形状が平坦な形状である場合には、凸状構造体８１の先端の形状がとがった形状である場合と比較して、ワークＷの表面の流体に対する抵抗を低減する効果が薄れてしまう可能性がある。一方で、図５（ｂ）に示すように、本実施形態において形成されるリブレット構造ＲＢでは、比較例と比較して、凸状構造体８１の先端の形状が平坦な形状になる可能性は低い。というのも、上述したように、本実施形態では、最小フルエンスが相対的に大きい。このため、図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、干渉縞ＩＳの暗部ＩＤの少なくとも一部のフルエンスが、ワークＷを加工可能なフルエンスの下限値ＴＨ＿ｌｏｗｅｓｔよりも小さくなってしまう可能性が相対的に低くなる。つまり、干渉縞ＩＳの暗部ＩＤの少なくとも一部のフルエンスが、ワークＷを加工可能なフルエンスに設定される可能性が相対的に高くなる。その結果、ワークＷのうちの干渉縞ＩＳの暗部ＩＤが形成される部分が加工され、結果として、凸状構造体８１の先端の形状が理想的な形状（例えば、とがった形状）に近づく又は一致する可能性が相対的に高くなる。つまり、本実施形態では、比較例と比較して、リブレット構造ＲＢの形状の精度が改善される。その結果、本実施形態では、ワークＷの表面の流体に対する抵抗を低減する効果が相対的に高いリブレット構造ＲＢが形成される可能性が相対的に高くなる。
【0047】
このように、本実施形態の加工装置１は、比較例と比較して、リブレット構造ＲＢの形状を理想的な形状に近づける又は一致させることができる。加工装置１は、比較例と比較して、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成することができる。この場合、加工装置１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えることで、ワークＷに形成されるリブレット構造ＲＢの形状が、比較例において形成されるリブレット構造ＲＢの形状よりも理想的な形状に近い所定の形状になるように、リブレット構造ＲＢの形状を調整しているとみなしてもよい。その結果、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0048】
更に、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に与える光学特性に関する差分が変わると、干渉光のフルエンス分布が変わる。つまり、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に与える光学特性に関する差分が変わると、ワークＷに形成されるリブレット構造ＲＢの形状が変わる。このため、加工装置１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に与える光学特性に関する差分を変更することで、リブレット構造ＲＢの形状を適宜調整（言い換えれば、制御又は変更）してもよい。その結果、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0049】
例えば、加工光学系１１１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を変更してもよい。少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に与える光学特性に関する差分は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成することが可能な適切な差分に設定されていてもよい。理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成することが可能な適切な差分は、加工光ＥＬ１の特性、干渉光の特性、ワークＷの特性及びリブレット構造ＲＢの特性の少なくとも一つに基づいて決定されていてもよい。理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成することが可能な適切な差分は、干渉縞ＩＳを形成することでワークＷにリブレット構造ＲＢを形成する実験又はシミュレーションの結果に基づいて決定されていてもよい。
【0050】
尚、干渉光の最小フルエンスがワークＷを加工可能なフルエンスの下限値ＴＨ＿ｌｏｗｅｓｔ以上になることで上述した効果が適切に享受可能になることを考慮すれば、加工光学系１１１は、干渉光の最小フルエンスが下限値ＴＨ＿ｌｏｗｅｓｔ以上に設定されるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。加工光学系１１１は、干渉光の最小フルエンスが、ワークＷを加工可能なフルエンスに設定されるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に与える光学特性に関する差分は、干渉光の最小フルエンスを、ワークＷを加工可能なフルエンスに設定することが可能な適切な差分に設定されていてもよい。その結果、上述した効果が適切に享受可能となる。
【0051】
ワークＷの特性によっては、ワークＷに照射される光のフルエンスとワークＷの加工量（例えば、単位時間当たりの除去量であり、一例として、１パルスあたりの加工量）との関係が、フルエンスに依存して変動する可能性がある。例えば、ワークＷの特性によっては、図６に示すように、ワークＷに照射される干渉光のフルエンス（或いは、干渉光を発生させる加工光ＥＬ１のフルエンス、以下、この段落において同じ）が所定閾値Ｆｔｈよりも小さい場合におけるフルエンスとワークＷの加工量との第１関係が、ワークＷに照射される干渉光のフルエンスが所定閾値Ｆｔｈよりも大きい場合におけるフルエンスとワークＷの加工量との第２関係と異なるものとなる可能性がある。この場合、仮に図７の上部に示すように干渉縞ＩＳを形成する干渉光のフルエンスが、所定閾値Ｆｔｈよりも小さい第１範囲及び所定閾値Ｆｔｈよりも大きい第２範囲の双方にまたがるように変化する場合には、干渉光のうちの所定閾値Ｆｔｈよりも小さいフルエンスを有する光部分が照射されるワークＷの第１部分での加工量が、干渉光のうちの所定閾値Ｆｔｈよりも大きいフルエンスを有する光部分が照射されるワークＷの第２部分での加工量と異なるものとなってしまう。図６に示す例では、第２関係におけるフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合は、第１関係におけるフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合よりも大きい。この場合、干渉光のうちの所定閾値Ｆｔｈよりも小さいフルエンスを有する光部分が照射されるワークＷの第１部分での加工量が、干渉光のうちの所定閾値Ｆｔｈよりも大きいフルエンスを有する光部分が照射されるワークＷの第２部分での加工量よりも少なくなってしまう。その結果、ワークＷの第１部分での加工量が不足する及び／又はワークＷの第２部分での加工量が過剰になる可能性がある。このため、ワークＷに形成されるリブレット構造ＲＢの形状の精度が悪化する可能性がある。例えば、図７の下部に示すように、干渉光のうちの相対的にフルエンスが小さい光部分（例えば、暗部ＩＤに照射される光部分）によって主として形成される凸状構造体８１の先端の形状が平坦な形状になる可能性がある。
【0052】
このため、図８の上部に示すように、加工光学系１１１は、干渉光の最小フルエンスが所定閾値Ｆｔｈ以上になるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。或いは、加工光学系１１１は、干渉光の最小フルエンスが所定閾値Ｆｔｈに対して所定のマージンを加算することで得られる閾値以上になるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。つまり、加工光学系１１１は、干渉光の最小フルエンスが所定閾値Ｆｔｈに基づいて設定される閾値以上になるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分を与えてもよい。この場合、図８の下部に示すように、干渉光のうちの相対的にフルエンスが小さい光部分（例えば、暗部ＩＤに照射される光部分）によって主として形成される凸状構造体８１の先端の形状が理想的な形状になる可能性が相対的に高くなる。その結果、上述した効果が適切に享受可能となる。
【0053】
上述した効果を実現可能な光学特性の一例として、波パラメータがあげられる。波パラメータは、加工光ＥＬの波としての性質を定量的に又は定性的に示すパラメータであってもよい。この場合、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、波パラメータに関する差分を与えてもよい。つまり、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の波パラメータが異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの波パラメータを調整してもよい。加工光学系１１１は、ワークＷの表面での少なくとも二つの加工光ＥＬ１の波パラメータが異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの波パラメータを調整してもよい。
【0054】
波パラメータは、加工光ＥＬ１の強度（つまり、波としての加工光ＥＬ１の振幅）を含んでいてもよい。特に、波パラメータ、ワークＷの表面における加工光ＥＬ１の強度を含んでいてもよい。この場合、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、強度差を与えてもよい。つまり、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の強度が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの強度を調整してもよい。加工光学系１１１は、ワークＷの表面での少なくとも二つの加工光ＥＬ１の強度が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの強度を調整してもよい。
【0055】
波パラメータは、加工光ＥＬ１の位相を含んでいてもよい。特に、波パラメータは、ワークＷの表面における加工光ＥＬ１の位相を含んでいてもよい。この場合、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、位相差を与えてもよい。つまり、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の位相が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの位相を調整してもよい。加工光学系１１１は、ワークＷの表面での少なくとも二つの加工光ＥＬ１の位相が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの位相を調整してもよい。
【0056】
波パラメータは、加工光ＥＬ１の偏光状態を含んでいてもよい。特に、波パラメータは、ワークＷの表面における加工光ＥＬ１の偏光状態を含んでいてもよい。この場合、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、偏光差（つまり、偏光状態に関する差分）を与えてもよい。つまり、加工光学系１１１は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の偏光状態が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整してもよい。加工光学系１１１は、ワークＷの表面での少なくとも二つの加工光ＥＬ１の偏光状態が異なるものとなるように、少なくとも二つの加工光ＥＬ１のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整してもよい。
【0057】
以下、加工光学系１１１の一例として、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１（以降、これを、“加工光学系１１１ａ”と称する）、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に位相差を与える加工光学系１１１（以降、これを、“加工光学系１１１ｂ”と称する）と、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に偏光差を与える加工光学系１１１（以降、これを、“加工光学系１１１ｃ”と称する）とについて順に説明する。
【0058】
（２－２）加工光学系１１１ａ
初めに、図９を参照しながら、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１ａについて説明する。図９は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１ａの構造を示す断面図である。
初めに、図９を参照しながら、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１ａについて説明する。図９は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１ａの構造を示す断面図である。
【0059】
図９に示すように、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａと、ミラー１１１２ａと、ミラー１１１３ａとを備える。
【0060】
ビームスプリッタ１１１１ａには、加工光源２から射出される加工光ＥＬ０が入射する。ビームスプリッタ１１１１ａは、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐する。つまり、ビームスプリッタ１１１１ａは、加工光ＥＬ０を分岐することで複数の加工光ＥＬ１を生成する。このため、ビームスプリッタ１１１１ａは、分岐光学系と称されてもよい。以下の説明では、説明の便宜上、図９に示すように、ビームスプリッタ１１１１ａが加工光ＥＬ０を二つの加工光ＥＬ１（具体的には、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２）に分岐する例について説明する。
【0061】
ビームスプリッタ１１１１ａは、振幅分割型のビームスプリッタであってもよい。この場合、加工光ＥＬ０のうちの一部は、加工光ＥＬ１＃１としてビームスプリッタ１１１１ａを通過する。一方で、加工光ＥＬ０のうちの他の一部は、加工光ＥＬ１＃２としてビームスプリッタ１１１１ａによって反射される。尚、ビームスプリッタ１１１１ａは、振幅分割型のビームスプリッタには限定されず、偏光ビームスプリッタであってもよい。このとき、偏光ビームスプリッタで分岐された複数の加工光の光路のうちの１以上に、波長板等の偏光制御部材を配置してもよい。
【0062】
ビームスプリッタ１１１１ａを通過した加工光ＥＬ１＃１は、ミラー１１１２ａに入射する。ミラー１１１２ａは、加工光ＥＬ１＃１をワークＷに向けて反射する。ミラー１１１２ａは、加工光ＥＬ１＃１が入射方向Ｄ１から入射角度θ１でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃１を反射する。
【0063】
ビームスプリッタ１１１１ａが反射した加工光ＥＬ１＃２は、ミラー１１１３ａに入射する。ミラー１１１３ａは、加工光ＥＬ１＃２をワークＷに向けて反射する。ミラー１１１３ａは、加工光ＥＬ１＃２が入射方向Ｄ１とは異なる入射方向Ｄ２から入射角度θ１でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃１を反射する。
【0064】
ミラー１１１２ａが反射した加工光ＥＬ１＃１及びミラー１１１３ａが反射した加工光ＥＬ１＃２は、ワークＷ上に設定される干渉領域ＩＡに照射される。その結果、干渉領域ＩＡ内において、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２が干渉することで発生する干渉光が干渉縞ＩＳを形成する。この場合、ビームスプリッタ１１１１ａ、ミラー１１１２ａ及びミラー１１１３ａは、干渉縞ＩＳを形成するための干渉光学系として機能しているとみなしてもよい。
【0065】
ここで、ビームスプリッタ１１１１ａの分岐比が１である場合（つまり、１：１である場合）には、ビームスプリッタ１１１１ａを通過した加工光ＥＬ１＃１の強度と、ビームスプリッタ１１１１ａが反射した加工光ＥＬ１＃２の強度とが同じになる。一方で、ビームスプリッタ１１１１ａの分岐比が１ではない場合（つまり、１：１でない場合）には、ビームスプリッタ１１１１ａを通過した加工光ＥＬ１＃１の強度と、ビームスプリッタ１１１１ａが反射した加工光ＥＬ１＃２の強度とが異なるものとなる。このため、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えるために、ビームスプリッタ１１１１ａの分岐比は、１よりも大きい又は小さい比に設定されていてもよい。この場合、ビームスプリッタ１１１１ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の強度を調整する）ための調整光学系、強度調整光学系又は強度調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0066】
このようにビームスプリッタ１１１１ａを通過した加工光ＥＬ１＃１の強度と、ビームスプリッタ１１１１ａが反射した加工光ＥＬ１＃２の強度とが異なる場合には、図１０に示すように、ワークＷの表面での加工光ＥＬ１＃１の強度と、ワークＷの表面での加工光ＥＬ１＃２の強度とが異なるものとなる。従って、加工光学系１１１ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分（例えば、ＤＣ成分）を干渉光に与えている。このため、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差が与えられない比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図１１の上部に示すように、干渉光の最小フルエンスが大きくなる。このため、比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図１１の下部に示すように、リブレット構造ＲＢの形状の精度が改善される。一例として、干渉光のうちの相対的にフルエンスが小さい光部分（例えば、暗部ＩＤに照射される光部分）によって主として形成される凸状構造体８１の先端の形状が理想的な形状に近づく又は一致する可能性が相対的に高くなる。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0067】
ビームスプリッタ１１１１ａの分岐比が可変である場合には、ビームスプリッタ１１１１ａは、加工光ＥＬ０を二つの加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に分岐するときに、分岐比を変更することで、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の強度の調整度合い（言い換えれば、調整量又は変更量）を変更してもよい。つまり、ビームスプリッタ１１１１ａは、分岐比を変更することで、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差を変更してもよい。加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差が変わると、干渉光のフルエンス分布が変わる。この場合、加工装置１は、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差を変更して干渉光のフルエンス分布を変更することで、リブレット構造ＲＢの形状を適宜調整（言い換えれば、制御又は変更）してもよい。この場合、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0068】
（２－３）加工光学系１１１ｂの構造
続いて、図１２を参照しながら、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に位相差を与える加工光学系１１１ｂについて説明する。図１２は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に位相差を与える加工光学系１１１ｂの構造を示す断面図である。
続いて、図１２を参照しながら、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に位相差を与える加工光学系１１１ｂについて説明する。図１２は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に位相差を与える加工光学系１１１ｂの構造を示す断面図である。
【0069】
図１２に示すように、加工光学系１１１ｂは、ビームスプリッタ１１１１ｂと、ビームスプリッタ１１１２ｂと、ビームスプリッタ１１１３ｂと、ミラー１１１４ｂと、ミラー１１１５ｂと、光路長調整素子１１１６ｂと、光路長調整素子１１１７ｂとを備える。
【0070】
ビームスプリッタ１１１１ｂには、加工光源２から射出される加工光ＥＬ０が入射する。ビームスプリッタ１１１１ｂは、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐する。つまり、ビームスプリッタ１１１１ｂは、加工光ＥＬ０を分岐することで複数の加工光ＥＬ１を生成する。このため、ビームスプリッタ１１１１ｂは、分岐光学系と称されてもよい。以下の説明では、説明の便宜上、図１２に示すように、ビームスプリッタ１１１１ｂが加工光ＥＬ０を二つの加工光ＥＬ１（具体的には、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２）に分岐する例について説明する。
【0071】
ビームスプリッタ１１１１ｂは、振幅分割型のビームスプリッタであってもよい。この場合、加工光ＥＬ０のうちの一部は、加工光ＥＬ１＃１としてビームスプリッタ１１１１ｂを通過する。一方で、加工光ＥＬ０のうちの他の一部は、加工光ＥＬ１＃２としてビームスプリッタ１１１１ｂによって反射される。尚、ビームスプリッタ１１１１ｂの分岐比は、１であるが、１よりも大きくてもよいし、１よりも小さくてもよい。
【0072】
ビームスプリッタ１１１１ｂを通過した加工光ＥＬ１＃１は、ビームスプリッタ１１１２ｂに入射する。ビームスプリッタ１１１２ｂは、加工光ＥＬ１＃１を複数の加工光ＥＬ１に分岐する。つまり、ビームスプリッタ１１１２ｂは、加工光ＥＬ１＃１を分岐することで複数の加工光ＥＬ１を生成する。このため、ビームスプリッタ１１１２ｂは、分岐光学系と称されてもよい。以下の説明では、説明の便宜上、図１２に示すように、ビームスプリッタ１１１２ｂが加工光ＥＬ１＃１を二つの加工光ＥＬ１（具体的には、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２）に分岐する例について説明する。
【0073】
ビームスプリッタ１１１２ｂは、振幅分割型のビームスプリッタであってもよい。この場合、加工光ＥＬ１＃１のうちの一部は、加工光ＥＬ１＃１１としてビームスプリッタ１１１２ｂを通過する。一方で、加工光ＥＬ１＃１のうちの他の一部は、加工光ＥＬ１＃１２としてビームスプリッタ１１１２ｂによって反射される。尚、ビームスプリッタ１１１２ｂの分岐比は、１であるが、１よりも大きくてもよいし、１よりも小さくてもよい。
【0074】
ビームスプリッタ１１１１ｂが反射した加工光ＥＬ１＃２は、ビームスプリッタ１１１３ｂに入射する。ビームスプリッタ１１１３ｂは、加工光ＥＬ１＃２を複数の加工光ＥＬ１に分岐する。つまり、ビームスプリッタ１１１３ｂは、加工光ＥＬ１＃２を分岐することで複数の加工光ＥＬ１を生成する。このため、ビームスプリッタ１１１３ｂは、分岐光学系と称されてもよい。以下の説明では、説明の便宜上、図１２に示すように、ビームスプリッタ１１１３ｂが加工光ＥＬ１＃２を二つの加工光ＥＬ１（具体的には、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２）に分岐する例について説明する。
【0075】
ビームスプリッタ１１１３ｂは、振幅分割型のビームスプリッタであってもよい。この場合、加工光ＥＬ１＃２のうちの一部は、加工光ＥＬ１＃２１としてビームスプリッタ１１１３ｂを通過する。一方で、加工光ＥＬ１＃２のうちの他の一部は、加工光ＥＬ１＃２２としてビームスプリッタ１１１３ｂによって反射される。尚、ビームスプリッタ１１１３ｂの分岐比は、１であるが、１よりも大きくてもよいし、１よりも小さくてもよい。
【0076】
ビームスプリッタ１１１２ｂを通過した加工光ＥＬ１＃１１は、ミラー１１１４ｂに入射する。ミラー１１１４ｂは、加工光ＥＬ１＃１１をワークＷに向けて反射する。ミラー１１１４ｂは、加工光ＥＬ１＃１１が入射方向Ｄ１１から入射角度θ２でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃１１を反射する。
【0077】
ビームスプリッタ１１１２ｂが反射した加工光ＥＬ１＃１２は、光路長調整素子１１１６ｂを介してワークＷに入射する。ビームスプリッタ１１１２ｂは、加工光ＥＬ１＃１２が入射方向Ｄ１１とは異なる入射方向Ｄ１２から入射角度θ２とは異なる入射角度θ３でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃１の一部を加工光ＥＬ１＃１２として反射する。
【0078】
ビームスプリッタ１１１３ｂを通過した加工光ＥＬ１＃２１は、ミラー１１１５ｂに入射する。ミラー１１１５ｂは、加工光ＥＬ１＃２１をワークＷに向けて反射する。ミラー１１１５ｂは、加工光ＥＬ１＃２１が入射方向Ｄ１１及びＤ１２とは異なる入射方向Ｄ２１から入射角度θ２でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃２１を反射する。
【0079】
ビームスプリッタ１１１３ｂが反射した加工光ＥＬ１＃２２は、光路長調整素子１１１７ｂを介してワークＷに入射する。ビームスプリッタ１１１３ｂは、加工光ＥＬ１＃２２が入射方向Ｄ１１、Ｄ１２及びＤ２１とは異なる入射方向Ｄ２２から入射角度θ３でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃２の一部を加工光ＥＬ１＃２２として反射する。
【0080】
ミラー１１１４ｂが反射した加工光ＥＬ１＃１１、ビームスプリッタ１１１２ｂが反射した加工光ＥＬ１＃１２、ミラー１１１５ｂが反射した加工光ＥＬ１＃２１及びビームスプリッタ１１１３ｂが反射した加工光ＥＬ１＃２２は、ワークＷ上に設定される干渉領域ＩＡに照射される。その結果、干渉領域ＩＡ内において、加工光ＥＬ１＃１１からＥＬ１＃２２が干渉することで発生する干渉光が干渉縞ＩＳを形成する。この場合、ビームスプリッタ１１１１ｂから１１１３ｂ及びミラー１１１４ｂから１１１５ｂは、干渉縞ＩＳを形成するための干渉光学系として機能しているとみなしてもよい。
【0081】
光路長調整素子１１１６ｂは、ビームスプリッタ１１１２ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１２の光路上に配置される。光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整可能である。図１２に示す例では、光路長調整素子１１１６ｂは、再帰反射鏡１１１６１ｂと、ビームスプリッタ１１１２ｂから射出される加工光ＥＬ１＃１２を再帰反射鏡１１１６１ｂに向けて反射し且つ再帰反射鏡１１１６１ｂから射出される加工光ＥＬ１＃１２をワークＷに向けて反射するプリズムミラー１１１６２ｂとを備えている。この場合、光路長調整素子１１１６ｂは、ビームスプリッタ１１１２ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１２の光路に交差する方向に沿って再帰反射鏡１１１６１ｂを移動させることで、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。
【0082】
加工光ＥＬ１＃１２の光路長が変わると、加工光ＥＬ１＃１２の位相が変わる。このため、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整することで、加工光ＥＬ１＃１２の位相を調整しているとみなしてもよい。この場合、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に位相差を与えるように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。つまり、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１の位相と加工光ＥＬ１＃１２の位相とが異なるものとなるように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。この場合、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に位相差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の少なくとも一方の位相を調整する）ための調整光学系、位相調整光学系又は位相調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0083】
尚、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃１２の間に位相差を与えるように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。つまり、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃２１の位相と加工光ＥＬ１＃１２の位相とが異なるものとなるように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。この場合、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃１２の間に位相差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃１２の少なくとも一方の位相を調整する）ための調整光学系、位相調整光学系又は位相調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0084】
一方で、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に位相差を与えないように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。つまり、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１の位相と加工光ＥＬ１＃１２の位相とが揃うように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。言い換えれば、光路長調整素子１１１６ｂは、ビームスプリッタ１１１２ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１２の光路長と、ビームスプリッタ１１１３ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２２の光路長とが同じになるように、加工光ＥＬ１＃１２の光路長を調整してもよい。
【0085】
光路長調整素子１１１７ｂは、ビームスプリッタ１１１３ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２２の光路上に配置される。光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整可能である。図１２に示す例では、光路長調整素子１１１７ｂは、再帰反射鏡１１１７１ｂと、ビームスプリッタ１１１３ｂから射出される加工光ＥＬ１＃２２を再帰反射鏡１１１７１ｂに向けて反射し且つ再帰反射鏡１１１７１ｂから射出される加工光ＥＬ１＃２２をワークＷに向けて反射するプリズムミラー１１１７２ｂとを備えている。この場合、光路長調整素子１１１７ｂは、ビームスプリッタ１１１３ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２２の光路に交差する方向に沿って再帰反射鏡１１１７１ｂを移動させることで、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。
【0086】
加工光ＥＬ１＃２２の光路長が変わると、加工光ＥＬ１＃２２の位相が変わる。このため、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整することで、加工光ＥＬ１＃２２の位相を調整しているとみなしてもよい。この場合、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与えるように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。つまり、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２１の位相と加工光ＥＬ１＃２２の位相とが異なるものとなるように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。この場合、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方の位相を調整する）ための調整光学系、位相調整光学系又は位相調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0087】
尚、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与えるように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。つまり、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃１１の位相と加工光ＥＬ１＃２２の位相とが異なるものとなるように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。この場合、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方の位相を調整する）ための調整光学系、位相調整光学系又は位相調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0088】
一方で、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に位相差を与えないように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。つまり、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃１１の位相と加工光ＥＬ１＃１２の位相とが揃うように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。言い換えれば、光路長調整素子１１１７ｂは、ビームスプリッタ１１１２ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１２の光路長と、ビームスプリッタ１１１３ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２２の光路長とが同じになるように、加工光ＥＬ１＃２２の光路長を調整してもよい。
【0089】
尚、図１２に示す例では、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂのそれぞれは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ＃２１のそれぞれの光路長を調整しない。つまり、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂのそれぞれは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ＃２１のそれぞれの位相を調整しない。この場合、加工光ＥＬ１＃１１の位相と加工光ＥＬ１＃２１の位相とが揃っていてもよい。つまり、ビームスプリッタ１１１２ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１１の光路長と、ビームスプリッタ１１１３ｂとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２１の光路長とが同じであってもよい。
【0090】
光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂのそれぞれが与える位相差は、１８０＋３６０×ｎ°であってもよい。尚、ｎは整数を示す変数である。但し、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂのそれぞれが与える位相差は、１８０＋３６０×ｎ°とは異なっていてもよい。
【0091】
このような光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂにより、ワークＷの表面において、加工光ＥＬ１＃１１の位相と加工光ＥＬ１＃１２の位相とが異なるものとなり、且つ、加工光ＥＬ１＃２１の位相と加工光ＥＬ１＃２２の位相とが異なるものとなる。従って、加工光学系１１１ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間、及び、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分（例えば、ＤＣ成分）を干渉光に与えている。このため、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間、及び、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差が与えられない比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図１３の上部に示すように、最小フルエンスが大きくなる。このため、比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図１３の下部に示すように、リブレット構造ＲＢの形状の精度が改善される。一例として、干渉光のうちの相対的にフルエンスが小さい光部分（例えば、暗部ＩＤに照射される光部分）によって主として形成される凸状構造体８１の先端の形状が理想的な形状に近づく又は一致する可能性が相対的に高くなる。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0092】
光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の光路長の調整度合いを変更可能であってもよい。光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の光路長の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃１２の位相の調整度合いを変更可能であってもよい。光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の光路長の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に与える位相差を変更可能であってもよい。加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に与える位相差が変わると、干渉光のフルエンス分布が変わる。この場合、加工装置１は、加工光ＥＬ１１＃１及びＥＬ１＃１２の間に与える位相差を変更して干渉光のフルエンス分布を変更することで、リブレット構造ＲＢの形状を適宜調整（言い換えれば、制御又は変更）してもよい。この場合、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0093】
光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の光路長の調整度合いを変更可能であってもよい。光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の光路長の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃２２の位相の調整度合いを変更可能であってもよい。光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の光路長の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に与える位相差を変更可能であってもよい。加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に与える位相差が変わると、干渉光のフルエンス分布が変わる。この場合、加工装置１は、加工光ＥＬ２１＃２１及びＥＬ２＃２２の間に与える位相差を変更して干渉光のフルエンス分布を変更することで、リブレット構造ＲＢの形状を適宜調整（言い換えれば、制御又は変更）してもよい。この場合、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0094】
但し、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の光路長の調整度合いを変更可能でなくてもよい。光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１２の位相の調整度合いを変更可能でなくてもよい。光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に与える位相差を変更可能でなくてもよい。この場合、光路長調整素子１１１６ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に固定の位相差を与えてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間に位相差が与えられる限りは、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0095】
また、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の光路長の調整度合いを変更可能でなくてもよい。光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２２の位相の調整度合いを変更可能でなくてもよい。光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に与える位相差を変更可能でなくてもよい。この場合、光路長調整素子１１１７ｂは、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に固定の位相差を与えてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差が与えられる限りは、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0096】
尚、加工光学系１１１ｂは、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂのいずれか一方を備えている一方で、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂのいずれか他方を備えていなくてもよい。つまり、加工光学系１１１ｂは、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂの双方を必ずしも備えていなくてもよい。また、加工光学系１１１ｂは、光路長調整素子１１１６ｂ及び１１１７ｂの少なくとも一方に加えて又は代えて、加工光ＥＬ＃１１の光路長を調整可能な光路長調整素子及び加工光ＥＬ＃２１の光路長を調整可能な光路長調整素子の少なくとも一つを備えていてもよい。要は、加工光学系１１１ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃２１の少なくとも一つと加工光ＥＬ１＃１２及びＥＬ１＃２２の少なくとも一つとの間に位相差を与えることができる限りは、どのような構造を有していてもよい。加工光学系１１１ｂが三つ又は五つ以上の加工光ＥＬ１をワークＷに照射する場合においても同様に、加工光学系１１１ｂは、三つ又は五つ以上の加工光ＥＬ１のうちの少なくとも二つの間に位相差を与えることができる限りは、どのような構造を有していてもよい。
【0097】
（２－４）加工光学系１１１ｃの構造
続いて、図１４を参照しながら、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に偏光差を与える加工光学系１１１ｃについて説明する。図１４は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１ｃの構造を示す断面図である。
続いて、図１４を参照しながら、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に偏光差を与える加工光学系１１１ｃについて説明する。図１４は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に強度差を与える加工光学系１１１ｃの構造を示す断面図である。
【0098】
図９に示すように、加工光学系１１１ｃは、ビームスプリッタ１１１１ｃと、ミラー１１１２ｃと、ミラー１１１３ｃと、偏光調整光学系１１１４ｃと、偏光調整光学系１１１５ｃとを備える。
【0099】
ビームスプリッタ１１１１ｃには、加工光源２から射出される加工光ＥＬ０が入射する。ビームスプリッタ１１１１ｃは、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐する。つまり、ビームスプリッタ１１１１ｃは、加工光ＥＬ０を分岐することで複数の加工光ＥＬ１を生成する。このため、ビームスプリッタ１１１１ｃは、分岐光学系と称されてもよい。以下の説明では、説明の便宜上、図１４に示すように、ビームスプリッタ１１１１ｃが加工光ＥＬ０を二つの加工光ＥＬ１（具体的には、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２）に分岐する例について説明する。
【0100】
ビームスプリッタ１１１１ｃは、振幅分割型のビームスプリッタであってもよい。この場合、加工光ＥＬ０のうちの一部は、加工光ＥＬ１＃１としてビームスプリッタ１１１１ｃを通過する。一方で、加工光ＥＬ０のうちの他の一部は、加工光ＥＬ１＃２としてビームスプリッタ１１１１ｃによって反射される。尚、ビームスプリッタ１１１１ｃの分岐比は、１であるが、１よりも大きくてもよいし、１よりも小さくてもよい。
【0101】
ビームスプリッタ１１１１ｃを通過した加工光ＥＬ１＃１は、ミラー１１１２ｃに入射する。ミラー１１１２ｃは、加工光ＥＬ１＃１をワークＷに向けて反射する。ミラー１１１２ｃは、加工光ＥＬ１＃１が入射方向Ｄ３から入射角度θ４でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃１を反射する。ミラー１１１２ｃが反射した加工光ＥＬ＃１は、偏光調整光学系１１１４ｃを介してワークＷに入射する。
【0102】
ビームスプリッタ１１１１ｃが反射した加工光ＥＬ１＃２は、ミラー１１１３ｃに入射する。ミラー１１１３ｃは、加工光ＥＬ１＃２をワークＷに向けて反射する。ミラー１１１３ｃは、加工光ＥＬ１＃１が入射方向Ｄ３とは異なる入射方向Ｄ４から入射角度θ４でワークＷに入射するように、加工光ＥＬ１＃２を反射する。ミラー１１１３ｃが反射した加工光ＥＬ＃２は、偏光調整光学系１１１５ｃを介してワークＷに入射する。
【0103】
ミラー１１１２ｃが反射した加工光ＥＬ１＃１及びミラー１１１３ｃが反射した加工光ＥＬ１＃２は、ワークＷ上に設定される干渉領域ＩＡに照射される。その結果、干渉領域ＩＡ内において、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２が干渉することで発生する干渉光が干渉縞ＩＳを形成する。この場合、ビームスプリッタ１１１１ｃ、ミラー１１１２ｃ及びミラー１１１３ｃは、干渉縞ＩＳを形成するための干渉光学系として機能しているとみなしてもよい。
【0104】
偏光調整光学系１１１４ｃは、ミラー１１１２ｃとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１の光路上に配置される。但し、偏光調整光学系１１１４ｃは、ビームスプリッタ１１１ｃとミラー１１１２ｃとの間における加工光ＥＬ１＃１の光路上に配置されていてもよい。ミラー１１１２ｃが反射した加工光ＥＬ１＃１は、偏光調整光学系１１１４ｃに入射する。偏光調整光学系１１１４ｃは、偏光調整光学系１１１４ｃに入射した加工光ＥＬ１＃１の偏光状態を調整可能である。加工光ＥＬ１＃１の偏光状態を調整するために、偏光調整光学系１１１４ｃは、例えば、波長板を含んでいてもよい。偏光調整光学系１１１４ｃが偏光状態を調整した加工光ＥＬ１＃１は、ワークＷに入射する。つまり、ミラー１１１２ｃが反射した加工光ＥＬ＃１は、偏光調整光学系１１１４ｃを通過してからワークＷに入射する。
【0105】
偏光調整光学系１１１５ｃは、ミラー１１１３ｃとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２の光路上に配置される。但し、偏光調整光学系１１１５ｃは、ビームスプリッタ１１１ｃとミラー１１１３ｃとの間における加工光ＥＬ１＃２の光路上に配置されていてもよい。ミラー１１１３ｃが反射した加工光ＥＬ１＃２は、偏光調整光学系１１１５ｃに入射する。偏光調整光学系１１１５ｃは、偏光調整光学系１１１５ｃに入射した加工光ＥＬ１＃２の偏光状態を調整可能である。加工光ＥＬ１＃２の偏光状態を調整するために、偏光調整光学系１１１５ｃは、例えば、波長板を含んでいてもよい。偏光調整光学系１１１５ｃが偏光状態を調整した加工光ＥＬ１＃２は、ワークＷに入射する。つまり、ミラー１１１３ｃが反射した加工光ＥＬ＃２は、偏光調整光学系１１１５ｃを通過してからワークＷに入射する。
【0106】
偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの少なくとも一方は、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差（つまり、偏光状態の差分）を与えるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。つまり、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの少なくとも一方は、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態と加工光ＥＬ１＃２の偏光状態とが異なるものとなるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。この場合、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの少なくとも一方は、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方の偏光状態を調整する）ための調整光学系、位相調整光学系又は位相調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0107】
このような偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃにより、ワークＷの表面において、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態と加工光ＥＬ１＃２の偏光状態とが異なるものとなる。従って、加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分（例えば、ＤＣ成分）を干渉光に与えている。このため、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に位相差が与えられない比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図１５の上部に示すように、最小フルエンスが大きくなる。このため、比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図１５の下部に示すように、リブレット構造ＲＢの形状の精度が改善される。一例として、干渉光のうちの相対的にフルエンスが小さい光部分（例えば、暗部ＩＤに照射される光部分）によって主として形成される凸状構造体８１の先端の形状が理想的な形状に近づく又は一致する可能性が相対的に高くなる。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0108】
第１の例として、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの少なくとも一方は、第１偏光条件が満たされるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。第１偏光条件は、図１６の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれが楕円偏光になるという第１楕円偏光条件を含んでいてもよい。更に、第１偏光条件は、第１楕円変更条件に加えて、図１６の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、加工光ＥＬ１＃１の回転方向（つまり、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の回転方向）と、加工光ＥＬ１＃２の回転方向（つまり、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の回転方向）とが異なる（つまり、互いに逆方向になる）という第１回転方向条件を含んでいてもよい。更に、第１偏光条件は、第１楕円変更条件及び第１回転方向条件に加えて、図１６の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸ＬＡ＃１の方向と、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸ＬＡ＃２とが揃う（つまり、平行になる）という第１長軸条件を含んでいてもよい。尚、図１６の１段目は、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の軌跡と、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の軌跡とを示している。
【0109】
ここで、図１６の２段目及び３段目に示すように、楕円偏光である加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれは、円偏光成分と直線偏光成分とを含んでいるとみなしてもよい。ここで、第１偏光条件が満たされている場合には、長軸ＬＡ＃１の方向と長軸ＬＡ＃２の方向とが揃っているがゆえに、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分の振動方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分の振動方向とが揃う。更には、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分の振動の向きと加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分の振動向きもまた揃う。このため、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分とは、互いに平行な平行成分（言い換えれば、互いに打ち消し合わない平行成分）となる。その結果、ワークＷの表面上において、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分とが干渉し合って干渉縞ＩＳが形成される。一方で、第１偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１の回転方向と加工光ＥＬ１＃２の回転方向とが異なるがゆえに、加工光ＥＬ１＃１に含まれる円偏光成分の回転方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分の回転方向とが異なる。つまり、加工光ＥＬ１＃１に含まれる円偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分とは、互いに直交する直交成分（言い換えれば、互いに打ち消し合う直交成分）となる。その結果、ワークＷの表面上において、加工光ＥＬ１＃１に含まれる円偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分とは、互いに打ち消しあう。その結果、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分は、干渉縞ＩＳの形成（つまり、明部ＩＬ及び暗部ＩＤの形成）には寄与しないものの、最小フルエンスを増加させるための光成分（いわゆる、ＤＣ成分）として干渉光に含まれる。このため、第１偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれに含まれる円偏光成分が、上述した効果を実現するための最小フルエンスの増加に主として寄与していると言える。
【0110】
第２の例として、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの少なくとも一方は、第２偏光条件が満たされるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。第２偏光条件は、図１７の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれが直線偏光になるという第２直線偏光条件を含んでいてもよい。更に、第２偏光条件は、第２直線偏光条件に加えて、図１７の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、加工光ＥＬ１＃１の振動方向と、加工光ＥＬ１＃２の振動方向とが非平行になるという第２振動方向条件を含んでいてもよい。つまり、第２偏光条件は、図１７の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す線分の方向と、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す線分の方向とが非平行になるという第２振動方向条件を含んでいてもよい。尚、図１７の１段目は、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の軌跡と、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の軌跡とを示している。
【0111】
ここで、図１７の２段目及び３段目に示すように、直線偏光である加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、第１の振動方向に沿って振動する第１の直線偏光成分と、第１の振動方向に沿って振動する第２の直線偏光成分とを含んでいるとみなしてもよい。ここで、第２偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第１の直線偏光成分の振動方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第１の直線偏光成分の振動方向とが同じになる。図１７に示す例では、加工光ＥＬ１＃１に含まれるＸ軸方向に沿って振動する第１の直線偏光成分の振動方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれるＸ軸方向に沿って振動する第１の直線偏光成分の振動方向とが揃う。更には、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第１の直線偏光成分の振動の向きと加工光ＥＬ１＃２に含まれる第１の直線偏光成分の振動の向きもまた揃う。このため、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第１の直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第１の直線偏光成分とは、互いに平行な平行成分となる。その結果、ワークＷの表面上において、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第１の直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第１の直線偏光成分とが干渉し合って干渉縞ＩＳが形成される。一方で、第２偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の直線偏光成分の振動方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分の振動方向とが揃うものの、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の直線偏光成分の振動の向きと加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分の振動の向きとが互いに逆向きになる。図１７に示す例では、加工光ＥＬ１＃１に含まれるＹ軸方向に沿って振動する第２の直線偏光成分の振動の向きと加工光ＥＬ１＃２に含まれるＹ軸方向に沿って振動する第２の直線偏光成分の振動の向きとが互いに逆向きになる。例えば、電磁場ベクトルが－Ｙ側を向くように加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の直線偏光成分が振動している場合には、電磁場ベクトルが＋Ｙ側を向くように加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分が振動する。同様に、電磁場ベクトルが＋Ｙ側を向くように加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の直線偏光成分が振動している場合には、電磁場ベクトルが－Ｙ側を向くように加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分が振動する。このため、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分とは、互いに直交する直交成分となる。その結果、ワークＷの表面上において、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分とは、互いに打ち消しあう。その結果、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に含まれる第２の直線偏光成分は、干渉縞ＩＳの形成（つまり、明部ＩＬ及び暗部ＩＤの形成）には寄与しないものの、最小フルエンスを増加させるための光成分（いわゆる、ＤＣ成分）として干渉光に含まれる。このため、第２偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれに含まれる第２の直線偏光成分が、上述した効果を実現するための最小フルエンスの増加に主として寄与していると言える。
【0112】
第３の例として、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの少なくとも一方は、第３偏光条件が満たされるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。第３偏光条件は、図１８の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれが楕円偏光になるという第３楕円偏光条件を含んでいてもよい。更に、第３偏光条件は、第３楕円偏光条件に加えて、図１８の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、加工光ＥＬ１＃１の回転方向（つまり、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の回転方向）と、加工光ＥＬ１＃２の回転方向（つまり、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の回転方向）とが同じになるという第３回転方向条件を含んでいてもよい。更に、第３偏光条件は、第３楕円偏光条件及び第３回転方向条件に加えて、図１８の１段目に示すように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に交差する面（例えば、ワークＷの表面）において、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸ＬＡ＃１の方向と、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸ＬＡ＃２とが非平行になるという第３長軸条件を含んでいてもよい。尚、図１８の１段目は、加工光ＥＬ１＃１の電磁場ベクトルの先端の軌跡と、加工光ＥＬ１＃２の電磁場ベクトルの先端の軌跡とを示している。
【0113】
ここで、図１８の２段目及び３段目に示すように、楕円偏光である加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれは、円偏光成分と直線偏光成分とを含んでいるとみなしてもよい。ここで、第３偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１の回転方向と加工光ＥＬ１＃２の回転方向とが同じであるがゆえに、加工光ＥＬ１＃１に含まれる円偏光成分の回転方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分の回転方向とが同じになる。このため、加工光ＥＬ１＃１に含まれる円偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分とは、互いに平行な平行成分となる。その結果、ワークＷの表面上において、加工光ＥＬ１＃１に含まれる円偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる円偏光成分とが干渉し合って干渉縞ＩＳが形成される。一方で、第３偏光条件が満たされている場合には、長軸ＬＡ＃１の方向と長軸ＬＡ＃２の方向とが非平行であるが、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分の振動方向と加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分の振動方向とが非平行になる。つまり、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分及び加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分は、上述した第２偏光条件を満たしている。このため、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分とは、互いに直交する直交成分を含む。その結果、ワークＷの表面上において、加工光ＥＬ１＃１に含まれる直線偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分（特に、互いに直交する直交成分）とは、互いに打ち消しあう。その結果、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に含まれる直線偏光成分（特に、互いに直交する直交成分）は、干渉縞ＩＳの形成（つまり、明部ＩＬ及び暗部ＩＤの形成）には寄与しないものの、最小フルエンスを増加させるための光成分（いわゆる、ＤＣ成分）として干渉光に含まれる。このため、第３偏光条件が満たされている場合には、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のそれぞれに含まれる直線偏光成分が、上述した効果を実現するための最小フルエンスの増加に主として寄与していると言える。
【0114】
以上説明した第１から第３の偏光条件は、いずれも、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第１の種類の偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第１の種類の偏光成分とが互いに直交する（つまり、互いに打ち消し合う）直交成分になり、且つ、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の種類の偏光成分と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の種類の偏光成分とが互いに平行な（つまり、互いに強め合う）平行成分になるという第４の偏光条件の一具体例であるとも言える。このため、加工光学系１１１ｃは、第４の偏光条件が満たされるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。
【0115】
第４の偏光条件は、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第１の種類の偏光成分の量（例えば、強度）と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第１の種類の偏光成分の量（例えば、強度）が同一であるという条件、及び、加工光ＥＬ１＃１に含まれる第２の種類の偏光成分の量（例えば、強度）と加工光ＥＬ１＃２に含まれる第２の種類の偏光成分の量（例えば、強度）が同一であるという条件を更に含んでいてもよい。この場合、ワークＷの表面から離れた位置に収斂位置が設定されている加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２がワークＷに照射されたとしても、互いに直交する直交成分に非対称な成分が生ずることはなく、且つ、互いに平行な平行成分に非対称な成分が生ずることはない。つまり、デフォーカス状態にある加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２がワークＷに照射されたとしても、互いに直交する直交成分に非対称な成分が生ずることはなく、且つ、互いに平行な平行成分に非対称な成分が生ずることはない。このため、互いに平行な平行成分が干渉し合って干渉縞ＩＳが形成され、且つ、互いに直交する直交成分が打ち消し合って最小フルエンスが大きくなることに変わりはない。このため、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２がデフォーカス状態にある場合であっても、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという上述した効果を適切に享受することができる。
【0116】
偏光調整光学系１１１４ｃは、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態の調整度合いを変更可能であってもよい。偏光調整光学系１１１４ｃは、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差を変更可能であってもよい。加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差が変わると、干渉光のフルエンス分布が変わる。この場合、加工装置１は、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差を変更して干渉光のフルエンス分布を変更することで、リブレット構造ＲＢの形状を適宜調整（言い換えれば、制御又は変更）してもよい。この場合、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0117】
偏光調整光学系１１１５ｃは、加工光ＥＬ１＃２の偏光状態の調整度合いを変更可能であってもよい。偏光調整光学系１１１５ｃは、加工光ＥＬ１＃２の偏光状態の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差を変更可能であってもよい。加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差が変わると、干渉光のフルエンス分布が変わる。この場合、加工装置１は、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差を変更して干渉光のフルエンス分布を変更することで、リブレット構造ＲＢの形状を適宜調整（言い換えれば、制御又は変更）してもよい。この場合、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0118】
但し、偏光調整光学系１１１４ｃは、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態の調整度合いを変更可能でなくてもよい。偏光調整光学系１１１４ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差を変更可能でなくてもよい。この場合、偏光調整光学系１１１４ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に固定の偏光差を与えてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差が与えられる限りは、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0119】
また、偏光調整光学系１１１５ｃは、加工光ＥＬ１＃２の偏光状態の調整度合いを変更可能でなくてもよい。偏光調整光学系１１１５ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える偏光差を変更可能でなくてもよい。この場合、偏光調整光学系１１１５ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に固定の偏光差を与えてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差が与えられる限りは、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0120】
尚、加工光学系１１１ｃは、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃのいずれか一方を備えている一方で、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃのいずれか他方を備えていなくてもよい。つまり、加工光学系１１１ｃは、偏光調整光学系１１１４ｃ及び１１１５ｃの双方を必ずしも備えていなくてもよい。
【0121】
（２－５）加工光学系１１１の変形例
続いて、加工光学系１１１の変形例について説明する。
続いて、加工光学系１１１の変形例について説明する。
【0122】
（２－５－１）加工光学系１１１ａの変形例
上述した説明では、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａを用いて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えている。しかしながら、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａを用いることなく、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。以下、ビームスプリッタ１１１１ａを用いることなく加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与える加工光学系１１１ａの一例として、加工光学系１１１ａの第１変形例及び第２変形例について順に説明する。
上述した説明では、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａを用いて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えている。しかしながら、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａを用いることなく、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。以下、ビームスプリッタ１１１１ａを用いることなく加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与える加工光学系１１１ａの一例として、加工光学系１１１ａの第１変形例及び第２変形例について順に説明する。
【0123】
（２－５－１－１）加工光学系１１１ａの第１変形例
加工光学系１１１ａの第１変形例の構造を示す断面図である図１９に示すように、第１変形例では、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａに加えて又は代えて、偏光ビームスプリッタ１１１４ａと、波長板１１１５ａとを備えていてもよい。この場合、加工光学系１１１ａは、偏光ビームスプリッタ１１１４ａ及び波長板１１１５ａを用いて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。
加工光学系１１１ａの第１変形例の構造を示す断面図である図１９に示すように、第１変形例では、加工光学系１１１ａは、ビームスプリッタ１１１１ａに加えて又は代えて、偏光ビームスプリッタ１１１４ａと、波長板１１１５ａとを備えていてもよい。この場合、加工光学系１１１ａは、偏光ビームスプリッタ１１１４ａ及び波長板１１１５ａを用いて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。
【0124】
具体的には、加工光源２から射出される加工光ＥＬ０は、波長板１１１５ａに入射する。波長板１１１５ａは、波長板１１１５ａを通過する加工光ＥＬ０の偏光状態を調整する。具体的には、波長板１１１５ａは、波長板１１１５ａを通過する加工光ＥＬ０の偏光方向を調整する。波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ０の偏光方向を調整することで、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率を所望比率に設定する。
【0125】
波長板１１１５ａを通過した加工光ＥＬ０は、偏光ビームスプリッタ１１１４ａに入射する。加工光ＥＬ０に含まれるｐ偏光は、加工光ＥＬ１＃１として偏光ビームスプリッタ１１１４ａを通過する。一方で、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光は、加工光ＥＬ１＃２として偏光ビームスプリッタ１１１４ａによって反射される。このため、偏光ビームスプリッタ１１１４ａは、分岐光学系と称されてもよい。
【0126】
偏光ビームスプリッタ１１１４ａから射出される加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２は、ミラー１１１２ａ及び１１１３ａにそれぞれ入射する。その結果、第１変形例においても、上述したように、ミラー１１１２ａが反射した加工光ＥＬ１＃１及びミラー１１１３ａが反射した加工光ＥＬ１＃２は、ワークＷ上に設定される干渉領域ＩＡに照射される。このため、干渉領域ＩＡ内において、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２が干渉することで発生する干渉光が干渉縞ＩＳを形成する。この場合、偏光ビームスプリッタ１１１４ａ、ミラー１１１２ａ及びミラー１１１３ａは、干渉縞ＩＳを形成するための干渉光学系として機能しているとみなしてもよい。
【0127】
ここで、上述したように、波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ０の偏光方向を調整することで、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率を所望比率に設定する。つまり、波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ０の偏光方向を調整することで、偏光ビームスプリッタ１１１４ａにおいて加工光ＥＬ０を分岐することで生成されるｓ偏光とｐ偏光との比率を所望比率に設定する。偏光ビームスプリッタ１１１４ａを通過した加工光ＥＬ１＃１の強度と、偏光ビームスプリッタ１１１４ａが反射した加工光ＥＬ１＃２の強度との比率は、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率に応じた比率となる。このため、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えるために、波長板１１１５ａは、波長板１１１５ａを通過する加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率を、１よりも大きい又は小さい所望比率に設定してもよい。この場合、偏光ビームスプリッタ１１１４ａ及び波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の強度を調整する）ための調整光学系又は強度調整部材として機能しているとみなしてもよい。
【0128】
このように偏光ビームスプリッタ１１１４ａを通過した加工光ＥＬ１＃１の強度と、偏光ビームスプリッタ１１１４ａが反射した加工光ＥＬ１＃２の強度とが異なる場合には、ワークＷの表面での加工光ＥＬ１＃１の強度と、ワークＷの表面での加工光ＥＬ１＃２の強度とが異なるものとなる。従って、第１変形例においても、上述したように、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0129】
波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ０の進行方向に沿った軸周りに回転することで、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率を変更してもよい。つまり、波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ０の進行方向に沿った軸周りに回転することで、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率を変更してもよい。加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率が変わると、偏光ビームスプリッタ１１１４ａから射出される加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の強度の比率が変わる。その結果、波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の強度の調整度合いを変更しているとみなしてもよい。つまり、波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差を変更してもよい。その結果、第１変形例においても、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0130】
但し、波長板１１１５ａは、回転可能でなくてもよい。波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差を変更しなくてもよい。この場合、波長板１１１５ａは、加工光ＥＬ０に含まれるｓ偏光とｐ偏光との比率を、固定された所望比率（例えば、１よりも大きい又は小さい所望比率）に設定してもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差が与えられる限りは、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0131】
第１変形例では、加工光学系１１１ａは、波長板１１１６ａと、波長板１１１７ａとを更に備えていてもよい。波長板１１１６ａは、偏光ビームスプリッタ１１１４ａとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃１の光路に配置される。波長板１１１７ａは、偏光ビームスプリッタ１１１４ａとワークＷとの間における加工光ＥＬ１＃２の光路に配置される。波長板１１１６ａ及び１１１７ａの少なくとも一方は、ワークＷに照射される加工光ＥＬ１＃１の偏光状態とワークＷに照射される加工光ＥＬ１＃２の偏光状態とが同じになるよう、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。波長板１１１６ａ及び１１１７ａの少なくとも一方は、ワークＷに照射される加工光ＥＬ１＃１の偏光状態とワークＷに照射される加工光ＥＬ１＃２の偏光状態とが所望状態となるよう、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。１／２波長板及び１／４波長板のいずれか一方が、波長板１１１６ａとして用いられ、１／２波長板及び１／４波長板のいずれか他方が、波長板１１１７ａとして用いられてもよい。
【0132】
（２－５－１－２）加工光学系１１１ａの第２変形例
加工光学系１１１ａの第２変形例の構造を示す断面図である図２０に示すように、第２変形例では、加工光学系１１１ａは、強度調整素子１１１８ａと強度調整素子１１１９ａとを更に備えていてもよい。この場合、加工光学系１１１ａは、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａを用いて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。
加工光学系１１１ａの第２変形例の構造を示す断面図である図２０に示すように、第２変形例では、加工光学系１１１ａは、強度調整素子１１１８ａと強度調整素子１１１９ａとを更に備えていてもよい。この場合、加工光学系１１１ａは、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａを用いて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。
【0133】
具体的には、強度調整素子１１１８ａは、ビームスプリッタ１１１１ａから射出される加工光ＥＬ１＃１の光路に配置される。強度調整素子１１１８ａは、強度調整素子１１１８ａに入射する加工光ＥＬ１＃１の強度を調整する。一方で、強度調整素子１１１９ａは、ビームスプリッタ１１１１ａから射出される加工光ＥＬ１＃２の光路に配置される。強度調整素子１１１９ａは、強度調整素子１１１９ａに入射する加工光ＥＬ１＃２の強度を調整する。強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａの少なくとも一方は、ワークＷの表面での加工光ＥＬ１＃１の強度とワークＷの表面での加工光ＥＬ１＃２の強度とが異なるものとなるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の強度を調整してもよい。つまり、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａの少なくとも一方は、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の強度を調整してもよい。この場合、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与える（つまり、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の強度を調整する）ための調整光学系又は強度調整部材として機能しているとみなしてもよい。その結果、第２変形例においても、上述したように、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0134】
強度調整素子１１１８ａは、加工光ＥＬ１＃１の強度の調整度合いを変更可能であってもよい。強度調整素子１１１８ａは、加工光ＥＬ１＃１の強度の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差を変更してもよい。同様に、強度調整素子１１１９ａは、加工光ＥＬ１＃２の強度の調整度合いを変更可能であってもよい。特に、強度調整素子１１１９ａは、加工光ＥＬ１＃２の強度の調整度合いを変更することで、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に与える強度差を変更してもよい。この場合、第２変形例においても、上述したように、加工装置１は、理想的な形状が変わる場合であっても、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。尚、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の強度の調整度合いをそれぞれ変更可能な強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａのそれぞれの一例として、液晶シャッタがあげられる。
【0135】
但し、強度調整素子１１１８ａは、加工光ＥＬ１＃１の強度の調整度合いを変更可能でなくてもよい。この場合、強度調整素子１１１８ａは、加工光ＥＬ１＃１の強度を、固定された一定量だけ又は固定された一定割合だけ増加又は減少させてもよい。同様に、強度調整素子１１１９ａは、加工光ＥＬ１＃１の強度の調整度合いを変更可能でなくてもよい。この場合、強度調整素子１１１９ａは、加工光ＥＬ１＃２の強度を、固定された一定量だけ又は固定された一定割合だけ増加又は減少させてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差が与えられる限りは、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。尚、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の強度の調整度合いを変更可能でない強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａのそれぞれの一例として、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２に対して所定の透過率を有する光学フィルタがあげられる。
【0136】
尚、加工光学系１１１ａは、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａのいずれか一方を備えている一方で、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａのいずれか他方を備えていなくてもよい。つまり、加工光学系１１１ａは、強度調整素子１１１８ａ及び１１１９ａの双方を必ずしも備えていなくてもよい。
【0137】
（２－５－２）加工光学系１１１ｂの変形例
加工光学系１１１ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間、及び、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与えることに加えて、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の少なくとも一方と加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方との間に強度差を与えてもよい。具体的には、加工光学系１１１ｂが備えるビームスプリッタ１１１１ｂの分岐比は、加工光学系１１１ａが備えるビームスプリッタ１１１１ａの分岐比と同様に、１よりも大きい又は小さい比に設定されていてもよい。この場合、加工光学系１１１ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間、及び、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与え、且つ、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の少なくとも一方と加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方との間に強度差を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えている。このため、位相差及び強度差の双方が与えられない比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図２１の上部に示すように、最小フルエンスが大きくなる。このため、比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図２１の下部に示すように、リブレット構造ＲＢの形状の精度が改善される。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
加工光学系１１１ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間、及び、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与えることに加えて、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の少なくとも一方と加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方との間に強度差を与えてもよい。具体的には、加工光学系１１１ｂが備えるビームスプリッタ１１１１ｂの分岐比は、加工光学系１１１ａが備えるビームスプリッタ１１１１ａの分岐比と同様に、１よりも大きい又は小さい比に設定されていてもよい。この場合、加工光学系１１１ｂは、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の間、及び、加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の間に位相差を与え、且つ、加工光ＥＬ１＃１１及びＥＬ１＃１２の少なくとも一方と加工光ＥＬ１＃２１及びＥＬ１＃２２の少なくとも一方との間に強度差を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えている。このため、位相差及び強度差の双方が与えられない比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図２１の上部に示すように、最小フルエンスが大きくなる。このため、比較例（図５（ａ）参照）と比較して、図２１の下部に示すように、リブレット構造ＲＢの形状の精度が改善される。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0138】
（２－５－３）加工光学系１１１ｃの変形例
加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差を与えることに加えて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。具体的には、加工光学系１１１ｃが備えるビームスプリッタ１１１１ｃの分岐比は、加工光学系１１１ａが備えるビームスプリッタ１１１１ａの分岐比と同様に、１よりも大きい又は小さい比に設定されていてもよい。この場合、加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差及び強度差の双方を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えている。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差を与えることに加えて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に強度差を与えてもよい。具体的には、加工光学系１１１ｃが備えるビームスプリッタ１１１１ｃの分岐比は、加工光学系１１１ａが備えるビームスプリッタ１１１１ａの分岐比と同様に、１よりも大きい又は小さい比に設定されていてもよい。この場合、加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差及び強度差の双方を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えている。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0139】
加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差を与えることに加えて、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に位相差を与えてもよい。具体的には、加工光学系１１１ｃは、ミラー１１１２ａ及び１１１３ａに代えて、加工光学系１１１ｂが備えるビームスプリッタ１１１２ｂ、ビームスプリッタ１１１３ｂ、ミラー１１１４ｂ及びミラー１１１１５ｂを備えていてもよい。更に、加工光学系１１１ｃのビームスプリッタ１１１１ｃは、加工光学系１１１ｂのビームスプリッタ１１１１ｂとして機能してもよい。この場合、加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差及び位相差の双方を与えることで、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分を干渉光に与えている。このため、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0140】
加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に、偏光差、強度差及び位相差の全てを与えてもよい。この場合においても、加工装置１は、理想的な形状に近い又は一致している形状を有するリブレット構造ＲＢを形成するように、ワークＷを適切に加工することができるという効果を享受することができる。
【0141】
加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態と、加工光ＥＬ１＃２の偏光状態とが同じになるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。例えば、図２２に示すように、加工光学系１１１ｃは、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の双方がｐ偏光となるように、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の少なくとも一方の偏光状態を調整してもよい。ｐ偏光である加工光ＥＬ１＃１とｐ偏光である加工光ＥＬ１＃２とが干渉することで発生する干渉光のフルエンス分布は、少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に光学特性に関する差分（例えば、強度差、位相差又は偏光差）を与えた場合に発生する干渉光のフルエンス分布と同様の特徴を有する。つまり、加工光学系１１１ｃは、ｐ偏光である加工光ＥＬ１＃１とｐ偏光である加工光ＥＬ１＃２とを干渉させることで、実質的に、干渉縞ＩＳの形成に影響を与えない一方でフルエンス分布に影響を与える光成分（いわゆる、干渉縞ＩＳのフルエンス分布のＤＣ成分）を干渉光に与えることができる。この現象は、特に加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２のワークＷに対する入射角度が大きくなるほど顕著に表れる。従って、加工光ＥＬ１＃１の偏光状態と加工光ＥＬ１＃２の偏光状態とが同じになる場合であっても、加工光ＥＬ１＃１及びＥＬ１＃２の間に偏光差を与える場合に享受可能な効果と同様の効果が享受可能となる。
【0142】
（２－５－４）加工光学系１１１ａから１１１ｃに共通する変形例
上述した説明では、加工光学系１１１ａから１１１ｃは、ビームスプリッタ１１１１ａから１１１１ｃをそれぞれ用いて、加工光源２からの加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐している。しかしながら、加工光学系１１１ａから１１１ｃの少なくとも一つは、ビームスプリッタ１１１１ａから１１１１ｃをそれぞれ用いて、加工光源２からの加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐している。
上述した説明では、加工光学系１１１ａから１１１ｃは、ビームスプリッタ１１１１ａから１１１１ｃをそれぞれ用いて、加工光源２からの加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐している。しかしながら、加工光学系１１１ａから１１１ｃの少なくとも一つは、ビームスプリッタ１１１１ａから１１１１ｃをそれぞれ用いて、加工光源２からの加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐している。
【0143】
例えば、加工光学系１１１ａから１１１ｃの少なくとも一つは、ハーフミラーを用いて、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐してもよい。加工光学系１１１ａから１１１ｃの少なくとも一つは、波長板と偏光ビームスプリッタとを用いて、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐してもよい。加工光学系１１１ａから１１１ｃの少なくとも一つは、回折光学素子（ＤＯＥ：Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ）を用いて、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐してもよい。加工光学系１１１ａから１１１ｃの少なくとも一つは、音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）を用いて、加工光ＥＬ０を複数の加工光ＥＬ１に分岐してもよい。
【0144】
（３）変形例
続いて、加工システムＳＹＳの変形例について説明する。
続いて、加工システムＳＹＳの変形例について説明する。
【0145】
（３－１）加工システムＳＹＳの第１変形例
初めに、図２３を参照しながら、加工システムＳＹＳの第１変形例について説明する。図２３は、加工システムＳＹＳの第１変形例のシステム構成を示すシステム構成図である。尚、以下の説明では、加工システムＳＹＳの第１変形例を、“加工システムＳＹＳＡ”と称する。
初めに、図２３を参照しながら、加工システムＳＹＳの第１変形例について説明する。図２３は、加工システムＳＹＳの第１変形例のシステム構成を示すシステム構成図である。尚、以下の説明では、加工システムＳＹＳの第１変形例を、“加工システムＳＹＳＡ”と称する。
【0146】
図２３に示すように、第１変形例における加工システムＳＹＳＡは、上述した加工システムＳＹＳと比較して、加工装置１に代えて加工装置１Ａを備えているという点で異なる。加工システムＳＹＳＡのその他の特徴は、加工システムＳＹＳのその他の特徴と同一であってもよい。加工装置１Ａは、加工装置１と比較して、加工ヘッド１１に代えて加工ヘッド１１Ａを備えているという点で異なる。加工装置１Ａのその他の特徴は、加工装置１のその他の特徴と同一であってもよい。加工ヘッド１１Ａは、加工ヘッド１１と比較して、照明光学系１１２Ａと、照明光学系１１３Ａとを更に備えているという点で異なる。加工ヘッド１１Ａのその他の特徴は、加工ヘッド１１のその他の特徴と同一であってもよい。
【0147】
照明光学系１１２Ａ及び１１３Ａは、加工光源２からの加工光ＥＬ０の強度分布が所望の分布となるように、加工光ＥＬ０の強度分布を変更可能な光学系である。具体的には、加工光源２が射出する加工光ＥＬ０の強度分布は、通常、図２４の上部に示すように、加工光ＥＬ０の進行方向に交差する面内での位置が加工光ＥＬ０の主光線から離れるほど、当該位置での加工光ＥＬ０の強度が低くなるガウス分布となっている。加工光源２が射出する加工光ＥＬ０の強度分布は、通常、図２４の上部に示すように、加工光ＥＬ０の進行方向に交差する面内での位置が加工光ＥＬ０の主光線に近づくほど、当該位置での加工光ＥＬ０の強度が高くなるガウス分布となっている。照明光学系１１２Ａ及び１１３Ａは、ガウス分布となっている加工光ＥＬ０の強度分布が、図２４の下部に示す平坦分布となるように、加工光ＥＬ０の強度分布を変更してもよい。図２４の下部に示す平坦分布は、加工光ＥＬ０の進行方向に交差する面内での加工光ＥＬ０の強度のばらつきが、図２４の上部に示すガウス分布よりも小さい分布であってもよい。平坦分布は、加工光ＥＬ０の進行方向に交差する面内での加工光ＥＬ０の強度のばらつきが許容上限値を下回る分布であってもよい。
【0148】
尚、第１変形例では、加工光ＥＬ０の進行方向に交差する面がＸＹ平面に沿った面であるものとして説明を進める。
【0149】
照明光学系１１２Ａの構造が図２５に示されている。図２５に示すように、照明光学系１１２Ａは、ミラー１１２０Ａと、ミラー１１２１Ａと、ミラー１１２２Ａと、ミラー１１２３Ａと、ミラー１１２４Ａと、ミラー１１２５Ａと、ハーフミラー１１２６Ａと、反射型波長板１１２７Ａと、反射型波長板１１２８Ａと、偏光ビームスプリッタ１１２９Ａとを備えている。
【0150】
加工光源２から射出される加工光ＥＬ０は、ミラー１１２０Ａに入射する。尚、以下では、加工光源２から射出される加工光ＥＬ０が円偏光である例について説明する。ミラー１１２０Ａは、加工光ＥＬ０を、加工光ＥＬ０の進行方向に交差する第１分割方向（図２５に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って分割する。具体的には、ミラー１１２０Ａは、Ｙ軸方向に沿って並ぶ二つのミラー１１２０１Ａ及び１１２０２Ａを含んでいる。ミラー１１２０１Ａは、加工光ＥＬ０の光束のうちの－Ｙ側の半分の光束を加工光ＥＬ０＃２１として、ミラー１１２１Ａに向けて反射する。加工光ＥＬ０＃２１の強度分布は、図２６の２段目に示すように、図２６の１段目に示すガウス分布のうちの－Ｙ側の半分の分布と同じになる。また、ミラー１１２０２Ａは、加工光ＥＬ０の光束のうちの＋Ｙ側の半分の光束を、加工光ＥＬ０＃２２として、ミラー１１２３Ａに向けて反射する。加工光ＥＬ０＃２２の強度分布は、図２６の２段目に示すように、図２６の１段目に示すガウス分布のうちの＋Ｙ側の半分の分布と同じになる。
【0151】
ミラー１１２０１Ａが反射した加工光ＥＬ０＃２１は、ミラー１１２１Ａ及び１１２２Ａを介して、ハーフミラー１１２６Ａに入射する。ミラー１１２０２Ａが反射した加工光ＥＬ０＃２２は、ミラー１１２３Ａから１１２５Ａを介して、ハーフミラー１１２６Ａに入射する。ハーフミラー１１２６Ａに入射する加工光ＥＬ０＃２１の一部は、ハーフミラー１１２６Ａを通過する。ハーフミラー１１２６Ａに入射する加工光ＥＬ０＃２１の他の一部は、ハーフミラー１１２６Ａによって反射される。ハーフミラー１１２６Ａに入射する加工光ＥＬ０＃２２の一部は、ハーフミラー１１２６Ａを通過する。ハーフミラー１１２６Ａに入射する加工光ＥＬ０＃２２の他の一部は、ハーフミラー１１２６Ａによって反射される。
【0152】
ハーフミラー１１２６Ａは、ハーフミラー１１２６Ａを通過した加工光ＥＬ０＃２１の一部とハーフミラー１１２６Ａが反射した加工光ＥＬ０＃２２の一部とが合成された加工光ＥＬ０＃２３を射出する。この場合、加工光ＥＬ０＃２３の強度分布は、図２６の３段目に示すように、図２６の２段目に示す強度分布を加算することで得られる分布と同じになる。但し、ハーフミラー１１２６Ａを介して加工光ＥＬ０＃２１の一部と加工光ＥＬ０＃２２の一部とが合成されているがゆえに、加工光ＥＬ０＃２３の強度は、加工光ＥＬ０＃２１及びＥＬ＃２２の強度の概ね半分となる。
【0153】
ハーフミラー１１２６Ａは、ハーフミラー１１２６Ａが反射した加工光ＥＬ０＃２１の一部とハーフミラー１１２６Ａを通過した加工光ＥＬ０＃２２の一部とが合成された加工光ＥＬ０＃２４を射出する。この場合、加工光ＥＬ０＃２４の強度分布は、図２６の３段目に示すように、図２６の２段目に示す強度分布を加算することで得られる分布と同じになる。但し、ハーフミラー１１２６Ａを介して加工光ＥＬ０＃２１の一部と加工光ＥＬ０＃２２の一部とが合成されているがゆえに、加工光ＥＬ０＃２４の強度は、加工光ＥＬ０＃２１及びＥＬ＃２２の強度の概ね半分となる。
【0154】
ハーフミラー１１２６Ａが射出した加工光ＥＬ０＃２３は、反射型波長板１１２７Ａを介して偏光ビームスプリッタ１１２９Ａに入射する。ハーフミラー１１２６Ａが射出した加工光ＥＬ０＃２４は、反射型波長板１１２８Ａを介して偏光ビームスプリッタ１１２９Ａに入射する。反射型波長板１１２７Ａは、円偏光である加工光ＥＬ０＃２３をｐ偏光に変換する。反射型波長板１１２８Ａは、円偏光である加工光ＥＬ０＃２４をｓ偏光に変換する。
【0155】
ｐ偏光に変換された加工光ＥＬ０＃２３は、偏光ビームスプリッタ１１２９Ａを通過する。ｓ偏光に変換された加工光ＥＬ０＃２４は、偏光ビームスプリッタ１１２９Ａによって反射される。偏光ビームスプリッタ１１２９Ａは、偏光ビームスプリッタ１１２９Ａを通過した加工光ＥＬ０＃２３と偏光ビームスプリッタ１１２９Ａが反射した加工光ＥＬ０＃２４とが合成された加工光ＥＬ０＃２を射出する。この場合、加工光ＥＬ０＃２の強度分布は、図２６の４段目に示すように、図２６の３段目に示す強度分布を加算することで得られる分布と同じになる。
【0156】
この際、ミラー１１２３Ａ及び１１２４Ａは、照明光学系１１２Ａが射出する加工光ＥＬ０＃２が円偏光になるように、加工光ＥＬ０＃２２の光路長を調整してもよい。具体的には、ミラー１１２３Ａ及び１１２４Ａは、加工光ＥＬ０＃２２の光路長を調整するように移動可能であってもよい。
【0157】
このように、照明光学系１１２Ａは、強度分布がガウス分布となる加工光ＥＬ０の強度分布が、Ｙ軸方向において平坦分布となるように、加工光ＥＬ０の強度分布を変更している。つまり、照明光学系１１２Ａは、Ｙ軸方向における強度分布が平坦分布となる加工光ＥＬ０＃２を射出する。一方で、照明光学系１１２Ａが射出する加工光ＥＬ０＃２のＸ軸方向における強度分布は、ガウス分布のままである。そこで、照明光学系１１３Ａは、照明光学系１１２Ａが射出する加工光ＥＬ０＃２の強度分布が、Ｘ軸方向において平坦分布となるように、加工光ＥＬ０＃２の強度分布を変更する。このために、図２７に示すように、照明光学系１１３Ａは、ミラー１１３０Ａと、ミラー１１３１Ａと、ミラー１１３２Ａと、ミラー１１３３Ａと、ミラー１１３４Ａと、ミラー１１３５Ａと、ハーフミラー１１３６Ａと、反射型波長板１１３７Ａと、反射型波長板１１３８Ａと、偏光ビームスプリッタ１１３９Ａとを備えている。
【0158】
照明光学系１１３Ａは、照明光学系１１２ＡをＺ軸周りに９０度回転させることで得られる光学系と同一であってもよい。つまり、照明光学系１１２ＡをＺ軸周りに９０度回転させることで得られる光学系が備えるミラー１１２０Ａと、ミラー１１２１Ａと、ミラー１１２２Ａと、ミラー１１２３Ａと、ミラー１１２４Ａと、ミラー１１２５Ａと、ハーフミラー１１２６Ａと、反射型波長板１１２７Ａと、反射型波長板１１２８Ａと、偏光ビームスプリッタ１１２９Ａとが、照明光学系１１３Ａのミラー１１３０Ａと、ミラー１１３１Ａと、ミラー１１３２Ａと、ミラー１１３３Ａと、ミラー１１３４Ａと、ミラー１１３５Ａと、ハーフミラー１１３６Ａと、反射型波長板１１３７Ａと、反射型波長板１１３８Ａと、偏光ビームスプリッタ１１３９Ａとして用いられてもよい。
【0159】
具体的には、ミラー１１３０Ａは、照明光学系１１２Ａが射出する加工光ＥＬ０＃２を、加工光ＥＬ０＃２の進行方向に交差する第２分割方向（図２７に示す例では、Ｘ軸方向）に沿って分割する。具体的には、ミラー１１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿って並ぶ二つのミラー１１３０１Ａ及び１１３０２Ａを含んでいる。ミラー１１３０１Ａは、加工光ＥＬ０＃２の光束のうちの－Ｘ側の半分の光束を加工光ＥＬ０＃３１として、ミラー１１３１Ａに向けて反射する。加工光ＥＬ０＃３１の強度分布は、図２８の２段目に示すように、図２８の１段目に示すガウス分布のうちの－Ｘ側の半分の分布と同じになる。また、ミラー１１３０２Ａは、加工光ＥＬ０＃２の光束のうちの＋Ｘ側の半分の光束を、加工光ＥＬ０＃３２として、ミラー１１３３Ａに向けて反射する。加工光ＥＬ０＃３２の強度分布は、図２８の２段目に示すように、図２８の１段目に示すガウス分布のうちの＋Ｘ側の半分の分布と同じになる。
【0160】
ミラー１１３０１Ａが反射した加工光ＥＬ０＃３１は、ミラー１１３１Ａ及び１１２２Ａを介して、ハーフミラー１１３６Ａに入射する。ミラー１１３０２Ａが反射した加工光ＥＬ０＃３２は、ミラー１１３３Ａから１１３５Ａを介して、ハーフミラー１１３６Ａに入射する。ハーフミラー１１３６Ａは、ハーフミラー１１２６Ａと同様に、ハーフミラー１１３６Ａを通過した加工光ＥＬ０＃３１の一部とハーフミラー１１３６Ａが反射した加工光ＥＬ０＃３２の一部とが合成された加工光ＥＬ０＃３３を射出する。この場合、加工光ＥＬ０＃３３の強度分布は、図２８の３段目に示すように、図２８の２段目に示す強度分布を加算することで得られる分布と同じになる。但し、ハーフミラー１１３６Ａを介して加工光ＥＬ０＃３１の一部と加工光ＥＬ０＃３２の一部とが合成されているがゆえに、加工光ＥＬ０＃３３の強度は、加工光ＥＬ０＃３１及びＥＬ＃３２の強度の概ね半分となる。また、ハーフミラー１１３６Ａは、ハーフミラー１１３６Ａが反射した加工光ＥＬ０＃３１の一部とハーフミラー１１３６Ａを通過した加工光ＥＬ０＃３２の一部とが合成された加工光ＥＬ０＃３４を射出する。この場合、加工光ＥＬ０＃３４の強度分布は、図２８の３段目に示すように、図２８の２段目に示す強度分布を加算することで得られる分布と同じになる。但し、ハーフミラー１１３６Ａを介して加工光ＥＬ０＃３１の一部と加工光ＥＬ０＃３２の一部とが合成されているがゆえに、加工光ＥＬ０＃３４の強度は、加工光ＥＬ０＃３１及びＥＬ＃３２の強度の概ね半分となる。
【0161】
ハーフミラー１１３６Ａが射出した加工光ＥＬ０＃３３は、反射型波長板１１３７Ａを介して偏光ビームスプリッタ１１３９Ａに入射する。ハーフミラー１１３６Ａが射出した加工光ＥＬ０＃３４は、反射型波長板１１３８Ａを介して偏光ビームスプリッタ１１３９Ａに入射する。反射型波長板１１３７Ａは、円偏光である加工光ＥＬ０＃３３をｐ偏光に変換する。反射型波長板１１３８Ａは、円偏光である加工光ＥＬ０＃３４をｓ偏光に変換する。偏光ビームスプリッタ１１３９Ａは、偏光ビームスプリッタ１１３９Ａを通過した加工光ＥＬ０＃３３と偏光ビームスプリッタ１１３９Ａが反射した加工光ＥＬ０＃３４とが合成された加工光ＥＬ０＃３を射出する。この場合、加工光ＥＬ０＃３の強度分布は、図２８の４段目に示すように、図２８の３段目に示す強度分布を加算することで得られる分布と同じになる。
【0162】
この際、ミラー１１３３Ａ及び１１３４Ａは、照明光学系１１３Ａが射出する加工光ＥＬ０＃３が円偏光になるように、加工光ＥＬ０＃３２の光路長を調整してもよい。具体的には、ミラー１１３３Ａ及び１１３４Ａは、加工光ＥＬ０＃３２の光路長を調整するように移動可能であってもよい。
【0163】
このように、照明光学系１１３Ａは、Ｘ軸方向における強度分布がガウス分布となる加工光ＥＬ０＃２の強度分布が、Ｘ軸方向において平坦分布となるように、加工光ＥＬ０＃２の強度分布を変更している。その結果、照明光学系１１３Ａが射出する加工光ＥＬ０＃３の強度分布は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方において平坦分布となる。第１変形例では、このような加工光ＥＬ０＃３が加工光学系１１１に入射する。
【0164】
尚、上述した説明では、加工ヘッド１１Ａは、単一の照明光学系１１２Ａと単一の照明光学系１１３Ａとを備える照明光学ユニットを一つ備えている。しかしながら、図２９に示すように、加工ヘッド１１Ａは、単一の照明光学系１１２Ａと単一の照明光学系１１３Ａとを備える照明光学ユニットを複数備えていてもよい。この場合、第１の照明光学ユニットから射出される加工光ＥＬ０が、第１の照明光学ユニットとは異なる第２の照明光学ユニットに入射してもよい。つまり、照明光学系１１２Ａ及び１１３Ａを用いた加工光ＥＬ０の強度変換が複数回行われてもよい。この場合、加工光学系１１１に入射する加工光ＥＬ０の強度分布が理想的な平坦形状となる可能性が高くなる。
【0165】
また、第１変形例では、加工システムＳＹＳＡは、干渉縞ＩＳを形成することなく、ワークＷを加工してもよい。加工システムＳＹＳＡは、複数の加工光ＥＬ１のうちの少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、光学特性に関する差分を与えなくてもよい。
【0166】
（３－２）加工システムＳＹＳの第２変形例
続いて、図３０を参照しながら、加工システムＳＹＳの第２変形例について説明する。図３０は、加工システムＳＹＳの第２変形例のシステム構成を示すシステム構成図である。尚、以下の説明では、加工システムＳＹＳの第２変形例を、“加工システムＳＹＳＢ”と称する。
続いて、図３０を参照しながら、加工システムＳＹＳの第２変形例について説明する。図３０は、加工システムＳＹＳの第２変形例のシステム構成を示すシステム構成図である。尚、以下の説明では、加工システムＳＹＳの第２変形例を、“加工システムＳＹＳＢ”と称する。
【0167】
図３０に示すように、第２変形例における加工システムＳＹＳＢは、上述した加工システムＳＹＳ（或いは、上述した加工システムＳＹＳＡ）と比較して、冷却装置４Ｂを備えているという点で異なる。加工システムＳＹＳＢのその他の特徴は、加工システムＳＹＳ（或いは、上述した加工システムＳＹＳＡ）のその他の特徴と同一であってもよい。
【0168】
冷却装置４Ｂは、加工対象となる物体を冷却可能である。例えば、冷却装置４Ｂは、加工光学系１１１を冷却可能であってもよい。例えば、冷却装置４Ｂは、上述した加工光学系１１１ａが備えるビームスプリッタ１１１１ａ、ミラー１１１２ａ、ミラー１１１３ａ、偏光ビームスプリッタ１１１４ａ、波長板１１１５ａ、波長板１１１６ａ、波長板１１１７ａ、強度調整素子１１１８ａ及び強度調整素子１１１９ａの少なくとも一つを冷却可能であってもよい。例えば、冷却装置４Ｂは、上述した加工光学系１１１ｂが備えるビームスプリッタ１１１１ｂ、ビームスプリッタ１１１２ｂ、ビームスプリッタ１１１３ｂ、ミラー１１１４ｂ及びミラー１１１５ｂの少なくとも一つを冷却可能であってもよい。例えば、冷却装置４Ｂは、上述した加工光学系１１１ｃが備えるビームスプリッタ１１１１ｃ、ミラー１１１２ｃ、ミラー１１１３ｃ、偏光調整光学系１１１４ｃ及び偏光調整光学系１１１５ｃの少なくとも一つを冷却可能であってもよい。その結果、加工光学系１１１の発熱に起因した動作不良が発生する可能性が低くなる。
【0169】
冷却装置４Ｂは、気体を冷媒として用いることで、加工光学系１１１を冷却してもよい。気体を冷媒として用いる冷却装置４Ｂの一例が、図３１に示されている。図３１に示すように、冷却装置４Ｂは、気体供給管４１Ｂを備えていてもよい。冷却装置４Ｂは、気体供給管４１Ｂから、冷媒として気体を、冷却対象となる物体に向けて供給してもよい。冷却装置４Ｂは、気体供給管４１Ｂから、冷媒として気体を、冷却対象となる物体の周囲の空間に向けて供給してもよい。その結果、気体供給管４１Ｂから供給される気体によって、冷却対象となる物体が冷却される。冷媒として用いられる気体は、不活性ガスを含んでいてもよい。不活性ガスは、例えば、窒素ガス及びアルゴンガスの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【0170】
冷却装置４Ｂは、加工光学系１１１を収容する筐体１５内において、気体供給管４１Ｂから、冷媒として気体を、冷却対象となる物体に向けて供給してもよい。尚、筐体１５には、加工光学系１１１から射出される加工光ＥＬ１が通過可能な保護窓１２１が形成されていてもよい。
【0171】
尚、気体供給管４１Ｂは、気体に加えて又は代えて、冷媒としての液体を、冷却対象となる物体に向けて供給してもよい。つまり、気体供給管４１Ｂを備える冷却装置４Ｂは、液体を冷媒として用いる冷却装置として機能してもよい。この場合、気体供給管４１Ｂは、液体供給管と称されてもよい
冷却装置４Ｂは、液体を冷媒として用いることで、加工光学系１１１を冷却してもよい。液体を冷媒として用いる冷却装置４Ｂの一例が、図３２に示されている。図３２に示すように、冷却装置４Ｂは、水冷管４２Ｂを備えていてもよい。水冷管４２Ｂの内部には、冷媒としての液体が流れる流路が形成されている。水冷管４２Ｂは、冷却対象となる物体に接触するように配置されていてもよい。水冷管４２Ｂは、冷却対象となる物体の周囲の空間に配置されていてもよい。その結果、水冷管４２Ｂ内の流路を流れる液体によって、冷却対象となる物体が冷却される。冷媒として用いられる液体は、水及び油の少なくとも一方を含んでいてもよい。
冷却装置４Ｂは、液体を冷媒として用いることで、加工光学系１１１を冷却してもよい。液体を冷媒として用いる冷却装置４Ｂの一例が、図３２に示されている。図３２に示すように、冷却装置４Ｂは、水冷管４２Ｂを備えていてもよい。水冷管４２Ｂの内部には、冷媒としての液体が流れる流路が形成されている。水冷管４２Ｂは、冷却対象となる物体に接触するように配置されていてもよい。水冷管４２Ｂは、冷却対象となる物体の周囲の空間に配置されていてもよい。その結果、水冷管４２Ｂ内の流路を流れる液体によって、冷却対象となる物体が冷却される。冷媒として用いられる液体は、水及び油の少なくとも一方を含んでいてもよい。
【0172】
尚、水冷管４２Ｂの流路には、液体に加えて又は代えて、気体が冷媒として流れていてもよい。つまり、水冷管４２Ｂを備える冷却装置４Ｂは、気体を冷媒として用いる冷却装置として機能してもよい。この場合、水冷管４２Ｂは、空冷管と称されてもよい
また、第２変形例では、加工システムＳＹＳＢは、干渉縞ＩＳを形成することなく、ワークＷを加工してもよい。加工システムＳＹＳＢは、複数の加工光ＥＬ１のうちの少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、光学特性に関する差分を与えなくてもよい。
また、第２変形例では、加工システムＳＹＳＢは、干渉縞ＩＳを形成することなく、ワークＷを加工してもよい。加工システムＳＹＳＢは、複数の加工光ＥＬ１のうちの少なくとも二つの加工光ＥＬ１の間に、光学特性に関する差分を与えなくてもよい。
【0173】
（３－３）その他の変形例
加工光源２の波長幅範囲（つまり、加工光源２が射出する加工光ＥＬ０の波長幅範囲）が狭帯域化されていてもよい。この場合、加工光源２の波長幅範囲が狭帯域化されていない場合と比較して、加工装置１がワークＷ上で干渉縞ＩＳを形成する干渉領域ＩＡが大きくなる。
加工光源２の波長幅範囲（つまり、加工光源２が射出する加工光ＥＬ０の波長幅範囲）が狭帯域化されていてもよい。この場合、加工光源２の波長幅範囲が狭帯域化されていない場合と比較して、加工装置１がワークＷ上で干渉縞ＩＳを形成する干渉領域ＩＡが大きくなる。
【0174】
上述した説明では、加工装置１は、ヘッド駆動系１２を備えている。しかしながら、加工装置１は、ヘッド駆動系１２を備えていなくてもよい。つまり、加工ヘッド１１は、移動可能でなくてもよい。また、上述した説明では、加工装置１は、ステージ駆動系１４を備えている。しかしながら、加工装置１は、ステージ駆動系１４を備えていなくてもよい。つまり、ステージ１３は、移動可能でなくてもよい。或いは、そもそも、加工装置１は、ステージ１３を備えていなくてもよい。
【0175】
上述した説明では、加工装置１が、金属性のワークＷ（つまり、母材）にリブレット構造ＲＢを形成する例、及び、加工装置１が、ワークＷの表面にコーティングされた膜にリブレット構造ＲＢを形成する例について説明した。しかしながら、加工装置１が行う加工が、上述した例に限定されることはない。例えば、加工装置１は、ワークＷの表面にリブレット構造ＲＢを形成し、リブレット構造ＲＢが形成されたワークＷの表面が膜でコーティングされてもよい。例えば、加工装置１がワークＷの表面にコーティングされた膜にリブレット構造ＲＢを形成する場合には、リブレット構造ＲＢが形成された膜が更に別の膜でコーティングされてもよい。いずれの例においても、リブレット構造ＲＢが膜でコーティングされてもよい。この場合、リブレット構造ＲＢにコーティングされた膜によってリブレット構造ＲＢの機能が低減しないように、膜の厚みが決定されていてもよい。例えば、リブレット構造ＲＢが膜に埋もれてしまう場合に膜によってリブレット構造ＲＢの機能が低減される可能性があるため、リブレット構造ＲＢが膜に埋もれないように、膜の厚みが決定されていてもよい。リブレット構造ＲＢにコーティングされた膜によってリブレット構造ＲＢの機能が低減しないように、リブレット構造ＲＢの形状に沿って（例えば、凸状構造体８１又は溝構造８２に沿って）膜が形成されていてもよい。
【0176】
加工装置１は、除去加工に加えて又は代えて、ワークＷに加工光ＥＬを照射することでワークＷに新たな構造物を付加する付加加工を行ってもよい。この場合、加工装置１は、付加加工を行うことで、上述したリブレット構造ＲＢをワークＷの表面に形成してもよい。或いは、加工装置１は、除去加工及び付加加工の少なくとも一方に加えて又は代えて、ワークＷに工具を接触させることでワークＷを加工する機械加工を行ってもよい。この場合、加工装置１は、機械加工を行うことで、上述したリブレット構造ＲＢをワークＷの表面に形成してもよい。
【0177】
上述した説明では、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面の流体に対する抵抗を低減させる機能を有するリブレット構造ＲＢを形成している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面の流体に対する抵抗を低減させる機能とは異なる機能を有する構造をワークＷに形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、流体とワークＷの表面とが相対的に移動するときに発生する騒音を低減するためのリブレット構造をワークＷに形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面上の流体の流れに対して渦を発生するリブレット構造をワークＷに形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面に疎水性を与えるための構造をワークＷに形成してもよい。
【0178】
上述した説明では、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面にリブレット構造ＲＢを形成している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面上に、任意の形状を有する任意の構造を形成してもよい。任意の構造の一例として、ワークＷの表面上の流体の流れに対して渦を発生させる構造があげられる。任意の構造の他の一例として、ワークＷの表面に疎水性を与えるための構造があげられる。任意の構造の他の一例としては、規則的又は不規則的に形成されたマイクロ・ナノメートルオーダの微細テクスチャ構造（典型的には、山構造及び溝構造を含む凹凸構造）があげられる。微細テクスチャ構造は、流体（気体及び／又は液体）による抵抗を低減させる機能を有するサメ肌構造及びディンプル構造の少なくとも一方を含んでいてもよい。微細なテクスチャ構造は、撥液機能及びセルフクリーニング機能の少なくとも一方を有する（例えば、ロータス効果を有する）ハスの葉表面構造を含んでいてもよい。微細なテクスチャ構造は、液体輸送機能を有する微細突起構造（米国特許公開第２０１７／００４４００２号公報参照）、親液性機能を有する凹凸構造、防汚機能を有する凹凸構造、反射率低減機能及び撥液機能の少なくとも一方を有するモスアイ構造、特定波長の光のみを干渉で強めて構造色を呈する凹凸構造、ファンデルワールス力を利用した接着機能を有するピラーアレイ構造、空力騒音低減機能を有する凹凸構造、液滴捕集機能を有するハニカム構造、並びに、表面上に形成される層との密着性を向上させる凹凸構造、摩擦抵抗を低減するための凹凸構造等の少なくとも一つを含んでいてもよい。この場合においても、凹凸構造を構成する凸状構造体は、上述したリブレット構造ＲＢを構成する凸状構造体８１と同様の構造を有してもよい。凹凸構造を構成する溝構造は、上述したリブレット構造ＲＢを構成する溝構造８２と同様の構造を有してもよい。尚、微細なテクスチャ構造は、特定の機能を有していなくてもよい。
【0179】
上述した説明では、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面にリブレット構造ＲＢを形成している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面にリブレット構造ＲＢを転写するための型を形成してもよい。この場合、ワークＷは、移動体の表面であってもよいし、移動体に貼付可能なフィルムであってもよい。
【0180】
上述した説明では、加工システムＳＹＳは、ワークＷに加工光ＥＬを照射することで、ワークＷを加工している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、光とは異なる任意のエネルギービームをワークＷに照射して、ワークＷを加工させてもよい。この場合、加工システムＳＹＳは、加工光源２に加えて又は代えて、任意のエネルギービームを照射可能なビーム照射装置を備えていてもよい。任意のエネルギービームの一例として、荷電粒子ビーム及び電磁波の少なくとも一方があげられる。荷電粒子ビームの一例として、電子ビーム及びイオンビームの少なくとも一方があげられる。
【0181】
（４）付記
以上説明した実施形態に関して、更に以下の付記を記載する。
［付記１］
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に強度差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記２］
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に位相差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記３］
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に偏光差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記４］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する干渉光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間で、前記加工光の波パラメータが互いに異なるものとなるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの前記波パラメータを調整する調整光学系と
を備える加工装置。
［付記５］
前記干渉縞は、前記複数の加工光が干渉することで発生する干渉光によって形成され、
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光の間で前記波パラメータを互いに異なるものにすることで、前記物体の表面上での前記干渉光のフルエンス分布における最小フルエンスが所望値以上となるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの前記波パラメータを調整する
付記４に記載の加工装置。
［付記６］
前記物体は、前記干渉光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、前記干渉光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、
前記所望値は、前記所定閾値に基づいて設定される
付記５に記載の加工装置。
［付記７］
前記波パラメータは、前記加工光の強度に相当する前記加工光の振幅を含む
付記４から６のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記８］
前記光源からの前記光を分岐して前記複数の加工光を生成する分岐光学系を含み、
前記調整光学系は、前記分岐光学系を含む
付記７に記載の加工装置。
［付記９］
前記分岐光学系は、振幅分割型ビームスプリッタを含む
付記８に記載の加工装置。
［付記１０］
前記分岐光学系は、偏光ビームスプリッタを含み、
前記調整光学系は、前記偏光ビームスプリッタに入射する前記加工光の偏光状態を変更する偏光変更部材を含む
付記８又は９に記載の加工装置。
［付記１１］
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路上に配置され、且つ、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの強度を調整可能な強度調整光学系を含む
付記８から１０のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１２］
前記波パラメータは、前記加工光の位相を含む
付記４から１１のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１３］
前記少なくとも二つの加工光は、第１の入射方向から前記物体の表面に第１の入射角度で入射する第１の加工光と、前記第１の入射方向とは異なる第２の入射方向から前記物体の表面に前記第１の入射角度とは異なる第２の入射角度で入射する第２の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第１の加工光の位相と前記第２の加工光の位相とが異なるものとなるように、前記第１及び第２の加工光の少なくとも一つの位相を調整する
付記１２に記載の加工装置。
［付記１４］
前記少なくとも二つの加工光は、前記第１から第２の入射方向とは異なる第３の入射方向から前記物体の表面に前記第２の入射角度で入射する第３の加工光を含み、
前記調整光学系は、前記第１の加工光の位相と前記第２及び第３の加工光のそれぞれの位相とが異なるものとなるように、前記第１から第３の加工光の少なくとも一つの位相を調整する
付記１３に記載の加工装置。
［付記１５］
前記少なくとも二つの加工光は、前記第１から第３の入射方向とは異なる第４の入射方向から前記物体の表面に前記第１の入射角度で入射する第４の加工光を含み、
前記調整光学系は、前記第１及び第４の加工光のそれぞれの位相と前記第２及び第３の加工光のそれぞれの位相とが異なるものとなるように、前記第１から第４の加工光の少なくとも一つの位相を調整する
付記１４に記載の加工装置。
［付記１６］
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路上に配置され、且つ、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの位相を調整可能な位相調整光学系を含む
付記１２から１５のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１７］
前記位相調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路長を調整することで、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの位相を調整可能である
付記１６に記載の加工装置。
［付記１８］
前記波パラメータは、偏光状態を含む
付記４から１７のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１９］
前記少なくとも二つの加工光は、第５の入射方向から前記物体の表面に第３の入射角度で入射する楕円偏光である第５の加工光と、前記第５の入射方向とは異なる第６の入射方向から前記物体の表面に前記第３の入射角度で入射し且つ楕円偏光である第６の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第５及び第６の加工光に交差する面内において、前記第５の加工光に交差する面内前記第５の加工光の回転方向と前記第６の加工光の回転方向とが異なり、且つ、前記第５の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向と、前記第６の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向とが揃うように、前記第５及び第６の加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整する
付記１８に記載の加工装置。
［付記２０］
前記少なくとも二つの加工光は、第７の入射方向から前記物体の表面に第４の入射角度で入射する直線偏光である第７の加工光と、前記第７の入射方向とは異なる第８の入射方向から前記物体の表面に前記第４の入射角度で入射し且つ直線偏光である第８の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第７及び第８の加工光に交差する面内において、前記第７の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す線分の方向と、前記第８の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す線分の方向とが非平行になるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整する
付記１８又は１９に記載の加工装置。
［付記２１］
前記少なくとも二つの加工光は、第９の入射方向から前記物体の表面に第５の入射角度で入射する楕円偏光である第９の加工光と、前記第９の入射方向とは異なる第１０の入射方向から前記物体の表面に前記第５の入射角度で入射し且つ楕円偏光である第１０の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第９及び第１０の加工光に交差する面内において、前記第９の加工光の回転方向と前記第１０の加工光の回転方向とが同じになり、且つ、前記第９の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向と、前記第１０の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向とが非平行になるように、前記第９及び第１０の加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整する
付記１８から２０のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２２］
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路上に配置され、且つ、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整可能な偏光調整光学系を含む
付記１８から２１のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２３］
前記偏光調整光学系は、波長板を含む
付記２２に記載の加工装置。
［付記２４］
前記光源からの前記光は、パルス光である
付記１から２３のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２５］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に明部と暗部とを有する干渉縞を形成する第１光学系と、
前記物体の表面に形成される前記干渉縞の前記暗部における最小フルエンスを、前記物体の表面を除去できるフルエンスに設定する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記２６］
前記第２光学系は、前記最小フルエンスが所望値以上となるように、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの波パラメータを調整する
付記２５に記載の加工装置。
［付記２７］
前記物体は、前記複数の加工光が干渉することで発生し且つ前記干渉縞を形成する干渉光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、前記干渉光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、
前記第２関係における、前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合は、前記第１関係における前記割合よりも大きく、
前記所望値は、前記所定閾値に基づいて設定される
付記２６に記載の加工装置。
［付記２８］
前記干渉縞を用いて前記物体の一部を除去して前記物体の表面に凹凸構造を形成する
付記２５から２７のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２９］
前記干渉縞の前記明部に達する前記加工光によって前記凹凸構造の凹の部分を形成し、
前記干渉縞の前記暗部に達する前記加工光によって前記凹凸構造の凸の部分を形成する
付記２８に記載の加工装置。
［付記３０］
前記干渉縞の前記暗部に達する前記複数の加工光によって前記物体の一部が除去される
付記２９に記載の加工装置。
［付記３１］
前記第２光学系は、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの加工光の強度と、前記複数の加工光のうちの前記少なくとも一つの加工光とは異なる少なくとも他の一つの加工光の強度とを異ならせる
付記２５から３０のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３２］
前記第２光学系は、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの加工光と、前記複数の加工光のうちの前記少なくとも一つの加工光とは異なる少なくとも他の一つの加工光とに位相差を与える
付記２５から付記３１のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３３］
前記位相差は、１８０＋３６０×ｎ°である（但し、ｎは整数である）
付記３２に記載の加工装置。
［付記３４］
前記第２光学系は、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの加工光である第１加工光の第１偏光状態と、前記複数の加工光のうちの前記少なくとも一つの加工光とは異なる少なくとも他の一つの加工光である第２加工光の第２偏光状態とを異ならせる
付記２５から３３のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３５］
前記第１加工光の偏光成分のうちの少なくとも一部は、前記第２加工光の偏光成分のうちの少なくとも一部に対して直交している
付記３４に記載の加工装置。
［付記３６］
前記光源からの前記光は、パルス光である
付記２５から３５のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３７］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工方法であって、
前記光源からの前記光を分岐して複数の加工光を生成することと、
前記複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することと、
前記複数の加工光で前記物体の表面に干渉縞を形成することと、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間で、前記加工光の波パラメータが互いに異なるものとなるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの前記波パラメータを調整することと
を含む加工方法。
［付記３８］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工方法であって、
前記光源からの前記光を分岐して複数の加工光を生成することと、
前記複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することと、
前記複数の加工光で前記物体の表面に前記物体の表面に明部と暗部とを有する干渉縞を形成することと、
前記物体の表面に形成される前記干渉縞の前記暗部における最小フルエンスを、前記物体の表面を除去できるフルエンスに設定することと
を含む加工方法。
以上説明した実施形態に関して、更に以下の付記を記載する。
［付記１］
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に強度差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記２］
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に位相差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記３］
光源からの光を用いて物体の表面にリブレット加工を行う加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する第１光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間に偏光差を与えて、前記物体の表面に形成されるリブレットの形状を調整する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記４］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に干渉縞を形成する干渉光学系と、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間で、前記加工光の波パラメータが互いに異なるものとなるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの前記波パラメータを調整する調整光学系と
を備える加工装置。
［付記５］
前記干渉縞は、前記複数の加工光が干渉することで発生する干渉光によって形成され、
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光の間で前記波パラメータを互いに異なるものにすることで、前記物体の表面上での前記干渉光のフルエンス分布における最小フルエンスが所望値以上となるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの前記波パラメータを調整する
付記４に記載の加工装置。
［付記６］
前記物体は、前記干渉光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、前記干渉光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、
前記所望値は、前記所定閾値に基づいて設定される
付記５に記載の加工装置。
［付記７］
前記波パラメータは、前記加工光の強度に相当する前記加工光の振幅を含む
付記４から６のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記８］
前記光源からの前記光を分岐して前記複数の加工光を生成する分岐光学系を含み、
前記調整光学系は、前記分岐光学系を含む
付記７に記載の加工装置。
［付記９］
前記分岐光学系は、振幅分割型ビームスプリッタを含む
付記８に記載の加工装置。
［付記１０］
前記分岐光学系は、偏光ビームスプリッタを含み、
前記調整光学系は、前記偏光ビームスプリッタに入射する前記加工光の偏光状態を変更する偏光変更部材を含む
付記８又は９に記載の加工装置。
［付記１１］
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路上に配置され、且つ、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの強度を調整可能な強度調整光学系を含む
付記８から１０のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１２］
前記波パラメータは、前記加工光の位相を含む
付記４から１１のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１３］
前記少なくとも二つの加工光は、第１の入射方向から前記物体の表面に第１の入射角度で入射する第１の加工光と、前記第１の入射方向とは異なる第２の入射方向から前記物体の表面に前記第１の入射角度とは異なる第２の入射角度で入射する第２の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第１の加工光の位相と前記第２の加工光の位相とが異なるものとなるように、前記第１及び第２の加工光の少なくとも一つの位相を調整する
付記１２に記載の加工装置。
［付記１４］
前記少なくとも二つの加工光は、前記第１から第２の入射方向とは異なる第３の入射方向から前記物体の表面に前記第２の入射角度で入射する第３の加工光を含み、
前記調整光学系は、前記第１の加工光の位相と前記第２及び第３の加工光のそれぞれの位相とが異なるものとなるように、前記第１から第３の加工光の少なくとも一つの位相を調整する
付記１３に記載の加工装置。
［付記１５］
前記少なくとも二つの加工光は、前記第１から第３の入射方向とは異なる第４の入射方向から前記物体の表面に前記第１の入射角度で入射する第４の加工光を含み、
前記調整光学系は、前記第１及び第４の加工光のそれぞれの位相と前記第２及び第３の加工光のそれぞれの位相とが異なるものとなるように、前記第１から第４の加工光の少なくとも一つの位相を調整する
付記１４に記載の加工装置。
［付記１６］
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路上に配置され、且つ、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの位相を調整可能な位相調整光学系を含む
付記１２から１５のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１７］
前記位相調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路長を調整することで、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの位相を調整可能である
付記１６に記載の加工装置。
［付記１８］
前記波パラメータは、偏光状態を含む
付記４から１７のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記１９］
前記少なくとも二つの加工光は、第５の入射方向から前記物体の表面に第３の入射角度で入射する楕円偏光である第５の加工光と、前記第５の入射方向とは異なる第６の入射方向から前記物体の表面に前記第３の入射角度で入射し且つ楕円偏光である第６の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第５及び第６の加工光に交差する面内において、前記第５の加工光に交差する面内前記第５の加工光の回転方向と前記第６の加工光の回転方向とが異なり、且つ、前記第５の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向と、前記第６の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向とが揃うように、前記第５及び第６の加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整する
付記１８に記載の加工装置。
［付記２０］
前記少なくとも二つの加工光は、第７の入射方向から前記物体の表面に第４の入射角度で入射する直線偏光である第７の加工光と、前記第７の入射方向とは異なる第８の入射方向から前記物体の表面に前記第４の入射角度で入射し且つ直線偏光である第８の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第７及び第８の加工光に交差する面内において、前記第７の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す線分の方向と、前記第８の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す線分の方向とが非平行になるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整する
付記１８又は１９に記載の加工装置。
［付記２１］
前記少なくとも二つの加工光は、第９の入射方向から前記物体の表面に第５の入射角度で入射する楕円偏光である第９の加工光と、前記第９の入射方向とは異なる第１０の入射方向から前記物体の表面に前記第５の入射角度で入射し且つ楕円偏光である第１０の加工光とを含み、
前記調整光学系は、前記第９及び第１０の加工光に交差する面内において、前記第９の加工光の回転方向と前記第１０の加工光の回転方向とが同じになり、且つ、前記第９の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向と、前記第１０の加工光の電磁場ベクトルの先端の軌跡を表す楕円の長軸の方向とが非平行になるように、前記第９及び第１０の加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整する
付記１８から２０のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２２］
前記調整光学系は、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの光路上に配置され、且つ、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの偏光状態を調整可能な偏光調整光学系を含む
付記１８から２１のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２３］
前記偏光調整光学系は、波長板を含む
付記２２に記載の加工装置。
［付記２４］
前記光源からの前記光は、パルス光である
付記１から２３のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２５］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工装置であって、
前記光源からの前記光を分岐することで生成される複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することで、前記物体の表面に明部と暗部とを有する干渉縞を形成する第１光学系と、
前記物体の表面に形成される前記干渉縞の前記暗部における最小フルエンスを、前記物体の表面を除去できるフルエンスに設定する第２光学系と
を備える加工装置。
［付記２６］
前記第２光学系は、前記最小フルエンスが所望値以上となるように、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの波パラメータを調整する
付記２５に記載の加工装置。
［付記２７］
前記物体は、前記複数の加工光が干渉することで発生し且つ前記干渉縞を形成する干渉光のフルエンスが所定閾値よりも小さい場合におけるフルエンスと加工量との第１関係が、前記干渉光のフルエンスが前記所定閾値よりも大きい場合におけるフルエンスと加工量との第２関係とは異なるものとなるという特性を有しており、
前記第２関係における、前記加工光のフルエンスの増加分に対する加工量の増加分の割合は、前記第１関係における前記割合よりも大きく、
前記所望値は、前記所定閾値に基づいて設定される
付記２６に記載の加工装置。
［付記２８］
前記干渉縞を用いて前記物体の一部を除去して前記物体の表面に凹凸構造を形成する
付記２５から２７のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記２９］
前記干渉縞の前記明部に達する前記加工光によって前記凹凸構造の凹の部分を形成し、
前記干渉縞の前記暗部に達する前記加工光によって前記凹凸構造の凸の部分を形成する
付記２８に記載の加工装置。
［付記３０］
前記干渉縞の前記暗部に達する前記複数の加工光によって前記物体の一部が除去される
付記２９に記載の加工装置。
［付記３１］
前記第２光学系は、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの加工光の強度と、前記複数の加工光のうちの前記少なくとも一つの加工光とは異なる少なくとも他の一つの加工光の強度とを異ならせる
付記２５から３０のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３２］
前記第２光学系は、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの加工光と、前記複数の加工光のうちの前記少なくとも一つの加工光とは異なる少なくとも他の一つの加工光とに位相差を与える
付記２５から付記３１のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３３］
前記位相差は、１８０＋３６０×ｎ°である（但し、ｎは整数である）
付記３２に記載の加工装置。
［付記３４］
前記第２光学系は、前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの加工光である第１加工光の第１偏光状態と、前記複数の加工光のうちの前記少なくとも一つの加工光とは異なる少なくとも他の一つの加工光である第２加工光の第２偏光状態とを異ならせる
付記２５から３３のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３５］
前記第１加工光の偏光成分のうちの少なくとも一部は、前記第２加工光の偏光成分のうちの少なくとも一部に対して直交している
付記３４に記載の加工装置。
［付記３６］
前記光源からの前記光は、パルス光である
付記２５から３５のいずれか一項に記載の加工装置。
［付記３７］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工方法であって、
前記光源からの前記光を分岐して複数の加工光を生成することと、
前記複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することと、
前記複数の加工光で前記物体の表面に干渉縞を形成することと、
前記複数の加工光のうち前記物体に照射される少なくとも二つの加工光の間で、前記加工光の波パラメータが互いに異なるものとなるように、前記少なくとも二つの加工光のうちの少なくとも一つの前記波パラメータを調整することと
を含む加工方法。
［付記３８］
光源からの光を用いて物体の表面を加工する加工方法であって、
前記光源からの前記光を分岐して複数の加工光を生成することと、
前記複数の加工光をそれぞれ異なる入射方向から前記物体に照射することと、
前記複数の加工光で前記物体の表面に前記物体の表面に明部と暗部とを有する干渉縞を形成することと、
前記物体の表面に形成される前記干渉縞の前記暗部における最小フルエンスを、前記物体の表面を除去できるフルエンスに設定することと
を含む加工方法。
【0182】
上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の要件のうちの一部が用いられなくてもよい。上述の各実施形態の要件は、適宜他の実施形態の要件と置き換えることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【0183】
また、本発明は、請求の範囲及び明細書全体から読み取るこのできる発明の要旨又は思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う加工装置及び加工方法もまた本発明の技術思想に含まれる。
【符号の説明】
【0184】
ＳＹＳ 加工システム
１ 加工装置
１１ 加工ヘッド
１１１
１１１ａ
１１１１ａ ビームスプリッタ
１１１２ａ、１１１３ａ ミラー
１１１４ａ 偏光ビームスプリッタ
１１１５ａ、１１１６ａ、１１１７ａ 波長板
１１１８ａ、１１１９ａ 強度調整素子
１１１ｂ 加工光学系
１１１１ｂ、１１１２ｂ、１１１３ｂ ビームスプリッタ
１１１４ｂ、１１１５ｂ ミラー
１１１ｃ 加工光学系
１１１１ｃ ビームスプリッタ
１１１２ｃ、１１１３ｃ ミラー
１１１４ｃ、１１１５ｃ 偏光調整光学系
Ｗ ワーク
ＩＳ 干渉縞
ＩＬ 明部
ＩＤ 暗部
ＩＡ 干渉領域
ＥＬ、ＥＬ０、ＥＬ１ 加工光
ＲＢ リブレット構造
８１ 凸状構造体
８２ 溝構造
１ 加工装置
１１ 加工ヘッド
１１１
１１１ａ
１１１１ａ ビームスプリッタ
１１１２ａ、１１１３ａ ミラー
１１１４ａ 偏光ビームスプリッタ
１１１５ａ、１１１６ａ、１１１７ａ 波長板
１１１８ａ、１１１９ａ 強度調整素子
１１１ｂ 加工光学系
１１１１ｂ、１１１２ｂ、１１１３ｂ ビームスプリッタ
１１１４ｂ、１１１５ｂ ミラー
１１１ｃ 加工光学系
１１１１ｃ ビームスプリッタ
１１１２ｃ、１１１３ｃ ミラー
１１１４ｃ、１１１５ｃ 偏光調整光学系
Ｗ ワーク
ＩＳ 干渉縞
ＩＬ 明部
ＩＤ 暗部
ＩＡ 干渉領域
ＥＬ、ＥＬ０、ＥＬ１ 加工光
ＲＢ リブレット構造
８１ 凸状構造体
８２ 溝構造
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】